JP5324242B2 - 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法 - Google Patents
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Description
本発明は電子材料用洗浄剤及び洗浄方法に関する。
電子材料の洗浄技術において、製造時における基板上に残存する微量の有機物汚れやガラスカレット及び砥粒等の不純物が電子材料の性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象となる不純物がより微粒子（パーティクル）化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。このため、これらのパーティクルによる汚染を防止することを目的として、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献１及び２参照）。
しかし、フラットパネルディスプレイ用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において、マザーガラスから必要に応じて適切な大きさにガラス基板を切断する際に発生するガラスの切粉（通称ガラスカレット）や、クリーンルーム内に飛散している粉塵や加工油等の有機物汚れ、基板表面を鏡面仕上げする工程及びテクスチャリングする工程の際に使用する研磨剤や研磨屑等が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。
特許文献１で提案されている洗浄剤は、アルキルグルコシド、グリセリルエーテル及び炭化水素を含有する洗浄剤であり、パーティクル除去の性能を向上させるためノニオン性界面活性剤を含有しいるが、界面活性剤中の成分が電子材料表面に残りやすいためリンス性が悪く、歩留まり率が低下するという問題がある。また、特許文献２において、浸透力の向上によりパーティクル除去の性能を改善するものとして、平均炭素数１０〜２０のスルホコハク酸型アニオン性界面活性剤等を提案しているが、パーティクルの除去性には改善が見られるものの、起泡性が非常に高く、また泡切れ性に乏しいため、ハンドリング性に問題がある。
特許文献１で提案されている洗浄剤は、アルキルグルコシド、グリセリルエーテル及び炭化水素を含有する洗浄剤であり、パーティクル除去の性能を向上させるためノニオン性界面活性剤を含有しいるが、界面活性剤中の成分が電子材料表面に残りやすいためリンス性が悪く、歩留まり率が低下するという問題がある。また、特許文献２において、浸透力の向上によりパーティクル除去の性能を改善するものとして、平均炭素数１０〜２０のスルホコハク酸型アニオン性界面活性剤等を提案しているが、パーティクルの除去性には改善が見られるものの、起泡性が非常に高く、また泡切れ性に乏しいため、ハンドリング性に問題がある。
本発明の課題は、低起泡性で泡切れ性にも優れ、かつ優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現する電子材料用洗浄剤を提供することである。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。即ち本発明は、 一般式（１）で表されるアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）及びキレート剤（Ｃ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤及び該電子材料用洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法である。
［式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であり、かつＲ1とＲ2の炭素数の合計は３〜８、ａは０〜２の整数、（ＯＡ1）は炭素数２〜４のオキシアルキレ
ン基、ｂは平均値であって０〜１０、Ｑ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2(ＯＲ3)-、Ｒ3は水素原子又はＲ1（Ｒ2）ＣＨ−（ＣＨ2）a−（ＯＡ1）b−で表される基、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合ｂは０である。］
ン基、ｂは平均値であって０〜１０、Ｑ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2(ＯＲ3)-、Ｒ3は水素原子又はＲ1（Ｒ2）ＣＨ−（ＣＨ2）a−（ＯＡ1）b−で表される基、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合ｂは０である。］
本発明の電子材料用洗浄剤は、フラットパネルディスプレイ用、ハードディスク用及び半導体用のガラス又はシリコン基板製造工程において、優れたパーティクルの除去性及びリンス性を実現し、低起泡性かつ泡切れ性に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする。
一般式（１）におけるＲ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基で、かつＲ1とＲ2の炭素数の合計は３〜８であり、パーティクル除去性の観点から、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に炭素数２〜４のアルキル基でかつＲ1とＲ2の炭素数の合計が５〜７であることが好ましい。
Ｒ1及びＲ2の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１，１−ジメチル−２−メチルプロピル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基及び１−エチル−２−メチルプロピル基が挙げられる。
ａは０〜２の整数であり、パーティクル除去性の観点から好ましくは０又は１、特に好ましくは１である。
一般式（１）におけるＡ1は炭素数２〜４のアルキレン基であり、具体的には、エチレン基、１，２−又は１，３−プロピレン基及び１，２−、１，３−、１，４−又は２，３−ブチレン基が挙げられる。これらの内、低泡性の観点から好ましいのはエチレン基及び１，２−プロピレン基である。Ａ1は１種のアルキレン基の単独使用又は２種以上のアルキレン基の併用であってもよい。
（ＯＡ1）bは、後述の通り、アルキレンオキサイドのアルキレンがＡ1であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってbは平均値で表され、通常０〜１０であり、低起泡性の観点から好ましくは０〜５である。
尚、（ＯＡ1）bの形成に当たり、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０ ％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。上記及び以下において特に規定しない限り、％は重量％を表す。
（ＯＡ1）bは、後述の通り、アルキレンオキサイドのアルキレンがＡ1であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってbは平均値で表され、通常０〜１０であり、低起泡性の観点から好ましくは０〜５である。
尚、（ＯＡ1）bの形成に当たり、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０ ％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。上記及び以下において特に規定しない限り、％は重量％を表す。
一般式（１）におけるＱ-は、−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2（ＯＲ3）-、Ｒ3は水素原子又はＲ1（Ｒ2）ＣＨ−（ＣＨ2）a−（ＯＡ1）b−で表される基であり、洗浄剤のリンス性の観点から、−ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -及び−ＯＰＯ2（ＯＲ3）-が好ましく、更に好ましいのは−ＯＳＯ3 -及び−ＳＯ3 -である。
尚、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合は、ｂは０である。
尚、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合は、ｂは０である。
一般式（２）におけるＲ4はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基で、かつｃ個のＲ4の炭素数の合計は４以下であり、ｃは１〜４の整数である。
Ｒ4の具体例としては、前記一般式（１）におけるＲ1及びＲ2として例示したアルキル基の内の炭素数１〜４のものが挙げられる。
Ｒ4の具体例としては、前記一般式（１）におけるＲ1及びＲ2として例示したアルキル基の内の炭素数１〜４のものが挙げられる。
一般式（２）におけるＡ2としては、前記一般式（１）におけるＡ1と同様のものが挙げられ、好ましいものも同様である。Ａ2は１種のアルキレン基の単独使用又は２種以上のアルキレン基の併用であってもよい。
（ＯＡ2）dは、後述の通り、アルキレンオキサイドのアルキレンがＡ2であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってｄは平均値で表され、通常０〜１０であり、低起泡性の観点から好ましくは０〜５である。
尚、（ＯＡ2）dの形成に当たり、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０ ％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。
（ＯＡ2）dは、後述の通り、アルキレンオキサイドのアルキレンがＡ2であるものの付加反応により形成されるため、これらの付加物における付加モル数は分布を有している。従ってｄは平均値で表され、通常０〜１０であり、低起泡性の観点から好ましくは０〜５である。
尚、（ＯＡ2）dの形成に当たり、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、ブロック付加（チップ型、バランス型及び活性セカンダリー型等）でもランダム付加でも両者の混合系［ランダム付加後にチップしたもの：分子中に任意に分布されたオキシエチレン鎖を０〜５０ ％（好ましくは５〜４０％）有し、０〜３０％（好ましくは５〜２５％）のオキシエチレン鎖が分子末端にチップされたもの］でもよい。
一般式（２）におけるＱ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2(ＯＲ5)-、Ｒ5は水素原子又は一般式（２）からＱ-を除いた基であり、洗浄剤のリンス性の観点から、−ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -及び−ＯＰＯ2（ＯＲ5）-が好ましく、更に好ましいのは−ＯＳＯ3 -及び−ＳＯ3 -である。
尚、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合は、ｄは０である。
尚、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合は、ｄは０である。
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ａ）は、前記一般式（１）で表されるアニオン成分及び／又は一般式（２）で表されるアニオン成分と、その対イオンとしてのカチオン成分から構成される。
カチオン成分としては、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
カチオン成分としては、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
アルカリ金属カチオンとしては、ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等が挙げられる。
アルカリ土類金属カチオンとしては、カルシウムカチオン及びマグネシウムカチオン等が挙げられる。
アルカリ土類金属カチオンとしては、カルシウムカチオン及びマグネシウムカチオン等が挙げられる。
炭素数０〜２５のアンモニウムカチオンとしては、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチルビニルアンモニウム、トリメチルフェニルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルテトラデシルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウム及びオクタデシルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。
炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数１〜３６の脂肪族アミンとしては、炭素数１〜１２のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルキレンジアミン、炭素数３〜７の環状アミン、ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミン及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等）、炭素数２〜１２のジアルキルアミン（ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びジヘキシルアミン等）並びに炭素数３〜１２のトリアルキルアミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン及びトリブチルアミン等）等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、１，２−又は１，３−プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
炭素数３〜７の環状アミンとしては、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピペラジン、キヌクリジン、２−ピリジンアミン、ｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジヘキシレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン及びヘキサエチレンヘプタミン等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等）、炭素数２〜１２のジアルキルアミン（ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びジヘキシルアミン等）並びに炭素数３〜１２のトリアルキルアミン（トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン及びトリブチルアミン等）等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、１，２−又は１，３−プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
炭素数３〜７の環状アミンとしては、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピペラジン、キヌクリジン、２−ピリジンアミン、ｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジヘキシレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン及びヘキサエチレンヘプタミン等が挙げられる。
炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオンにおける炭素数４〜１０のアミジン化合物としては、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、２−メチルイミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾール及び２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等が挙げられる。
炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数１〜２３のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンにおける炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンとしては、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、メチレンジアニリン、ジフェニルエーテルジアミン、ナフタレンジアミン、アントラセンジアミン、ベンジルアミン、キシリレンジアミン及びこれらの炭素数２〜４のＡＯ（エチレンオキサイド、１，２−又は１，３−プロピレンオキサイド及び１，２−、１，３−、２，３−又は１，４−ブチレンオキサイド等）付加物等が挙げられる。
これらのカチオン成分の内、パーティクル除去性の観点から、アルカリ金属カチオン、炭素数１〜１５の脂肪族アミンにプロトンが付加した１価のカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン及び炭素数１〜１５のアルカノールアミンにプロトンが付加した１価のカチオンが好ましく、更に好ましいのは、トリメチルアミン、ジエタノールアミン、ＤＢＵ及びＤＢＮにプロトンが付加したカチオン、ナトリウムカチオン並びにカリウムカチオンが好ましく、特に好ましいのはジエタノールアミンにプロトンが付加したカチオン、ＤＢＵにプロトンが付加したカチオン及びカリウムカチオンである。
アニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例としては、２−ブタノール、２−若しくは３−ペンタノール、３−メチル−２−ブタノール、２−若しくは３−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、３−メチル−２−ペンタノール、２−、３−若しくは４−ヘプタノール、２，４−ジメチル−３−ペンタノール、５−メチル−２−ヘキサノール、２−、３−若しくは４−オクタノ−ル、６−メチル−２−ヘプタノール、２，２−ジメチル−３−ヘキサノール、２，５−ジメチル−３−ヘキサノール、５−メチル−２−ヘプタノール、５−メチル−３−ヘプタノール、６−メチル−３−ヘプタノール、２，２−ジメチル−３−ヘプタノール、２−、３−、４−若しくは５−ノナノール、２−メチル−３−オクタノール、２−メチル−１−ブタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−１−ヘキサノール及び３，７−ジメチル−１−オクタノール等のアルコール並びにこれらの炭素数２〜４のアルキレンオサイド（エチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイド等）付加物（付加モル数１〜１０）の硫酸エステル塩及びリン酸エステル塩；２−メチルブタン酸、２−エチルブタン酸、２−若しくは３−メチルペンタン酸、２−メチルヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、２−メチルへプタン酸及び３，５，５−トリメチルヘキサン酸の塩；１−メチルプロパンスルホン酸、１−メチルペンタンスルホン酸及び１−エチルブタンスルホン酸の塩；上記アルコール又はそれらの炭素数２〜４のアルキレンオサイド（エチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド及びブチレンオキサイド等）付加物（付加モル数１〜１０）と２−クロロ酢酸塩（カリウム塩又はナトリウム塩）との反応により得られるアルキルエーテルカルボン酸塩；ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩、キシレンスルホン酸塩、クメンスルホン酸塩及び安息香酸塩；等が挙げられる。上記における塩を形成するカチオン成分は、上述のアルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンである。
本発明におけるロス・マイルス試験による２０℃での起泡力は、ＪＩＳ Ｋ３３６２（１９９８）に準じて測定することができ、本ＪＩＳで定める装置及び試験液としてイオン交換水を用いて調整した界面活性剤の０．２％水溶液を用いた試験により、全ての試験液が流出した直後の泡の高さを目視にて測定した値である。
また、本発明における泡の安定度とは、上記ロス・マイルス試験において、全ての試験液が流出してから１分後の泡の高さをいい、１分後の泡の高さが低いほど泡の安定度が低く、即ち、泡切れ性が良好であり、本発明の洗浄剤にとって好ましい。
具体的には、例えば、以下のように起泡力及び泡の安定度を求めることができる。
（１）ＪＩＳ Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保つ。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込む。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させる。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定する。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定する。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とする。
（１）ＪＩＳ Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保つ。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込む。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させる。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定する。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定する。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とする。
本発明のアニオン性界面活性剤（Ａ）の０．２％水溶液の起泡力は、使用中の泡立ちを抑えるという観点から、通常５０mm以下、好ましくは４０ｍｍ以下、更に好ましくは３０ｍｍ以下、特に好ましくは２０ｍｍ以下、最も好ましくは１０ｍｍ以下である。尚、上記の起泡力の下限値は０ｍｍである。
また、本発明のアニオン性界面活性剤（Ａ）の０．２％水溶液の泡の安定度は、使用中の泡立ちを抑えるという観点から、通常５mm以下、好ましくは４ｍｍ以下、更に好ましくは３ｍｍ以下、特に好ましくは２ｍｍ以下、最も好ましくは１ｍｍ以下である。尚、上記泡の安定度の下限値は０ｍｍである。
アニオン性界面活性剤（Ａ）は、例えば前記アニオン成分とプロトンとからなる酸と、前記アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン若しくは炭素数０〜２５のアンモニウムカチオンと水酸基アニオンからなるアルカリ性化合物、ヒドロキシルアミン、炭素数１〜３６の脂肪族アミン、炭素数４〜１０のアミジン化合物、炭素数１〜２３のアルカノールアミン又は炭素数６〜２０の芳香族若しくは芳香脂肪族アミンとの中和反応により製造することができる。中和反応の温度は、１０〜６０℃、時間は３０〜２００分である。中和度は通常９５〜１００％である。
一般式（１）及び一般式（２）においてＱ-が−ＯＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2(ＯＲ2)-の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、一般式（１）においてｂが０の場合及び一般式（２）においてｄが０の場合は例えば以下の（２）の反応により、ｂが０以外の場合及びｄが０以外の場合は例えば以下の（１）及び（２）の反応により製造できる。
（１）アルキレンオキサイドの付加反応
アニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例で例示したアルコールに炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを通常の方法で付加させる。具体的には、上記アルコールを加圧反応容器に仕込み、無触媒で又は触媒の存在下（特にアルキレンオキサイド付加の後半の段階で）にアルキレンオキサイドを吹き込み、常圧又は加圧下に１段階又は多段階で反応を行なう。触媒としては、アルカリ触媒、例えばアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム及びセシウム等）の水酸化物；酸［過ハロゲン酸（過塩素酸、過臭素酸及び過ヨウ素酸等）、硫酸、燐酸及び硝酸等（好ましくは過塩素酸）］並びにこれらの塩［好ましくは ２価又は３価の金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＡｌ等）の塩］が挙げられる。
反応温度は通常５０〜１５０℃、反応時間は通常２〜２０時間である。
アルキレンオキサイドの付加反応終了後は、必要により触媒を中和し吸着剤で処理して触媒を除去・精製することができる。
（１）アルキレンオキサイドの付加反応
アニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例で例示したアルコールに炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを通常の方法で付加させる。具体的には、上記アルコールを加圧反応容器に仕込み、無触媒で又は触媒の存在下（特にアルキレンオキサイド付加の後半の段階で）にアルキレンオキサイドを吹き込み、常圧又は加圧下に１段階又は多段階で反応を行なう。触媒としては、アルカリ触媒、例えばアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム及びセシウム等）の水酸化物；酸［過ハロゲン酸（過塩素酸、過臭素酸及び過ヨウ素酸等）、硫酸、燐酸及び硝酸等（好ましくは過塩素酸）］並びにこれらの塩［好ましくは ２価又は３価の金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＡｌ等）の塩］が挙げられる。
反応温度は通常５０〜１５０℃、反応時間は通常２〜２０時間である。
アルキレンオキサイドの付加反応終了後は、必要により触媒を中和し吸着剤で処理して触媒を除去・精製することができる。
（２）硫酸エステル化反応及びリン酸エステル化反応
上記アルコール又は上記（１）で得られたアルキレンオキサイド付加物の水酸基を硫酸エステル化又はリン酸エステル化することによって硫酸エステル化物又はリン酸エステル化物が得られる。
エステル化の方法としては、例えば（イ）クロロスルホン酸を用いる方法、（ロ）サルファンを用いる方法、（ハ）スルファミン酸を用いる方法、（ニ）硫酸を用いる方法及び（ホ）リン酸を用いる方法等が挙げられる。（ロ）のサルファンについては、乾燥窒素等で希釈して用いる。
反応温度は、（イ）及び（ロ）の場合は、通常−１０〜７０℃、好ましくは−５〜４０℃である。（ハ）、（ニ）及び（ホ）の場合は、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。
エステル化反応の終点は、５６１００／（エステル化合物の分子量）で表される酸価（ＡＶ）が、理論値の７０〜１１０％となる点であり、好ましくは８０〜１０５％となる点である。
上記アルコール又は上記（１）で得られたアルキレンオキサイド付加物の水酸基を硫酸エステル化又はリン酸エステル化することによって硫酸エステル化物又はリン酸エステル化物が得られる。
エステル化の方法としては、例えば（イ）クロロスルホン酸を用いる方法、（ロ）サルファンを用いる方法、（ハ）スルファミン酸を用いる方法、（ニ）硫酸を用いる方法及び（ホ）リン酸を用いる方法等が挙げられる。（ロ）のサルファンについては、乾燥窒素等で希釈して用いる。
反応温度は、（イ）及び（ロ）の場合は、通常−１０〜７０℃、好ましくは−５〜４０℃である。（ハ）、（ニ）及び（ホ）の場合は、通常５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１３０℃である。
エステル化反応の終点は、５６１００／（エステル化合物の分子量）で表される酸価（ＡＶ）が、理論値の７０〜１１０％となる点であり、好ましくは８０〜１０５％となる点である。
一般式（１）及び一般式（２）においてＱ-が−ＳＯ3 -の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、例えばハロゲン化アルキル又はアルキル硫酸塩と亜硫酸アルカリを反応させる方法、発煙硫酸を用いて炭化水素を直接スルホン化する方法及び紫外線照射下で炭化水素に二酸化硫黄と塩素を反応させる方法等により製造することができる。
一般式（１）及び一般式（２）においてＱ-が−ＣＯＯ-の場合、アニオン成分とプロトンとからなる酸は、例えば、高圧分解法（８〜５０気圧）又はトイッチェル分解法（トイッチェル分解剤及び少量の硫酸を添加し、脂肪酸ピッチを除去する）による天然油脂の加水分解によって製造することができる。
一般式（１）及び一般式（２）においてＱ-が−ＯＣＨ2ＣＯＯ-の場合、アニオン性界面活性剤（Ａ）は、例えばアニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例で例示したアルコール又は上記の（１）で得られたアルキレンオキサイド付加物と２−クロロ酢酸塩（カリウム塩及びナトリウム塩等）とをアルカリ（水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）の存在下でカルボキシメチル化することにより製造できる。
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の有機溶剤（Ｂ）を含有することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、（Ｂ）を含有することにより、有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性が更に向上する。
（Ｂ）としては、以下のものが挙げられる。
（Ｂ）としては、以下のものが挙げられる。
炭素数１〜８の１価のアルコール系溶剤（Ｂ−１）：
メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノール、イソプロパノ−ル、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、１−オクタノール及び２−エチルヘキサノール等；
炭素数２〜９のグリコール系溶剤（Ｂ−２）：
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール及び１，３−ブチレングリコール等；
メタノ−ル、エタノ−ル、プロパノール、イソプロパノ−ル、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ジアセトンアルコール、１−オクタノール及び２−エチルヘキサノール等；
炭素数２〜９のグリコール系溶剤（Ｂ−２）：
エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール及び１，３−ブチレングリコール等；
炭素数３〜６０のグリコールエーテル系溶剤（Ｂ−３）：
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコールエチレンオキサイド（１０モル）付加物及びアリルアルコールエチレンオキサイド（５モル）プロピレンオキサイド（１５モル）ブロック付加物等；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコールエチレンオキサイド（１０モル）付加物及びアリルアルコールエチレンオキサイド（５モル）プロピレンオキサイド（１５モル）ブロック付加物等；
炭素数６〜１２の飽和炭化水素系溶剤（Ｂ−４）：
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン及びｎ−ドデカン等；
炭素数６〜１８の不飽和脂肪族炭化水素系溶剤（Ｂ−５）：
１−ヘキセン、１−若しくは２−ヘプテン、１−若しくは３−オクテン、１−若しくは４−ノネン、１−デセン、５−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー等；
ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン及びｎ−ドデカン等；
炭素数６〜１８の不飽和脂肪族炭化水素系溶剤（Ｂ−５）：
１−ヘキセン、１−若しくは２−ヘプテン、１−若しくは３−オクテン、１−若しくは４−ノネン、１−デセン、５−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー等；
炭素数４〜１０のエーテル系溶剤（Ｂ−６）：
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等；
炭素数３〜１０のケトン系溶剤（Ｂ−７）：
アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン及びベンジルエチルケトン等；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等；
炭素数３〜１０のケトン系溶剤（Ｂ−７）：
アセトン、ジエチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン及びベンジルエチルケトン等；
炭素数３〜６のアミド系溶剤（Ｂ−８）：
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等；
炭素数２〜６のエステル系溶剤（Ｂ−９）：
β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−バレロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート等；
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等；
炭素数２〜６のエステル系溶剤（Ｂ−９）：
β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−バレロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート等；
炭素数２〜１０の硫黄含有溶剤（Ｂ−１０）：
ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジ−ｎ−ブチルスルホン、ジイソブチルスルホン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスルホン、ブチルフェニルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等；
炭素数３〜４のオキサゾリジノン系溶剤（Ｂ−１１）：
Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等；
炭素数２〜７のニトリル系溶剤（Ｂ−１２）：
アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びベンゾニトリル等。
ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジ−ｎ−ブチルスルホン、ジイソブチルスルホン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルスルホン、ブチルフェニルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等；
炭素数３〜４のオキサゾリジノン系溶剤（Ｂ−１１）：
Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等；
炭素数２〜７のニトリル系溶剤（Ｂ−１２）：
アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及びベンゾニトリル等。
（Ｂ）の内で有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性の観点から好ましいものは、（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、更に好ましいものは（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、特に好ましいものは（Ｂ−３）、（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）、とりわけ好ましいものはエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマー、最も好ましいものはジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、ブチレンダイマー、ブチレントリマー、ブチレンテトラマー、イソブチレントリマー、プロピレンダイマー、プロピレントリマー、プロピレンテトラマー及びプロピレンペンタマーである。
（Ｂ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
（Ｂ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下のキレート剤（Ｃ）を含有することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、（Ｃ）を含有することにより、パーティクルの分散安定性が更に向上する。
（Ｃ）としては、アミノカルボン酸（塩）（Ｃ−１）［例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（以下、ＥＤＴＡと略記）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（以下、ＤＴＰＡと略記）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸（以下、ＤＨＥＤＤＡと略記）（塩）、ニトリロ酸酢酸（塩）、Ｎ−２−ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）］；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｃ−２）［例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）］；
シクロカルボン酸（塩）（Ｃ−３）［例えば、ピロメリット酸（塩）等のベンゼンポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）］；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｃ−４）［例えば、２−オキサプロパン−１，１，３−トリカルボン酸、（カルボキシメトキシ）コハク酸、２，２’−オキシビスコハク酸、２−（１，２−ジカルボキシエトキシ）−３−ヒドロキシブタン二酸及び２，３−ビス（１，２−ジカルボキシエトキシ）ブタン二酸等］；
その他のカルボン酸（塩）（Ｃ−５）［例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）］；
ホスホン酸（塩）（Ｃ−６）［例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノエチル）アミン、ヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（塩）］；
縮合リン酸（塩）（Ｃ−７）［例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）］；
等が挙げられる。
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｃ−２）［例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）］；
シクロカルボン酸（塩）（Ｃ−３）［例えば、ピロメリット酸（塩）等のベンゼンポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）］；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｃ−４）［例えば、２−オキサプロパン−１，１，３−トリカルボン酸、（カルボキシメトキシ）コハク酸、２，２’−オキシビスコハク酸、２−（１，２−ジカルボキシエトキシ）−３−ヒドロキシブタン二酸及び２，３−ビス（１，２−ジカルボキシエトキシ）ブタン二酸等］；
その他のカルボン酸（塩）（Ｃ−５）［例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）］；
ホスホン酸（塩）（Ｃ−６）［例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリス（２−アミノエチル）アミン、ヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）及びニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（塩）］；
縮合リン酸（塩）（Ｃ−７）［例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）］；
等が挙げられる。
（Ｃ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定は無いが、例えば上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、（Ｃ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、（Ｃ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
（Ｃ）の内でパーティクルの分散安定性及び基板のエッチング性コントロールの観点から好ましいのは、（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−５）、（Ｃ−６）及び（Ｃ−７）であり、更に好ましいのは（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−６）及び（Ｃ−７）、特に好ましいのはＥＤＴＡ（塩）、ＤＴＰＡ（塩）、ＤＨＥＤＤＡ（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、クエン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはＥＤＴＡ（塩）、クエン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（塩）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の高分子型分散剤（Ｄ）を含有することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、（Ｄ）を含有することにより、パーティクルの分散性及び再汚染防止性が更に向上する。
（Ｄ）としては、スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−１）、硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−２）、リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−３）、ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−４）、カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−５）並びに水酸基を３個以上有する化合物（Ｄ−６）等が挙げらる。
（Ｄ）の具体例としては以下のものが挙げられる。
（Ｄ）の具体例としては以下のものが挙げられる。
スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−１）：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ［２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸］、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ［２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸］、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−２）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］の硫酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩；
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］の硫酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等並びにこれらの塩；
リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−３）：
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のリン酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物及びリン酸モノアルキルジ（ポリオキシエチレン）エステル等並びにこれらの塩；
ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のリン酸エステル化物、ポリ［（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル］、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体、セルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物及びリン酸モノアルキルジ（ポリオキシエチレン）エステル等並びにこれらの塩；
ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−４）：
ポリ［（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
ポリ［（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸］、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｄ−５）：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ［２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート］のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩；
水酸基を３個以上有する化合物（Ｄ−６）：
トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、グリセリンアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜３０）、ソルビトール、ソルビトールアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜６０）、単糖類（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロース、グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトース及びセドヘプツロース等）、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）、四糖以上の多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）並びにポバール等。
トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、グリセリンアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜３０）、ソルビトール、ソルビトールアルキレン（炭素数２〜４）オキサイド付加物（付加モル数１〜６０）、単糖類（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロース、グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトース及びセドヘプツロース等）、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）、四糖以上の多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）並びにポバール等。
尚、（Ｄ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、（Ｄ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、（Ｄ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
（Ｄ）の内、パーティクルの分散性の観点から（Ｄ−５）が好ましく、更に好ましいのはポリ（メタ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体及びこれらの塩である。
（Ｄ）における高分子型とは、重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）が２，５００〜８００，０００であることを意味する。（Ｄ）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低起泡性の観点等から、好ましくは３，０００〜４００，０００、更に好ましくは４，０００〜８０，０００、特に好ましくは５，０００〜４０，０００である。本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される［例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）］。
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下の還元剤（Ｅ）を含有することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、（Ｅ）を含有することにより、基板表面の平坦性が更に向上する。
（Ｅ）としては、有機還元剤（Ｅ−１）及び無機還元剤（Ｅ−２）が挙げられる。
有機還元剤（Ｅ−１）としては、脂肪族有機還元剤、芳香族有機還元剤及びその他の有機還元剤が挙げられる。
有機還元剤（Ｅ−１）としては、脂肪族有機還元剤、芳香族有機還元剤及びその他の有機還元剤が挙げられる。
脂肪族有機還元剤としては、炭素数６〜７０のレダクトン類［例えば、Ｌ−アスコルビン酸（塩）、イソアスコルビン酸（塩）、５，６−アルキリデン−Ｌ−アスコルビン酸｛５，６−イソプロピリデン−Ｌ−アスコルビン酸、５，６−（ブタン−２−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸及び５，６−（ペンタン−３−イリデン）−Ｌ−アスコルビン酸等｝（塩）、Ｌ−アスコルビン酸−６−カルボン酸エステル（Ｌ−アスコルビン酸−６−酢酸エステル及びＬ−アスコルビン酸−６−プロパン酸エステル等）（塩）、アスコルビン酸硫酸エステル（塩）、アスコルビン酸リン酸エステル（塩）、アスコルビン酸グルコシド（塩）、アスコルビン酸イソパルミチン酸エステル（塩）、エリソルビン酸（塩）、エリソルビン酸リン酸エステル（塩）、エリソルビン酸パルミチン酸エステル（塩）及びテトライソパルミチン酸エリソビル（塩）］等が挙げられる。
芳香族有機還元剤としては、炭素数６〜９の芳香族アミン（ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等）及び炭素数６〜３０のフェノール化合物［一価フェノール化合物｛３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール）等｝及びポリフェノール（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等）等］等が挙げられる。
その他の有機還元剤としては、リン系還元剤 （トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、アルデヒド（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド等）、ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（Ｌ−システイン及びアミノエタンチオール等）、ヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。
無機還元剤（Ｅ−２）としては、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、ジチオン酸（塩）、ポリチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）、次亜リン酸（塩）、硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水素化シアノホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
これらの還元剤（Ｅ）が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、（Ｅ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
尚、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）のカチオンの説明において例示した、炭素数１〜３６の脂肪族アミン、炭素数４〜１０のアミジン化合物、炭素数１〜２３のアルカノールアミン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンも還元剤としての効果を有する。
尚、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）のカチオンの説明において例示した、炭素数１〜３６の脂肪族アミン、炭素数４〜１０のアミジン化合物、炭素数１〜２３のアルカノールアミン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンも還元剤としての効果を有する。
（Ｅ）の内、洗浄剤のエッチング性コントロール及び洗浄剤中のイオンによる基板の再汚染の観点から、（Ｅ−１）が好ましく、更に好ましいのは脂肪族有機還元剤及びその他の有機還元剤の内のチオール系還元剤、特に好ましいのはアスコルビン酸（塩）及びシステインである。
本発明の電子材料用洗浄剤は、以下のノニオン性界面活性剤（Ｆ）を含有することができる。本発明の電子材料用洗浄剤は、（Ｆ）を含有することにより、洗浄剤への（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）の溶解性が更に向上する。
（Ｆ）としては、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）、ポリプロピレングリコール（Ｍｗ２００〜４０００）エチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜１００）、ポリオキシエチレン（繰り返し単位数３〜６０）アルキル（炭素数６〜２０）アリルエーテル、多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）［ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）及びソルビタンモノオレートエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜６０）等］、アルキル（炭素数８〜２４）アミンエチレンオキサイド付加物（付加モル数１〜１００）、多価（２〜８価またはそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル［グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等］並びに脂肪酸（炭素数８〜２４）アルカノール（炭素数２〜６）アミド［ラウリン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド及びラウリン酸−１−ｔｅｒｔ−ブチルエタノールアミド］等が挙げられる。
（Ｆ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
（Ｆ）は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の電子材料用洗浄剤は、洗浄剤の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤（Ｇ）を含有することができる。（Ｇ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤［２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等］、アミン系酸化防止剤［モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン及び４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等］、硫黄系化合物［フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等］並びにリン系酸化防止剤［ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等］等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸及びスルファミン酸等）、有機酸（クエン酸、シュウ酸及び乳酸等）並びに第４級アンモニウム塩［テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、エチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムハイドロキサイド、ビス（ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリス（ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムハイドロキサイド等］、アンモニア、炭素数１〜１０の脂肪族アミン［メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペリジン、ピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ＤＢＵ、ＤＢＮ、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン及びペンタエチレンヘキサミン等］並びに無機アルカリ（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
緩衝剤としては、緩衝作用を有する炭素数１〜１０の有機酸（酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸及びマンデル酸等）、無機酸（リン酸及びホウ酸等）並びにこれらの塩が挙げられる。尚、緩衝剤が塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したカチオンが挙げられ、これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また緩衝剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
また緩衝剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
消泡剤としては、シリコーン消泡剤［ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等］等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
防腐剤としては、トリアジン誘導体［ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等］、イソチアゾリン誘導体（１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン及び５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等）、ピリジン及びピリジン誘導体［２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等］、モルホリン誘導体［４−（２−ニトロブチル）モルホリン及び４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等］、ベンズイミダゾール誘導体［２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等］、ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート並びに２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）等が挙げられる。尚、塩を形成する場合の対イオンとしては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ）で例示したものと同様のカチオンが挙げられ、これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
またハイドロトロープ剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
またハイドロトロープ剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
本発明の電子材料用洗浄剤は、上述の通り、アニオン性界面活性剤（Ａ）並びに必要により有機溶剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）、高分子型分散剤（Ｄ）、還元剤（Ｅ）、ノニオン性界面活性剤（Ｆ）及びその他の添加剤（Ｇ）を含有するが、更に水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）を含有してもよい。
２５℃での本発明の電子材料用洗浄剤のｐＨは１０未満であることが好ましく、ｐＨがこの範囲にあると、洗浄後の基板表面の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。同様な効果の観点から、ｐＨの更に好ましい範囲は、１〜９．５であり、特に好ましくは５〜９である。
本発明における電子材料用洗浄剤を用いて洗浄したガラスに対する水の接触角は、２０°以下であり、好ましくは１５°以下である。本発明において接触角はガラスに対して接触角計により測定される［装置本体：ＰＤ−Ｗ（協和界面化学社製）、ガラス板：ガラス板＃１７３７（コーニング社製）、検出条件：自動検出、測定条件：着滴から１０秒後の接触角を測定］。
（Ａ）の含有量は、パーティクル除去性及び低泡性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常１〜１００％、好ましくは２〜９８％、更に好ましくは３〜９５％、特に好ましくは４〜９０％である。尚、本発明において有効成分とは水以外の成分を言う。
（Ｂ）の含有量は、有機物汚れの除去性、低起泡性及び泡切れ性の観点から、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜９９％、好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８０％、特に好ましくは５〜７０％である。
（Ｃ）の含有量は、パーティクルの分散安定性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜１０％、好ましくは０．０１〜７％、更に好ましくは０．０５〜５％、特に好ましくは０．１〜３％である。
（Ｄ）の含有量は、パーティクルの分散性及び再汚染防止性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２５％、好ましくは０．１〜２０％、更に好ましくは０．５〜１５％、特に好ましくは１〜１０％である。
（Ｅ）の含有量は、基板表面の平坦性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２０％、好ましくは０．１〜１５％、更に好ましくは０．５〜１０％、特に好ましくは１〜５％である。
（Ｆ）の含有量は、洗浄剤への（Ｂ−４）及び（Ｂ−５）の溶解性の観点から電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜３０％、好ましくは０．５〜２５％、更に好ましくは１〜２０％、特に好ましくは１．５〜１５％である。
（Ｇ）におけるそれぞれの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、防腐剤、ハイドロトロープ剤が、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて通常０〜２０％、好ましくは０〜１５％、更に好ましくは０〜１０％、特に好ましくは０〜５％である。また消泡剤の含有量は、通常０〜２％、好ましくは０〜１．５％、更に好ましくは０〜１％、特に好ましくは０〜０．５％である。
（Ｇ）の合計の含有量は、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２５％、好ましくは０〜２０％、更に好ましくは０〜１５％、特に好ましくは０〜１０％である。
（Ｇ）の合計の含有量は、電子材料用洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、通常０〜２５％、好ましくは０〜２０％、更に好ましくは０〜１５％、特に好ましくは０〜１０％である。
本発明の電子材料用洗浄剤の有効成分濃度は、通常１〜１００％、使用時の作業性や運搬効率の観点から、好ましくは２〜９９％、更に好ましくは５〜９８％、特に好ましくは１０〜９５％である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．１〜１５％、特に０．５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
上記水で希釈した場合で、有機溶剤（Ｂ）として炭素数６〜１８のアルケンを使用するときは、洗浄剤中で前記アルケンが分散状態で存在することが、有機物汚れに対する除去性の観点から好ましい。
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．１〜１５％、特に０．５〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
上記水で希釈した場合で、有機溶剤（Ｂ）として炭素数６〜１８のアルケンを使用するときは、洗浄剤中で前記アルケンが分散状態で存在することが、有機物汚れに対する除去性の観点から好ましい。
本発明の電子材料用洗浄剤は、例えばアニオン性界面活性剤（Ａ）並びに必要により任意成分（Ｂ）〜（Ｇ）及び水を１０〜４０℃で３０〜３００分混合溶解させることにより製造できる。
混合溶解用の装置は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置が使用できる。
洗浄剤のガラスに対する接触角は、基板への濡れ広がり性の観点から１０°以下が好ましく、更に好ましくは８°以下である。
電子材料用洗浄剤を水で希釈する方法は、特に限定されないが、例えば櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置等を用いて、電子材料用洗浄剤と水とを１０〜４０℃で３０〜３００分間混合溶解する方法が挙げられる。
本発明の電子材料の洗浄方法は、上記の電子材料用洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する方法である。
洗浄温度は、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜６０℃、特に好ましくは２０〜５０℃である。
洗浄温度は、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜６０℃、特に好ましくは２０〜５０℃である。
以下、実施例及び製造例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。尚、以下においてイオン交換水は導電率が０．２μＳ／ｃｍ以下のものを、超純水は電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
[製造例１]
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２５６部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸２２９部を３時間かけて滴下して硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液２３０部及びイオン交換水５７８部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１）１２２１部を得た。
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２５６部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸２２９部を３時間かけて滴下して硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液２３０部及びイオン交換水５７８部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−１）１２２１部を得た。
[製造例２]
４８％水酸化カリウム水溶液２３０部をＤＢＵ２９９部に、イオン交換水の部数を１０６９部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）１７８１部を得た。
４８％水酸化カリウム水溶液２３０部をＤＢＵ２９９部に、イオン交換水の部数を１０６９部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）１７８１部を得た。
[製造例３]
４８％水酸化カリウム水溶液２３０部をジエタノールアミン２０７部に、イオン交換水の部数を９３０部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−３）１５５０部を得た。
４８％水酸化カリウム水溶液２３０部をジエタノールアミン２０７部に、イオン交換水の部数を９３０部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−３）１５５０部を得た。
[製造例４]
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２６０部を仕込み、攪拌下で７０℃に温調し、系内温度を７０℃に保ちながらリン酸９８部を２時間かけて滴下後、更に７０℃で４時間攪拌を継続してリン酸エステルを得た。更に、系内を３０℃まで冷却し、４８％水酸化カリウム水溶液１１７部及びイオン交換水４２５部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−４）９００部を得た。
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２６０部を仕込み、攪拌下で７０℃に温調し、系内温度を７０℃に保ちながらリン酸９８部を２時間かけて滴下後、更に７０℃で４時間攪拌を継続してリン酸エステルを得た。更に、系内を３０℃まで冷却し、４８％水酸化カリウム水溶液１１７部及びイオン交換水４２５部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−４）９００部を得た。
[製造例５]
撹拌機及び温度調節機能を備えたステンレス製オートクレーブに２−エチルヘキサノール１１３部及び水酸化カリウム３部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度１２０℃でエチレンオキサイド３８４部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させて２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物５００部を得た。２−エチルヘキサノール２５６部を上記２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物５００部に、クロロスルホン酸の部数を１０２部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を１０２部に、イオン交換水の部数を８３６部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−５）１５０９部を得た。
撹拌機及び温度調節機能を備えたステンレス製オートクレーブに２−エチルヘキサノール１１３部及び水酸化カリウム３部を仕込み、攪拌下に室温（２０℃）で系内の気相部を窒素で置換し、減圧下（ゲージ圧：−０．０５ＭＰａ）に反応温度１２０℃でエチレンオキサイド３８４部の吹き込みを開始し、ゲージ圧が０．１〜０．３ＭＰａになるように制御しながら、系内の圧力変化が無くなるまで反応させて２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物５００部を得た。２−エチルヘキサノール２５６部を上記２−エチルヘキサノールのエチレンオキサイド１０モル付加物５００部に、クロロスルホン酸の部数を１０２部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を１０２部に、イオン交換水の部数を８３６部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−５）１５０９部を得た。
[製造例６]
２−エチルヘキサン酸１４４部及びイオン交換水１９４部をビーカーに仕込み、２０℃で１５分攪拌して均一混合した後、４８％水酸化カリウム水溶液１１７部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−６）４５５部を得た。
２−エチルヘキサン酸１４４部及びイオン交換水１９４部をビーカーに仕込み、２０℃で１５分攪拌して均一混合した後、４８％水酸化カリウム水溶液１１７部を徐々に仕込み、２０℃で６０分間混合して中和し、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−６）４５５部を得た。
[製造例７]
２−エチルヘキサノールを２−ブタノールに、クロロスルホン酸の部数を４０２部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を４０３部に、イオン交換水の部数を７２４部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−７）１６５９部を得た。
２−エチルヘキサノールを２−ブタノールに、クロロスルホン酸の部数を４０２部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を４０３部に、イオン交換水の部数を７２４部に変更したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−７）１６５９部を得た。
[製造例８]
２−エチルヘキサノールを３，７−ジメチル−１−オクタノールに、クロロスルホン酸の部数を１８９部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を１８９部に、イオン交換水の部数を５４３部使用したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−８）１１１８部を得た。
２−エチルヘキサノールを３，７−ジメチル−１−オクタノールに、クロロスルホン酸の部数を１８９部に、４８％水酸化カリウム水溶液の部数を１８９部に、イオン交換水の部数を５４３部使用したこと以外は製造例１と同様にして、有効成分濃度が４０％のアニオン性界面活性剤（Ａ−８）１１１８部を得た。
[実施例１〜２６]及び[比較例１〜３]
表１に記載の各成分を、表１に記載の配合部数で、ビーカーを用いて２０℃で均一混合して、実施例１〜２６及び比較例１〜３の洗浄剤を作製した。
但し、表１に記載の（Ａ）〜（Ｅ）の部数は有効成分の部数であり、超純水の部数は（Ａ−１）〜（Ａ−８）及び後述の（Ｄ）のＰＡＮＨ３中の水を含む。
表１中の成分の略号は下記の通りである。
・ＭｅＸＳＮａ：メタキシレンスルホン酸ナトリウム塩［北星興業株式会社製］
・ＰＴＳＮａ：パラトルエンスルホン酸ナトリウム塩［和光純薬工業株式会社製］
・Ｄ２ｅＨＮａ：スルホコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナトリウム塩［東京化成工業株式会社製］（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＳＤＳ：ラウリル硫酸ナトリウム塩［ナカライテスク株式会社製］（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＰＥＬＳＮａ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム塩[サンデットＥＮ、三洋化成工業株式会社製]（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＤＥ−Ｂｕ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
・ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸［ナガセケムテックス株式会社製］
・ＰＡＮＨ３：ポリアクリル酸アンモニウム塩［サンノプコ株式会社製「ＳＮティスパーサント５４６８」（４０％水溶液）］
・Ｃｙｓ：Ｌ−システイン［和光純薬工業株式会社製］
表１に記載の各成分を、表１に記載の配合部数で、ビーカーを用いて２０℃で均一混合して、実施例１〜２６及び比較例１〜３の洗浄剤を作製した。
但し、表１に記載の（Ａ）〜（Ｅ）の部数は有効成分の部数であり、超純水の部数は（Ａ−１）〜（Ａ−８）及び後述の（Ｄ）のＰＡＮＨ３中の水を含む。
表１中の成分の略号は下記の通りである。
・ＭｅＸＳＮａ：メタキシレンスルホン酸ナトリウム塩［北星興業株式会社製］
・ＰＴＳＮａ：パラトルエンスルホン酸ナトリウム塩［和光純薬工業株式会社製］
・Ｄ２ｅＨＮａ：スルホコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナトリウム塩［東京化成工業株式会社製］（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＳＤＳ：ラウリル硫酸ナトリウム塩［ナカライテスク株式会社製］（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＰＥＬＳＮａ：ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム塩[サンデットＥＮ、三洋化成工業株式会社製]（比較用のアニオン性界面活性剤）
・ＤＥ−Ｂｕ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル［日本乳化剤株式会社製］
・ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸［ナガセケムテックス株式会社製］
・ＰＡＮＨ３：ポリアクリル酸アンモニウム塩［サンノプコ株式会社製「ＳＮティスパーサント５４６８」（４０％水溶液）］
・Ｃｙｓ：Ｌ−システイン［和光純薬工業株式会社製］
実施例１〜２６及び比較例１〜３の洗浄剤の起泡力及び泡の安定度、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、洗浄剤のｐＨ、洗浄後の水の接触角、洗浄剤の接触角及び表面粗さを評価又は測定した結果を表２に示す。
尚、起泡力、泡の安定度、洗浄性−１、洗浄性−２、洗浄性−３、洗浄性−４、洗浄性−５、洗浄剤のｐＨ、洗浄後の水の接触角、洗浄剤の接触角及び表面粗さの測定又は評価は以下の方法で行った。
＜起泡力及び泡の安定度＞
（１）ＪＩＳ Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保った。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込んだ。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させた。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定した。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定した。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とした。
（１）ＪＩＳ Ｋ３３６２（１９９８）に規定されるロス・マイルス試験用起泡力測定装置の内筒を垂直に立て、所定の水をポンプによって外筒に循環させて一定温度（２０℃）に保った。
（２）試験液（界面活性剤の０．２％水溶液）を同温度（２０℃）に保ちながら、その５０ｍｌを内筒の管壁に沿って静かに側面全体を潤すように流し込んだ。
（３）ピペットに試験液２００ｍｌを取り、ロス・マイルス試験用起泡力測定装置の上部にセットして、上端のコックを開き、試験液が約３０秒間で流出するようにし、かつ、液滴が内筒液面の中心に落ちるようにして流下させた。
（４）全ての試験液が流出した後、直ちに、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（起泡力）を測定した。
（５）更に、１分後に、目視によって泡の高さ（ｍｍ）（泡の安定度）を測定した。
（６）この操作を２回行い、それぞれの測定値の平均を整数位まで求めて、起泡力と泡の安定度とした。
＜洗浄性−１＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）にモデル汚染物質としてのｎ−トリアコンタン（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを７０℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１分間融着させることにより、汚染基板を作製した。洗浄剤１０００ｇを２０００ｍｌのガラス製ビーカーに採り、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価点に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）にモデル汚染物質としてのｎ−トリアコンタン（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを７０℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１分間融着させることにより、汚染基板を作製した。洗浄剤１０００ｇを２０００ｍｌのガラス製ビーカーに採り、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価点に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
＜洗浄性−２＞
モデル汚染物質としてジオクチルフタレート（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを塗布した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
モデル汚染物質としてジオクチルフタレート（東京化成工業株式会社製）１０ｍｇを塗布した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
＜洗浄性評価−３＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）上にガラス板を切断（破断）した際のガラス粉５ｍｇを散布し、１０５℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１時間加熱して、汚染基板を作製した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）上にガラス板を切断（破断）した際のガラス粉５ｍｇを散布し、１０５℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１時間加熱して、汚染基板を作製した以外は、洗浄性−１と同様にして評価した。
＜洗浄性−４＞
研磨剤としての市販のコロイダルシリカスラリー（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
研磨剤としての市販のコロイダルシリカスラリー（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
＜洗浄性評価−５＞
研磨剤としての市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
研磨剤としての市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）及び研磨布を用いて、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を研磨した後、超純水で表面をリンスして窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
＜洗浄剤のｐＨの測定＞
ｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定した。
ｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定した。
＜洗浄後の水の接触角＞
上記洗浄性−１を評価した直後の基板について、全自動接触角計（協和界面科学株式会社製「ＰＤ−Ｗ」）を用いて、水に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
上記洗浄性−１を評価した直後の基板について、全自動接触角計（協和界面科学株式会社製「ＰＤ−Ｗ」）を用いて、水に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
＜洗浄剤の接触角＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を超純水で十分にリンスした後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した直後の基板について、全自動接触角計（協和界面科学株式会社社製「ＰＤ−Ｗ」）を用いて、洗浄剤に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を超純水で十分にリンスした後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した直後の基板について、全自動接触角計（協和界面科学株式会社社製「ＰＤ−Ｗ」）を用いて、洗浄剤に対する接触角（２５℃、１０秒後）を測定した。
＜表面粗さ＞
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄剤を１０ｇ採り、５０℃に温調した後、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７）を縦２ｃｍ×横２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、５０℃で５時間浸漬・静置後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄剤を除去した後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した基板の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定した。Ｒａが小さいほど表面平坦性に優れる。
２０ｍｌのガラス製容器に洗浄剤を１０ｇ採り、５０℃に温調した後、市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７）を縦２ｃｍ×横２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、５０℃で５時間浸漬・静置後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄剤を除去した後、２５℃で、窒素でブローして乾燥した基板の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定した。Ｒａが小さいほど表面平坦性に優れる。
表２から、本発明の電子材料用洗浄剤は低起泡性で優れた泡切れ性を有し、有機物汚れ、ガラスカレット及び研磨剤等のパーティクルの除去性、再汚染防止性並びにガラス基板表面の平坦性に優れることがわかる。
本発明の電子材料用洗浄剤は、油分、人体からの汚れ（指紋等）、樹脂、可塑剤（ジオクチルフタレート等）及び有機パーティクル等の有機物並びに無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉及び金属粉等）等の無機物に対する洗浄性に優れており、各種の電子材料［例えばフラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機ＥＬ用基板等）、フォトマスク用基板、ハードディスク用基板（サブストレート基板、磁気ディスク及び磁気ヘッド等）、半導体用基板（半導体素子及びシリコンウェハ等）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ、太陽電池用基板及び水晶振動子］の製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。
本発明の電子材料の洗浄方法は、特に電子材料が、フラットパネルディスプレイ用基板、ハードディスク用基板、半導体用基板又は光学レンズである場合に好適である。
本発明の電子材料の洗浄方法は、特に電子材料が、フラットパネルディスプレイ用基板、ハードディスク用基板、半導体用基板又は光学レンズである場合に好適である。
Claims (8)
- 一般式（１）で表されるアニオン成分と、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、炭素数０〜２５のアンモニウムカチオン、ヒドロキシルアミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜３６の脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオン、炭素数４〜１０のアミジン化合物にプロトンが付加したカチオン、炭素数１〜２３のアルカノールアミンにプロトンが付加したカチオン及び炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにプロトンが付加したカチオンからなる群から選ばれる１種以上のカチオン成分からなるアニオン性界面活性剤（Ａ）及びキレート剤（Ｃ）を含有する電子材料用洗浄剤であって、（Ａ）の０．２重量％水溶液の２０℃におけるロス・マイルス試験により測定される起泡力が５０ｍｍ以下であり、泡の安定度が５ｍｍ以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ン基、ｂは平均値であって０〜１０、Ｑ-は−ＣＯＯ-、−ＯＣＨ2ＣＯＯ-、−ＯＳＯ3 -、−ＳＯ3 -又は−ＯＰＯ2(ＯＲ3)-、Ｒ3は水素原子又はＲ1（Ｒ2）ＣＨ−（ＣＨ2）a−（ＯＡ1）b−で表される基、Ｑ-が−ＣＯＯ-又は−ＳＯ3 -の場合ｂは０である。］ - 更に有機溶剤（Ｂ）を含有する請求項１記載の電子材料用洗浄剤。
- 更に、高分子型分散剤（Ｄ）及び／又は還元剤（Ｅ）を含有する請求項１又は２に記載の電子材料用洗浄剤。
- 前記（Ｂ）が、炭素数２〜９のグリコール系溶剤（Ｂ−２）、炭素数３〜６０のグリコールエーテル系溶剤（Ｂ−３）、炭素数６〜１２の飽和炭化水素系溶剤（Ｂ−４）及び炭素数６〜１８の不飽和脂肪族炭化水素系溶剤（Ｂ−５）からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤である請求項２又は３に記載の電子材料用洗浄剤。
- 前記一般式（１）におけるＲ1及びＲ2がそれぞれ独立に炭素数２〜４のアルキル基でかつＲ1とＲ2の炭素数の合計が５〜７であり、ａが０又は１、Ｑ-が−ＯＳＯ3 -又は−ＳＯ3 -である請求項１〜４のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
- 洗浄剤として使用される場合の有効成分濃度が０．１〜１５重量％である請求項１〜５のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
- 請求項１〜６のいずれか記載の電子材料用洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法。
- 超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法を用いて行われる請求項７記載の電子材料の洗浄方法。
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