JP6879798B2 - 研磨用組成物および研磨方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る研磨用組成物は、シリコンウェーハを粗研磨する用途に用いられる。研磨用組成物に含まれるエッチング抑制能が異なる2種以上の水溶性高分子がシリコン表面に作用することにより、端部および全体の形状に優れたシリコンウェーハを得ることができる。
本発明に係る研磨用組成物は、シリコンに対するエッチング抑制能が異なる2種以上の水溶性高分子を含む。ここで水溶性高分子は2種が好ましい。上述したように、シリコンに対するエッチング抑制能が高い水溶性高分子(第1の水溶性高分子)は、ウェーハ外周部のシリコン表面に吸着して外周部の過剰研磨を抑制し、端部のダレを低減すると考えられる。一方、第1の水溶性高分子に比べてシリコンに対するエッチング抑制能が低い水溶性高分子(第2の水溶性高分子)は、ウェーハ全面に拡散してエッチング作用を制御し、ウェーハ全体の平坦性を向上させると考えられる。
1.測定対象の水溶性高分子0.0008重量%、水酸化テトラメチルアンモニウム0.07重量%、炭酸カリウム0.04重量%を含み、残部が塩酸と水からなる評価用スラリーLpolyを調製する。塩酸は評価用スラリーのpHが11になるよう添加する;
2.25℃の上記評価用スラリーLpolyにシリコンウェーハを24時間浸漬する;
3.浸漬前後のウェーハの重量、ウェーハの表面積およびシリコンの比重から、下記式(1)〜(3)に基づき、エッチングレートRpolyを算出する。ここでシリコンの比重は2.33を使用する;
5.上記で得られたRpolyおよびRrefから、下記式(4)に基づき、シリコンに対するエッチング抑制能を算出する。
第1の水溶性高分子のシリコンに対するエッチング抑制能は、70%以上であることが好ましく、75%以上であることがより好ましい。かような範囲であれば、ウェーハ外周部の過剰研磨が抑制され、端部のダレが低減し、端部形状が良好となる。また、第1の水溶性高分子のシリコンに対するエッチング抑制能は、95%以下であることが好ましく、90%以下であることがより好ましく、85%以下であることがさらにより好ましく、80%以下であることが特に好ましい。かような範囲であれば、ウェーハ外周部が適度に研磨され、端部の立ちが抑制される。
第2の水溶性高分子のシリコンに対するエッチング抑制能は、70%未満であることが好ましく、60%未満であることがより好ましく、55%以下であることがさらにより好ましい。また、ウェーハ全体を適度にエッチングしてウェーハ全体の平坦性をさらに高める観点から、第2の水溶性高分子のシリコンに対するエッチング抑制能は、0%超であることが好ましく、20%以上であることがより好ましく、30%以上であることがさらに好ましく、40%以上であることがさらにより好ましく、50%以上であることが特に好ましい。
本発明の研磨用組成物は、砥粒を含む。研磨用組成物中に含まれる砥粒は、シリコンウェーハを機械的に研磨する作用を有する。
本発明に係る研磨用組成物は、塩基性化合物を含む。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のpHを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物は、研磨対象となる面を化学的に研磨する働きをし、研磨速度の向上に寄与し得る。また、塩基性化合物は、研磨用組成物の分散安定性の向上に役立ち得る。
本発明に係る研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するために分散媒として水を含む。水は、シリコンウェーハの汚染や他の成分の作用を阻害するのを防ぐ観点から、不純物をできる限り含有しないことが好ましい。このような水としては、例えば、遷移金属イオンの合計含有量が100ppb以下である水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、水としては、例えば、脱イオン水(イオン交換水)、純水、超純水、蒸留水などを用いることが好ましい。
本発明に係る研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。ここでの研磨用組成物とは、典型的には、シリコンウェーハのポリシング工程に用いられる研磨用組成物を意味する。
本発明の研磨用組成物は、必要に応じてノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤等の界面活性剤をさらに含んでもよい。上記の水溶性高分子の析出を抑制して研磨用組成物の性能を維持する観点から、本発明の研磨用組成物は、ノニオン性界面活性剤をさらに含むことが好ましい。
研磨用組成物に含まれうるキレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましい。なかでも好ましいものとして、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)およびジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン酸)およびジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)が挙げられる。キレート剤は、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明に係る研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で上記のシリコンウェーハに供給され、そのシリコンウェーハの粗研磨に用いられる。本発明に係る研磨用組成物は、例えば、希釈して研磨液として使用されるものであってもよく、そのまま研磨液として使用されるものであってもよい。ここで希釈とは、典型的には、水による希釈である。本発明に係る技術における研磨用組成物の概念には、シリコンウェーハに供給されて研磨に用いられる研磨液(ワーキングスラリー)と、希釈して研磨に用いられる濃縮液(ワーキングスラリーの原液)との双方が包含される。上記濃縮液の濃縮倍率は、例えば、体積基準で2倍〜100倍程度とすることができ、通常は5倍〜50倍程度が適当である。
本発明の研磨用組成物は、例えば、各成分を水中で攪拌混合することにより得ることができる。ただしこの方法に制限されない。また、各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、10℃以上40℃以下が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
本発明に係る研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、シリコンウェーハの粗研磨工程(一次研磨工程)に使用することができる。すなわち、本発明は、上記の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを粗研磨する研磨方法についても提供する。
上述のように、本発明の研磨用組成物は、シリコンウェーハの端部および全体の形状を整える性能に優れる。また、本発明の研磨用組成物は、高い研磨速度を維持することができる。かかる特長を活かして、本発明の研磨用組成物は、シリコンウェーハの粗研磨工程、すなわちポリシング工程における最初の研磨工程(一次研磨工程)において好適に使用される。粗研磨工程は、典型的には、ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程として実施される。本発明に係る研磨用組成物は、このような両面研磨工程においても好ましく使用されうる。
(評価用スラリーの調製)
測定対象の水溶性高分子0.0008重量%、塩基性化合物として水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)0.07重量%および炭酸カリウム0.04重量%の最終濃度となるよう、前記成分およびイオン交換水を室温(25℃)で30分撹拌混合した後、塩酸を用いてpH11に調整し、評価用スラリーを調製した。
・ポリビニルピロリドン(重量平均分子量4.5万、表2中「PVP」と称する)
・ポリビニルピロリドン(重量平均分子量250万、表2中「PVP高分子量」と称する)
・ポリビニルイミダゾール(重量平均分子量1.7万、表2中「PVI」と称する)
・ポリビニルアルコール(重量平均分子量1万、ケン化度98%、表2中「PVA」と称する)
・ヒドロキシエチルセルロース(重量平均分子量120万、表2中「HEC」と称する)
・ポリアクリル酸(重量平均分子量80万、表2中「PAA」と称する)。
測定対象の水溶性高分子を添加しないこと以外は上記の評価用スラリーの調製と同様にして、参照用スラリーを調製した。
30mm×60mmにカットし、予め重量を測定したシリコンウェーハをNH4OH(29%):H2O2(31%):脱イオン水(DIW)=1:3:30(体積比)の洗浄液に30秒間浸漬することにより洗浄した。上記ウェーハを5%のフッ化水素水溶液に30秒間浸漬することにより自然酸化膜を除去した後、25℃の上記の評価用スラリーに24時間浸漬した。ウェーハを取り出し、浸漬後の重量を測定した。浸漬前後のウェーハの重量、ウェーハの表面積、シリコンの比重から、下記式(1)〜(3)に基づき、エッチングレートRpolyを算出した。シリコンの比重は2.33を使用した。同様に、参照用スラリーを用いた場合のエッチングレートRrefを算出した。RpolyおよびRrefから、下記式(4)に基づき、シリコンに対するエッチング抑制能を算出した。
(実施例1)
砥粒としてコロイダルシリカ(BET法による平均一次粒子径55nm)1.4重量%、第1の水溶性高分子としてポリビニルピロリドン(PVP)(重量平均分子量4.5万)0.0003重量%、第2の水溶性高分子としてポリビニルアルコール(PVA)(重量平均分子量1万)0.0005重量%、塩基性化合物として水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)0.07重量%および炭酸カリウム0.04重量%の最終濃度となるよう、前記成分およびイオン交換水を室温(25℃)で30分撹拌混合した後、1日以上静置した。静置した液にKOH(pH調整剤)を加えてpH10.5に調整し、研磨用組成物を調製した。
水溶性高分子の種類および含有量を表2のように変更したこと以外は実施例1と同様にして、実施例2〜5および比較例1〜3に係る研磨用組成物を調製した。
最終濃度が0.00004重量%となるようノニオン性界面活性剤ポリオキシエチレンアルキルエーテルをさらに添加したこと以外は実施例1と同様にして、実施例6に係る研磨用組成物を調製した。
上記の研磨用組成物を用いて、60mm×60mmサイズのシリコンウェーハ(Bare Si P− <100>)を下記表1に示す研磨条件で研磨した。
株式会社ニコン製のDIGIMICRO MH−15Mを用いて、研磨後のウェーハ面内の厚みを測定した。測定点はウェーハ外周から5mmの位置を基点とした縦横10mm間隔の点であり、合計36点である。そして、36点中の最大値と最小値の差を「ウェーハ厚み差」と定義した。比較例1のウェーハ厚み差を100としたときの相対値を表2に示す。表2において、ウェーハ厚み差の値が小さいほど、ウェーハ全体の平坦性が高く、全体形状に優れていると言える。
Zygo社製のNew View 5032を用いて、研磨後のウェーハ表面の形状変位量を測定することによって、ロールオフ量を評価した。具体的には、ウェーハの外周端から中心に向かって2.0mm〜4.0mm位置の比較的平坦な領域を基準領域とし、該領域における形状変位量に対して近似する直線(基準直線)を最小二乗法を用いて引く。次に、上記基準直線上の点を基準点とし、外周端から2.0mm位置のウェーハ形状の最大変位量ウェーハ厚を測定し、これを「ロールオフ量」と定義した。比較例1のロールオフ量を100としたときの相対値を表2に示す。表2において、ロールオフ量の値が小さいほど、ウェーハ端部のダレが小さく、端部形状に優れていると言える。
Claims (8)
- シリコンウェーハを粗研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、
前記水溶性高分子は、シリコンに対するエッチング抑制能が異なる2種以上を含み、
前記水溶性高分子の含有量は、0.002重量%以下であり、
前記水溶性高分子は、シリコンに対するエッチング抑制能が70%以上であり第1の水溶性高分子と、シリコンに対するエッチング抑制能が70%未満である第2の水溶性高分子とを含み、
前記第1の水溶性高分子は、ポリビニルイミダゾールである、研磨用組成物。 - 前記第1の水溶性高分子および前記第2の水溶性高分子の重量比は、5:1〜1:5である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記第1の水溶性高分子および前記第2の水溶性高分子の重量比は、1:1.67〜1:5である、請求項2に記載の研磨用組成物。
- 前記第2の水溶性高分子は水酸基を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記第2の水溶性高分子はポリビニルアルコールである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 前記塩基性化合物の含有量は、0.1重量%以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- ノニオン性界面活性剤をさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを粗研磨する研磨方法。
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