JP4814502B2 - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
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Description
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材と、アゾール類又はその誘導体と、水とからなる。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するアゾール類又はその誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物の表面、特に半導体基板の表面を迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板の表面を研磨する用途において特に有用である。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は研磨促進剤をさらに含有してもよい。研磨促進剤は、研磨対象物を化学的に研磨する役割を担い、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。研磨促進剤は、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属塩、アンモニウム水酸化物、及びアンモニウム塩のいずれを含んでもよいが、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、第4級アンモニウム塩、又は第4級アンモニウム水酸化物のいずれかを含むことが好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれかを含むことがより好ましい。水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、第4級アンモニウム塩、及び第4級アンモニウム水酸化物は、研磨対象物を研磨する能力が高く、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化テトラメチルアンモニウムは、研磨対象物を研磨する能力が特に高い。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物に含まれるアゾール類は、二種類以上の化合物の混合物であってもよい。前記実施形態に係る研磨用組成物に含まれるアゾール類の誘導体は、二種類以上の化合物の混合物であってもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板以外の研磨対象物の表面を研磨する用途に用いられてもよい。
実施例6〜18、及び参考例1〜5においては、研磨材、アゾール類又はその誘導体、及び水を混合し、必要に応じて研磨促進剤又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を調製した。比較例1〜8においては、研磨材及び水を混合し、必要に応じて、アゾール類若しくはその誘導体、アゾール類及びその誘導体に代わる化合物、研磨促進剤、又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を調製した。実施例6〜18、及び参考例1〜5及び比較例1〜8に係る各原液を体積比で15倍にまで水で希釈して実施例6〜18、及び参考例1〜5及び比較例1〜8に係る研磨用組成物を調製した。実施例6〜18、及び参考例1〜5に係る各研磨用組成物中の研磨材、アゾール類又はその誘導体、研磨促進剤、及びキレート剤の詳細は表1に示すとおりである。また、比較例1〜8に係る各研磨用組成物中の研磨材、アゾール類若しくはその誘導体又はそれらに代わる化合物、研磨促進剤、及びキレート剤の詳細は表2に示すとおりである。
表3に示す研磨条件に従って研磨を実施したとき、研磨前後のシリコンウエハの厚みをダイヤルゲージで測定し、測定された研磨前後のウエハの厚みから研磨によるウエハの厚み減少量を求めた。こうして求められたウエハの厚み減少量を研磨時間で除することによって得られる研磨速度を表1及び表2の“研磨速度”欄に示す。
・ 水溶性高分子をさらに含有する前記研磨用組成物。
・ 酸化剤をさらに含有し、研磨用組成物中の酸化剤の含有量が0.1質量%以下である前記研磨用組成物。
・ 前記研磨用組成物を用いて半製品の表面を研磨する工程を経て得られる研磨製品。
・ 研磨材と、
アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
研磨促進剤、キレート剤、及び水溶性高分子の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
Claims (3)
- シリコンウエハを研磨する用途に用いられ、
研磨材と、
イミダゾール及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
水と、
キレート剤と
を含有することを特徴とする研磨用組成物。 - 研磨促進剤をさらに含有する請求項1に記載の研磨用組成物。
- 請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウエハの表面を研磨する研磨方法。
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