CN102358824B - 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 - Google Patents
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102358824B CN102358824B CN 201110216580 CN201110216580A CN102358824B CN 102358824 B CN102358824 B CN 102358824B CN 201110216580 CN201110216580 CN 201110216580 CN 201110216580 A CN201110216580 A CN 201110216580A CN 102358824 B CN102358824 B CN 102358824B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- polishing
- polishing composition
- hard disk
- disk substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 170
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000003518 caustics Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 13
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 35
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 20
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 organic acid salt Chemical class 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KIDJHPQACZGFTI-UHFFFAOYSA-N [6-[bis(phosphonomethyl)amino]hexyl-(phosphonomethyl)amino]methylphosphonic acid Chemical class OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCCCCCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O KIDJHPQACZGFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical class OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 4-phosphonobutylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCP(O)(O)=O JKTORXLUQLQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical group [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 3
- VPTUPAVOBUEXMZ-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxy-2-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)CP(O)(O)=O VPTUPAVOBUEXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-M Aminoacetate Chemical compound NCC([O-])=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZKQDCIXGCQPQNV-UHFFFAOYSA-N Calcium hypochlorite Chemical compound [Ca+2].Cl[O-].Cl[O-] ZKQDCIXGCQPQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- HTJDQJBWANPRPF-UHFFFAOYSA-N Cyclopropylamine Chemical group NC1CC1 HTJDQJBWANPRPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CJIGZMWMKFQIQB-UHFFFAOYSA-N OC=C.OP(=O)OP(O)=O Chemical compound OC=C.OP(=O)OP(O)=O CJIGZMWMKFQIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000003295 alanine group Chemical class N[C@@H](C)C(=O)* 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005269 aluminizing Methods 0.000 claims description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940009098 aspartate Drugs 0.000 claims description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940009662 edetate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229950006191 gluconic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229930195712 glutamate Natural products 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- YVJRCWCFDJYONJ-UHFFFAOYSA-N hydroperoxymethylbenzene Chemical compound OOCC1=CC=CC=C1 YVJRCWCFDJYONJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N hypobromous acid Chemical compound BrO CUILPNURFADTPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N hypoiodous acid Chemical compound IO GEOVEUCEIQCBKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N peroxydisulfuric acid Chemical compound OS(=O)(=O)OOS(O)(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical group O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- 229960001860 salicylate Drugs 0.000 claims description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- MOODSJOROWROTO-UHFFFAOYSA-N salicylsulfuric acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1OS(O)(=O)=O MOODSJOROWROTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229940071103 sulfosalicylate Drugs 0.000 claims description 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000250 adipic acid Drugs 0.000 claims 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 12
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004247 glycine and its sodium salt Substances 0.000 description 3
- 235000013905 glycine and its sodium salt Nutrition 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940029258 sodium glycinate Drugs 0.000 description 3
- WUWHFEHKUQVYLF-UHFFFAOYSA-M sodium;2-aminoacetate Chemical compound [Na+].NCC([O-])=O WUWHFEHKUQVYLF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 2
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 2
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 2
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 244000248539 Asparagus cochinchinensis Species 0.000 description 1
- 235000009292 Asparagus cochinchinensis Nutrition 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229940001468 citrate Drugs 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L disodium;2-(carboxymethyl)-2-hydroxybutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940049920 malate Drugs 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;potassium Chemical compound [K].OP(O)(O)=O PJNZPQUBCPKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
本发明公开了属于计算机存储器硬盘制造技术领域的一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物。该抛光组合物包含磨料、腐蚀剂、氧化剂和水，其特征在于：该抛光组合物还包含稳定剂、抛光促进剂和抛光平衡剂，所述抛光促进剂为无机盐类，所述抛光平衡剂为有机酸盐类。本发明提供的抛光组合物主要适用于硬盘盘基片制造中的超精密抛光，具有抛光去除速率较高的特点，经其抛光后的盘基片表面超光滑，无凹坑、突起等缺陷，表面粗糙度在0.3埃以下、表面波纹度0.5埃以下，且有效消除表面微划痕、抛光痕迹等微缺陷。该抛光组合物适用于硬盘镍磷镀敷铝合金基片和玻璃基片等的超精密表面制造。
Description
技术领域
本发明属于计算机存储器硬盘制造技术领域，特别涉及一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物。
背景技术
计算机硬盘已成为现代生活和生产活动中一种高效和便携的信息存储系统，不仅在国民经济中占据越来越重要的位置，而且在人类技术发展历史上也占有一席之地。硬盘是由磁头和硬质盘片组成的磁记录系统，其技术特点是高速相对运动、纳米运动间隙、高精度定位与控制。该系统的设计制造目标是高存储密度、高速读写能力、高可靠性和零磨损。
随着垂直磁记录技术在计算机硬盘中的运用，硬盘存储密度由2001年的40Gb/in2正向1000Gb/in2发展，磁头飞行高度也将从2001年的15nm降至2nm。硬盘存储密度的提高和磁头飞行高度的降低，要求磁头、磁盘的表面粗糙度Ra和波纹度Wa达到亚纳米级，表面上任何一个微小的缺陷如点蚀、凹坑、突起等都会导致产品报废。因此，对原子级平整表面的抛光技术提出了前所未有的高要求。
硬盘盘基片超精密抛光，一般采用粗抛光和精抛光两步。粗抛光，主要是为去除盘基片表面的较大波纹和表面缺陷，因此，需要大的去除速率。精抛光，则要求盘基片表面光滑、无缺陷，尽可能的使表面粗糙度与波纹度降低至最小。精抛光步骤，是盘基片超精加工的最后工序，对于满足更高要求的硬盘制造技术尤为重要。
近年来，国内外不少学者在硬盘盘基片的精抛光方面做了很多工作。专利CN101016438A涉及的碱性盘基片抛光液，使用硬软兼并的多种磨粒虽可减轻上一步粗抛光中的划伤，但是精抛光中使用较硬的颗粒，难免产生划痕，且碱性抛光液对抛光盘基片Ni-P材料去除速率受到较大的限制。专利CN1384170A通过氧化剂、有机膦酸、氧化硅抛光组合物抛光盘基片后一定程度上减少微小擦伤，但是实施例中所显示最小表面粗糙度只为
可见，其涉及技术抛光后盘基片表面质量的提高还不够明显。
因此，亟待寻求一种更有效地平衡化学与机械作用的抛光组合物，使盘基片抛光速率大，且抛光后表面质量进一步提高，微缺陷更少、表面粗糙度更小，以满足下一代硬盘盘基片制造的更高需要。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，为酸性抛光液，能提供更大的抛光速率，有效去除粗抛光残留的缺陷。
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，包含磨料、腐蚀剂、氧化剂和水，该抛光组合物还包含稳定剂、抛光促进剂和抛光平衡剂，所述抛光促进剂为无机盐类，所述抛光平衡剂为有机酸盐类，所述抛光组合物的pH值为0.5～5。
所述的无机盐类为氯化盐、硫酸盐、磷酸盐、磷酸氢二盐、磷酸二氢盐、碳酸盐或碳酸氢盐中的一种或几种，优选钾盐。
所述的有机酸盐类为羟基羧酸盐、氨基羧酸盐、磺基羧酸盐、膦酸盐中的一种或几种。
所述羟基羧酸盐为乙醇酸盐、酒石酸盐、柠檬酸盐、苹果酸盐、乳酸盐或水杨酸盐中的一种或几种，所述氨基羧酸盐为甘氨酸盐、丙氨酸盐、谷氨酸盐、天门冬氨酸盐或乙二胺四乙酸盐中的一种或几种，所述磺基羧酸盐为磺基水杨酸盐或磺基琥珀酸盐中的一种或几种，所述膦酸盐为2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸盐、氨基三亚甲基膦酸盐、羟基亚乙基二膦酸盐、乙二胺四亚甲基膦酸盐或己二胺四亚甲基膦酸盐中的一种或几种。
本发明还给出了抛光组合物中各组分的含量，按重量百分含量，稳定剂为0.02～10wt％，抛光促进剂为0.01～20wt％，抛光平衡剂为0.001～10wt％，磨料为1～30wt％，腐蚀剂为0.1～10wt％，氧化剂为0.1～20wt％，其中，稳定剂含量优选0.02～5wt％，抛光促进剂含量优选0.5～10wt％，抛光平衡剂含量优选0.2～5wt％，磨料含量优选2～20wt％，腐蚀剂含量优选0.2～5wt％，氧化剂含量优选0.5～10wt％。
所述磨料可为氧化硅、氧化铝、氧化锆或氧化铈中的一种或几种，优选氧化硅，所述磨料的平均粒径为10～200纳米。
所述腐蚀剂为盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、氨基磺酸、次磷酸、亚磷酸或焦磷酸的一种或几种。
所述氧化剂为过氧化氢、过氧化钠、硝酸铁、硝酸铝、过二硫酸、过二硫酸钠、过乙酸、过苯甲酸、次氯酸、次氯酸钠、次氯酸钙、次溴酸、次碘酸、高氯酸、高溴酸或高碘酸中的一种或几种，优选过氧化氢、硝酸铁。
所述稳定剂为乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、富马酸、衣康酸、乳酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、马来酸、乙醇酸、α-羟基异丁酸、甘油酸、葡糖酸、水杨酸、五倍子酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸或己二胺四亚甲基膦酸中的一种或几种。
所述水可为去离子水或蒸馏水。
所述的抛光组合物用于抛光硬盘盘基片，所述硬盘盘基片可为镍磷镀敷铝合金基片或玻璃基片。
经本发明的抛光组合物抛光后盘基片的表面粗糙度在0.3埃以下，且有效消除表面微划痕、抛光痕迹等微缺陷；所述表面缺陷微划痕是指用原子力显微镜5μm×5μm范围内才能见到的划痕，所述表面缺陷抛光痕迹是指用光学显微镜放大倍数500倍下才能见到的束状条痕。
本发明的有益效果为：；通过添加有机酸盐类抛光平衡剂调制抛光过程中化学与机械作用的均衡，以减少表面微缺陷，获得更加光滑的表面。本发明提供的抛光组合物主要适用于硬盘盘基片制造中的超精密抛光，具有抛光去除速率较高的特点，经其抛光后的盘基片表面超光滑，无凹坑、突起等缺陷，表面粗糙度在0.3埃以下、表面波纹度在0.5埃以下，且有效消除表面微划痕、抛光痕迹等微缺陷。所述表面缺陷微划痕是指用原子力显微镜5μm×5μm范围内才能见到的划痕，所述表面缺陷抛光痕迹是指用光学显微镜放大倍数500倍下才能见到的束状条痕。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业技术人员更全面的理解本发明，但不以任何方式限制本发明。
本发明制备的用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，包含磨料、腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂和水。
实施例1
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂硫酸为2wt％，氧化剂过氧化氢为2wt％，抛光促进剂硫酸钾为0.5wt％，抛光平衡剂2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸四钠为0.5wt％，稳定剂丁二酸为1wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.59。
将制备的抛光组合物用于硬盘盘基片的抛光，抛光条件如下：
抛光机：双面抛光机；
被抛光的硬盘盘基片：95毫米/50微英寸镍磷镀敷的铝合金基片(已经过粗抛光，其表面粗糙度Ra＝3埃)；
被抛光的硬盘盘基片数：45片；
抛光垫：FK1-N抛光垫；
抛光压力：80克/平方厘米；
下盘转速：30转/分钟；
抛光时间：9分钟；
抛光液流量：500毫升/分钟。
抛光后，对抛光盘基片进行洗涤和干燥，然后测量盘基片表面质量和去除速率。用厚度仪测量抛光前后基片的厚度差来求出去除速率；表面粗糙度Ra、波纹度Wa用Chapman MP2000+测定；用光学显微镜观察表面缺陷(微划痕、抛光痕迹、凹坑)。对所有45片被抛光基片进行测量，由平均值得到去除速率、表面粗糙度。测试结果如表1所示。
表面缺陷评价标准如下：
表面缺陷(微划痕)
微划痕：指盘基片精抛光工序中，用原子力显微镜5μm×5μm范围内才能见到的划痕。
对所抛光盘基片表面的外径、中径、内径每隔90度各取4点共计12点测定，计算12个视野的微划痕数。评价标准如下：
S：0～2条；
A：3～10条；
B：超过10条。
表面缺陷(抛光痕迹)
抛光痕迹：指盘基片精抛光工序中，用光学显微镜放大倍数500倍下才能见到的束状条痕。
对所抛光盘基片表面的外径、中径、内径每隔90度各取4点共计12点测定，计算12个视野的抛光痕迹数。评价标准如下：
S：0束；
A：1～6束；
B：超过6束。
表面缺陷(凹坑、突起)
用光学显微镜(在500倍下)观察，对所抛光盘基片表面的外径、中径、内径每隔90度各取4点共计12点测定，计算12个视野的凹坑和突起总数。评价标准如下：
S：0个；
A：1～12个；
B：超过12个。
实施例2
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂磷酸为2.5wt％，氧化剂过氧化氢为1.5wt％，抛光促进剂磷酸氢二钾为1wt％，抛光平衡剂柠檬酸钠为1wt％，稳定剂乳酸为0.5wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.74。
实施例3
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂盐酸为1wt％，氧化剂过氧化氢为0.5wt％，抛光促进剂氯化钾为0.5wt％，抛光平衡剂氨基三亚甲基膦酸四钠为1wt％、柠檬酸钾为0.1wt％，稳定剂水杨酸为3wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.65。
实施例4
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂磷酸为3wt％，氧化剂过氧化氢为1wt％，抛光促进剂磷酸二氢钾为1wt％，抛光平衡剂柠檬酸钾为0.2wt％，稳定剂柠檬酸为2wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.28。
实施例5
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂硫酸为3wt％，氧化剂过氧化氢为1wt％，抛光促进剂磷酸氢二钾为2wt％，抛光平衡剂甘氨酸钠为0.8wt％，稳定剂酒石酸为2wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.54。
实施例6
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂氨基磺酸为2.5wt％，氧化剂硝酸铁为3wt％，抛光促进剂硫酸钾为1wt％，抛光平衡剂乙二胺四乙酸四钠为0.5wt％，稳定剂2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸为1％、，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.34。
实施例7
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂硫酸为1.5wt％，氧化剂硝酸铁为1wt％，抛光促进剂磷酸氢二钾为2wt％，抛光平衡剂天门冬氨酸钠为0.5wt％，稳定剂草酸为2wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.95。
实施例8
一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，按重量百分含量，腐蚀剂硝酸为4wt％，氧化剂硝酸铁为2wt％，抛光促进剂碳酸钾为2.5wt％，抛光平衡剂酒石酸钠为0.5wt％，稳定剂苹果酸为1.5wt％，磨料氧化硅(平均粒径为20nm)为5wt％，其余为水。
在机械搅拌条件下，按上述比例将腐蚀剂、氧化剂、抛光促进剂、抛光平衡剂、稳定剂加入去离子水中，充分混合，再加入磨料，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.08。
比较例1
在机械搅拌条件下，将氧化剂过氧化氢加入去离子水中，充分混合，再加入磨料氧化硅(平均粒径为20nm)，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为6.28。
所得抛光组合物中，按重量百分含量，氧化剂过氧化氢为1.5wt％，磨料氧化硅为5wt％，其余为水。
比较例2
在机械搅拌条件下，将氧化剂过氧化氢、腐蚀剂磷酸加入去离子水中，充分混合，再加入磨料氧化硅(平均粒径为20nm)，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.48。
所得抛光组合物中，按重量百分含量，氧化剂过氧化氢为1.5wt％，腐蚀剂磷酸为3wt％，磨料氧化硅为5wt％，其余为水。
比较例3
在机械搅拌条件下，将氧化剂过氧化氢、腐蚀剂磷酸、抛光促进剂磷酸氢二钾加入去离子水中，充分混合，再加入磨料氧化硅(平均粒径为20nm)，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.75。
所得抛光组合物中，按重量百分含量，氧化剂过氧化氢为1.5wt％，腐蚀剂磷酸为3wt％，抛光促进剂磷酸氢二钾为0.5wt％，磨料氧化硅为5wt％。
比较例4
在机械搅拌条件下，将氧化剂过氧化氢、腐蚀剂磷酸、抛光平衡剂甘氨酸钠加入去离子水中，充分混合，再加入磨料氧化硅(平均粒径为20nm)，搅拌混合均匀，配制成抛光组合物，其pH值为1.63。
所得抛光组合物中，按重量百分含量，氧化剂过氧化氢为1.5wt％，腐蚀剂磷酸为3wt％，抛光平衡剂甘氨酸钠为0.8wt％，磨料氧化硅为5wt％，其余为水。
将上述实施例2～8和比较例中1～3制备的抛光组合物用于硬盘盘基片的精抛光，然后检测盘基片的表面质量和抛光去除速率，抛光条件、检测手段、评价标准与实施例1相同。所得结果如表1所示。
表1各实施例、比较例抛光盘基片的抛光速率和表面质量
由表1的结果可见，实施例1～8抛光组合物的抛光去除速率较高，均在3.8微英寸/分钟以上。实施例1-8与比较例1～4抛光组合物相比较，被抛光盘基片表面的表面粗糙度Ra和波纹度Wa明显更小，Ra均在0.3埃以下、Wa在0.5埃以下，且表面无凹坑、突起等缺陷，有效消除抛光痕迹、微划痕等微缺陷。
比较例1抛光组合物只有氧化剂、磨料，去除低、表面质量差。比较例2抛光组合物中含有腐蚀剂，较比较例1的抛光去除速率稍高。比较例3抛光组合物中还含有抛光促进剂，去除速率进一步增加，但因没有抛光平衡剂，表面凹坑、突起、微划痕等缺陷多。比较例4抛光组合物含有腐蚀剂、抛光平衡剂但无抛光促进剂，虽表面粗糙度和波纹度较比较例2有所改善，但去除速率不高，且仍有其它表面缺陷。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物，包含磨料、腐蚀剂、氧化剂和水，其特征在于：该抛光组合物还包含稳定剂、抛光促进剂和抛光平衡剂，所述抛光促进剂为无机盐类，所述抛光平衡剂为有机酸盐类，所述抛光组合物的pH值为0.5～5；
所述无机盐类为磷酸盐、磷酸氢二盐、磷酸二氢盐、碳酸盐或碳酸氢盐中的一种或几种；所述有机酸盐类为羟基羧酸盐、氨基羧酸盐、磺基羧酸盐、膦酸盐中的一种或几种；
所述羟基羧酸盐为乙醇酸盐、乳酸盐或水杨酸盐中的一种或几种，所述氨基羧酸盐为甘氨酸盐、丙氨酸盐、谷氨酸盐、天门冬氨酸盐或乙二胺四乙酸盐中的一种或几种，所述磺基羧酸盐为磺基水杨酸盐或磺基琥珀酸盐中的一种或几种，所述膦酸盐为2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸盐、氨基三亚甲基膦酸盐、羟基亚乙基二膦酸盐、乙二胺四亚甲基膦酸盐或己二胺四亚甲基膦酸盐中的一种或几种；
所述稳定剂为丙酸、戊二酸、已二酸、富马酸、衣康酸、乳酸、苹果酸、马来酸、乙醇酸、α-羟基异丁酸、甘油酸、葡糖酸、水杨酸、五倍子酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸、氨基三亚甲基膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸或己二胺四亚甲基膦酸中的一种或几种；
按重量百分含量，稳定剂为0.02～10 wt%，抛光促进剂为0.01～20wt%，抛光平衡剂为0.001～10 wt%，磨料为1～30 wt%，腐蚀剂为0.1～10 wt%，氧化剂为0.1～20 wt%；
所述磨料为氧化硅、氧化铝、氧化锆或氧化铈中的一种或几种，所述磨料的平均粒径为10～200纳米；
所述腐蚀剂为盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、氨基磺酸、次磷酸、亚磷酸或焦磷酸的一种或几种；
所述氧化剂为过氧化氢、过氧化钠、硝酸铁、硝酸铝、过二硫酸、过二硫酸钠、过乙酸、过苯甲酸、次氯酸、次氯酸钠、次氯酸钙、次溴酸、次碘酸、高氯酸、高溴酸或高碘酸中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，经其抛光后盘基片的表面粗糙度在0.3埃以下，且有效消除表面微划痕、抛光痕迹等微缺陷；所述表面缺陷微划痕是指用原子力显微镜5μm×5μm范围内才能见到的划痕，所述表面缺陷抛光痕迹是指用光学显微镜放大倍数500倍下才能见到的束状条痕。
3.权利要求1至2任意一个权利要求所述的抛光组合物用于抛光硬盘盘基片，所述硬盘盘基片为镍磷镀敷铝合金基片或玻璃基片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110216580 CN102358824B (zh) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110216580 CN102358824B (zh) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102358824A CN102358824A (zh) | 2012-02-22 |
| CN102358824B true CN102358824B (zh) | 2013-08-21 |
Family
ID=45584203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110216580 Expired - Fee Related CN102358824B (zh) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102358824B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6044337B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-12-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | インジウムとガリウムおよび酸素、またはインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物のエッチング液およびエッチング方法 |
| JP6396740B2 (ja) | 2014-09-29 | 2018-09-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| CN104312440B (zh) * | 2014-10-28 | 2016-04-27 | 清华大学 | 一种化学机械抛光组合物 |
| CN104804649B (zh) * | 2015-04-24 | 2017-08-11 | 清华大学 | 一种用于氮化镓的抛光液 |
| CN106752969A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-05-31 | 启东市清清蔬果农地股份专业合作社 | 一种铝合金外壳的抛光液 |
| CN106833388A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 东莞市淦宏信息科技有限公司 | 一种铝合金片研磨液 |
| CN108148507B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-12-04 | 清华大学 | 一种用于熔石英的抛光组合物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1409749A (zh) * | 1999-12-17 | 2003-04-09 | 卡伯特微电子公司 | 抛光或平滑化基体的方法 |
| CN101392150A (zh) * | 2008-11-12 | 2009-03-25 | 昆山市百益电子科技材料有限公司 | 可循环使用的抛光液 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6971945B2 (en) * | 2004-02-23 | 2005-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step polishing solution for chemical mechanical planarization |
| JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
-
2011
- 2011-07-29 CN CN 201110216580 patent/CN102358824B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1409749A (zh) * | 1999-12-17 | 2003-04-09 | 卡伯特微电子公司 | 抛光或平滑化基体的方法 |
| CN101392150A (zh) * | 2008-11-12 | 2009-03-25 | 昆山市百益电子科技材料有限公司 | 可循环使用的抛光液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102358824A (zh) | 2012-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102358824B (zh) | 一种用于硬盘盘基片超精密表面制造的抛光组合物 | |
| JP4273475B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP4707311B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| US7780751B2 (en) | Polishing composition for hard disk substrate | |
| JP4753710B2 (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP5025204B2 (ja) | 研磨用組成物及び磁気ディスク用基板の製造方法 | |
| JP2010042509A (ja) | 研磨用組成物 | |
| CN101463230B (zh) | 一种用于硬盘盘基片的抛光组合物 | |
| JP2014029754A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2002294225A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 | |
| WO2013077281A1 (ja) | 合金材料の研磨方法及び合金材料の製造方法 | |
| JP5063339B2 (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物、並びにこれを用いた研磨方法及びハードディスク基板の製造方法 | |
| CN103247304B (zh) | 基板的制造方法及磁盘的制造方法 | |
| JP4202201B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2007168057A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2004263074A (ja) | 研磨用組成物 | |
| CN104137182B (zh) | 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法 | |
| JP2005081504A (ja) | 磁気ディスク用研磨液キット | |
| JP4255976B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| CN1366548A (zh) | 磁盘基板抛光用组合物及其生产方法 | |
| JP5536433B2 (ja) | ハードディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP3997154B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JP6470949B2 (ja) | アルミニウムハードディスク基板の製造方法 | |
| JP2008142839A (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2005023313A (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130821 Termination date: 20170729 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |