JP5220428B2 - 研磨用組成物を用いた研磨方法 - Google Patents
研磨用組成物を用いた研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5220428B2 JP5220428B2 JP2008023227A JP2008023227A JP5220428B2 JP 5220428 B2 JP5220428 B2 JP 5220428B2 JP 2008023227 A JP2008023227 A JP 2008023227A JP 2008023227 A JP2008023227 A JP 2008023227A JP 5220428 B2 JP5220428 B2 JP 5220428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing composition
- polishing
- nitrogen
- abrasive grains
- nonionic surfactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 36
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 28
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 13
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 11
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
本発明は、ポリシリコンを研磨する用途において主に使用される研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
例えば半導体装置製造工程において、基板の上に形成されたポリシリコン膜の一部を除去するための研磨が行われることがある。このような研磨では、ポリシリコン除去速度が大きいことが望ましいのはもちろんであるが、研磨後のポリシリコン膜表面の平坦性を低下させるディッシングをできるだけ発生させないことも重要である。ディッシングとは、除去されざるべきポリシリコン膜の部分が研磨除去されることにより研磨後のポリシリコン膜表面にへこみが生じる現象をいう。従来知られている研磨用組成物の多くは、ポリシリコン除去速度及びディッシングに関する要求性能を十分に満足しておらず、実用に耐えるものではない。
本発明に関連する先行技術文献としては以下の特許文献１，２を挙げることができる。
特開２００２−１９０４５８号公報
特開２００５−１７５４９８号公報
そこで、本発明の目的は、ポリシリコンを研磨する用途でより好適に使用可能な研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、窒素含有ノニオン界面活性剤及び砥粒を含有し、ｐＨが９〜１２である研磨用組成物を用いて、ポリシリコンを研磨する研磨方法が提供される。窒素含有ノニオン界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテルである。研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は２０〜５００ｐｐｍである。研磨用組成物中に含まれる砥粒はコロイダルシリカである。研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均一次粒子径は１０〜９０ｎｍである。研磨用組成物中の砥粒の含有量は１．０〜５．０質量％である。
本発明によれば、ポリシリコンを研磨する用途でより好適に使用可能な研磨用組成物を用いた研磨方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤及び砥粒を、必要に応じてｐＨ調整剤とともに、水に混合することにより、ｐＨが９〜１２の範囲内になるようにして製造される。従って、研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤、砥粒及び水を含有し、必要に応じてｐＨ調整剤をさらに含有する。
本実施形態の研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤及び砥粒を、必要に応じてｐＨ調整剤とともに、水に混合することにより、ｐＨが９〜１２の範囲内になるようにして製造される。従って、研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤、砥粒及び水を含有し、必要に応じてｐＨ調整剤をさらに含有する。
本実施形態の研磨用組成物は、ポリシリコンを研磨する用途での使用、より具体的には、例えば単結晶シリコン基板などの基板の上に形成されたポリシリコン膜の一部を除去するための研磨での使用を主に想定したものである。
研磨用組成物中に含まれる前記窒素含有ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミドが挙げられる。
研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は２０ｐｐｍ以上であることが好ましい。窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨された後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生は抑制される。この点、研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が２０ｐｐｍ以上であれば、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を実用上特に好適なレベルにまで抑制することができる。
研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は２０ｐｐｍ以上であることが好ましい。窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨された後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生は抑制される。この点、研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が２０ｐｐｍ以上であれば、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を実用上特に好適なレベルにまで抑制することができる。
また、研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度は増大する。この点、研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が５００ｐｐｍ以下であれば、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度に関して実用上特に好適なレベルが得られる。
研磨用組成物中に含まれる前記砥粒としては、例えば、コロイダルシリカ、フュームドシリカ及び焼成粉砕シリカが挙げられるが、その中でもコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカを用いた場合には、他の砥粒を使用した場合に比べて、研磨用組成物を用いて研磨された後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生が大きく抑制される。
研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３質量％以上、さらに好ましくは１．０質量％以上である。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度は増大する。この点、研磨用組成物中の砥粒の含有量が０．１質量％以上、さらに言えば０．３質量％以上、もっと言えば１．０質量％以上であれば、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
また、研磨用組成物中の砥粒の含有量は１５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物中での砥粒の分散性は向上する。この点、研磨用組成物中の砥粒の含有量が１５質量％以下、さらに言えば１０質量％以下、もっと言えば５．０質量％以下であれば、研磨用組成物中での砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均一次粒子径は３ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度は増大する。この点、砥粒の平均一次粒子径が３ｎｍ以上、さらに言えば５ｎｍ以上、もっと言えば１０ｎｍ以上であれば、研磨用組成物によるポリシリコン除去速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
また、研磨用組成物中に含まれる砥粒の平均一次粒子径は２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下である。砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物中での砥粒の分散性は向上する。この点、砥粒の平均一次粒子径が２００ｎｍ以下、さらに言えば１５０ｎｍ以下、もっと言えば９０ｎｍ以下であれば、研磨用組成物中での砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物中に必要に応じて含まれる前記ｐＨ調整剤は特に限定されるものではなく、研磨用組成物のｐＨを９〜１２の間の所望の値にするために適宜の量のいずれのアルカリを使用することも可能である。ｐＨ調整剤として使用可能なアルカリの具体例としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、エチルアミン及びエタノールアミンが挙げられる。
本実施形態によれば以下の作用効果を得ることができる。
本実施形態の研磨用組成物を用いてポリシリコン膜を研磨した場合、高いポリシリコン除去速度を得ることできると同時に、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を強く抑制することができる。従って、本実施形態の研磨用組成物は、ポリシリコンを研磨する用途、特に、基板の上に形成されたポリシリコン膜の一部を除去するための研磨で好適に使用することができる。本実施形態の研磨用組成物を用いることによって上記したような利点が得られる理由は詳細不明であるが、研磨用組成物中に含まれる窒素含有ノニオン界面活性剤によってポリシリコン膜表面が改質されることによりもたらされるものと推察される。
本実施形態の研磨用組成物を用いてポリシリコン膜を研磨した場合、高いポリシリコン除去速度を得ることできると同時に、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を強く抑制することができる。従って、本実施形態の研磨用組成物は、ポリシリコンを研磨する用途、特に、基板の上に形成されたポリシリコン膜の一部を除去するための研磨で好適に使用することができる。本実施形態の研磨用組成物を用いることによって上記したような利点が得られる理由は詳細不明であるが、研磨用組成物中に含まれる窒素含有ノニオン界面活性剤によってポリシリコン膜表面が改質されることによりもたらされるものと推察される。
前記実施形態は、次のようにして変更されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は二種類以上の窒素含有ノニオン界面活性剤を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は二種類以上の窒素含有ノニオン界面活性剤を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は二種類以上の砥粒を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には、必要に応じて、キレート剤や水溶性高分子、窒素含有ノニオン界面活性剤以外の界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤などの添加剤を添加してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には、必要に応じて、キレート剤や水溶性高分子、窒素含有ノニオン界面活性剤以外の界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤などの添加剤を添加してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１〜４，７〜９，１１〜１４，１８〜２３、参考例５，６，１０，１５〜１７及び比較例１，２では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加し、さらに窒素含有ノニオン界面活性剤を添加して研磨用組成物を調製した。比較例３〜５では、砥粒にｐＨ調整剤及び水を添加し、さらに窒素含有ノニオン界面活性剤に代わる化合物を添加して研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤又はそれに代わる化合物と砥粒の詳細、並びに各例の研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表１に示す。なお、各例において使用したｐＨ調整剤は水酸化テトラメチルアンモニウムである。
表１中、
Ａ１は、平均一次粒子径が１０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ２は、平均一次粒子径が３０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ３は、平均一次粒子径が７０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ４は、平均一次粒子径が９０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ５は、平均一次粒子径が１３０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ｂ１は、下記の構造式（１）で表わされるポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル（ｍ＝５）、
Ｂ２は、下記の構造式（２）で表わされるポリオキシエチレン脂肪酸アミド（ｍ＝５）、
Ｂ３は、下記の構造式（３）で表わされる平均分子量約１２０万のヒドロシキエチルセルロース（ｍ＝２〜３）、
Ｂ４は、下記の構造式（４）で表わされるポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（ｍ１＋ｍ２＝２５、ｎ＝３０）、
Ｂ５は、下記の構造式（５）で表わされるポリオキシエチレンアルキルエーテル（ｍ＝１０）を表す。
Ａ１は、平均一次粒子径が１０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ２は、平均一次粒子径が３０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ３は、平均一次粒子径が７０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ４は、平均一次粒子径が９０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ａ５は、平均一次粒子径が１３０ｎｍであるコロイダルシリカ、
Ｂ１は、下記の構造式（１）で表わされるポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル（ｍ＝５）、
Ｂ２は、下記の構造式（２）で表わされるポリオキシエチレン脂肪酸アミド（ｍ＝５）、
Ｂ３は、下記の構造式（３）で表わされる平均分子量約１２０万のヒドロシキエチルセルロース（ｍ＝２〜３）、
Ｂ４は、下記の構造式（４）で表わされるポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール（ｍ１＋ｍ２＝２５、ｎ＝３０）、
Ｂ５は、下記の構造式（５）で表わされるポリオキシエチレンアルキルエーテル（ｍ＝１０）を表す。
表１の“ディッシング量”欄には、各例の研磨用組成物を用いて直径２００ｍｍのポリシリコン膜パターンウエハの表面を表２に示す条件で研磨した後に測定されるディッシング量（ディッシングによるへこみ部分の深さ）を示す。ポリシリコン膜パターンウエハの研磨は、エンドポイントシグナルが検出された後、エンドポイントシグナルが検出されるまでの研磨時間の４０％の時間に相当する時間だけさらに継続の後に終了させた。
Claims (1)
- 窒素含有ノニオン界面活性剤及び砥粒を含有し、ｐＨが９〜１２であり、
研磨用組成物中の前記窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は２０〜５００ｐｐｍであり、
前記窒素含有ノニオン界面活性剤は、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテルであり、
前記砥粒はコロイダルシリカであり、
前記砥粒の平均一次粒子径は１０〜９０ｎｍであり、
研磨用組成物中の前記砥粒の含有量は１．０〜５．０質量％である研磨用組成物を用いて、ポリシリコンを研磨することを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008023227A JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
| US12/363,004 US20090197414A1 (en) | 2008-02-01 | 2009-01-30 | Polishing Composition and Polishing Method Using The Same |
| KR1020090007205A KR101534858B1 (ko) | 2008-02-01 | 2009-01-30 | 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법 |
| US13/923,477 US9434046B2 (en) | 2008-02-01 | 2013-06-21 | Polishing composition and polishing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008023227A JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013042551A Division JP5580441B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009187985A JP2009187985A (ja) | 2009-08-20 |
| JP5220428B2 true JP5220428B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=40932107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008023227A Active JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20090197414A1 (ja) |
| JP (1) | JP5220428B2 (ja) |
| KR (1) | KR101534858B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103620747B (zh) * | 2011-06-14 | 2017-07-28 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
| JP5580441B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2014-08-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US10822524B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-11-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I | Aqueous compositions of low dishing silica particles for polysilicon polishing |
| KR20190074597A (ko) | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
| KR20190074594A (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715842A (en) * | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US4169337A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4588421A (en) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| US5916819A (en) * | 1996-07-17 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same |
| US6099604A (en) * | 1997-08-21 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto |
| US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2002190458A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6974777B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions for low-k dielectric materials |
| TWI256971B (en) * | 2002-08-09 | 2006-06-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | CMP abrasive and method for polishing substrate |
| TWI307712B (en) * | 2002-08-28 | 2009-03-21 | Kao Corp | Polishing composition |
| JP4045180B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-02-13 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| EP1477538B1 (en) * | 2003-05-12 | 2007-07-25 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing agent kit and chemical mechanical polishing method using the same |
| US7247566B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-07-24 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers |
| KR100640600B1 (ko) | 2003-12-12 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법 |
| US7314578B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry compositions and CMP methods using the same |
| DE102004028768A1 (de) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Basf Ag | Styrolpolymer-Partikelschaumstoffe mit verringerter Wärmeleitfähigkeit |
| JP2006100538A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US7368388B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-05-06 | Small Robert J | Cerium oxide abrasives for chemical mechanical polishing |
| JP2007144612A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 有機膜研磨用研磨液及びこれを用いた有機膜の研磨方法 |
| JP2007194261A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Fujifilm Corp | 研磨方法 |
| JP2007214155A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujifilm Corp | バリア用研磨液及び化学的機械的研磨方法 |
| US7585340B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-09-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing polyether amine |
| KR100793240B1 (ko) * | 2006-06-02 | 2008-01-10 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법 및 불휘발성 메모리장치의 제조 방법 |
| JP2008021764A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
| JP5648567B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2015-01-07 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
-
2008
- 2008-02-01 JP JP2008023227A patent/JP5220428B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-30 US US12/363,004 patent/US20090197414A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-30 KR KR1020090007205A patent/KR101534858B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-06-21 US US13/923,477 patent/US9434046B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9434046B2 (en) | 2016-09-06 |
| KR101534858B1 (ko) | 2015-07-07 |
| KR20090084723A (ko) | 2009-08-05 |
| JP2009187985A (ja) | 2009-08-20 |
| US20090197414A1 (en) | 2009-08-06 |
| US20130288573A1 (en) | 2013-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI718998B (zh) | 研磨用組成物 | |
| JP5335183B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| TWI679272B (zh) | 研磨用組成物及使用其之研磨方法 | |
| JP4814502B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| EP3163600B1 (en) | Composition for polishing silicon wafers | |
| EP3584298B1 (en) | Polishing method using a polishing composition | |
| JP6360311B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
| JP6879798B2 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
| KR102617007B1 (ko) | 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
| JP5220428B2 (ja) | 研磨用組成物を用いた研磨方法 | |
| KR102612276B1 (ko) | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
| JP6482200B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2009187984A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| TW201518488A (zh) | 研磨用組成物及其製造方法 | |
| WO2015159507A1 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
| JP5580441B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP2009187986A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| KR100754807B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 | |
| JP2004335723A (ja) | 半導体ウェハ研磨用組成物 | |
| JP7074525B2 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
| WO2016052281A1 (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
| TW201610123A (zh) | 矽晶圓研磨用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120903 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130306 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5220428 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |