JP2005268664A - 研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線構造体11は、ニッケル及び鉄を含有する合金からなる磁性体層15を有する。また、この配線構造体11を研磨するために用いられる研磨用組成物には、研磨材、リン酸、酸化剤及びpH調整剤等の成分が含有される。そして、これらの成分のうちリン酸により、磁性体層15の研磨速度の向上が図られる。
【選択図】 図1
Description
図1(a)に示すように、半導体メモリ装置の配線構造体11は、表面に配線溝12を有する絶縁層13を備えている。配線溝12には、第1バリア層14、磁性体層15及び第2バリア層16が順次形成されている。第2バリア層16の内側には導体層17が埋設されている。これにより、導体層17の成分が磁性体層15中に、且つ磁性体層15の成分が絶縁層13中に拡散することが防止されている。この配線構造体11では、両バリア層14、16により磁性体層15が保護されていることから、磁性体層15の酸化が抑制される。
研磨材は、機械的研磨により被研磨面を研磨するために用いられる。この研磨材としては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン及び炭化ケイ素のうち少なくとも1種が使用され、被研磨面の表面粗さを小さくできる点から二酸化ケイ素又は酸化アルミニウムが好ましく、二酸化ケイ素がより好ましい。二酸化ケイ素としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ及び沈殿法シリカのうち少なくとも1種が使用され、平均粒子径が小さく且つ被研磨面の表面粗さを小さくすることが容易なコロイダルシリカが特に好ましい。コロイダルシリカは、不純物元素が極めて少ないことから、ゾルゲル法で生成されたものが好ましい。ゾルゲル法とは、一般にメタノール、アンモニア及び水からなる溶媒中にケイ酸メチルを滴下し、加水分解させることによってコロイダルシリカを得る方法である。但し、不純物元素の存在をそれほど問題としない場合、珪酸ソーダを出発原料とし、イオン交換法にて生成されたコロイダルシリカを使用してもよい。
防食剤は、導体層17の表面をリン酸による腐食から保護するために研磨用組成物に含有される。この防食剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、イミダゾール及びトリルトリアゾール、並びにその誘導体のうち少なくとも1種が用いられる。これらの中でも、防食効果が高いことからベンゾトリアゾール及びその誘導体のうち少なくとも1種が好適に用いられる。ベンゾトリアゾール誘導体としては、1−(2,3−ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシジメチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール等が挙げられる。研磨用組成物中における防食剤の含有量は、導体層17の表面の腐食を抑制するために、0.01質量%以上が好ましくは、0.1質量%以上がより好ましい。一方、同防食剤の含有量は、十分な導体層17の研磨速度を維持するために、1.0質量%以下が好ましく、0.6質量%以下がより好ましい。
・ 研磨用組成物には、研磨材、リン酸及び酸化剤が含有されている。研磨材及びリン酸は、協同して磁性体層15の機械的研磨を促進し、磁性体層15に対する優れた研磨性能を発揮する。即ち、研磨材及びリン酸により、磁性体層15の研磨速度を高めることができる。さらに、リン酸は、配線構造体11の表面を化学的にも研磨することから、磁性体層15の研磨速度をさらに好適に高めることができ、導体層17の研磨も促進する。加えて、酸化剤によれば、その酸化作用により磁性体層15の研磨を促進するとともに、導体層17の研磨も促進することができる。
(実施例1〜27、比較例1〜6)
表1に示す各成分を水に溶解又は分散することにより、研磨用組成物を調製した。なお、表中の各成分の含有量を示す数値の単位は質量%である。各例の研磨用組成物を用いて、以下に示す研磨加工条件で被研磨物を研磨加工し、各例の研磨用組成物の評価を以下のように行った。これらの結果を表1に示す。
研磨機:片面CMP用研磨機(Mirra、アプライドマテリアルズ社製)、研磨パッド:ポリウレタン製積層研磨パッド(IC−1000/Suba400:ローデル社製)、研磨加工圧力:17.3kPa(=約2.5psi)、定盤回転数:80min-1、研磨用組成物供給速度:200mL/min、被研磨物を支持するキャリアの回転数:80min-1。
(ウエハA)銅ブランケットウエハ:電解めっき法により銅を成膜した8インチシリコンウエハ
(ウエハB)パーマロイブランケットウエハ:スパッタリング法によりパーマロイ(ニッケル81.4質量%及び鉄18.6質量%)を成膜した8インチシリコンウエハ
(ウエハC)タンタルブランケットウエハ:スパッタリング法によりタンタルを成膜した8インチシリコンウエハ
(ウエハD)二酸化ケイ素ブランケットウエハ:TEOSを出発原料としてCVD法により二酸化ケイ素を成膜した8インチシリコンウエハ
(ウエハP)銅パターンウエハ:パターンウエハ(ADVANTEC社製)をCu研磨用スラリーを用いて研磨加工したもの。なお、このパターンウエハは、854個のマスクパターンを有し、銅からなる導体層17と二酸化ケイ素からなる絶縁層13との間に第1バリア層14としてのタンタル層(厚さ:15〜20nm)、パーマロイ層(厚さ:70nm)、第2バリア層16としてのタンタル(厚さ:15〜20nm)が順に積層されたものである。なお、初期の導体層17の厚さは1000nm、初期凹溝は800nmである。
研磨レート(研磨速度):調製直後の研磨用組成物を用いて、ウエハA〜Dにそれぞれ上記の研磨加工条件にて30秒間研磨加工を施した。そして、ウエハA(銅)、ウエハB(パーマロイ)、ウエハC(タンタル)及びウエハD(二酸化ケイ素)に対する研磨速度(研磨速度[nm/分]=(研磨前の膜厚[nm]−研磨後の膜厚[nm])÷研磨時間[分])を算出した。なお、研磨加工前及び研磨加工後の膜厚は、ウエハD(二酸化ケイ素)に関しては光干渉式膜厚測定装置(ASET−F5;ケーエルエー・テンコール社製)を、それ以外のウエハに関してはシート抵抗機(VR−120;国際電気システムサービス株式会社製)を用いて測定した。
の製品名)で測定した値である。
<pH調整剤>アンモニア:NH3。
<防食剤>ベンゾトリアゾール:B−1、1−(2,3−ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール:B−2、1−[N,N−ビス(ヒドロキシジメチル)アミノメチル]−ベンゾトリアゾール:B−3。
<酸化剤>過酸化水素:HPO。
表1の結果から、実施例1〜27ではウエハB(パーマロイ)の研磨速度について比較例1〜6よりも良好な結果が得られた。また、実施例1及び24に関し、ディッシング量及びエロージョン量の値を比較すれば明らかなように、水溶性高分子の保護作用は部分けん化型ポリビニルアルコールでは発揮されず、完全けん化型ポリビニルアルコール特有の作用であることが判明した。さらに、実施例1及び8〜10に関し、加工促進剤が0.4質量%を超えると、ウエハA(銅)及びウエハB(パーマロイ)の研磨速度が確実に向上していることが確認された。一方、比較例1では砥粒が、比較例2では加工促進剤が、比較例6では酸化剤が添加されていないため、また比較例3及び4では研磨用組成物のpHが過剰に高いため、それぞれにおいて十分なウエハA(銅)又はウエハB(パーマロイ)の研磨速度が得られなかった。
・ 配線構造体11を形成する絶縁層13、バリア層14,16、磁性体層15及び導体層17の順序及び配置は任意であり、図示された配線構造のみに限定されるものではない。
・ 研磨用組成物は、キレート剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、消泡剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
・ pH調整剤、水、防食剤及び水溶性高分子を省略してもよい。
(1) 表面に配線溝を有する絶縁層と、配線溝に埋設される導体層と、絶縁層と導体層との間に介装され、ニッケル及び鉄を含有する合金からなる磁性体層とを備える配線構造体の製造に使用される研磨用組成物であって、研磨材、リン酸、酸化剤、pH調整剤、水、防食剤及び水溶性高分子を含有するとともに、pHが6以下である研磨用組成物。これにより、導体層に対する研磨速度を高めることができる。
Claims (3)
- ニッケル及び鉄を含有する合金の研磨に使用される研磨用組成物であって、研磨材、リン酸及び酸化剤を含有するとともに、pHが6以下である研磨用組成物。
- ニッケル及び鉄を含有する合金からなる磁性体層を備える配線構造体の製造に使用される研磨用組成物であって、研磨材、リン酸、酸化剤及びpH調整剤を含有するとともに、pHが6以下である研磨用組成物。
- 前記リン酸はオルトリン酸、ポリリン酸、ピロリン酸、メタリン酸及びヘキサメタリン酸より選ばれる少なくとも一種である請求項1又は2に記載の研磨用組成物。
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