CN105122363B - 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法尽可能不使通过精密研磨得到的平滑的表面粗糙度恶化，能够实施高度洁净的清洗。本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法中，在磁盘用玻璃基板的镜面研磨工序后，进行使玻璃基板与清洗液接触的清洗处理，该清洗液对玻璃基板具有蚀刻性并含有胍和咪唑中的至少一种。另外，一边抑制上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行清洗处理。

Description

磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法

技术领域

本发明涉及搭载于硬盘驱动器(HDD)等磁盘装置的磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法。

背景技术

作为搭载于硬盘驱动器(HDD)等磁盘装置的一种信息记录介质，存在磁盘。磁盘是在基板上形成磁性层等薄膜而构成的，作为该基板过去一直使用铝基板。但是，最近，随着记录的高密度化的要求，与铝基板相比玻璃基板能够使磁头和磁盘之间的间隔变得更窄，因此玻璃基板所占有的比例逐渐升高。另外，对玻璃基板表面高精度地进行研磨以使磁头的悬浮高度尽量下降，由此实现记录的高密度化。近年来，对HDD越来越多地要求更大的存储容量化，为了实现这样的目的，磁盘用玻璃基板也需要进一步的高品质化，要求为更平滑且洁净的玻璃基板表面。

如上所述，为了对于记录的高密度化所必须的低飞行高度(悬浮量)化，磁盘表面必须具有高平滑性。为了得到磁盘表面的高平滑性，结果要求具有高平滑性的基板表面，因此需要对玻璃基板表面进行高精度的研磨，但仅仅如此是不够的，还需要通过研磨后的清洗去除基板表面的附着异物，得到洁净的基板表面。

作为现有的方法，例如，专利文献1中公开了一种方法，其中，在利用含有多元胺的研磨液进行研磨后，对基板进行碱(pH8～13)清洗。另外，专利文献2中公开了一种方法，其中，在研磨后用含有碱性试剂、醛糖酸类的pH10以上的碱性清洗剂对基板进行清洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-107226号公报

专利文献2：日本特开2010-86563号公报

发明内容

发明要解决的课题

现在的HDD能够实现一平方英寸500千兆比特程度的记录密度，例如，1枚2.5英寸型(直径65mm)的磁盘能够存储320千兆字节程度的信息，但是要求实现记录的更高密度化、例如375～500千兆字节、进而1百万兆字节。伴随着这种近年来的HDD的大容量化的要求，提高基板表面品质的要求也比迄今为止更加严格。在面向上述那样的例如375～500千兆字节的磁盘的下一代基板中，由于基板对介质特性所产生的影响变大，因此不仅是基板表面的粗糙度，而且在不存在异物附着等导致的表面缺陷的方面也要求对现有产品进行进一步的改善。

在下一代基板中基板对介质特性所产生的影响变大是基于下述理由。

可以举出磁头的悬浮量(磁头与介质(磁盘)表面的间隙)的大幅降低(低悬浮量化)。这样一来，磁头与介质的磁性层的距离接近，因此能够拾取更小的磁性颗粒的信号，能够实现记录的高密度化。近年来，为了实现现有以上的低悬浮量化，使磁头搭载了被称为DFH(Dynamic Flying Height，动态飞行高度)的功能。该功能是在磁头的记录再生元件部的附近设置极小的加热器等加热部，仅使记录再生元件部周边向介质表面方向突出。可以预计：今后，通过该DFH功能，磁头的元件部与介质表面的间隙变得极小，小于2nm或小于1nm。在这种状况下，使基板表面的平均粗糙度变得极小，结果可知：若存在以往未成为问题的极小的异物(例如小的物质，在主表面的面内方向的长度为10nm～40nm左右)的附着等所引起的略呈凸状的程度的表面缺陷，则直接在介质表面形成凸状缺陷，因而磁头碰撞的危险性提高。

另外，根据本发明人的研究，可知：即便使用以上述专利文献中公开的方法为代表的现有的各种精密研磨技术、精密清洗技术，或者单纯对它们进行组合使用，也无法兼顾清洗后的低粗糙度和高洁净度。

伴随着近年来的HDD的大容量化的要求，提高基板表面品质的要求也比迄今为止更加严格，通过现有的改善方法来实现基板表面品质的进一步提高存在极限。需要说明的是，此处碱性试剂是指在溶解于水中时显示出碱性的物质。

本发明是为了解决这样的现有问题而进行的，其第一目的在于提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法能够尽可能不使通过精密研磨得到的平滑的表面粗糙度恶化而进行清洗处理，其结果，可以实现低粗糙度(高平滑性)；第二目的在于提供一种能够实施高度洁净的清洗的磁盘用玻璃基板的制造方法。

用于解决课题的方案

为了提高基板的洁净度，需要将粘着于基板表面的异物清洗除去，为此，在使用pH高(碱性强)的碱性试剂进行清洗时可以实现高洁净度，因而是优选的。这是因为，在碱性度高的碱性试剂的情况下，玻璃的表面被蚀刻，因此即使是粘着的异物，也可以彻底除去。但是，在现有的碱性清洗的情况下，碱性度越高则对玻璃的蚀刻效果越大，因而基板表面的粗糙度因碱性清洗而上升，无法维持通过精密研磨所得到的超平滑的表面粗糙度。于是，本发明人摸索出了下述方法：在维持由碱性清洗所得到的清洗力的同时，可抑制基板的表面粗糙度上升。其结果，查明了：通过使用特定的碱性试剂，特异性地抑制了粗糙度上升。

另外，还发现：不仅是清洗中使用的碱性试剂的碱性度，与OH离子形成对的阳离子的种类有时也会对粗糙度上升量产生大幅影响。此外查明：清洗后的表面粗糙的程度还因有机碱剂的种类或产品批次而不同的情况取决于清洗液中存在的钠离子或钾离子的量不同的影响。此处，四甲基氢氧化铵(TMAH)等有机碱原本不含有钠或钾的离子中的任一种，但认为在工业制造过程中会不可避免地混入钠或钾等，查明了这与玻璃基板的表面粗糙有关。

本发明人基于所得到的这些技术思想进一步进行了深入研究，结果完成了本发明。

即，本发明具有以下的构成。

(构成1)

一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理包括使上述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于上述清洗处理前的增大量、和用于上述清洗处理的清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度的关系，基于所求出的上述关系，决定上述表面粗糙度(Ra)的增大量达到0.06nm以下的上述清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度，在上述清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度为上述决定的浓度以下的条件下，进行主表面经镜面研磨的上述玻璃基板的清洗处理。

(构成2)

一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，使用含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液，按照上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量不达到200ppm以上的方式一边更换上述清洗液的至少一部分，一边进行主表面经镜面研磨的上述玻璃基板的清洗处理。

(构成3)

一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理包括使上述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，一边抑制上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行上述清洗处理。

(构成4)

如构成1～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分。

(构成5)

如构成1～4中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗液进一步含有表面活性剂、螯合剂以及分散剂中的至少一种物质，一边抑制上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行上述清洗处理。

(构成6)

如构成2～5中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)与即将进行上述清洗处理前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)之差为0.06nm以内。

(构成7)

如构成1～6中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，即将进行上述清洗处理前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)为0.13nm以下。

(构成8)

如构成1～7中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗液的pH为10以上。

(构成9)

如构成1～8中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理是在利用研磨磨粒对上述玻璃基板的主表面进行研磨的研磨工序中的最终研磨工序后所进行的清洗处理。

(构成10)

如构成9所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述最终研磨中所用的研磨液为碱性。

(构成11)

一种磁盘的制造方法，其特征在于，在利用构成1～10中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法所制造的磁盘用玻璃基板上至少形成磁记录层。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种磁盘用玻璃基板的制造方法，该制造方法能够尽可能不使通过精密研磨得到的平滑的表面粗糙度恶化而实施清洗处理，其结果，可以实现低粗糙度(高平滑性)。另外，根据本发明，可以提供一种能够实施高度洁净的清洗的磁盘用玻璃基板的制造方法。根据这样的本发明，能够以低成本制造一种高品质的磁盘用玻璃基板，该磁盘用玻璃基板与现有产品相比，可以进一步降低基板主表面的粗糙度，并且可以进一步降低异物附着等所导致的表面缺陷。由本发明得到的磁盘用玻璃基板尤其可以适合用作对基板表面品质的要求比现行更严格的下一代用的基板。另外，即使在利用由本发明得到的玻璃基板、并与搭载了DFH功能的极低悬浮量的设计的磁头组合的情况下，也可以得到能够长时间稳定工作的、可靠性高的磁盘。

附图说明

图1是磁盘用玻璃基板的截面图。

图2是磁盘用玻璃基板的整体立体图。

图3是示出双面研磨装置的示意性构成的纵截面图。

具体实施方式

下面，详细说明本发明的实施方式。

磁盘用玻璃基板通常经过粗磨削工序(粗磨光工序)、形状加工工序、精磨削工序(精磨光工序)、端面研磨工序、主表面研磨工序(第1研磨工序、第2研磨工序)、化学强化工序等来制造。

在该磁盘用玻璃基板的制造中，首先，将熔融玻璃通过直接模压来成型为圆盘状的玻璃基板(玻璃盘)。需要说明的是，除了使用这样的直接模压方法之外，还可将用下拉法或浮法制造的板状玻璃切割成规定大小以得到玻璃基板。接着，对该成型的玻璃基板进行磨削(磨光)，以提高尺寸精度和形状精度。该磨削工序通常利用双面研磨装置、并用金刚石等硬质磨粒对玻璃基板主表面进行磨削。通过这样对玻璃基板主表面进行磨削，不仅加工成规定的板厚和平坦度，而且得到规定的表面粗糙度。

在该磨削工序结束后，进行用于得到高精度的平面(镜面)的研磨加工。作为玻璃基板的研磨方法，优选一边供给含有氧化铈或胶态二氧化硅等金属氧化物的研磨材料的浆料(研磨液)，一边使用聚氨酯等的研磨垫来进行研磨。

本实施方式中的研磨液除了含有研磨材料与作为溶剂的水的组合外，也可以根据需要进一步含有用于调整研磨液的pH的pH调节剂、或其它添加剂。

另外，适用于研磨工序(特别是精制研磨处理(后述的第2研磨处理))的上述研磨液优选使用例如被调整为酸性范围的研磨液。例如，将硫酸添加至研磨液中，调整为pH＝2～4的范围。优选使用调整为酸性范围的研磨液的理由是从生产率和洁净性的方面出发的。

另外，若将本发明的清洗处理适用于下述清洗处理则更合适，该清洗处理是在使用含有胶态二氧化硅的研磨磨粒并被调整为碱性范围的研磨液对玻璃基板的主表面进行研磨的研磨工序后进行的。以酸性对玻璃基板进行研磨的情况下，由于酸所产生的浸出作用，一部分元素从玻璃基板表面排出，因而之后实施碱性清洗时，蚀刻作用容易发生局部的不均，清洗后的玻璃基板表面的粗糙增大。在调整为碱性的条件下进行研磨时，这种现象比较难以发生。因此，在研磨工序后利用强碱性的清洗液进行玻璃基板的清洗处理的情况下，与酸性研磨时相比，在碱性条件下研磨能够使表面粗糙度相对更低，因而是优选的。从缩小与清洗液的pH之差的方面考虑，在碱性条件下研磨时的研磨液的pH优选为10以上，进一步优选为11以上。另外，从操作容易性的方面出发，优选为13以下。

从研磨效率的方面出发，研磨液中含有的胶态二氧化硅等研磨磨粒优选使用平均粒径为10～100nm左右的研磨磨粒。特别是，本发明中，从实现表面粗糙度的进一步降低的方面出发，在精制研磨工序(后述的后段的第2研磨工序)中使用的研磨液中含有的研磨磨粒优选使用平均粒径为10～40nm左右的研磨磨粒，特别优选10～20nm左右的微细的研磨磨粒。但是，研磨磨粒越微细，则一度吸附至玻璃基板时越难以除去。对于本发明的清洗处理，特别是若平均粒径为20nm以下的超微小的胶态二氧化硅研磨磨粒的研磨后适用，能够在维持极低的表面粗糙度的状态下将研磨磨粒清洗除去，使玻璃基板表面洁净，因而是有效的。

需要说明的是，本发明中，上述平均粒径是指，在将通过光散射法测定的粒度分布中的粉体集团的总体积设为100％而求出累积曲线时，其累积曲线达到50％的点的粒径(下文中称为“累积平均粒径(50％径)”)。本发明中，累积平均粒径(50％径)具体是使用粒径/粒度分布测定装置测定得到的值。

另外，用于本发明的胶态二氧化硅磨粒可以使用通过将有机硅化合物水解而生成的胶态二氧化硅磨粒。这种磨粒的磨粒彼此难以凝集，但是容易牢固附着于研磨工序后的玻璃基板表面，适用本发明的清洗处理是有效的。

本发明中，对研磨工序中的研磨方法没有特别限定，例如，使玻璃基板与研磨垫接触，一边供给含有研磨磨粒的研磨液，一边使研磨垫与玻璃基板相对地移动，将玻璃基板的表面研磨成镜面状即可。

例如，图3是示出玻璃基板的研磨工序中能够使用的行星齿轮方式的双面研磨装置的示意性结构的纵截面图。图3所示的双面研磨装置具备：太阳齿轮2；在其外侧以同心圆状配置的内齿轮3；与太阳齿轮2和内齿轮3啮合并根据太阳齿轮2、内齿轮3的旋转而公转和自转的载具4；分别粘贴有能够夹持保持在该载具4中的被研磨加工物1的研磨垫7的上定盘5和下定盘6；和向上定盘5与下定盘6之间供给研磨液的研磨液供给部(未图示)。

通过这样的双面研磨装置，在研磨加工时，用上定盘5和下定盘6夹持保持在载具4中的被研磨加工物1、即玻璃基板，并且向上下定盘5、6的研磨垫7与被研磨加工物1之间供给研磨液，同时载具4根据太阳齿轮2、内齿轮3的旋转而公转和自转，被研磨加工物1的上下两面被研磨加工。

特别是，作为精制研磨用的研磨垫，优选为软质抛光材料的研磨垫(绒面革垫)。研磨垫的硬度以ASKER C硬度计优选为60以上80以下。研磨垫的与玻璃基板的抵接面优选为具有发泡孔开口的发泡树脂、尤其是发泡聚氨酯。若如此进行研磨，则能够将玻璃基板的表面研磨成平滑的镜面状。

本发明的一个实施方式的特征在于，例如在上述玻璃基板主表面的研磨工序后进行的、利用包含清洗剂的清洗液对玻璃基板进行清洗的清洗处理中，该清洗处理包括使玻璃基板与含有对玻璃基板具有蚀刻性的特定的碱性试剂、具体来说胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理。

本发明人对在维持碱性清洗所产生的清洗力的同时可抑制基板的表面粗糙度上升的方法进行了模索，结果查明，通过使用特定的碱性试剂、即胍，可以特异性地抑制粗糙度上升。

上述胍虽然碱性度高(例如与KOH同等)，对玻璃的蚀刻作用所产生的异物除去效果大，但是清洗后的基板表面的粗糙度上升少。因此，通过用包含胍作为碱性清洗剂的清洗液对玻璃基板进行清洗，可以实现清洗后的玻璃基板中的低粗糙度(高平滑性)，而且还可得到良好的清洗性，可以实现高洁净度。

对于清洗液中的胍的含量，不需要特别限制，例如优选为0.005摩尔/升～1摩尔/升的范围。若胍的含量小于0.005摩尔/升，则蚀刻速率降低，因此，为了获得对玻璃的蚀刻作用所引起的异物除去效果，要花费时间，生产率有可能变差。另一方面，若胍的含量多于1摩尔/升，则虽然可得到充分的碱性清洗作用，但碱所产生的蚀刻速率升高，因而在玻璃组成包含钠或钾的情况下，这些离子的溶出量增多，有时需要频繁地进行清洗液中的钠离子和钾离子的调整作业。另外，被要求进行非常严格的管理的基板的内径或外径有时会产生偏差，脱离特定的范围。另外，由于碱性变得过强，因而操作也需要注意。

另外，在循环使用清洗液的情况下，因从玻璃基板中溶出而使清洗液中的Na离子或K离子增加时，添加捕获碱金属离子的螯合剂等是有效的。

另外，本发明人对在维持碱性清洗所产生的清洗力的同时可抑制基板的表面粗糙度上升的方法进行了模索，结果还查明，通过使用咪唑，可以特异性地抑制粗糙度上升。

关于上述咪唑，虽然碱性度高(例如与KOH同等)、对玻璃的蚀刻作用所产生的异物除去效果大，但清洗后的基板表面的粗糙度上升也少。因此，通过用包含咪唑作为碱性清洗剂的清洗液对玻璃基板进行清洗，可以实现清洗后的玻璃基板中的低粗糙度(高平滑性)，而且还可得到良好的清洗性，可以实现高洁净度。

对于清洗液中的咪唑的含量，不需要特别限制，例如优选为0.005摩尔/升～1摩尔/升的范围。若咪唑的含量小于0.005摩尔/升，则蚀刻速率降低，因此，为了获得对玻璃的蚀刻作用所引起的异物除去效果，要花费时间，生产率变差。另一方面，若咪唑的含量多于1摩尔/升，则虽然可得到充分的碱性清洗作用，但对玻璃的蚀刻速率变得过快，清洗后的基板表面的粗糙度上升有可能增大。

上述的胍或咪唑等有机碱剂在水中的溶解性高，溶解于水时显示出强碱性，虽然对玻璃的蚀刻作用所产生的异物除去效果大，但能够抑制蚀刻导致的表面粗糙。关于其原理未必明确，但是可考虑如下。

即，在钾离子或钠离子的情况下，若与玻璃基板表面的OH基(外部硅烷醇基或硅氧烷键(O-Si-O键)被水解而生成的内部硅烷醇基)结合，则可选择性地提高结合部分的蚀刻速率，在玻璃基板表面发生蚀刻速率的不均，认为与粗糙度上升有关；但是在上述有机碱剂的情况下，认为即使与玻璃表面的OH基结合，也不发生蚀刻速率的上升。另外认为：上述有机碱剂率先与玻璃基板表面的OH基结合，从而还具有抑制之后Na离子或K离子发生结合的效果。由此，通过一边抑制清洗液中含有的钠离子和钾离子的含量一边进行清洗处理，从而可以抑制清洗后的基板表面的粗糙度上升。因此，可以实现清洗后的玻璃基板中的超低粗糙度(高平滑性)，而且还可得到良好的清洗性，可以实现高洁净度。

本发明中，上述胍比上述咪唑得到更好的效果。推测这是因为上述胍的碱性强，因而上述作用效果大。

需要说明的是，本发明中，可以将上述胍与上述咪唑合用。

另外，以往，碱性清洗后的玻璃基板表面的粗糙度上升仅取决于碱性试剂的碱性度，一般的认识是，碱性越强则粗糙度上升越大，但本发明人发现，不仅是清洗中使用的碱性试剂的碱性度，而且与OH离子成对的阳离子的种类也会对粗糙度上升量产生大幅影响。

例如，在使用KOH或NaOH等强碱作为碱性试剂的情况下，虽然可通过良好的蚀刻作用得到异物除去效果，但清洗后的玻璃基板表面的粗糙度上升大。根据本发明人的研究可知，该情况下，不仅是这些碱性试剂的碱性度，而且K离子或Na离子等阳离子的存在也与基板的粗糙度上升有关。

因此，本发明人发现，一边抑制碱性清洗液中的Na离子和K离子的总量小于200ppm一边进行清洗处理是合适的。由此，可通过清洗液中含有的碱性试剂的OH离子得到蚀刻作用，另一方面，通过抑制清洗液中的Na离子和K离子的存在量，可以抑制碱金属离子与OH离子的相乘作用所导致的基板的粗糙度上升。特别是，一边抑制碱性清洗液中的Na离子和K离子的总量为100ppm以下、更优选为10ppm以下、进一步优选为1ppm以下一边进行清洗处理是合适的。

作为抑制或控制清洗液中的钠离子和钾离子的含量的方法，在清洗开始时或清洗中的特定时刻对清洗液进行采样等，测定清洗液中的这些离子的含量，在超过特定值的情况下，通过捕捉上述离子的螯合剂等的添加、水稀释、清洗液更换等手段来降低这些离子的含量，从而能够进行调整。另外，玻璃基板中含有Na或K的情况下，也可以进行下述处理：预先掌握清洗时间或批次数(清洗处理次数)与清洗液中的Na离子和K离子的浓度的关系，基于所掌握的关系来调整Na离子与K离子的含量。

需要说明的是，在使用上述胍或咪唑的情况下，如上所述，通过胍或咪唑与玻璃表面的OH基结合的作用，清洗液中的Na离子和K离子的存在所产生的影响减小，因此可得到良好的蚀刻作用所产生的异物除去效果，并且认为能够抑制清洗后的基板表面的粗糙度上升。

另外，在对玻璃成分中含有钠或钾等碱金属成分的玻璃基板进行清洗的情况下，一边抑制由玻璃成分的溶出所产生的碱性清洗液中的Na离子和K离子的总量小于200ppm一边进行清洗工序是合适的。

需要说明的是，清洗液中的Na离子或K离子的含量可以使用由清洗槽采样的清洗液，例如通过离子色谱法或ICP法进行调查。

另外，此处，ppm是指质量ppm(将质量比以100万分数表示)。

另外，为了防止通过碱性试剂从基板表面除去的异物再次附着于基板表面、并提高清洗效果，除了上述胍或上述咪唑以外，也可以使清洗液中进一步适当含有表面活性剂、螯合剂、分散剂等清洗剂。

作为本发明中可以优选使用的表面活性剂，可以举出例如烷基硫酸酯钠、脂肪酸钠、烷基芳基磺酸盐等阴离子表面活性剂、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯衍生物等非离子表面活性剂。另外，作为螯合剂，可以举出例如EDTA等氨基羧酸、柠檬酸等有机酸或它们的盐等。此外，作为分散剂，可以举出例如磷酸盐、硫酸盐、高分子分散剂等。

但是，这些表面活性剂、螯合剂、分散剂等清洗剂通常以碱金属盐(钾盐、钠盐等)的形式进行调合，因此即使在清洗液中含有这些清洗剂的情况下，也优选一边抑制清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm一边进行上述清洗处理。更优选一边抑制为100ppm以下、进一步优选一边抑制为10ppm以下一边进行上述清洗处理。需要说明的是，这种情况下，优选使用例如四甲基铵离子等季铵阳离子形成季铵盐。通过形成季铵盐，可以不增加钠离子或钾离子的量而增加添加量。另外，在添加剂的合成方面，钠或钾作为杂质不可避免地混入时，优选使用以减少该离子的量的方式用离子交换树脂等进行了精制处理的物质。这些对镁离子、钙离子也相同。

上述清洗处理通常可如下进行：在容纳有含有上述胍和上述咪唑中的至少一种、所需要的添加剂的清洗液的清洗槽中，例如使研磨工序结束后的玻璃基板接触(例如浸渍)，从而进行上述清洗处理。此时，为了提高清洗效果，还优选施加超声波。清洗液的液温、清洗时间等可以适当设定。

本发明中，可以使清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)与即将进行清洗处理前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)之差为0.06nm以内，还可以更优选为0.05nm以下、进一步优选为0.03nm以下、更进一步优选为0.01nm以下。

即，根据本发明，可以抑制碱性清洗导致的基板表面的粗糙度上升。

另外，即将进行清洗处理前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.10nm以下的超平滑的表面。根据本发明，由于可以抑制碱性清洗导致的基板表面的粗糙度上升，因此能够尽量不使通过研磨工序得到的上述超平滑的基板表面粗糙度变差。

另外，本发明中，上述清洗液的pH优选为10以上。根据本发明，即使清洗液为高pH(强碱)，基板表面的粗糙度上升也少，因此，其结果可以在抑制粗糙度上升的同时实施高度洁净的清洗。更优选为11以上。若pH小于10，则蚀刻速率降低，为了得到对于玻璃的蚀刻作用所产生的异物除去效果要花费时间，生产率有时变差。另一方面，若pH大于13，虽然可得到充分的碱性清洗作用，但碱所产生的蚀刻速率升高，因而在玻璃组成包含钠或钾的情况下这些离子的溶出量增多，有时需要频繁地进行清洗液中的钠离子和钾离子的调整作业。另外，被要求进行非常严格的管理的基板的内径或外径有时会产生偏差，脱离特定的范围。另外，由于碱性变得过强，因而操作也需要注意。

作为本发明的优选实施方式，涉及一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理包括使上述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，预先求出上述清洗处理后的玻璃基板相对于上述清洗处理前的玻璃基板的主表面的表面粗糙度(Ra)的增大量、与上述清洗处理中使用的清洗液中的钠离子和钾离子的总浓度的关系，基于所求出的上述关系，决定上述表面粗糙度(Ra)的增大量为0.06nm以下的上述清洗液中的钠离子和钾离子的总浓度，一边维持上述清洗液中的钠离子和钾离子的总浓度为上述决定的浓度以下的条件，一边进行主表面经镜面研磨的上述玻璃基板的清洗处理。

根据这种实施方式，可以按照清洗所导致的玻璃基板表面的粗糙度增大量为特定值以下的方式进行清洗处理。

另外，作为本发明的优选的其它实施方式，涉及一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，使用含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液，若上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量超过200ppm，则一边进行液体更换，一边进行主表面经镜面研磨的上述玻璃基板的清洗处理。

根据这种实施方式，例如在对大量的玻璃基板进行连续清洗、结果长时间用同一清洗槽进行清洗的情况下，若清洗液中的钠离子和钾离子的总量超过200ppm则与新的清洗液进行液体更换，从而也可以抑制清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，因此可以抑制玻璃基板表面的粗糙度上升。

另外，作为本发明的优选的其它实施方式，涉及一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，上述清洗处理包括使上述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，一边抑制上述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行上述清洗处理。

根据这种实施方式，能够抑制清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，因此可以抑制玻璃基板表面的粗糙度上升。

需要说明的是，通常，研磨工序一般经过下述两个阶段来进行：即，如上所述用于除去磨光工序中残留的伤痕或变形的第1研磨处理；和一边维持该第1研磨工序中得到的平坦表面、一边将玻璃基板主表面的表面粗糙度精制成平滑的镜面的第2研磨工序(其中，有时也进行3阶段以上的多阶段研磨)，该情况下，优选至少在后段的第2研磨处理、即研磨工序中的最终研磨处理后进行的清洗工序中适用本发明的清洗处理。特别是，将本发明的清洗处理适用于下述清洗处理是合适的，该清洗处理是在使用含有胶态二氧化硅的研磨磨粒并被调整为碱性范围的研磨液对玻璃基板的主表面进行研磨的研磨工序后进行的。以酸性对玻璃基板进行研磨的情况下，由于酸所产生的浸出作用，一部分元素从玻璃基板表面排出，之后以碱性实施清洗时，不均匀地产生蚀刻作用，清洗后的玻璃基板表面严重粗糙。在调整为碱性的条件下进行研磨时不会看到这种现象，可以使玻璃基板表面粗糙度相对更低。

本发明中，构成玻璃基板的玻璃(的玻璃种类)优选为铝硅酸盐玻璃。另外，进一步优选为无定形的铝硅酸盐玻璃。通过对表面进行镜面研磨，这种玻璃基板可以精制成平滑的镜面，而且加工后的强度良好。作为这种铝硅酸盐玻璃，可以使用作为主要成分含有58重量％以上75重量％以下的SiO₂、5重量％以上23重量％以下的Al₂O₃、3重量％以上10重量％以下的Li₂O、4重量％以上13重量％以下的Na₂O的铝硅酸盐玻璃(其中，为不包含磷氧化物的铝硅酸盐玻璃)。进而，例如可以形成作为主要成分含有62重量％以上75重量％以下的SiO₂、5重量％以上15重量％以下的Al₂O₃、4重量％以上10重量％以下的Li₂O、4重量％以上12重量％以下的Na₂O、5.5重量％以上15重量％以下的ZrO₂、同时Na₂O/ZrO₂的重量比为0.5以上2.0以下、Al₂O₃/ZrO₂的重量比为0.4以上2.5以下的不包含磷氧化物的无定形的铝硅酸盐玻璃。

另外，作为下一代基板的特性，有时还要求耐热性。作为该情况下的耐热性玻璃，例如，可以优选使用下述玻璃，以摩尔％表示，其包含50％～75％的SiO₂、0％～6％的Al₂O₃、0％～2％的BaO、0％～3％的Li₂O、0％～5％的ZnO、合计为3％～15％的Na₂O和K₂O、合计为14％～35％的MgO、CaO、SrO和BaO、合计为2％～9％的ZrO₂、TiO₂、La₂O₃、Y₂O₃、Yb₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅和HfO₂，摩尔比[(MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO)]为0.85～1的范围，且摩尔比[Al₂O₃/(MgO+CaO)]为0～0.30的范围。

本发明中，上述研磨加工后的玻璃基板的表面优选算术平均表面粗糙度Ra为0.20nm以下、特别优选为0.15nm以下、进一步优选为0.10nm以下。此外，最大粗糙度Rmax优选为2.0nm以下、特别优选为1.5nm以下、进一步优选为1.0nm以下。需要说明的是，本发明中提及Ra、Rmax时，是指根据日本工业标准(JIS)B0601:1982计算出的粗糙度。它们的表面优选为镜面。

另外，本发明中，在实际使用方面，表面粗糙度(例如，最大粗糙度Rmax、算术平均粗糙度Ra)优选为利用原子力显微镜(AFM)以512×512像素的分辨率对1μm×1μm的范围进行测定时得到的表面形状的表面粗糙度。

本发明中，优选在研磨加工工序之前或之后实施化学强化处理。作为化学强化处理的方法，例如，优选在不超过玻璃化转变点的温度的温度区域、例如摄氏300度以上400度以下的温度下进行离子交换的低温型离子交换法等。化学强化处理是指下述处理：使熔融的化学强化盐与玻璃基板接触，从而使化学强化盐中原子半径相对大的碱金属元素与玻璃基板中原子半径相对小的碱金属元素发生离子交换，使该离子半径大的碱金属元素渗透至玻璃基板的表层，在玻璃基板的表面产生压缩应力。经化学强化处理的玻璃基板的耐冲击性优异，因此特别优选搭载于例如移动用途的HDD。作为化学强化盐，优选可以使用硝酸钾、硝酸钠等碱金属硝酸盐。

通过本发明的磁盘用玻璃基板的制造方法，如图1和图2所示，得到具有两主表面11、11、和其之间的外周侧端面12、内周侧端面13的盘状的玻璃基板1。外周侧端面12由侧壁面12a、和位于其两侧的主表面之间的倒角面12b、12b形成。关于内周侧端面13，也为同样的形状。

另外，本发明还提供使用了上述磁盘用玻璃基板的磁盘的制造方法。本发明中，磁盘是通过在本发明的磁盘用玻璃基板上至少形成磁性层而制造的。作为磁性层的材料，可以使用各向异性磁场大的六方晶系的CoCrPt系或CoPt系强磁性合金。作为磁性层的形成方法，优选使用通过溅射法、例如直流磁控溅射法在玻璃基板上成膜磁性层的方法。另外，通过在玻璃基板与磁性层之间插入底层，能够控制磁性层的磁性粒子的取向方向和磁性粒子的大小。例如，通过使用包含Ru、Ti的六方晶系底层，能够使磁性层的易磁化方向沿磁盘面的法线取向。这种情况下制造出垂直磁记录方式的磁盘。底层可以与磁性层同样地通过溅射法来形成。

另外，在磁性层上可以依次形成保护层、润滑层。作为保护层优选非晶质氢化碳系保护层。例如，能够通过等离子体CVD法形成保护层。另外，作为润滑层可以使用在全氟聚醚化合物的主链末端具有官能团的润滑剂。特别是，优选将在末端具有羟基作为极性官能团的全氟聚醚化合物作为主要成分。润滑层可以通过浸渍法来涂布形成。

通过使用由本发明得到的磁盘用玻璃基板，可以得到可靠性高的磁盘。

实施例

下面，举出实施例来对本发明的实施方式进行具体说明。需要说明的是，本发明不限于以下实施例。另外，关于相对于本发明的实施例的比较例(参考例)，也一并进行说明。

经过以下的(1)粗磨光工序(粗磨削工序)、(2)形状加工工序、(3)精磨光工序(精磨削工序)、(4)端面研磨工序、(5)主表面第1研磨工序、(6)化学强化工序、(7)主表面第2研磨工序、(8)清洗处理，来制造磁盘用玻璃基板。

(1)粗磨光工序

首先，通过利用上模、下模、筒形模具的直接模压由熔融玻璃得到直径为66mmφ、厚度为1.0mm的圆盘状的由非晶质铝硅酸盐玻璃构成的玻璃基板。另外，除了这样的直接模压以外，还可以将通过下拉法或浮法制造的板状玻璃切割成规定大小而得到玻璃基板。作为该铝硅酸盐玻璃，使用含有58重量％～75重量％的SiO₂、5重量％～23重量％的Al₂O₃、3重量％～10重量％的Li₂O、4重量％～13重量％的Na₂O的玻璃。

接下来，对该玻璃基板进行磨光工序，以提高尺寸精度和形状精度。该磨光工序利用双面磨光装置进行。具体来说，使通过载具保持的玻璃基板紧贴在上下定盘之间，使上述磨光装置的太阳齿轮和内齿轮旋转，由此使载具进行行星齿轮运动而进行磨光。

(2)形状加工工序

接着，利用圆筒状的磨石在玻璃基板的中央部分打通孔，之后对外周端面和内周端面实施规定的倒角加工。需要说明的是，通常，在2.5英寸型HDD(硬盘驱动器)中使用外径为65mm的磁盘。

(3)精磨光工序

该精磨光工序与上述同样地使用双面磨光装置进行。具体地说，使通过载具保持的玻璃基板紧贴在上下定盘之间，该上下定盘粘贴有用树脂固定了金刚石磨粒的颗粒，由此进行精磨光工序。

(4)端面研磨工序

接下来，通过刷光研磨一边使玻璃基板旋转一边对玻璃基板端面(内周、外周)的表面进行研磨。

(5)主表面第1研磨工序

接着，利用上述图3所示的双面研磨装置进行了第1研磨处理。在双面研磨装置中，使通过载具4保持的玻璃基板紧贴在粘贴有研磨垫7的上下研磨定盘5、6之间，并使该载具4与太阳齿轮2和内齿轮3啮合，并通过上下定盘5、6夹持上述玻璃基板。其后，向研磨垫与玻璃基板的研磨面之间供给研磨液并使其旋转，玻璃基板在定盘5、6上一边自转一边公转，由此对双面同时进行研磨加工。具体来说，利用硬质抛光材料(硬质发泡氨基甲酸酯)作为抛光材料，实施第1研磨工序。作为研磨液，使用了将氧化铈(平均粒径(50％径)1μm)作为研磨剂以10重量％分散于水中而成的研磨液。对玻璃基板表面施加的负荷为100g/cm²、研磨时间为15分钟。

对完成了上述第1研磨工序的玻璃基板进行清洗、干燥。

(6)化学强化工序

接着，对完成上述清洗的玻璃基板实施化学强化。化学强化中，准备将硝酸钾与硝酸钠混合而成的化学强化液，并将该化学强化溶液加热熔融，浸渍上述清洗·干燥后的玻璃基板，进行化学强化处理。对完成了化学强化的玻璃基板进行清洗、干燥。

(7)主表面第2研磨工序

接下来，利用与在上述第1研磨处理中使用的研磨装置同样的双面研磨装置，将抛光材料替换为软质抛光材料(绒面革)的研磨垫(ASKER C硬度为72的发泡聚氨酯)，从而实施第2研磨处理。该第2研磨处理是镜面研磨加工，在维持上述第1研磨处理中得到的平坦的表面的同时，精制成例如玻璃基板主表面的表面粗糙度以Rmax计为2nm左右以下的平滑的镜面。作为研磨液，使用了在以10重量％分散有胶态二氧化硅(平均粒径(50％径)15nm)作为研磨剂的水中添加硫酸而调整为酸性(pH＝2)的研磨液。需要说明的是，负荷为100g/cm²、研磨时间为10分钟。

另外，此处，为了调查研磨后的表面粗糙度Ra，从相同批次中抽出1枚基板，仅进行1200秒水清洗，干燥后用AFM在上述条件下进行测定，结果Ra为0.15nm。其中，在基板表面大量附着有胶态二氧化硅的颗粒，作为产品是不合格的水平。

(8)清洗处理

接着，实施结束了上述第2研磨工序的玻璃基板的清洗处理。具体来说，在纯水中以0.3摩尔/升的浓度添加作为碱性清洗剂的胍，得到清洗液(pH12.6)，在容纳该清洗液的清洗槽(液温：常温)中浸渍600秒，一边施加80kHz的超声波一边进行清洗。需要说明的是，循环使用清洗液。

此时，胍使用了不含Na离子和K离子中任一种(检测限以下)的物质。需要说明的是，对该清洗液进行采样，并利用离子色谱法对Na离子和K离子的浓度进行了调查，结果均未检测出这些离子。

其后，将玻璃基板浸渍到其它清洗槽(纯水、常温)中，进行80kHz、300秒的超声波清洗，并进行了干燥。

对于经过上述各工序得到的100枚玻璃基板(作为样品1)，用原子力显微镜(AFM)分别测定了上述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)和即将进行上述清洗处理前(即第2研磨工序终止后)的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)，将其差(ΔRa：从清洗处理后的Ra减去清洗处理前的Ra所得到的值)列于表1。需要说明的是，上述表面粗糙度的值为所制造的100枚玻璃基板的平均值。

另外，对于在相同条件下得到的另外100枚玻璃基板，实施了异物缺陷的评价。利用激光式的表面缺陷检查装置观察所得到的玻璃基板的主表面，利用SEM和原子力显微镜(AFM)对检测出的表面缺陷进行了分析。并且，将异物缺陷(异物附着导致的凸状缺陷)的计数示于表2。需要说明的是，上述计数是所制造的100枚玻璃基板的平均值。需要说明的是，作为表面检查装置的测定条件，将波长405nm、功率80mW、光斑直径6μm的激光照射至主表面，由此也能够观察主表面方向的长度为10nm～40nm左右的极微小的缺陷。

上述样品1的情况下，得到了具有将碱性清洗导致的基板表面粗糙度的上升抑制为0.06nm以下的基板表面的磁盘用玻璃基板。

另外，对清洗液中的KOH和胍的添加量进行各种变更，使用为表1所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品2～6的玻璃基板。需要说明的是，pH不为12.6的情况下，对胍的添加量进行微调，使pH为12.6。

另外，在清洗液中添加作为碱性试剂的四甲基氢氧化铵(下文中简称为“TMAH”)，对其添加量进行各种变更，使用为表1所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品7～10的玻璃基板。

另外，使用在清洗液中添加了作为现有的无机碱剂的KOH或NAOH的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品11、12的玻璃基板。

此外，清洗液使用了除了胍外还添加了上述阴离子表面活性剂(十二烷基苯磺酸四甲基铵(季铵阳离子盐)、以下简称为DBS)作为清洗剂、并对其添加量进行各种变更从而为表1所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品13～17的玻璃基板。另外，清洗液使用了除了胍外还添加了分子量为660.87(10EO)(10EO表示氧化乙烯的加成摩尔数为10)的作为非离子表面活性剂的聚(氧化乙烯)壬基苯基醚作为清洗剂、并为表1所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品18的玻璃基板。

需要说明的是，上述样品1～18中，清洗液中的碱金属离子浓度用Na离子或K离子进行了调整。即便是以Na离子和K离子的混合调整了特定的碱金属离子浓度的情况下，也得到与以下的表1和表2大致相同的结果，因而不依赖于Na离子和K离子的混合比例。

对于上述样品2～18的玻璃基板，也与样品1同样地进行主表面的表面粗糙度的测定和异物缺陷评价，将其结果归纳示于下述表1和表2。

[表1]

[表2]

由上述表1、表2的结果可知以下内容。

1.根据适用本发明的含有胍的清洗液的实施例，能够抑制清洗处理后的基板表面粗糙度的上升。另外，即使除了胍外还添加上述表面活性剂，清洗处理后的粗糙度上升量也不变，但清洗性提高。

2.与此相对，在使用现有的KOH或NaOH清洗的情况下，虽然可得到良好的清洗性，但清洗处理后的基板表面粗糙度的上升大。另外，若添加TMAH，则与胍相比粗糙度上升量略大，而且异物缺陷计数也略微增加。

需要说明的是，上述样品11(KOH)和样品12(NaOH)中的异物计数分别为775、796。该结果与胍同等，但如上所述清洗处理后的粗糙度上升大，因而无法兼顾清洗导致的粗糙度上升和清洗性。

3.另外，与TMAH相比在使用胍作为碱性试剂时，能够降低表面粗糙度的增加量，因而优选。如上所述，认为胍具有吸附至玻璃基板表面的硅烷醇基从而抑制Na离子或K离子接近该硅烷醇基的效果，因而认为与TMAH相比抑制粗糙度增加的效果高。

对于胍有利的方面，进一步进行了确认。在样品1和样品7的条件下进行20批的连续清洗试验，对第20批的玻璃基板比较了ΔRa，结果与第1批相比ΔRa均增加，但是在20批中使用胍时ΔRa较小。在第1批的结果(表1)中的比较中，两者大致同等，因而认为粗糙度的增加因胍的作用而得到抑制。

另外，在主表面第2研磨工序中，使研磨液的液性为碱性(pH＝12)，除此以外在与样品1相同的条件下制作了玻璃基板，结果ΔRa为样品1的情况下的70％，有所降低。由此确认到，关于本发明的进行清洗处理前的研磨处理中使用的研磨液的液性，与酸性相比，优选为碱性。

另外，对清洗液中的咪唑的添加量进行各种变更，使用为表3所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品1同样地制作了样品101～106的玻璃基板。

另外，清洗液使用了添加四甲基氢氧化铵(下文中简称为“TMAH”)作为碱性试剂、并对其添加量进行各种变更从而为表3所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品101同样地制作了样品107～110的玻璃基板。

另外，清洗液使用了添加有作为现有的无机碱剂的KOH或NAOH的清洗液，除此以外与上述样品101同样地制作了样品111、112的玻璃基板。

此外，清洗液使用了除了咪唑外还添加了上述DBS作为清洗剂、并对其添加量进行各种变更从而为表3所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品101同样地制作了样品113～117的玻璃基板。另外，清洗液使用了除胍外还添加了上述非离子表面活性剂作为清洗剂、并为表3所示的清洗液中的碱金属离子浓度的清洗液，除此以外与上述样品101同样地制作了样品118的玻璃基板。

对于上述样品101～118的玻璃基板，与样品1同样地进行主表面的表面粗糙度的测定和异物缺陷评价，将其结果归纳示于下述表3和表4。

[表3]

[表4]

由上述表3、表4的结果可知以下内容。

1.根据适用本发明的含有咪唑的清洗液的实施例，能够抑制清洗处理后的基板表面粗糙度的上升。另外，即使除了咪唑外还添加上述表面活性剂，清洗处理后的粗糙度上升量也不变，但清洗性提高。

2.与此相对，在使用现有的KOH或NaOH清洗的情况下，虽然可得到良好的清洗性，但清洗处理后的基板表面粗糙度的上升大。另外，若添加TMAH，则与胍相比粗糙度上升量略大，而且异物缺陷计数也略微增加。

(磁盘的制造)

对上述样品1和样品101中得到的磁盘用玻璃基板实施以下的成膜工序，得到垂直磁记录用磁盘。

即，在上述玻璃基板上依次成膜由CrTi系合金薄膜构成的附着层、由CoTaZr合金薄膜构成的软磁性层、由NiW构成的种子层、由Ru薄膜构成的底层、由CoCrPt系合金构成的垂直磁记录层、碳保护层、润滑层。保护层用于防止磁记录层因与磁头接触而劣化的情况，因此由氢化碳构成，可得到耐磨损性。另外，润滑层是将醇改性全氟聚醚的液体润滑剂通过浸渍法形成的。

对于所得到的磁盘，组装到具有DFH磁头的HDD中，在80℃、80％RH的高温高湿环境下一边使DFH功能工作一边进行1个月的加载卸载耐久性试验，结果没有特别的障碍，得到了良好的结果。

符号的说明

1 玻璃基板

2 太阳齿轮

3 内齿轮

4 载具

5 上定盘

6 下定盘

7 研磨垫

11 基板的主表面

12、13 基板的端面

Claims (9)

1.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，

所述清洗处理包括使所述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，

预先求出所述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)相对于所述清洗处理前的增大量、和用于所述清洗处理的清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度的关系，

基于所求出的所述关系，决定所述表面粗糙度(Ra)的增大量达到0.06nm以下的所述清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度，

在所述清洗液中的钠离子与钾离子的总浓度为所述决定的浓度以下的条件下，进行主表面经镜面研磨的所述玻璃基板的清洗处理。

2.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，

所述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分，

使用含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液，

按照所述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm的方式一边更换所述清洗液的至少一部分，一边进行主表面经镜面研磨的所述玻璃基板的清洗处理。

3.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其为包含玻璃基板的清洗处理的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，

所述清洗处理包括使所述玻璃基板与含有胍和咪唑中的至少一种的清洗液接触的处理，

一边抑制所述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行所述清洗处理。

4.如权利要求1～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板在玻璃成分中含有钠和钾中的至少一种成分。

5.如权利要求1～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗液进一步含有表面活性剂、螯合剂以及分散剂中的至少一种物质，

一边抑制所述清洗液中的钠离子和钾离子的总量小于200ppm，一边进行所述清洗处理。

6.如权利要求2～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗处理后的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)与即将进行所述清洗处理前的玻璃基板主表面的表面粗糙度(Ra)之差为0.06nm以内。

7.如权利要求1～3中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述清洗处理是在利用研磨磨粒对所述玻璃基板的主表面进行研磨的研磨工序中的最终研磨工序后所进行的清洗处理。

8.如权利要求7所述的磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述最终研磨中所用的研磨液为碱性。

9.一种磁盘的制造方法，其特征在于，在利用权利要求1～8中任一项所述的磁盘用玻璃基板的制造方法所制造的磁盘用玻璃基板上至少形成磁记录层。