JP2014199688A - 磁気ディスク基板用洗浄剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シクロデキストリン化合物(A)と水を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
【選択図】 なし
Description
また、特許文献2では、非イオン界面活性剤を実質的に含まないことにより、リンス性に優れ洗浄性が向上する方法が提案されているが、非イオン界面活性剤以外の洗浄剤構成成分が基板上に付着し残渣として残ってしまう恐れがあるだけでなく、極微小のパーティクルに対する洗浄性が不足し、基板上に残存してしまう点が問題である。
さらに、特許文献3で提案されている方法はパーティクルの洗浄効果はある程度改善できるものの十分ではなく、特に極微小のパーティクルでは基板上に残存してしまう点が問題であった。
すなわち本発明は、シクロデキストリン化合物および水を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤である。
シクロデキストリン化合物(A)の洗浄剤全量中における含有量は0.1〜30重量%が好ましく、0.5〜20重量%がより好ましく、1〜10重量%が特に好ましい。
ホスホン酸系キレート剤としては、例えば、N,N,N−トリメチレンホスホン酸(NTMP)、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、エチレンジアミン−N,N,N',N'−テトラメチレンホスホン酸(EDTMP)、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸(DTPMP)、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸(PBTC)が挙げられる。
これらのキレート剤の中でも、アミノカルボン酸系キレート剤及びホスホン酸系キレート剤が好ましく、特に好ましくは1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、N,N,N−トリメチレンホスホン酸(NTMP)、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸(PBTC)、トリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)である。また、必要に応じてキレート剤を2種以上組み合わせて使用してもよい。
キレート剤(B)の洗浄剤全量中における含有量は0.1〜20重量%が好ましく、0.5〜10重量%がより好ましい。
洗浄対象物(汚れ)は、無機パーティクル{研磨剤(例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム、ダイヤモンド等)、研磨屑等}等の無機物が挙げられる。
前記研磨工程が、研磨剤としてはシリカや酸化セリウム、アルミナなどを用いる研磨工程である場合や前記テクスチャリング工程でダイヤモンドを用いる場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
表1に記載の部数の各成分を、300mlのビーカー中で室温で十分に撹拌・混合して実施例および比較例の洗浄剤を作製した。得られた洗浄剤の評価試験方法を以下に示し、評価結果を表1に示す。
実施例1〜12、比較例1〜6の洗浄液をさらに超純水で50倍に希釈し、洗浄性評価サンプル液30gを30mlガラス製ビーカーに調製した。
洗浄対象物として市販のコロイダルシリカスラリー (平均粒径約20〜30nm、濃度48%)を超純水で16倍に希釈したスラリー液30gを30mlガラス製ビーカーに調製した。スラリー液中に、2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板を4等分に切断し、ブラシ洗浄処理をした基板を30分間浸漬させた。100mlの超純水でプレ流水リンスした後、ガラス基板を洗浄性評価液中に浸漬させ、15分間洗浄をおこなった。洗浄後、基板を取り出し、100mlの超純水で流水リンスを行い、20秒間窒素ブローして乾燥させた。
走査型プローブ顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用いて、400μm2の観察範囲で、窒素ブローによる乾燥後の基板を観察し、観察範囲内で観察される基板表面に残存する5nm以上のシリカ微粒子の数を数えた。
同様な観察を合計20点の観察範囲で実施した。観察された20点におけるパーティクルの平均個数から、洗浄性を以下の評価基準で評価した。
[パーティクルの洗浄性評価基準]
5 :平均微粒子個数が100個未満
4 :平均微粒子個数が100〜200個
3 :平均微粒子個数が200〜300個
2 :平均微粒子個数が300〜500個
1 :平均微粒子個数が500個以上
実施例1〜12、比較例1〜6の洗浄液をさらに超純水で50倍に希釈し、洗浄性評価サンプル液500gを500mlガラス製ビーカーに調製した。
洗浄対象物として市販の酸化セリウムスラリー(平均粒径約220nm、濃度10%)を超純水で10倍に希釈したスラリー液500gを500mlガラス製ビーカーに調製した。スラリー液中に、2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板を5分間浸漬させ、100mlの超純水でプレ流水リンスした後、基板を洗浄性評価液中に浸漬させ、5分間洗浄をおこなった。洗浄後、基板を取り出し、100mlの超純水で流水リンスを行い、20秒間窒素ブローして乾燥させた。
マイクロスコープ(株式会社キーエンス製)を用いて、パーティクル付着数をカウントした。100倍の倍率下で、窒素ブローによる乾燥後の基板を観察し、観察視野内で観察される基板表面に残存するパーティクルの数を数えた。
同様な観察を合計24点の観察範囲で実施した。観察された24点におけるパーティクルの平均個数から、洗浄性を以下の評価基準で評価した。
[パーティクルの洗浄性評価基準]
5 :平均微粒子個数が20個未満
4 :平均微粒子個数が20〜40個
3 :平均微粒子個数が40〜60個
2 :平均微粒子個数が60〜80個
1 :平均微粒子個数が80個以上
洗浄性−1の評価方法において、基板を磁気ディスク用ガラス基板からNiPメッキされた磁気ディスク用アルミ基板に変えた以外は同様とし、洗浄性の評価を行った。洗浄性評価基準も洗浄性−1と同様である。
洗浄性−2の評価方法において、基板を磁気ディスク用ガラス基板からNiPメッキされた磁気ディスク用アルミ基板に変更し、洗浄対象物を酸化セリウムスラリーから市販のアルミナスラリー(平均粒径380nm、濃度2%)に変えた以外は同様とし、洗浄性の評価を行った。洗浄性評価基準も洗浄性−2と同様である。
HEDP:1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸
EDTA:エチレンジアミン四酢酸
MIPA:モノイソプロパノールアミン
MEA:モノエタノールアミン
KOH:水酸化カリウム
Claims (9)
- シクロデキストリン化合物(A)と水を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤。
- 前記シクロデキストリン化合物(A)がα-シクロデキストリン、β-シクロデキストリン、γ-シクロデキストリン及び高度分岐環状デキストリンからなる群より選ばれる1種又は2種以上である請求項1記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- 前記シクロデキストリン化合物(A)がβ-シクロデキストリンである請求項1または請求項2に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- さらに1種または2種以上のキレート剤(B)を含有する請求項1〜3のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- 前記キレート剤がホスホン酸系キレート剤及びアミノカルボン酸系キレート剤からなる群より選ばれる1種又は2種以上である請求項4に記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- さらに1種または2種以上の塩基性成分(C)を含有する請求項1〜5のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- pHが25℃において8.0〜12.0である請求項1〜6のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の磁気ディスク基板用洗浄剤を用いて磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスクの製造方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の磁気ディスク洗浄剤を用いて洗浄された磁気ディスク基板。
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