JP2002294225A - 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制す
ることが可能で、表面粗さを小さくすることができる研
磨用組成物の提供。 【解決手段】 水、二酸化ケイ素、酸化剤、ならびにリ
ンゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク
酸、マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルビ
ン酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ
酸、アクリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン
酸および酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種
類の有機酸を含んでなり、組成物のｐＨが１以上７未満
であり、かつ組成物が実質的に金属イオンを含有しな
い、メモリーハードディスクの研磨用組成物、およびそ
れを用いたメモリーハードディスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリーハードデ
ィスク、すなわちコンピューターなどの記憶装置に用い
られる磁気ディスク用基盤の製造において、その表面を
研磨するのに好適な研磨用組成物に関するものである。
さらに詳しくは、本発明は、Ｎｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−
Ｆｅディスク、ボロンカーバイドディスク、およびカー
ボンディスクなどに代表されるメモリーハードディスク
の製造に用いられる研磨用組成物に関するものであり、
特に、優れた仕上げ加工表面を得るための製造技術に適
用可能な研磨用組成物に関するものである。また、本発
明は、前記の研磨用組成物を用いることにより、高記録
密度を有する高容量磁気ディスク装置に有用なメモリー
ハードディスクの製造方法にも関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

【０００３】近年、コンピューターの小型化および高性
能化が進むにつれて、その記憶装置である磁気ディスク
装置およびそれに用いられるメモリーハードディスクに
も小型化および高容量化が求められ、メモリーハードデ
ィスクの面記録密度は年に数十％の割合で向上してい
る。

【０００４】従って、所定量の記録情報が占めるメモリ
ーハードディスク上のスペースは、ますます狭くなり、
記録に必要な磁力は弱くなってきている。このため、最
近の磁気ディスク装置では、情報の読み書きを行う磁気
ヘッドとメモリーハードディスクの隙間であるヘッド浮
上高を小さくする必要があり、現在ヘッド浮上高は１０
マイクロインチ（約０．０２５μｍ）以下にまで及んで
いる。

【０００５】非常に大きな速度で回転するメモリーハー
ドディスク表面に一定の大きさを越えるような突起物や
うねりが存在すると、いわゆる「ヘッドクラッシュ」が
発生し、メモリーハードディスク表面の磁性媒体や磁気
ヘッドを損傷させてしまうことがあるため、メモリーハ
ードディスク表面に一定の大きさを越えるような突起物
やうねりを発生させないことが必要である。

【０００６】一方、現在最も広く用いられているメモリ
ーハードディスク用の基盤（以下、「サプストレート」
という）は、ブランク材に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを成膜
したものである。ブランク材とは、平坦度を持たせる目
的で、ダイヤターンによる旋盤加工、ＳｉＣ研磨材を固
めて作成されたＰＶＡ砥石を用いてラッピング加工もし
くは他の方法により、アルミニウムおよびその他の材質
からなるサブストレートを整形することによって得られ
るものである。

【０００７】一般に、磁気ヘッドがメモリーハードディ
スクへ吸着すること、およびサブストレート表面に、研
磨によるメモリーハードディスクの回転方向とは異なる
一定方向の筋目がつくことにより、メモリーハードディ
スク上の磁界が不均一になることを防止する目的で、研
磨後のサブストレートに同心円状の筋目をつける、いわ
ゆるテクスチャー加工が行われることがある。近年で
は、ヘッド浮上高をさらに低くするため、サブストレー
ト上に施す筋目をより薄くしたライトテクスチャー加工
が行われたり、あるいは、テクスチャー加工を施さず筋
目を付けないノンテクスチャーのサブストレートも用い
られるようになっている。

【０００８】メモリーハードディスク表面に一定の深さ
や長さを越えるような傷くスクラッチ）やピットと呼ば
れるようなへこみが存在すると、その部分だけ情報が完
全に書き込まれず、いわゆる「ビット落ち」と呼ばれる
情報欠落や情報の読み取り不良が起こって、磁気ディス
ク装置のエラーを発生させる原因となることもある。こ
こでスクラッチやピット等の表面欠陥の程度について
は、前記したノンテクスチャーのサブストレートを使用
しメモリーハードディスクを製造する場合はごく浅いも
のさえ問題になるが、テクスチャー加工やライトテクス
チャー加工が施されたサブストレートを使用する場合で
も、それらの加工で除去しきれないようなものがある
と、上述のような問題が発生することがある。

【０００９】従って、研磨工程、すなわち磁性媒体を形
成する前工程において、サブストレート表面の粗さを最
小限に抑えることにより高い平坦性と平滑性を達成し、
スクラッチ、ピット、微小突起およびその他の表面欠陥
の発生を抑えることが極めて重要である。

【００１０】従来、サブストレートの研磨は、酸化アル
ミニウムもしくは他の各種研磨材、水および各種の研磨
促進剤を含む研磨用組成物（以下、その性状から「スラ
リー」という）を用いて、１回の研磨工程によって仕上
げられることが一般的であった。しかし、１回の研磨工
程では、サブストレート表面の比較的大きな突起やピッ
トなどの表面欠陥およびうねりを除去し、かつ一定時間
内に表面粗さを最小にすることのすべてを満足すること
は困難であった。従って、２段階以上におよぶ研磨プロ
セスが検討されるようになった。

【００１１】研磨工程が２段階である場合、１段目の研
磨の主な目的は、サブストレート表面の比較的大きな突
起やピットなどの表面欠陥およびうねりを除去するこ
と、すなわち平坦性を高めることである。従って、表面
粗さを小さくすることよりは、むしろ、２段目の仕上げ
研磨で除去できないような深いスクラッチを発生させず
に、前記の表面欠陥やうねりに対して加工修正能力の大
きな研磨用組成物が要求される。

【００１２】２段目の研磨、すなわち仕上げ研磨の目的
は、サブストレートの表面粗さを最小にすることであ
る。従って、その研磨用新成物は、１段目の研磨で要求
されるような大きな表面欠陥やうねりに対して加工修正
能力が大きいことよりも、むしろ、表面粗さを小さくし
平滑性を高めることが可能で、微細なスクラッチやピッ
ト、微小な突起あるいは他の表面欠陥の発生を防止でき
ることが重要である。さらには、生産性の観点から、研
磨速度が大きいことも重要である。なお、表面粗さの程
度は、サブストレートの製造工程、メモリーハードディ
スクとしての最終的な記録容量およびその他の条件に応
じて決定される。従って、求められる表面粗さの程度に
応じて、２段階以上の研磨工程が採用されることもあ
る。

【００１３】また近年では、加エコスト削減のため、Ｐ
ＶＡ砥石によるブランク材の加工においていろいろな改
良がなされてきた。これらの改良により、プランク材の
表面粗さを小さくし、研磨前のメッキ基板の表面粗さや
うねり等の品質を、従来における１段目の研磨後のレベ
ルにすることが考えられている。そのような加工が行わ
れれば、１段目の加工は不要となり、いわゆる仕上げ研
磨のみの加工を行うことも可能になる。

【００１４】前記の目的のため、特に仕上げ研磨におい
て、酸化アルミニウム、または他の研磨材を徹底的に粉
砕して適切な粒子径に整え、これに水を加えたものに、
硝酸アルミニウムや各種の有機酸およびその他の研磨促
進剤を加えて調製された研磨用組成物、あるいはコロイ
ダルシリカおよび水を含有する研磨用組成物を用いてサ
ブストレートの研磨が行われてきた。

【００１５】しかし、前者の研磨用組成物を使用した場
合、微小突起や微細なピットの発生の面で改良の余地が
あった。また、後者の研磨用組成物を使用した場合に
は、研磨速度、サブストレート端面のダレの指標である
ロールオフやダブオフなど、さらには研磨後の洗浄の点
で改良の余地があった。

【００１６】前記の問題を解決すべく、特開平１−２４
６０６８号公報には、有機酸によりｐＨを８以下に調整
したコロイダルシリカ溶液を研磨剤として用い、アルミ
ニウム合金基板の片面或いは両面を同時に研磨すること
を特徴とするアルミニウム合金基板の鏡面仕上げ方法
が、また特開平２−１８５３６５号公報には、Ｍｇおよ
びＭｎを含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる
アルミニウム合金円板につき、有機酸によりｐＨを８以
下に調整したコロイダルシリカ溶液を用いて研磨する研
磨方法が開示されている。

【００１７】さらに、特開平１０−２０４４１６号公報
には、研磨材、水を含んでなるメモリーハードディスク
の研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存し
ている鉄化合物を含んでなることを特徴とする、メモリ
ーハードディスクの研磨用組成物が開示されている。こ
の研磨用組成物を用いては、研磨速度が大きく、表面粗
さが小さいサブストレートを得ることができる。

【００１８】また、特開平１１−１６７７１１号公報に
は、０．０１ｍｏｌ／ｌ以上の三価の鉄イオンを塩とし
て含有しかつ粒径０．５μｍ以下のシリカ粒子を含有し
たコロイド状研磨剤を用いて研磨することを特徴とする
磁気ディスク基板の製造方法が開示されている。

【００１９】さらに、特開２０００−４２９０４号公報
には、液層と、研磨剤と、該表面内に含まれる元素のリ
ガンドを含む種とを含み、該リガンドは、諸元素のイオ
ンまたは原子と結合しており、該結合は、該表面から、
諸元素の吸着されたイオンまたは原子を除去するのに、
十分強力であることを特徴とする、表面研磨用のスラリ
ーが開示されている。

【００２０】しかし、本発明者による検討の結果、十分
な研磨速度、スクラッチの抑制、研磨機の腐食および損
傷の防止、研磨面の十分な品質のすべてを同時に満たす
ことは困難であった。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の諸問
題を解決すること、すなわち従来の研磨用組成物に求め
られていたような、研磨速度が大きくスクラッチの発生
を抑制することが可能で、表面粗さを小さくすることが
できる研磨用組成物を提供することである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するためのメモリーハードディスクの研磨用組成物で
あって、水、二酸化ケイ素、酸化剤、ならびにリンゴ
酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、マ
ロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルビン酸、
イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ酸、ア
クリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン酸およ
び酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類の有
機酸を含んでなり、組成物のｐＨが１以上７未満であ
り、かつ組成物が実質的に金属イオンを含有しないこと
を特徴とするものである。

【００２３】また、本発明のメモリーハードディスク製
造方法は、表面粗さがＲａ＝３０Å以下であるＮｉ−Ｐ
ディスクを、前記研磨用組成物を用いて研磨することを
特徴とするものである。

【００２４】さらに、本発明のメモリーハードディスク
製造方法は、あらかじめ少なくとも一度、予備研磨工程
が行われ、表面粗さがＲａ＝１５Å以下であるメモリー
ハードディスク用のサプストレートを、前記研磨用組成
物を用いて仕上げ研磨を行うことを特徴とするものであ
る。

【００２５】そして、本発明のメモリーハードディスク
の研磨用組成物は、研磨速度が大きくスクラッチの発生
を抑制することが可能で、表面粗さを小さくすることが
できる。

【００２６】また、本発明のメモリーハードディスク製
造方法によれば、研磨速度が大きくスクラッチの発生を
抑制することが可能で、表面粗さが小さいメモリーハー
ドディスクを得ることができる。

【００２７】

【発明の具体的説明】水 本発明による研磨用組成物には、実質的に金属イオンを
含有していないものであれば、工水、市水、イオン交換
水および蒸留水のいずれの水も使用可能であるが、金属
イオンを実質的に含有しないイオン交換水を漏過し、異
物を除去したものを使用することが好ましい。本発明に
よる研磨用組成物には、金属イオンを含む水を使用する
ことも可能であるが、その場合には最終的な研磨用組成
物から適当な手段、例えばイオン交換、によって金属イ
オンを除去することが必要である。

【００２８】なお、本発明において、「金属」とはＩＡ
族、ＩＩＡ族、ＩＢ〜ＶＩＩＢ族、およびＶＩＩＩ族の
元素をいう。

【００２９】研磨材 本発明による研磨用組成物は、研磨材として二酸化ケイ
素を含むことを特徴とする。二酸化ケイ素には、コロイ
ダルシリカ、フユームドシリカ、およびその他の製造法
や性状の異なるものが多種存在するが、コロイダルシリ
カであることが好ましい。

【００３０】コロイダルシリカを製造する方法として
は、例えばケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムをイ
オン交換した超微粒子コロイダルシリカを粒子成長させ
る方法、アルコキシシランを酸またはアルカリで加水分
解する方法、あるいは有機ケイ素化合物を湿式にて加熱
分解する方法がある。

【００３１】また、市販されているコロイダルシリカを
酸および／またはアルカリの添加、もしくはイオン交換
によってｐＨを調整し、コロイダルシリカが高濃度でも
コロイド状態を維持できるようにすることが可能であ
る。さらに、市販されているコロイダルシリカには、単
分散のもの、いくつかの粒子が結合し会合比を有するも
のがあり、また金属不純物等の含有量を低減させた高純
度のものがあるが、本発明による研磨用組成物には、上
記のいずれのコロイダルシリカも使用することができ
る。

【００３２】二酸化ケイ素の粒径は、研磨速度や研磨面
の品質に影響する。十分な研磨速度を維持し、研磨面の
表面粗さを十分に小さくし、スクラッチの発生を最小限
に抑えるという観点から、二酸化ケイ素の粒径はＢＥＴ
法により測定した比表面積から求められる平均粒子径
で、一般に０．００５〜０．２μｍ、好ましくは０．０
１〜０．１μｍ、である。

【００３３】二酸化ケイ素の含有量は、用いられる二酸
化ケイ素の種類によっても異なる。ただし、十分な研磨
速度を維持し、かつ組成物の均一分散性と適度な粘度を
維持するという観点から、二酸化ケイ素の含有量は、研
磨用組成物の全重量に対して一般に１〜４０％、好まし
くは１〜２０％である。

【００３４】研磨促進剤 また、本発明による研磨用組成物は酸化剤を含むことを
特徴とする。この酸化剤は、上述の有機酸と合わせて使
用することにより研磨促進剤として作用するものであ
る。本発明において、酸化剤は金属イオンを含有しない
ものであることが好ましい。このような酸化剤として
は、塩素酸、過塩素酸、硫酸、過硫酸、硝酸、過硝酸、
過酸化水素、ヨウ素酸および過ヨウ素酸から選ばれる少
なくとも１種類であることが好ましく、特に過酸化水素
であることが好ましい。酸化剤が金属イオンを含有して
いてもよいが、この場合には最終的な研磨用組成物から
適当な手段、例えばイオン交換、によって金属イオンを
除去することが必要である。

【００３５】本発明による研磨用組成物中における酸化
剤の含有量は、その種類により異なる。ただし、酸化剤
のケミカルな効果を十分発現させて十分な研磨速度を維
持し、かつスクラッチの発生を防止するという観点か
ら、酸化剤の含有量は研磨用組成物の全重量に対して、
一般的に０．１％以上である。一方、ある一定の含有量
を超えると、酸化剤の増加に伴う研磨速度改良が得られ
なくなるという経済性の観点、および過剰な酸化剤の分
解によって発生する酸素に起因する、貯蔵容器の変形も
しくは破裂を防止するという観点から、酸化剤の含有量
は研磨用組成物の全重量に対して、５％以下、好ましく
は３％以下、である。

【００３６】また、本発明による研磨用組成物は、リン
ゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、
マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルピン
酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ
酸、アクリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン
酸および酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種
類の有機酸を含むことを特徴とする。これらの有機酸
は、前述の酸化剤と合わせて使用することにより研磨促
進剤として作用するものであり、特にリンゴ酸、マレイ
ン酸、乳酸、イタコン酸および酢酸からなる群より選ば
れる少なくとも１種類であることが好ましい。なお、金
属イオンを含有する有機酸塩は、研磨材である二酸化ケ
イ素を凝集させ、その凝集粒子がスクラッチ発生の原因
となることがある。

【００３７】なお、本発明による研磨用組成物中におけ
る有機酸の含有量は、その種類により異なる。ただし、
有機酸のケミカルな効果を十分に発現させ、十分な研磨
速度を維持し、スクラッチの発生を抑制するという観
点、および経済性の観点から、有機酸の含有量は研磨用
組成物の全重量に対して、一般的には０．０１〜１０
％、好ましくは０．１〜５％である。

【００３８】また、上記の研磨用組成物を調製する際、
製品の品質保持や安定化を図る目的、被加工物の種類、
加工条件およびその他の研磨加工上の必要性に応じて、
各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。

【００３９】研磨用組成物 本発明による研磨用組成物は、一般に、水に、二酸化ケ
イ素、酸化剤および有機酸を混合し、分散させ、さらに
必要に応じてその他の添加剤を溶解させることにより調
製する。これら成分を水に分散または溶解させる方法は
任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波
分散により分散させる。また、これら成分の添加順序は
任意であり、いずれを先に分散、溶解しても良く、また
同時に行っても良い。

【００４０】本発明による研磨用組成物は、各種の補助
添加剤の添加により研磨用組成物のｐＨは変動するが、
本発明の効果を発現させるためには、ｐＨを１以上７未
満とする必要がある。さらには、ｐＨを２以上４未満と
することがより好ましい。組成物のｐＨをこの範囲とす
ることで、十分な研磨速度と研磨機等の腐食防止の効果
を得ることができる。従って、研磨用組成物のｐＨが１
を下回る場合、または７以上である場合は、アルカリや
酸の添加によりｐＨを調整する必要がある。この場合に
おいても、金属イオンを含まないアルカリや酸を使用し
て、最終的な研磨用組成物の金属イオンを実質的に含ま
ないものとすることが好ましい。もし、原材料に金属イ
オンが含まれていた場合、研磨用組成物から適当な手段
によって、金属イオンを除去することが必要である。

【００４１】本発明による研磨用組成物は、実質的に金
属イオンを含有しない。実質的に金属イオンを含有しな
いとは、本願発明の効果を損なわない量の金属イオンが
存在することは許容されることを意味している。具体的
には、本発明による研磨用組成物の金属イオンの含有量
は、一般に５００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以
下、である。

【００４２】また、本発明による研磨用組成物の貯蔵に
際し、酸化剤が分解するのを防ぐために、研磨用組成物
を二つもしくはそれ以上の組成物に分けた状態で保管し
てもよい。一例として、研磨材、有機酸および水を含む
スラリーを高濃度の原液として調製、保存しておき、研
磨直前またはその原液を希釈する際に酸化剤を溶解させ
て所定の組成の研磨用組成物を得る方法が考えられる
が、このような方法を用いれば、比較的高濃度で、長期
間の保存が可能となる。

【００４３】本発明による研磨用組成物は、比較的高濃
度の原液として調製、貯蔵あるいは輸送をし、実際の研
磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の各種
成分の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものと
して記載したものであり、このような使用方法をとる場
合、貯蔵または輸送されている状態においてはより高濃
度の溶液となることは言うまでもない。さらには、取り
扱いやすさの観点から、研磨用組成物がそのような濃縮
された形態で製造されることが好ましい。

【００４４】なお、本発明による研磨用組成物が、サブ
ストレートの研磨において、表面粗さが小さく、研磨速
度が大きいと同時にスクラッチの発生を抑制することが
できる理由についての詳細な機構は明確に理解されてい
ないが、Ｎｉ−Ｐメッキしたサブストレートを例に挙げ
ると以下のように推察される。

【００４５】まず、表面粗さが小さく研磨速度が大きい
理由については、Ｎｉ−Ｐメッキ表面が有機酸のケミカ
ルな作用によってエッチングされるとともに、酸化剤の
ケミカルな作用によって酸化され脆くなったところに、
微細な二酸化ケイ素粒子による機械的作用が働き、小さ
な単位で、Ｎｉ−Ｐ表面が容易に除去されるためと考え
られる。

【００４６】また、スクラッチの発生を抑制することが
できる理由については、本発明による研磨用組成物が金
属イオンを含まないため、研磨材である二酸化ケイ素の
凝集を促進しないためと考えられる。

【００４７】メモリーハードディスクの製造法 本発明によるメモリーハードディスク製造方法は、前記
した研磨用組成物を用いて、メモリーハードディスクを
研磨することを含むものである。

【００４８】研磨対象となるメモリーハードディスクの
サブストレートには、例えばＮｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−
Ｆｅディスク、ボロンカーバイドディスク、カーボンデ
ィスク等がある。これらのうち、Ｎｉ−Ｐディスクに特
に好適である。

【００４９】本発明のメモリーハードディスクの製造方
法は、前記した研磨用組成物を用いられる限り、従来の
いかなるメモリーハードディスクの研磨方法や研磨条件
と組み合わせることもできる。

【００５０】例えば、研磨機として、片面研磨機、両面
研磨機、および他を使用することができる。また、研磨
パッドは、スウェードタイプ、不織布タイプ、植毛布タ
イプ、起毛タイプ等を用いることができる。

【００５１】また、本発明による研磨用組成物は、表面
粗さが小さく、研磨速度が大きいと同時にスクラッチの
発生を抑制することができることから、表面粗さがＲａ
＝３０Å以下に調整されたサブストレートに対して、１
段階で研磨を行うこともできるが、研磨工程を条件の異
なった２段階以上で行うことも可能である。研磨工程が
２段階以上で行われる場合、前記した研磨用組成物を用
いた研磨工程を最終の研磨工程とすること、すなわち予
備研磨されたサブストレートに対して、本発明による研
磨用組成物を用いて研磨することが好ましい。さらに
は、本発明による研磨用組成物による研磨をより効率的
に行うためには、予備研磨されたサブストレートの表面
粗さは、光学式表面粗さ計を用いた測定方法において、
Ｒａ＝１５Å以下に調整されていることがより好まし
い。

【００５２】以下は、本発明による研磨用組成物および
メモリーハードディスクの製造方法について例を用いて
具体的に説明するものである。なお、本発明は、その要
旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定さ
れるものではない。

【００５３】研磨用組成物の調製 まず、イオン交換水に、コロイダルシリカ（１次粒子
径：０．０３５μｍ）、酸化剤および有機酸を、それぞ
れ表１に記載されたとおり添加、混合して、実施例１〜
３２および比較例１〜１３の試料を調製した。過酸化水
素は３１％濃度の過酸化水素水を使用したが、表１に記
載した含有量は、過酸化水素としての値である。なお、
各々の試料のｐＨは表１に示す通りであった。

【００５４】研磨試験用サブストレートの作成 前記の試料を用いて２段研磨による評価を行うために、
サブストレートを作成した。研磨条件は以下の通りであ
った。

【００５５】研磨条件（１段目） 研磨機 ：両面研磨機 被加工物 ：３．５”無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート 研磨枚数 ：（２枚／キャリア）×５キャリア×２バッチ＝２０枚 研磨用組成物 ：ＤＩＳＫＬＩＴＥ−Ａ３５１０ （株式会社フジミインコーポレーテッド製） 研磨用組成物希釈率：１：２イオン交換水 研磨用組成物供給量：１００ｃｃ／分 研磨パッド ：Ｓｕｒｆｉｎ ０１８−３ （株式会社フジミインコーポレーテツド製） 加工圧力 ：８０ｇ／ｃｍ^２ 下定盤回転数 ：６０ｒｐｍ 研磨時間 ：５分

【００５６】研磨試験 次に、上記実施例１〜３２および比較例１〜１３の試料
と、１段目研磨済のサブストレートを用いて研磨試験を
行った。研磨条件は以下の通りであった。なお、サブス
トレートの表面粗さ（Ｒａ）は、光学式表面粗さ計Ｍｉ
ｃｒｏＸａｍ〔Ｘ５０〕（米国Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ
社製）を用いて測定した値を記載した。

【００５７】研磨条件 研磨機 ：両面研磨機 被加工物 ：３．５’’無電解Ｎｉ−Ｐサブストレート （１段研磨済、表面粗さ：Ｒａ＝１２Å） 研磨枚数 ：（２枚／キャリア〉×５キャリア×２バッチ＝２０枚 研磨パッド ：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ Ｎ００５８ （カネボウ株式会社製） 加工圧力 ：１００ｇ／ｃｍ^２ 下定盤回転数 ：４０ｒｐｍ 研磨用組成物希釈率：原液 研磨用組成物供給量：５０ｃｃ／分 研磨時間 ：１０分

【００５８】研磨後、サブストレートを順次洗浄、乾燥
した後、研磨によるサブストレートの重量減を測定し
た。測定は、研磨された２０枚全てについて行い、その
平均から研磨速度を求めた。評価基準は以下の通りであ
る。 ◎：０．１μｍ／ｍｉｎ以上 ○：０．０５μｍ／ｍｉｎ以上０．０１μｍ／ｍｉｎ未
満 Ｘ：０．０５μｍ／ｍｉｎ未満

【００５９】次に、暗室内にてスポットライト（山田光
学工業株式会社製、５０万ルクス）下で目視にて、研磨
後の全サブストレートの表裏面を観察、スクラッチ数を
カウントし、その平均から面当たりのスクラッチ数を求
めた。評価基準は以下の通り ◎：１０本／面未満 ○：１０本／面以上２０本／面未満 Ｘ：２０本／面以上 研磨速度およびスクラッチの発生状況に関する評価結果
は、表１に示すとおりであった。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【表２】

【００６２】表１の実施例１〜３２の結果より、本発明
による研磨用組成物は、大きな研磨速度が得られること
が分かる。また、実施例１〜３２と比較例１〜４の結果
より、本発明による研磨用組成物は、高い研磨性能を発
揮することが可能であることがわかった。

【００６３】さらに、実施例１〜３２と比較例５、１２
および１３の結果より、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、
酢酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、
アジピン酸、アスコルピン酸、イタコン酸、イミノジ酢
酸、グリオキシル酸、ギ酸、アクリル酸、クロトン酸お
よびニコチン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種
類の有機酸を含む本発明による研磨用組成物は、これら
以外の有機酸であるグルタミン酸および有機酸の鉄塩で
あるクエン酸鉄アンモニウム（III）を含む組成物と比
較して、スクラッチの発生を防止できることが分かる。

【００６４】また、実施例４と比較例６および７の結果
より、本発明による研磨用組成物は、金属イオンを含む
酸化剤である塩素酸カリウムや過硫酸カリウムを含む組
成物と比較して、研磨速度が大きくスクラッチの発生を
防止できることが分かる。

【００６５】さらに、実施例１〜９と比較例８および９
の結果より、有機酸を含む本発明による研磨用組成物
は、有機酸塩を含む組成物と比較して、研磨速度が大き
くスクラッチの発生を防止できることが分かる。

【００６６】そして、実施例１〜２６と比較例１０〜１
３の結果より、本発明による研磨用組成物は、従来の鉄
化合物を含む組成物およびさらに酸化剤を含む組成物と
比較して、スクラッチの発生を防止できることが分か
る。

【００６７】なお、実施例１〜３２および比較例１〜１
３のいずれの試料で研磨したサブストレートも、表面粗
さは小さく問題となるレベルではなかった。

【００６８】前述のように、本発明による研磨用組成物
は、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制すること
が可能で、表面粗さを小さくすることができ、また大き
な研磨速度をもたらされることがわかった。

【００６９】

【発明の効果】以上より、本発明による研磨用組成物
は、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制すること
ができ、表面粗さを小さくすることが可能になるととも
に、大きな研磨速度をもたらすことができる。

【００７０】また、本発明による研磨用組成物を用いる
ことにより、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制
することができ、表面粗さを小さくすることが可能であ
り、優れた加工表面を有するメモリーハードディスク用
のサブストレートを効率的に製造することができる。

【００７１】さらに、あらかじめ少なくとも一度、予備
研磨工程が行われ、仕上げ研磨前の表面粗さがＲａ＝３
０Å以下であるメモリーハードディスク用のサブストレ
ートを、本発明による研磨用組成物を用いて仕上げ研磨
を行うことにより、優れた仕上げ加表面を有するメモリ
ーハードディスク用のサブストレートを製造することが
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大 脇 寿 樹 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目１ 番地の１ 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 横 道 典 孝 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目１ 番地の１ 株式会社フジミインコーポレー テッド内 (72)発明者 平 野 淳 一 愛知県西春日井郡西枇杷島町地領二丁目１ 番地の１ 株式会社フジミインコーポレー テッド内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 CA01 CB10 DA02 5D112 AA02 AA03 BD06 GA14

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水、二酸化ケイ素、酸化剤、ならびにリン
   ゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、
   マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルビン
   酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ
   酸、アクリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン
   酸および酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種
   類の有機酸を含んでなり、組成物のｐＨが１以上７未満
   であり、かつ組成物が実質的に金属イオンを含有しない
   ことを特徴とするメモリーハードディスク研磨用組成
   物。
2. 【請求項２】金属イオンの含有量が、５００ｐｐｍ以下
   である、請求項１に記載のメモリーハードディスクの研
   磨用組成物。
3. 【請求項３】二酸化ケイ素がコロイダルシリカである、
   請求項１または２に記載のメモリーハードディスクの研
   磨用組成物。
4. 【請求項４】酸化剤が、塩素酸、過塩素酸、硫酸、過硫
   酸、硝酸、過硝酸、過酸化水素、ヨウ素酸および過ヨウ
   素酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載のメモリーハードデ
   ィスクの研磨用組成物。
5. 【請求項５】酸化剤が、過酸化水素である、請求項４に
   記載のメモリーハードディスクの研磨用組成物。
6. 【請求項６】有機酸が、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、
   イタコン酸および酢酸からなる群より選ばれる少なくと
   も１種類である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の
   メモリーハードディスクの研磨用組成物。
7. 【請求項７】二酸化ケイ素の含有量が、研磨用組成物の
   重量を基準にして１〜４０％である、請求項１〜６のい
   ずれか１項に記載のメモリーハードディスクの研磨用組
   成物。
8. 【請求項８】酸化剤の含有量が、研磨用組成物の重量を
   基準にして０．１〜５％である、請求項１〜７のいずれ
   か１項に記載のメモリーハードディスクの研磨用組成
   物。
9. 【請求項９】有機酸の含有量が、研磨用組成物の重量を
   基準にして０．０１〜１０％である、請求項１〜８のい
   ずれか１項に記載のメモリーハードディスクの研磨用組
   成物。
10. 【請求項１０】組成物のｐＨが２以上４未満である、請
    求項１〜９のいずれか１項に記載のメモリーハードディ
    スクの研磨用組成物。
11. 【請求項１１】表面粗さがＲａ＝３０Å以下であるＮｉ
    −Ｐディスクを、請求項１〜９のいずれか１項に記載の
    研磨用組成物を用いて研磨することを特徴とする、メモ
    リーハードディスク製造方法。
12. 【請求項１２】あらかじめ少なくとも一度予備研磨工程
    が行われ、表面粗さがＲａ＝１５Å以下であるメモリー
    ハードディスク用のサブストレートを、請求項１〜９の
    いずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて仕上げ研磨
    を行うことを特徴とする、メモリーハードディスクの製
    造方法。