JPWO2017061109A1 - 磁気ディスク用研磨材及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
サブストレート製造工程では、基板の平坦化のために研磨パッドと、コロイダルシリカ、酸化セリウム等の研磨粒子を含む研磨材による研磨を行い、それに続く洗浄工程で基板表面の研磨粒子や発生した研磨屑等のパーティクルを除去した後、乾燥工程を経て、加工された基板は所定の容器に梱包されメディア工程に輸送されるといった煩雑なプロセスから成る。
従来から、被研磨物に対する高い平坦性と研磨速度の向上を目的にイタコン酸(塩)を含む単量体の(共)重合体を含有する研磨用組成物が提案されている(例えば特許文献1)。
また、研磨後の基板表面のスクラッチ等の欠陥を低減するために、酸と複素環芳香族化合物を含む研磨液組成物が提案されている(例えば特許文献2)。
そこで、磁気ディスク製造工程中の研磨工程において、従来の研磨材と比較して被研磨物に対して高い研磨速度を有する磁気ディスク用研磨材、この磁気ディスク用研磨材を用いて磁気ディスクを研磨する研磨方法、及び、この研磨方法で磁気ディスクを研磨する工程を含む磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
XとYの比(X/Y)は、研磨レート向上の観点から好ましくは0.1以上100以下であり、更に好ましくは10以上70以下であり、最も好ましくは10以上40以下である。
本発明において、砥粒(A)は、積算粒径分布(体積基準)が50%となる粒径(D50v)の異なる2種以上の砥粒である。
砥粒(A)のD50vは、研磨レート向上の観点から好ましくは15nm未満の砥粒が1種以上かつ15nm以上の砥粒が1種以上である。
例えば、上記に例示した酸の1級アミン(メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等)塩;2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等)塩;3級アミン{トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン並びに1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等}塩;アミジン{1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1H−イミダゾール、2−メチル−1H−イミダゾール、2−エチル−1H−イミダゾール、4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン、1,6(4)−ジヒドロピリミジン等}塩、アルカリ金属(ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等)塩及びアンモニウム塩及び第4級アンモニウム(テトラアルキルアンモニウム等)塩が挙げられる。
これらの水溶性高分子(C)のうち、スクラッチ低減の観点から、好ましくはイオン性の水溶性高分子であり、さらに好ましくはポリスチレンスルホン酸又はその塩、アルキル硫酸エステル又はその塩、ポリアクリル酸又はその塩である。
研磨する工程としては、研磨パッドや研磨テープ等で磁気ディスクを研磨する工程が挙げられる。
(1)Ni−P基板を研磨装置のキャリアにセットし、ポリウレタン製の研磨パッドが貼られた定盤でNi−P基板を挟む。
(2)本発明の研磨材を供給しながら荷重をかけ、定盤及びキャリアを回転させる。
(3)一定膜厚が研磨できたことを確認し、回転を止める。
(4)Ni−P基板を流水リンスし、キャリアから取り出し、洗浄剤で浸漬洗浄もしくはスクラブ洗浄する。
(5)再び流水リンスする。
(6)乾燥、梱包する。
表1〜2に記載の組成にしたがい、容器に所定量と水を加えて合計100gとなるように調整し均一になるまで撹拌する。なお、コロイダルシリカ(A)、化合物(B)、水溶性高分子(C)及び35重量%過酸化水素水の配合量は純分換算した値を記載した。
コロイダルシリカ(A)、化合物(B)及び水溶性高分子(C)は、下記の(A−1)〜(A−5)、(B−1)〜(B−4)及び(C−1)〜(C−4)をそれぞれ使用した。
(A−1);水系コロイダルシリカスラリー(D50v=43nm、有効成分濃度30重量%)
(A−2);水系コロイダルシリカスラリー(D50v=31nm、有効成分濃度30重量%)
(A−3);水系コロイダルシリカスラリー(D50v=21nm、有効成分濃度30重量%)
(A−4);水系コロイダルシリカスラリー(D50v=11nm、有効成分濃度30重量%)
(A−5);水系コロイダルシリカスラリー(D50v=5nm、有効成分濃度30重量%)
(B−1);硫酸(pKa=1.99、有効成分濃度98重量%)
(B−2);αーアラニン(pKa=2.35,9.69)
(B−3);デイクエスト2010(HEDP、pKa=1.70,2.47,7.28,10.29、有効成分濃度60重量%)
(B−4);モノエタノールアミン(pKa=9.55)
(C−1);ポリスチレンスルホン酸ナトリウム(有効成分21重量%)
(C−2);ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステル塩(有効成分25重量%)
(C−3);ポリアクリル酸ナトリウム(有効成分40重量%)
(C−4);ポリアクリル酸DBU塩(有効成分40重量%)
(1)重量を測定した2.5インチの磁気ディスク用基板及びポリウレタン樹脂製の研磨パッドを研磨装置(株式会社ナノファクター製、「NFD−4BL」)にセットした。
(2)回転数を20rpm、押し付け圧を150g重/cm2に設定し、実施例1〜20、比較例1〜10の試験液を1mL/秒の速度で基板に注ぎながら6分間研磨した。
(3)上記の研磨した基板を研磨装置から取り出し、アルカリ性の洗浄剤で5分間超音波洗浄し、1分間流水でリンスした後、窒素ブローで乾燥させた。
(4)基板の重量変化から研磨速度を算出し、実施例1〜14は比較例1の研磨速度を100とした場合の相対値、実施例15〜28は比較例6の研磨速度を100とした場合の相対値で比較した。
(5)表面欠陥観察装置(ビジョンサイテック社製、「MicroMax VMX−6100SK」)にて、乾燥後の基板の片面を観察し、片面あたりのスクラッチの個数をカウントし、以下の基準で基板品質を評価した。
○:片面あたりのスクラッチ数が0〜10個
△:片面あたりのスクラッチ数が11〜30個
×:片面あたりのスクラッチ数は31個以上
また、本発明の研磨材を用いて研磨する工程を含む磁気ディスクの製造方法は、被研磨物に対して高い研磨速度を有し、生産効率の高い製造方法であるので、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用Ni−Pメッキされたアルミ基板の製造方法として利用できる。
Claims (5)
- 積算粒径分布(体積基準)が50%となる粒径(D50v)の異なる2種以上の砥粒(A)及び酸解離定数(pKa)を有する化合物(B)を含む磁気ディスク用研磨材であって、粒径が15nm未満である砥粒粒子数をX、粒径が15nm以上である砥粒粒子数をYとした場合のXとYの比(X/Y)が0.1以上200以下であり、1種以上の化合物(B)が1<pKa<5の範囲にpKaを有し、かつ1種以上の化合物(B)が8<pKa<10の範囲にpKaを有する磁気ディスク用研磨材。
- 砥粒(A)がコロイダルシリカである請求項1記載の磁気ディスク用研磨材。
- 化合物(B)が無機酸、有機酸及びアルカノールアミンからなる群から選ばれる1種以上の化合物である請求項1又は2記載の磁気ディスク用研磨材。
- 水溶性高分子(C)を含有する請求項1〜3のいずれかに記載の磁気ディスク用研磨材。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の磁気ディスク用研磨材を用いて磁気ディスクを研磨する工程を含む磁気ディスクの製造方法。
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