JP5580441B2 - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5580441B2 JP5580441B2 JP2013042551A JP2013042551A JP5580441B2 JP 5580441 B2 JP5580441 B2 JP 5580441B2 JP 2013042551 A JP2013042551 A JP 2013042551A JP 2013042551 A JP2013042551 A JP 2013042551A JP 5580441 B2 JP5580441 B2 JP 5580441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- polysilicon
- abrasive grains
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 37
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 25
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 17
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本実施形態の研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤及び砥粒を、必要に応じてpH調整剤とともに、水に混合することにより、pHが9〜12の範囲内になるようにして製造される。従って、研磨用組成物は、窒素含有ノニオン界面活性剤、砥粒及び水を含有し、必要に応じてpH調整剤をさらに含有する。
研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量は20ppm以上であることが好ましい。窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨された後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生は抑制される。この点、研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤の含有量が20ppm以上であれば、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を実用上特に好適なレベルにまで抑制することができる。
本実施形態の研磨用組成物を用いてポリシリコン膜を研磨した場合、高いポリシリコン除去速度を得ることできると同時に、研磨後のポリシリコン膜表面のディッシングの発生を強く抑制することができる。従って、本実施形態の研磨用組成物は、ポリシリコンを研磨する用途、特に、基板の上に形成されたポリシリコン膜の一部を除去するための研磨で好適に使用することができる。本実施形態の研磨用組成物を用いることによって上記したような利点が得られる理由は詳細不明であるが、研磨用組成物中に含まれる窒素含有ノニオン界面活性剤によってポリシリコン膜表面が改質されることによりもたらされるものと推察される。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は二種類以上の窒素含有ノニオン界面活性剤を含有してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には、必要に応じて、キレート剤や水溶性高分子、窒素含有ノニオン界面活性剤以外の界面活性剤、防腐剤、防黴剤、防錆剤などの添加剤を添加してもよい。
実施例1〜14,18〜23、参考例15〜17及び比較例1,2では、砥粒にpH調整剤及び水を添加し、さらに窒素含有ノニオン界面活性剤を添加して研磨用組成物を調製した。比較例3〜5では、砥粒にpH調整剤及び水を添加し、さらに窒素含有ノニオン界面活性剤に代わる化合物を添加して研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中の窒素含有ノニオン界面活性剤又はそれに代わる化合物と砥粒の詳細、並びに各例の研磨用組成物のpHを測定した結果を表1に示す。なお、各例において使用したpH調整剤は水酸化テトラメチルアンモニウムである。
A1は、平均一次粒子径が10nmであるコロイダルシリカ、
A2は、平均一次粒子径が30nmであるコロイダルシリカ、
A3は、平均一次粒子径が70nmであるコロイダルシリカ、
A4は、平均一次粒子径が90nmであるコロイダルシリカ、
A5は、平均一次粒子径が130nmであるコロイダルシリカ、
B1は、下記の構造式(1)で表わされるポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル(m=5)、
B2は、下記の構造式(2)で表わされるポリオキシエチレン脂肪酸アミド(m=5)、B3は、下記の構造式(3)で表わされる平均分子量約120万のヒドロシキエチルセルロース(m=2〜3)、
B4は、下記の構造式(4)で表わされるポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール(m1+m2=25、n=30)、
B5は、下記の構造式(5)で表わされるポリオキシエチレンアルキルエーテル(m=10)を表す。
Claims (2)
- ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル及び砥粒を含有し、pHが9〜12であり、
前記ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテルの含有量は20〜500ppmであり、
前記砥粒はコロイダルシリカであり、
前記砥粒の平均一次粒子径は10〜130nmであり、
前記砥粒の含有量は、0.5〜7.5質量%であり、
ポリシリコンを研磨する用途で用いられることを特徴とする研磨用組成物。 - 請求項1に記載の研磨用組成物を用いて、ポリシリコンを研磨することを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013042551A JP5580441B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013042551A JP5580441B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008023227A Division JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013149993A JP2013149993A (ja) | 2013-08-01 |
JP5580441B2 true JP5580441B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=49047134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013042551A Active JP5580441B2 (ja) | 2013-03-05 | 2013-03-05 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5580441B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002114970A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-16 | Asahi Denka Kogyo Kk | 水系ラップ液及び水系ラップ剤 |
JP3984902B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-10-03 | Jsr株式会社 | ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜研磨用化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法 |
KR100640600B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법 |
US7524347B2 (en) * | 2004-10-28 | 2009-04-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition comprising surfactant |
JP5220428B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-06-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
-
2013
- 2013-03-05 JP JP2013042551A patent/JP5580441B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013149993A (ja) | 2013-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI718998B (zh) | 研磨用組成物 | |
JP4814502B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
JP2007103515A (ja) | 研磨方法 | |
EP3163600B1 (en) | Composition for polishing silicon wafers | |
TWI679272B (zh) | 研磨用組成物及使用其之研磨方法 | |
JP6360311B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
EP3584298B1 (en) | Polishing method using a polishing composition | |
JP6879798B2 (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
KR20130103513A (ko) | 연마용 조성물 | |
JP5220428B2 (ja) | 研磨用組成物を用いた研磨方法 | |
KR102617007B1 (ko) | 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
JP2018174009A (ja) | 研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスクの研磨方法 | |
KR102612276B1 (ko) | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
JP6482200B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2009187984A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
TWI656204B (zh) | 研磨用組成物、該使用方法、及基板之製造方法 | |
JP5580441B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
WO2015159507A1 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
JP2009187986A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
JP6373029B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP5859054B2 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
WO2018193916A1 (ja) | 両性界面活性剤を含む研磨用組成物 | |
JP2021106246A (ja) | 研磨用組成物 | |
JP2013016832A (ja) | 研磨用組成物、lpd低減剤及びそれを用いたlpd低減方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140617 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5580441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |