WO2024071086A1

WO2024071086A1 - 研磨用組成物の製造方法および研磨用組成物

Info

Publication number: WO2024071086A1
Application number: PCT/JP2023/034854
Authority: WO
Inventors: 雄彦村瀬; 公亮土屋; 久典丹所
Original assignee: 株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority date: 2022-09-30
Filing date: 2023-09-26
Publication date: 2024-04-04

Abstract

セルロース誘導体を含む組成において、研磨後の表面欠陥の低減に有効な研磨用組成物、基板保護剤およびこれらの製造方法を提供する。砥粒と、塩基性化合物と、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む研磨用組成物の製造方法が提供される。上記製造方法は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；と、を含む。

Description

研磨用組成物の製造方法および研磨用組成物

　本発明は、研磨用組成物の製造方法および研磨用組成物に関する。また本発明は、基板保護剤の製造方法および基板保護剤にも関する。本出願は、２０２２年９月３０日に出願された日本国特許出願２０２２－１５８４９４号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。

　金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して、研磨用組成物を用いた精密研磨が行われている。例えば、半導体装置の構成要素等として用いられるシリコンウェーハの表面は、一般に、ラッピング工程（粗研磨工程）とポリシング工程（精密研磨工程）とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備研磨工程と仕上げ研磨工程（最終研磨工程）とを含む。シリコンウェーハ等の半導体基板を研磨する用途で主に使用される研磨用組成物に関する技術文献として、特許文献１および２が挙げられる。

日本国特許出願公開２０１２－８９８６２号公報日本国特許出願公開２０１５－１２４２３１号公報

　シリコンウェーハ等の半導体基板その他の基板を研磨するのに用いられる研磨用組成物（例えば仕上げ研磨工程に用いられる研磨用組成物）には、研磨後においてヘイズが低くかつ表面欠陥の少ない表面を実現する性能が求められる。かかる研磨用組成物には、砥粒および水に加えて、研磨対象物表面の保護や濡れ性向上等の目的で水溶性高分子を含むものがある。なかでも汎用の水溶性高分子としてセルロース誘導体が挙げられる。

　しかし、セルロース誘導体は、天然物であるセルロースを原料とするため品質がばらつきやすい。そのため、従来、セルロース誘導体を含む組成の研磨用組成物では、表面欠陥の原因となり得るミクロな凝集を精度よく抑制することは困難であった。例えば特許文献１，２には、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を用いた研磨用組成物において表面欠陥を低減する技術が記載されているが、かかる技術によっても研磨後の表面品質に関する近年の要求レベルには十分に対応できない場合があった。

　そこで本発明は、セルロース誘導体を含む組成において、研磨後の表面欠陥の低減に有効な研磨用組成物の製造方法、基板保護剤の製造方法、基板保護剤、および研磨用組成物を提供することを目的とする。

　本明細書によると、砥粒と、塩基性化合物と、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む研磨用組成物の製造方法が提供される。上記研磨用組成物の製造方法は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：上記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；とを含む。

　かかる研磨用組成物の製造方法によると、セルロース誘導体に由来する粗大粒子の数および／または量が低減した研磨用組成物が実現しやすい。かかる研磨用組成物によると、セルロース誘導体の使用による利点を活かしつつ、研磨後の表面欠陥（例えばＬＰＤ－Ｎ）を効果的に低減することができる。

　いくつかの態様において、上記工程（Ｂ２）または上記工程（Ｃ１）において、上記原料界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められた状態で添加される。適切な温度に加熱された原料界面活性剤を添加することにより、より好適にセルロース誘導体に由来する粗大粒子の数および／または量を低減させやすい。

　また、本明細書によると、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤の製造方法が提供される。上記基板保護剤の製造方法は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：上記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、上記加熱された原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；と、を含む。かかる構成の基板保護剤の製造方法によると、セルロース誘導体に由来する粗大粒子の数および／または量が低減した基板保護剤が製造されやすい。かかる基板保護剤を用いると、セルロース誘導体の使用による利点を活かしつつ、研磨後の表面欠陥（例えばＬＰＤ－Ｎ）を効果的に低減することができる。

　さらに、本明細書によると、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤が提供される。基板保護剤とは、研磨用組成物を用いて研磨するに当たり、少なくとも研磨対象基板の表面に吸着してその研磨性能を調整し得る物質群のことを言う。上記基板保護剤は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：上記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；と、を含む方法によって調製される。

　かかる構成の基板保護剤によると、該基板保護剤中のセルロース誘導体に由来する粗大粒子の数および／または量が低減している傾向にある。かかる基板保護剤を用いると、セルロース誘導体の使用による利点を活かしつつ、研磨後の表面欠陥（例えばＬＰＤ－Ｎ）を効果的に低減することができる。

　本明細書によると、砥粒と、塩基性化合物と、基板保護剤と、を含む研磨用組成物が提供される。上記基板保護剤は、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含み、かつ、以下の方法によって調製されたものである。すなわち、上記基板保護剤は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；と、を含む方法によって調製される。

　かかる研磨用組成物によると、該組成物中のセルロース誘導体に由来する粗大粒子の数および／または量が低減しているため、セルロース誘導体の使用による利点を活かしつつ、研磨後の表面欠陥を効果的に低減することができる。かかる研磨用組成物は、例えば、ＬＰＤ－Ｎ（Light Point Defect Non-cleanable）と称される、研磨、洗浄、乾燥等の処理によっては解消できない欠陥の低減に有効である。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、シリコン材料からなる表面の研磨に好ましく用いられ得る。上記研磨用組成物および／または上記基板保護剤を用いてシリコン材料からなる表面に対し研磨を行うことにより、高品質の（例えばＬＰＤ－Ｎが低減した）シリコン材料からなる表面を実現することができる。また、ここに開示される基板保護剤は、シリコン材料からなる表面のリンスにも好ましく用いられ得る。

　ここに開示される研磨用組成物は、濃縮液であり得る。ここに開示される研磨用組成物は、濃縮液で製造、流通、保存され得る。

　いくつかの態様において、上記研磨用組成物および／または上記基板保護剤を用いてシリコン材料からなる表面を研磨する工程を含む研磨方法が提供される。上記研磨方法によると、高品質の（例えばＬＰＤ－Ｎが低減した）シリコン材料からなる表面を実現することができる。

　以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。また、特記しない限りにおいて、本明細書において「室温」とは２０℃以上２５℃以下の温度を指す。

　＜研磨用組成物、基板保護剤およびこれらの製造方法＞
　本発明の一態様は、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤に関する。好ましい一態様において、上記基板保護剤の製造方法は、原料セルロース誘導体を水に溶解して、原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、上記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）と、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）とを含む。

　また、他の好ましい一態様において、上記基板保護剤の製造方法は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して、原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、と、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）とを含む。

　さらに、本発明の一態様は、砥粒と、塩基性化合物と、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む研磨用組成物に関する。上記研磨用組成物は、ここに開示されるいずれかの方法により調製された基板保護剤を含むことを特徴とする。いくつかの態様において、上記研磨用組成物の製造方法は、さらに、上記調製された基板保護剤と、砥粒と、塩基性化合物とを混合する工程（Ｄ）を含む。

　本発明によって、研磨後の表面欠陥の低減に有効な研磨用組成物および／または基板保護剤が得られるメカニズムについては、特に限定されないが、例えば以下のように推測することができる。

　ここに開示される技術では、原料セルロース誘導体を含む溶液に加熱処理が施されたのち、当該加熱処理が施された原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤が添加され得る。あるいは、ここに開示される技術では、原料セルロース誘導体と原料界面活性剤を含む添加剤混合液に対して加熱処理が施され得る。上記加熱処理により、原料セルロース誘導体の分子間の水素結合が弱められて、分子の凝集や絡み合いが解消される傾向にある。その状態の原料セルロース誘導体とともに、原料界面活性剤が存在することにより、原料界面活性剤が原料セルロース誘導体に好適に作用して再凝集を抑制する。かかる処理によると、原料セルロース誘導体の凝集や絡み合いが解消し、さらに会合体の再発生が抑制されて、分散状態が保持されやすい。これらの結果、原料セルロース誘導体に由来し、表面欠陥の原因となり得る会合体のサイズおよび／または量を抑制することができる。かかる研磨用組成物および／または基板保護剤によると、研磨面の表面欠陥（例えばＬＰＤ－Ｎ）の個数が低減し得ると考えられる。

　以下、研磨用組成物および／または基板保護剤およびその製造方法について、説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではない。

　なお、ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、セルロース誘導体および界面活性剤を含む。本明細書において、上記研磨用組成物および／または基板保護剤の製造過程で用いられるセルロース誘導体および界面活性剤のことをそれぞれ、「原料セルロース誘導体」および「原料界面活性剤」と呼ぶことがある。本明細書中の「原料セルロース誘導体」は「セルロース誘導体」と読み替えることも可能であり、「原料界面活性剤」は「界面活性剤」と読み替えることも可能である。

　（原料セルロース誘導体）
　ここに開示される原料セルロース誘導体（またはセルロース誘導体、以下同じ。）は、主たる繰返し単位としてβ－グルコース単位を含むポリマーである。原料セルロース誘導体の具体例としては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。原料セルロース誘導体は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ここで、セルロース誘導体とは、セルロースの持つ水酸基の一部が他の置換基に置換されたものをいう。なかでも、研磨後の表面品質向上の観点から、上記原料セルロース誘導体としては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）が好ましく用いられ得る。

　特に限定されないが、上記原料セルロース誘導体は、天然物に由来するポリマーであることが好ましい。天然物由来ポリマーは、純度や異物の制御に限界があるため、ここに開示される技術による効果が得られやすい。

　原料セルロース誘導体（またはセルロース誘導体）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されない。研磨対象面の保護性や研磨性能向上の観点から、原料セルロース誘導体（またはセルロース誘導体）のＭｗは、通常、０．５×１０^４以上が適当であり、好ましくは１×１０^４以上、より好ましくは１０×１０^４以上である。さらに好ましい一態様において、上記Ｍｗは、例えば１５×１０^４以上、さらには２０×１０^４以上であってもよく、２５×１０^４以上でもよい。また、原料セルロース誘導体（またはセルロース誘導体）のＭｗは、ろ過性の観点から、凡そ３００×１０^４以下とすることができ、１５０×１０^４以下が適当である。上記Ｍｗは、例えば１００×１０^４以下であってもよく、５０×１０^４以下でもよく、４０×１０^４以下でもよい。

　なお、本明細書において、原料セルロース誘導体（またはセルロース誘導体）のＭｗとしては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づく値（水系、ポリエチレンオキサイド換算）を採用することができる。ＧＰＣ測定装置としては、東ソー社製の機種名「ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ」を用いるとよい。測定条件は以下のとおりとするとよい。後述の実施例についても同様の方法が採用される。
　　［ＧＰＣ測定条件］
　　サンプル濃度：０．１重量％
　　カラム：ＴＳＫｇｅｌ　ＧＭＰＷＸＬ
　　検出器：示差屈折計
　　溶離液：０．１ｍｏｌ／Ｌ　ＮａＮＯ_３水溶液
　　流速：１．０ｍＬ／分
　　測定温度：４０℃
　　サンプル注入量：２００μＬ

　本発明の一実施形態によれば、原料セルロース誘導体溶液における原料セルロース誘導体の含有量は、０．５重量％以上であることが好ましく、０．７５重量％以上であるとより好ましく、１．０重量％以上であるとさらに好ましい。本発明の一実施形態において、原料セルロース誘導体溶液における原料セルロース誘導体の含有量は、溶解性の観点から、４重量％以下であると好ましく、３重量％以下であるとより好ましく、２重量％以下であるとさらに好ましい。

　本発明の一実施形態に係る原料セルロース誘導体としては、粉体の状態のものを用いることが好ましい。

　（原料界面活性剤）
　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤の製造方法では、原料界面活性剤（または界面活性剤、以下同じ。）が用いられる。原料界面活性剤を用いることにより、セルロース誘導体に由来する会合体の発生が抑制され、研磨面の欠陥（例えばＬＰＤ－Ｎ）が低減する傾向にある。原料界面活性剤としては、アニオン性、カチオン性、ノニオン性、両性のいずれのものも使用可能である。通常は、アニオン性またはノニオン性の原料界面活性剤を好ましく採用し得る。ヘイズ低減の観点および低起泡性やｐＨ調整の容易性の観点から、ノニオン性の原料界面活性剤がより好ましい。例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のオキシアルキレン重合体；ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンアルキルグルコシド、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のポリオキシアルキレン誘導体（例えば、ポリオキシアルキレン付加物）；複数種のオキシアルキレンの共重合体（例えば、ジブロック型共重合体、トリブロック型共重合体、ランダム型共重合体、交互共重合体）；等のノニオン性界面活性剤が挙げられる。原料界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　ノニオン性界面活性剤の具体例としては、エチレンオキサイド（ＥＯ）とプロピレンオキサイド（ＰＯ）とのブロック共重合体（ジブロック型共重合体、ＰＥＯ（ポリエチレンオキサイド）－ＰＰＯ（ポリプロピレンオキサイド）－ＰＥＯ型トリブロック体、ＰＰＯ－ＰＥＯ－ＰＰＯ型のトリブロック共重合体等）、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシエチレンプロピルエーテル、ポリオキシエチレンブチルエーテル、ポリオキシエチレンペンチルエーテル、ポリオキシエチレンヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレン－２－エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンイソデシルエーテル、ポリオキシエチレントリデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンイソステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン、ポリオキシエチレンメチルグルコシド、ポリオキシプロピレンメチルグルコシド、ポリオキシエチレンモノラウリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンジステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノオレイン酸エステル、ポリオキシエチレンジオレイン酸エステル、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルチミン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン（ポロキサミン）；等が挙げられる。なかでも好ましい界面活性剤として、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体（特に、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック共重合体）、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体およびポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えばポリオキシエチレンデシルエーテル）が挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルエーテルとしては、ＥＯ付加モル数が１～１０程度（例えば３～８程度）のものを好ましく採用することができる。

　原料界面活性剤（または界面活性剤）の分子量は、例えば５０００未満であり、セルロース誘導体の会合体を低減させる観点あるいは濾過性や洗浄性等の観点から４５００以下が好ましく、例えば４０００未満でもよい。また、原料界面活性剤の分子量は、界面活性能等の観点から、通常、２００以上であることが適当であり、ヘイズ低減効果等の観点から２５０以上（例えば３００以上）であることが好ましい。原料界面活性剤の分子量のより好ましい範囲は、該原料界面活性剤の種類によっても異なり得る。例えば、原料界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルエーテルを用いる場合、その分子量は、例えば２０００未満であることが好ましく、１９００以下（例えば１８００未満）であることがより好ましく、１５００以下であることがさらに好ましく、１０００以下（例えば５００以下）であってもよい。また、例えば原料界面活性剤としてＥＯとＰＯとのブロック共重合体を用いる場合、その重量平均分子量は、例えば５００以上であってよく、１０００以上であってもよく、さらには１５００以上であってもよく、２０００以上、さらには２５００以上であってもよい。上記重量平均分子量の上限は、例えば５０００未満であり、４５００以下が好ましく、例えば４０００未満でもよく、３８００未満でもよく、３５００未満でもよい。

　原料界面活性剤（または界面活性剤）の分子量としては、化学式から算出される分子量を採用してもよく、あるいは、ＧＰＣにより求められる重量平均分子量の値（水系、ポリエチレングリコール換算）を採用してもよい。ＧＰＣの測定条件については、上述のセルロース誘導体と同じ測定条件を採用できる。例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルの場合、化学式から算出される分子量を採用することが好ましく、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体の場合、上記ＧＰＣにより求められる重量平均分子量を採用することが好ましい。

　（溶媒）
　ここに開示される溶媒は、原料セルロース誘導体を溶解させることができるものであれば特に制限されないが、水を含むことが好ましい。溶媒中の９０体積％以上が水であることが好ましく、溶媒中の９５体積％以上（例えば９９～１００体積％）が水であることがより好ましい。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、研磨用組成物および／または基板保護剤に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。

　また、溶媒は、有機溶媒であってもよく、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。有機溶媒としては、特に制限されず公知の有機溶媒を用いることができる。水と有機溶媒との混合溶媒とする場合は、水と混和する有機溶媒である低級アルコール、低級ケトン等が好ましく用いられる。これら有機溶媒は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　＜原料セルロース誘導体溶液の作製（Ａ）＞
　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して、原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）を含む方法で製造される。ここで本明細書において、「溶解する」とは、溶解することまたは分散することを表す。そして、「溶解する」ことは、少なくとも一部が溶解した状態とすることが好ましく、この際、他の残りの一部は溶媒に分散した状態であってもよいが、完全に溶解した状態とすることが特に好ましい。

　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解させる方法は、特に制限されないが、原料セルロース誘導体を溶媒に添加し、攪拌する方法が好ましい。攪拌方法は特に制限されず、公知の方法を適宜用いることができる。攪拌時間は特に制限されない。

　また、原料セルロース誘導体溶液は、塩基性化合物を含んでいてもよい。本明細書において塩基性化合物とは、水に溶解して水溶液のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、第四級ホスホニウム化合物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。窒素を含む塩基性化合物の例としては、第四級アンモニウム化合物、アンモニア、アミン（好ましくは水溶性アミン）等が挙げられる。このような塩基性化合物は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　これらの塩基性化合物のうち、例えば、アルカリ金属水酸化物、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアから選択される少なくとも一種の塩基性化合物を好ましく使用し得る。なかでも水酸化カリウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム）およびアンモニアがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。

　原料セルロース誘導体溶液における塩基性化合物の含有量は、特に限定されないが、０．０００１重量％以上であることが好ましく、０．００１重量％以上であるとより好ましく、０．０１重量％以上であるとさらに好ましい。原料セルロース誘導体溶液における塩基性化合物の含有量は、特に限定されないが、１０重量％以下であると好ましく、１重量％以下であるとより好ましく、０．１重量％以下であるとさらに好ましい。なお、原料セルロース誘導体溶液は、塩基性化合物を含んでいなくてもよい。

　＜原料セルロース誘導体溶液の加熱（Ｂ１）＞
　いくつかの態様において、ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、上記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）と、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）と、を含む方法で製造される。かかる態様において、上記の原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）を経て得られた原料セルロース誘導体溶液には、工程（Ｂ１）において適切な加熱温度および加熱時間での加熱処理が施される。加熱処理の方法は特に制限されず、公知の方法を適宜用いることができる。

　上記工程（Ｂ１）における加熱温度は、特に限定されない。原料セルロース誘導体の絡み合いを好適に解消する観点から、上記工程（Ｂ１）における加熱温度は、通常３０℃以上であることが適切であり、４５℃以上であることが好ましく、より好ましくは５０℃以上（例えば５５℃以上）であり、さらに好ましくは６０℃以上である。また上記工程（Ｂ１）における加熱温度は、上記原料セルロース誘導体溶液の沸点を超えるべきではなく、好ましくは９５℃以下であり、より好ましくは７５℃以下であり、７０℃以下であってもよく、６５℃以下であってもよく、６０℃以下であってもよい。

　上記工程（Ｂ１）における加熱時間は、特に限定されない。上記工程（Ｂ１）における加熱時間は、原料セルロース誘導体溶液を上記加熱温度に保持する時間である。原料セルロース誘導体の絡み合いを好適に解消する観点から、工程（Ｂ１）における加熱時間は、凡そ２０秒以上であることが適切であり、好ましくは凡そ４０秒以上（例えば１分以上）である。上記工程（Ｂ１）における加熱時間の上限は特に限定されない。製造効率化の観点からは、上記工程（Ｂ１）における加熱時間は、凡そ１８０分以下としてもよく、凡そ６０分以下でもよく、凡そ３０分以下でもよい。

　＜加熱を経た原料セルロース誘導体溶液への原料界面活性剤の添加（Ｂ２）＞
　上記工程（Ｂ１）において加熱処理が施された原料セルロース誘導体溶液に対し、工程（Ｂ２）において原料界面活性剤が添加される。ここで、原料界面活性剤が添加される際に、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液は、加熱された状態であってもよいし、一旦冷却されていてもよい。すなわち、いくつかの態様において、研磨用組成物および／または基板保護剤の製造方法は、上記工程（Ｂ１）と上記工程（Ｂ２）との間に、上記加熱された原料セルロース誘導体溶液を冷却する工程（Ｂ３）を含んでいてもよい。上記冷却工程（Ｂ３）において、原料セルロース誘導体溶液の冷却の方法は、特に限定されず、例えば放冷であり得る。また、冷却温度も特に限定されない。例えば、上記原料セルロース誘導体溶液は室温まで冷却され得る。原料セルロース誘導体の絡み合いを解消する観点からは、ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤の製造方法は、工程（Ｂ２）において原料界面活性剤が添加される際に、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液は、加熱された状態であることが好ましい。

　上記工程（Ｂ２）において、原料界面活性剤が添加される際に、該界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められた状態であってもよいし、温められていなくてもよい。好適な温度に加熱された原料界面活性剤は、液体中で均一に分散して、界面活性剤としての機能を発揮しやすくなる傾向にある。原料界面活性剤を添加する効果をより高める観点および上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液の温度が低下するのを抑制する観点から、上記工程（Ｂ２）において添加される原料界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められていることが好ましい。上記工程（Ｂ２）において添加される原料界面活性剤の温度は、原料界面活性剤の種類に応じて選択され得るが、いくつかの態様において３０℃以上であり、好ましくは３５℃以上であり、より好ましくは４０℃以上である。上記工程（Ｂ２）において添加される原料界面活性剤の温度は、通常７５℃以下であることが適切であり、好ましくは６５℃以下（例えば６０℃以下）であり、５５℃以下でもよく、５０℃以下でもよく、４５℃以下でもよい。

　いくつかの態様において、原料界面活性剤は、溶液の形態で、上記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に添加される。かかる態様において、上記原料界面活性剤溶液における原料界面活性剤の含有量は、特に限定されない。ハンドリングの観点から、上記原料界面活性剤溶液における原料界面活性剤の含有量は、例えば０．０１～１００重量％とすることができ、好ましくは０．１～９５重量％であり、より好ましくは１～９０重量％である。

　上記工程（Ｂ２）を経て得られる原料セルロース誘導体と界面活性剤の混合液における、原料セルロース誘導体の含有量は、特に限定されない。上記混合液における原料セルロース誘導体の含有量は、例えば０．１重量％以上とすることができ、好ましくは０．５重量％以上であり、より好ましくは１．０重量％以上である。ろ過性の観点からは、上記混合液における原料セルロース誘導体の含有量は、５重量％以下であると好ましく、より好ましくは４重量％以下であり、さらに好ましくは３重量％以下である。

　上記工程（Ｂ２）を経て得られる原料セルロース誘導体と界面活性剤の混合液における、原料界面活性剤の含有量は、特に限定されない。上記混合液における原料界面活性剤の含有量は、例えば０．００５重量％以上とすることができ、基板保護性の観点からは、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．０３重量％以上である。上記混合液における原料界面活性剤の含有量は、１重量％以下であると好ましく、より好ましくは０．７５重量％以下であり、さらに好ましくは０．５重量％以下である。

　上記工程（Ｂ２）を経て得られる原料セルロース誘導体と界面活性剤の混合液における、原料界面活性剤の含有量に対する原料セルロース誘導体の含有量の比は、特に限定されない。基板保護性の観点から、上記の含有量比は、重量基準で、３．０以上であることが好ましく、より好ましくは５．０以上であり、さらに好ましくは１０以上であり、１２以上でもよく、１５以上でもよい。上記の含有量比は、重量基準で、例えば１００以下であり、好ましくは５０以下であり、より好ましくは３０以下であり、さらに好ましくは２５以下であり、２０以下であってもよい。

　上記工程（Ｂ２）を経て調製されるセルロース誘導体と界面活性剤の混合液を、そのまま基板保護剤として用いてもよい。あるいは、基板保護剤は、上記工程（Ｂ２）の後に、希釈、濃縮、ｐＨ調整、ろ過等の処理をさらに施されて製造されてもよい。

　＜原料セルロース誘導体溶液への原料界面活性剤の添加（Ｃ１）＞
　いくつかの態様において、ここに開示される研磨用組成物および基板保護剤は、上記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、上記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）と、を含む方法で製造される。

　上記工程（Ｃ１）において、原料界面活性剤が添加される際に、該原料界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められている状態であってもよいし、温められていなくてもよい。好適な温度に加熱された原料界面活性剤は、液体中で均一に分散して、界面活性剤としての機能を発揮しやすくなる傾向にある。界面活性剤を添加する効果をより高める観点から、上記工程（Ｃ１）において添加される界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められている状態であることが好ましい。上記工程（Ｃ１）において添加される原料界面活性剤の温度は、界面活性剤の種類に応じて選択され得るが、いくつかの態様において３０℃以上であり、好ましくは３５℃以上であり、より好ましくは４０℃以上である。上記工程（Ｃ１）において添加される界面活性剤の温度は、通常７５℃以下であることが適切であり、好ましくは６５℃以下（例えば６０℃以下）であり、５５℃以下でもよく、５０℃以下でもよく、４５℃以下でもよい。

　いくつかの態様において、原料界面活性剤は、溶液の形態で、原料セルロース誘導体溶液に添加される。かかる態様において、上記原料界面活性剤溶液における原料界面活性剤の含有量は、特に限定されない。ハンドリングの観点から、上記原料界面活性剤溶液における原料界面活性剤の含有量は、例えば０．０１～１００重量％とすることができ、好ましくは０．１～９５重量％であり、より好ましくは１～９０重量％である。

　上記工程（Ｃ１）において調製される添加剤混合液における、原料セルロース誘導体の含有量は、特に限定されない。上記添加剤混合液における原料セルロース誘導体の含有量は、例えば０．１重量％以上とすることができ、好ましくは０．５重量％以上であり、より好ましくは１．０重量％以上である。ろ過性の観点からは、上記添加剤混合液における原料セルロース誘導体の含有量は、５重量％以下であると好ましく、より好ましくは４重量％以下であり、さらに好ましくは３重量％以下である。

　上記工程（Ｃ１）において調製される添加剤混合液における、原料界面活性剤の含有量は、特に限定されない。上記添加剤混合液における原料界面活性剤の含有量は、例えば０．００５重量％以上とすることができ、好ましくは０．０１重量％以上であり、より好ましくは０．０３重量％以上である。ろ過性の観点からは、上記添加剤混合液における原料界面活性剤の含有量は、１重量％以下であると好ましく、より好ましくは０．５重量％以下（例えば０．２５重量％以下）であり、さらに好ましくは０．１重量％以下である。

　上記工程（Ｃ１）において調製される添加剤混合液における、原料界面活性剤の含有量に対する原料セルロース誘導体の含有量の比は、特に限定されない。基板保護性の観点から、上記の含有量比は、重量基準で、３．０以上であることが好ましく、より好ましくは５．０以上であり、さらに好ましくは１０以上であり、１２以上でもよく、１５以上でもよい。分散性向上の観点からは、上記の含有量比は、重量基準で、例えば１００以下であり、好ましくは５０以下であり、より好ましくは３０以下であり、さらに好ましくは２５以下であり、２０以下であってもよい。

　＜添加剤混合液の加熱（Ｃ２）＞
　上記工程（Ｃ１）により調製される添加剤混合液には、工程（Ｃ２）において適切な加熱温度および加熱時間での加熱処理が施される。加熱処理の方法は特に制限されず、公知の方法を適宜用いることができる。

　上記工程（Ｃ２）における加熱温度は、特に限定されない。原料セルロース誘導体の絡み合いを好適に解消する観点から、工程（Ｃ２）における加熱温度は、通常３０℃以上であることが適切であり、４５℃以上であることが好ましく、より好ましくは５０℃以上（例えば５５℃以上）であり、さらに好ましくは６０℃以上である。また工程（Ｃ２）における加熱温度は、上記添加剤混合液の沸点を超えるべきではなく、好ましくは９５℃以下であり、より好ましくは７５℃以下であり、７０℃以下であってもよく、６５℃以下であってもよく、６０℃以下であってもよい。

　上記工程（Ｃ２）における加熱時間も、特に限定されない。加熱時間は、添加剤混合液を上記加熱温度に保持する時間である。原料セルロース誘導体の絡み合いを好適に解消する観点から、工程（Ｃ２）における加熱時間は、凡そ２０秒以上であることが適切であり、好ましくは凡そ４０秒以上（例えば１分以上）である。上記工程（Ｃ２）における加熱時間の上限は特に限定されない。製造効率化の観点からは、上記工程（Ｃ２）における加熱時間は、凡そ１８０分以下としてもよく、凡そ６０分以下でもよく、凡そ３０分以下でもよい。

　上記工程（Ｃ２）を経て得られるセルロース誘導体と界面活性剤の混合液を、そのまま本願における基板保護剤としてもよい。あるいは、基板保護剤は、上記工程（Ｃ２）の後に、希釈、濃縮、ｐＨ調整、ろ過等の処理をさらに施されて製造されてもよい。

　＜基板保護剤と、砥粒と、塩基性化合物とを混合する工程（Ｄ）＞
　ここに開示される研磨用組成物は、ここに開示されるいずれかの方法で調製された基板保護剤を含む。いくつかの態様において、ここに開示される研磨用組成物の製造方法は、さらに、上記基板保護剤と、砥粒と、塩基性化合物とを混合する工程（Ｄ）を含む。

　上記混合工程（Ｄ）における各種成分の混合方法、混合条件等は、特に制限されない。例えば、ここに開示されるいずれかの方法で調製された基板保護剤に対して他の成分を添加してもよいし、他の成分に対して上記研磨添加剤を添加してもよい。また、各種成分の添加の順序も特に制限されず、これらを同時に添加しても、順次添加しても、いくつかの成分のみ同時に添加してもよい。混合装置についても、特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いることができる。

　以下、いくつかの態様における、研磨用組成物および／または基板保護剤が含有する成分について説明する。

　（砥粒）
　ここに開示される研磨用組成物は、砥粒を含む。砥粒は、研磨対象物の表面を機械的に研磨する働きをする。砥粒の材質や性状は特に制限されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。このような砥粒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

　上記砥粒としては、無機粒子が好ましく、なかでも金属または半金属の酸化物からなる粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。後述するシリコンウェーハ等のようにシリコンからなる表面を有する研磨対象物の研磨（例えば仕上げ研磨）に用いられ得る研磨用組成物では、砥粒としてシリカ粒子を採用することが特に有意義である。

　シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。シリカ粒子は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。研磨後において表面品位に優れた研磨面が得られやすいことから、コロイダルシリカの使用が特に好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば、イオン交換法により水ガラス（珪酸Ｎａ）を原料として作製されたコロイダルシリカや、アルコキシド法コロイダルシリカ（アルコキシシランの加水分解縮合反応により製造されたコロイダルシリカ）を好ましく採用することができる。コロイダルシリカは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　シリカ粒子を構成するシリカの真比重は、１．５以上であることが好ましく、より好ましくは１．６以上、さらに好ましくは１．７以上である。シリカの真比重の上限は特に限定されないが、典型的には２．３以下であり、例えば２．２以下である。シリカ粒子の真比重としては、置換液としてエタノールを用いた液体置換法による測定値を採用し得る。

　砥粒（典型的にはシリカ粒子）の平均一次粒子径は特に限定されないが、研磨レート等の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。より高い研磨効果（例えば、ヘイズの低減、欠陥の除去等の効果）を得る観点から、上記平均一次粒子径は、１５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上（例えば２０ｎｍ超）がより好ましい。また、スクラッチ防止等の観点から、砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４５ｎｍ以下である。より低ヘイズの表面を得やすくする観点から、いくつかの態様において、砥粒の平均一次粒子径は、４３ｎｍ以下でもよく、４０ｎｍ未満でもよく、３８ｎｍ未満でもよい。

　なお、本明細書において平均一次粒子径とは、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、平均一次粒子径（ｎｍ）＝６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ^３）×ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ））の式により算出される粒子径（ＢＥＴ粒子径）をいう。上記比表面積は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて測定することができる。

　砥粒（典型的にはシリカ粒子）の平均二次粒子径は特に限定されず、例えば１５ｎｍ～３００ｎｍ程度の範囲から適宜選択し得る。研磨レート向上の観点から、上記平均二次粒子径は３０ｎｍ以上であることが好ましく、３５ｎｍ以上であることがより好ましい。いくつかの態様において、上記平均二次粒子径は、例えば４０ｎｍ以上であってもよく、４２ｎｍ以上でもよく、好ましくは４４ｎｍ以上でもよい。また、上記平均二次粒子径は、通常、２５０ｎｍ以下であることが有利であり、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。いくつかの好ましい態様において、上記平均二次粒子径は１２０ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下である。

　なお、本明細書において平均二次粒子径とは、動的光散乱法により測定される粒子径（体積平均粒子径）をいう。砥粒の平均二次粒子径は、例えば、日機装社製の製品名「ナノトラック　ＵＰＡ－ＵＴ１５１」を用いた動的光散乱法により測定することができる。

　砥粒（典型的にはシリカ粒子）の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなす粒子の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭型形状、金平糖形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。例えば、粒子の多くがピーナッツ形状または繭型形状をした砥粒（典型的にはシリカ粒子）を好ましく採用し得る。

　特に限定するものではないが、砥粒（典型的にはシリカ粒子）の長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、原理的に１．０以上であり、好ましくは１．０５以上、さらに好ましくは１．１以上であり、１．２以上であってもよい。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、砥粒（典型的にはシリカ粒子）の平均アスペクト比は、スクラッチ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下であり、１．４以下であってもよい。

　砥粒（典型的にはシリカ粒子）の形状（外形）や平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により把握することができる。平均アスペクト比を把握する具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、独立した粒子の形状を認識できる所定個数（例えば２００個）のシリカ粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。

　ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、シリカ粒子以外の砥粒（以下、「非シリカ砥粒」ともいう。）を含んでもよい。非シリカ砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。このような砥粒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　ここに開示される技術は、砥粒として、実質的にシリカ粒子のみを用いる態様で好ましく実施され得る。そのような観点から、砥粒の総量に占めるシリカ粒子の割合は９０重量％以上が適当であり、好ましくは９５重量％以上、より好ましくは９８重量％以上（例えば９９～１００重量％）である。

　（塩基性化合物）
　ここに開示される研磨用組成物は、塩基性化合物を含む。本明細書において塩基性化合物とは、水に溶解して水溶液のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物を用いると、濾過対象液における水溶性高分子の溶解性が向上しやすくなる。塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、第四級ホスホニウム化合物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。窒素を含む塩基性化合物の例としては、第四級アンモニウム化合物、アンモニア、アミン（好ましくは水溶性アミン）等が挙げられる。このような塩基性化合物は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　（水）
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には水を含む。研磨用組成物に含まれる水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。なお、ここに開示される研磨用組成物は、必要に応じて、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール、低級ケトン等）をさらに含有してもよい。研磨用組成物に含まれる溶媒の９０体積％以上が水であることが好ましく、９５体積％以上（例えば９９～１００体積％）が水であることがより好ましい。

　（水溶性高分子）
　ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子として、セルロース誘導体を含む。上記セルロース誘導体は、ここに開示されるいずれかの方法により調製される基板保護剤に含まれ得る。研磨用組成物に含まれるセルロース誘導体の種類および重量平均分子量（Ｍｗ）については、特に限定されないが、上述する原料セルロース誘導体の種類および重量平均分子量（Ｍｗ）と同じ範囲から好適に選択され得る。セルロース誘導体は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、本発明の効果を著しく阻害しない範囲において、セルロース誘導体以外の任意水溶性高分子を含んでもよい。任意水溶性高分子の種類は特に制限されず、カチオン基、アニオン基およびノニオン基から選ばれる少なくとも一種の官能基を有するものを使用することができる。任意水溶性高分子は、水酸基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、スルホ基、アミド基、第四級アンモニウム構造、複素環構造、ビニル構造、ポリオキシアルキレン構造等を有するものであり得る。

　任意水溶性高分子の例としては、デンプン誘導体；エチレンオキサイド（ＥＯ）とプロピレンオキサイド（ＰＯ）との共重合体等のオキシアルキレン単位を含むポリマー；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等のビニルアルコール系ポリマー；Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマー、イミン誘導体、Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマー等の窒素原子を含有するポリマー；等が挙げられる。研磨用組成物に用いられて研磨性能を向上させ得るという観点から、任意水溶性高分子としては、ビニルアルコール系ポリマー、Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマーが好ましい。任意水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。組成の単純化の観点より、ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、セルロース誘導体以外の任意水溶性高分子を含まなくてもよい。

　（界面活性剤）
　ここに開示される研磨用組成物は、界面活性剤を含む。上記界面活性剤は、ここに開示されるいずれかの方法により調製される基板保護剤に含まれ得る。研磨用組成物に含まれる界面活性剤の種類および重量平均分子量（Ｍｗ）については、特に限定されないが、上述する原料界面活性剤の種類および重量平均分子量（Ｍｗ）と同じ範囲から好適に選択され得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　（その他の成分）
　ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、例えば有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（例えばシリコンウェーハの仕上げ研磨工程に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

　有機酸およびその塩、ならびに無機酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。有機酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の脂肪酸、安息香酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸、イタコン酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸、マレイン酸、フマル酸、コハク酸、グリコール酸、マロン酸、グルコン酸、アラニン、グリシン、乳酸、ヒドロキシエチリデン二リン酸（ＨＥＤＰ）、メタンスルホン酸等の有機スルホン酸、ニトリロトリス（メチレンリン酸）（ＮＴＭＰ）、ホスホノブタントリカルボン酸（ＰＢＴＣ）等の有機ホスホン酸等が挙げられる。有機酸塩の例としては、有機酸のアルカリ金属塩（ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等）やアンモニウム塩等が挙げられる。無機酸の例としては、塩酸、リン酸、硫酸、ホスホン酸、硝酸、ホスフィン酸、ホウ酸、炭酸等が挙げられる。無機酸塩の例としては、無機酸のアルカリ金属塩（ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩等）やアンモニウム塩が挙げられる。

　上記キレート剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。キレート剤の好適例としては、例えばエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。上記防腐剤および防カビ剤の例としては、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。

　ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該研磨用組成物が基板（例えばシリコンウェーハ）に供給されることで該基板の表面が酸化されて酸化膜が生じ、これにより研磨レートが低下してしまうことがあり得るためである。ここでいう酸化剤の具体例としては、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム等が挙げられる。なお、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まないとは、少なくとも意図的には酸化剤を含有させないことをいう。したがって、原料や製法等に由来して微量（例えば、研磨用組成物中における酸化剤のモル濃度が０．００１モル／Ｌ以下、好ましくは０．０００５モル／Ｌ以下、より好ましくは０．０００１モル／Ｌ以下、さらに好ましくは０．００００５モル／Ｌ以下、特に好ましくは０．００００１モル／Ｌ以下）の酸化剤が不可避的に含まれている研磨用組成物は、ここでいう酸化剤を実質的に含有しない研磨用組成物の概念に包含され得る。

　＜ｐＨ＞
　ここに開示される研磨用組成物のｐＨは特に限定されず、基板等に応じて適当なｐＨが採用され得る。いくつかの態様において、研磨用組成物のｐＨは８．０以上が適当であり、好ましくは８．５以上、より好ましくは９．０以上である。研磨用組成物のｐＨが高くなると、研磨レートが向上する傾向にある。一方、シリカ粒子の溶解を防いで機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、研磨用組成物のｐＨは、通常、１２．０以下であることが適当であり、１１．０以下であることが好ましく、１０．８以下であることがより好ましく、１０．５以下であることがさらに好ましい。

　なお、ここに開示される技術において、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、堀場製作所製のガラス電極式水素イオン濃度指示計（型番Ｆ－７２））を使用し、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：１０．０１（２５℃））を用いて３点校正した後で、ガラス電極を測定対象の組成物に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定することにより把握することができる。

　＜基板保護剤＞
　ここに開示される基板保護剤は、研磨用組成物を用いて研磨するに当たり、少なくとも研磨対象基板の表面に吸着してその研磨性能を調整し得る物質群であり、具体的にはセルロース誘導体および界面活性剤を含む。ここで、上記基板保護剤に含まれる上記セルロース誘導体は、原料セルロース誘導体と比較して、会合体のサイズおよび／または量が低減し、分散性が向上している傾向にある。このため、上記基板保護剤は光透過率が高いものになりやすい。特に限定されないが、ここに開示される基板保護剤の可視光透過率は、８５％以上であることが好ましく、より好ましくは９０％以上（例えば９２％以上）であり、さらに好ましくは９５％以上（例えば９８％以上）である。上記基板保護剤の可視光透過率の上限は特に限定されない。原理的には、上記基板保護剤の可視光透過率は１００％以下であり、９９％以下であってもよい。なお、上記可視光透過率は、波長域３８０～７８０ｎｍにおける可視光平均透過率である。

　ここに開示される基板保護剤におけるセルロース誘導体の含有量は、特に限定されない。上記基板保護剤におけるセルロース誘導体の含有量は、例えば０．０００１重量％以上とすることができ、好ましくは０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上であり、さらに好ましくは０．００３重量％以上であり、０．００５重量％以上でもよく、０，０１重量％以上でもよく、０．０５重量％以上でもよく、０．１重量％以上でもよく、０．５重量％以上でもよく、１．０重量％以上でもよい。上記基板保護剤におけるセルロース誘導体の含有量は、５重量％以下であると好ましく、より好ましくは４重量％以下であり、さらに好ましくは３重量％以下であり、１重量％以下でもよく、０．５重量％以下でもよく、０．１重量％以下でもよく、０．０５重量％以下でもよく、０．０１重量％以下でもよく、０．００８重量％以下でもよい。

　基板保護剤における界面活性剤の含有量は、特に限定されない。上記基板保護剤における界面活性剤の含有量は、例えば０．００００５重量％以上とすることができ、好ましくは０．０００１重量％以上であり、より好ましくは０．０００３重量％以上であり、さらに好ましくは０．０００５重量％以上であり、０．０００８重量％以上でもよく、０．００１重量％以上でもよく、０．００５重量％以上でもよく、０．０１重量％以上でもよく、０．０３重量％以上でもよい。上記基板保護剤における界面活性剤の含有量は、１重量％以下であると好ましく、より好ましくは０．５重量％以下（例えば０．２５重量％以下）であり、さらに好ましくは０．１重量％以下であり、０．０５重量％以下でもよく、０．０３重量％以下でもよく、０．０１重量％以下でもよく、０．００５重量％以下でもよく、０．００３重量％以下でもよい。

　＜研磨液＞
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で基板の表面上に供給され、その基板の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を希釈（典型的には、水により希釈）して調製されたものであり得る。あるいは、該研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。ここに開示される研磨用組成物を含む研磨液の他の例として、該組成物のｐＨを調整してなる研磨液が挙げられる。

　研磨液における砥粒（典型的にはシリカ粒子）の含有量は特に制限されず、例えば０．００１重量％以上であり、０．０５重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１０重量％以上である。砥粒含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。上記含有量は、１０重量％以下が適当であり、好ましくは７重量％以下、より好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下であり、例えば１重量％以下であってもよく、０．７５重量％以下でもよく、０．５重量％以下でもよい。これにより、表面品質の維持を実現しやすくなる。

　研磨液における塩基性化合物の含有量は、特に制限されない。研磨レート向上等の観点から、通常は、上記含有量を０．０００５重量％以上とすることが適当であり、０．００１重量％以上とすることが好ましく、０．００３重量％以上とすることがさらに好ましい。また、表面品質向上（例えばヘイズ低減）等の観点から、上記含有量は、０．１重量％未満とすることが適当であり、０．０５重量％未満とすることが好ましく、０．０３重量％未満（例えば０．０２５重量％未満、さらには０．０１重量％未満）とすることがより好ましい。

　研磨液におけるセルロース誘導体の含有量は、特に限定されない。例えば０．０００１重量％以上とすることができる。ヘイズ低減等の観点から、好ましい含有量は０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上、さらに好ましくは０．００２重量％以上、例えば０．００５重量％以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量を０．２重量％以下とすることが好ましく、０．１重量％以下とすることがより好ましく、０．０５重量％以下（例えば０．０２重量％以下、さらには０．０１５重量％以下）とすることがさらに好ましい。

　研磨液がセルロース誘導体以外の任意水溶性高分子を含む場合において、研磨液における水溶性高分子の合計含有量は、特に限定されない。例えば０．０００１重量％以上とすることができる。ヘイズ低減等の観点から、好ましい含有量は０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上、さらに好ましくは０．００２重量％以上、例えば０．００５重量％以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量を０．２重量％以下とすることが好ましく、０．１重量％以下とすることがより好ましく、０．０５重量％以下（例えば０．０２重量％以下、さらには０．０１５重量％以下）とすることがさらに好ましい。

　研磨液における界面活性剤の含有量は、特に制限はない。通常、上記界面活性剤の含有量は、セルロース誘導体の分散性向上および洗浄性等の観点から、例えば０．００００１重量％以上とすることができる。ヘイズ低減等の観点から、好ましい含有量は０．０００２重量％以上であり、より好ましくは０．０００３重量％以上、さらに好ましくは０．０００５重量％以上である。また、研磨レート等の観点から、上記含有量を０．１重量％以下とすることが好ましく、０．０１重量％以下とすることがより好ましく、０．００５重量％以下（例えば０．００２重量％以下）とすることがさらに好ましい。

　＜濃縮液＞
　ここに開示される研磨用組成物は、基板に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は特に限定されず、例えば、体積換算で２倍～１００倍程度とすることができ、通常は５倍～５０倍程度（例えば１０倍～４０倍程度）が適当である。このような濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨液（ワーキングスラリー）を調製し、該研磨液を基板に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば、上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。

　研磨用組成物（すなわち濃縮液）を希釈して研磨に用いる場合、上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば２５重量％以下とすることができる。研磨用組成物の分散安定性や濾過性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは２０重量％以下であり、より好ましくは１５重量％以下である。いくつかの好ましい態様において、砥粒の含有量を１０重量％以下としてもよく、５重量％以下としてもよい。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液における砥粒の含有量は、例えば０．１重量％以上とすることができ、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは０．７重量％以上、さらに好ましくは１重量％以上である。

　いくつかの態様において、上記濃縮液における塩基性化合物の含有量は、例えば、１５重量％未満とすることができる。保存安定性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは０．７重量％以下であり、より好ましくは０．４重量％以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液における塩基性化合物の含有量は、例えば０．００５重量％以上とすることができ、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０２重量％以上、さらに好ましくは０．０５重量％以上である。

　いくつかの態様において、上記濃縮液におけるセルロース誘導体の含有量は、例えば、３重量％以下とすることができる。研磨用組成物の濾過性や洗浄性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは１重量％以下であり、より好ましくは０．５重量％以下である。また、上記含有量は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、通常は０．００１重量％以上であることが適当であり、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上である。

　いくつかの態様において、上記濃縮液における界面活性剤の含有量は、例えば０．２５重量％以下とすることができ、好ましくは０．１５重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下であり、０．０５重量％以下であってもよく、０．０２５重量％以下でもよい。また、上記濃縮液における界面活性剤の含有量は、例えば０．０００１重量％以上とすることができ、好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．００５重量％以上、さらに好ましくは０．０１重量％以上である。

　＜用途＞
　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、種々の材質および形状を有する基板の研磨に適用され得る。基板の材質は、例えば、シリコン材料、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された基板であってもよい。基板の形状は特に制限されない。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、板状や多面体状等の、平面を有する基板の研磨、もしくは基板の端部の研磨（例えばウェーハエッジの研磨）に適用され得る。ここに開示される基板保護剤は、いくつかの態様において、上記基板のリンスにも適用され得る。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、シリコン材料からなる表面の研磨（典型的にはシリコンウェーハの研磨）に特に好ましく使用され得る。シリコン材料の具体例としては、シリコン単結晶、アモルファスシリコンおよびポリシリコン等が挙げられる。ここに開示される研磨用組成物は、シリコン単結晶からなる表面の研磨（例えばシリコンウェーハの研磨）に特に好ましく使用され得る。ここに開示される基板保護剤は、いくつかの態様において、上記基板のリンスにも適用され得る。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、基板（例えばシリコンウェーハ）のポリシング工程に好ましく適用することができる。基板には、ここに開示される研磨用組成物によるポリシング工程の前に、ラッピングやエッチング等の、ポリシング工程より上流の工程において基板に適用され得る一般的な処理が施されていてもよい。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、基板（例えばシリコンウェーハ）の仕上げ工程またはその直前のポリシング工程に用いることが効果的であり、仕上げポリシング工程における使用が特に好ましい。ここで、仕上げポリシング工程とは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。ここに開示される研磨用組成物は、また、仕上げポリシングよりも上流のポリシング工程（粗研磨工程と最終研磨工程との間の予備研磨工程を指す。典型的には少なくとも１次ポリシング工程を含み、さらに２次、３次・・・等のポリシング工程を含み得る。）、例えば仕上げポリシングの直前に行われるポリシング工程に用いられてもよい。

　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、例えば、上流の工程によって表面粗さ０．０１ｎｍ～１００ｎｍの表面状態に調製されたシリコンウェーハのポリシング（典型的には仕上げポリシングまたはその直前のポリシング）への適用が効果的である。仕上げポリシングへの適用が特に好ましい。基板の表面粗さＲａは、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製のレーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」を用いて測定することができる。

　ここに開示される技術において使用される研磨用組成物は、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、研磨用組成物の構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートＡと、残りの成分の少なくとも一部を含むパートＢとを混合し、これらを必要に応じて適切なタイミングで混合および希釈することにより研磨液が調製されるように構成されていてもよい。パートＢは、ここに開示されるいずれかの基板保護剤であり得る。パートＡは、１または２以上の濾過を経たものであり得る。

　＜研磨＞
　ここに開示される研磨用組成物および／または基板保護剤は、例えば以下の操作を含む態様で、基板の研磨に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて基板としてのシリコンウェーハを研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
　すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物または基板保護剤を含む研磨液を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）、ｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

　次いで、その研磨液を基板に供給し、常法により研磨する。例えば、シリコンウェーハの仕上げ研磨を行う場合、典型的には、ラッピング工程を経たシリコンウェーハを一般的な研磨装置にセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記シリコンウェーハの研磨対象面に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、シリコンウェーハの研磨対象面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て基板の研磨が完了する。

　上記研磨工程に使用される研磨パッドは、特に限定されない。例えば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の研磨パッドを用いることができる。各研磨パッドは、砥粒を含んでもよく、砥粒を含まなくてもよい。通常は、砥粒を含まない研磨パッドが好ましく用いられる。

　ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨された基板は、典型的には洗浄される。洗浄は、適当な洗浄液を用いて行うことができる。使用する洗浄液は特に限定されず、例えば、半導体等の分野において一般的なＳＣ－１洗浄液（水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水（Ｈ_２Ｏ）との混合液）、ＳＣ－２洗浄液（ＨＣｌとＨ_２Ｏ_２とＨ_２Ｏとの混合液）、オゾン水洗浄液、フッ酸洗浄液等を用いることができる。洗浄液の温度は、例えば室温（典型的には約１５℃～２５℃）以上、約９０℃程度までの範囲とすることができる。洗浄効果を向上させる観点から、５０℃～８５℃程度の洗浄液を好ましく使用し得る。

　上述したように、ここに開示される技術には、上述したいずれかの研磨方法によるポリシング工程を含む研磨物の製造方法（例えば、シリコンウェーハの製造方法）および該方法により製造された研磨物（例えばシリコンウェーハ）の提供が含まれ得る。

　この明細書により開示される事項には、以下のものが含まれる。
　［１］　砥粒と、塩基性化合物と、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む研磨用組成物の製造方法であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む研磨用組成物の製造方法。
　［２］　前記工程（Ｂ２）または前記工程（Ｃ１）において、前記原料界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められた状態で添加される、上記［１］に記載の研磨用組成物の製造方法。
　［３］　セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤の製造方法であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む、基板保護剤の製造方法。
　［４］　セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む方法によって調製される基板保護剤。
　［５］　砥粒と、塩基性化合物と、基板保護剤と、を含む研磨用組成物であって、
　前記基板保護剤は、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含み、
　ここで、前記基板保護剤は、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して、原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む方法によって調製されたものである、研磨用組成物。
　［６］　シリコン材料からなる表面の研磨に用いられる、上記［５］に記載の研磨用組成物。
　［７］　上記［５］または［６］に記載の研磨用組成物の濃縮液。
　［８］　上記［５］～［７］のいずれかに記載の研磨用組成物を用いてシリコン材料からなる表面を研磨する工程を含む、研磨方法。
　［９］　砥粒と、塩基性化合物と、基板保護剤と、を含む研磨用組成物であって、
　前記基板保護剤は、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含み、
　前記基板保護剤の可視光透過率は、８５％以上である、研磨用組成物。

　以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「部」および「％」は、特に断りがない限り重量基準である。

＜試験例１＞
＜基板保護剤の調製＞
　（実施例１）
［原料ＨＥＣの溶解］
　室温において、ガラス製のビーカーに脱イオン水（ＤＩＷ）を入れ、撹拌しながら、重量平均分子量（Ｍｗ）２８万の原料ヒドロキシエチルセルロース（以下、「原料ＨＥＣ」ともいう。）の粉体を投入し溶解させた。その後、アンモニア水を添加することにより、原料ＨＥＣの濃度が１．３％であり、アンモニアの濃度が０．０１％である原料ヒドロキシエチルセルロース水溶液（以下、「原料ＨＥＣ水溶液」ともいう。）を調製した。

［原料ＨＥＣ水溶液の加熱］
　得られた原料ＨＥＣ水溶液１００ｍＬを加熱し、６０℃で１分間保持した。

［原料界面活性剤の添加］
　上記加熱された原料ＨＥＣ水溶液１００ｍＬに対して、４３℃に温められた状態の原料界面活性剤（１％水溶液）を投入して撹拌した後、室温になるまで放冷することにより、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が１．２％であり、原料界面活性剤の濃度が０．０６７％である、本例に係る基板保護剤を得た。原料界面活性剤としては、重量平均分子量（Ｍｗ）が３７８でありエチレンオキサイド付加モル数５のポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）を用いた。

　（実施例２～１０）
　実施例１の［原料ＨＥＣ水溶液の加熱］における原料ＨＥＣ水溶液の加熱温度および加熱時間を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、各例に係る基板保護剤を調製した。

　（実施例１１）
　実施例１の［原料ＨＥＣ水溶液の加熱］において、原料ＨＥＣ水溶液を加熱し、６０℃で３０分間保持した。その後、室温になるまで放冷し、上記室温になった原料ＨＥＣ水溶液に対して、４３℃に温められた状態の原料界面活性剤（１％水溶液）を投入したこと以外は、実施例１と同様にして、本例に係る基板保護剤を調製した。

　（実施例１２）
　実施例１の［原料ＨＥＣの溶解］と同様の方法で、原料ＨＥＣ水溶液を調製した。得られた原料ＨＥＣ水溶液に対して、４３℃に温められた原料界面活性剤（１％水溶液）を投入して撹拌した後、得られた混合液を加熱し、６０℃で３０分間保持した。その後、加熱された混合液を室温になるまで放冷することにより、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が１．２％であり、界面活性剤の濃度が０．０６７％である、本例に係る基板保護剤を得た。原料界面活性剤としては、実施例１と同様に、重量平均分子量（Ｍｗ）が３７８でありエチレンオキサイド付加モル数５のポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）を用いた。

　（実施例１３）
　実施例１の［原料ＨＥＣ水溶液の加熱］における原料ＨＥＣ水溶液の加熱時間を表１のように変更したことと、実施例１の［原料界面活性剤の添加］において、加熱された原料ＨＥＣ水溶液に対して、室温の状態の（すなわち、温められていない）原料界面活性剤（１％水溶液）を投入したこと以外は、実施例１と同様にして、本例に係る基板保護剤を調製した。

　（比較例１）
［原料ＨＥＣ水溶液の加熱］
　室温において、ガラス製のビーカーに脱イオン水（ＤＩＷ）を入れ、撹拌しながら、重量平均分子量（Ｍｗ）が２８万の原料ヒドロキシエチルセルロース（原料ＨＥＣ）の粉体を投入し溶解させた。その後、アンモニア水を添加することにより、原料ＨＥＣの濃度が１．３％であり、アンモニアの濃度が０．０１％である原料ＨＥＣ水溶液を調製した。

［原料界面活性剤の添加］
　得られた原料ＨＥＣ水溶液（すなわち、非加熱の原料ＨＥＣ水溶液）１００ｍＬに対して、４３℃に温められた原料界面活性剤（１％水溶液）を投入して撹拌した後、室温になるまで放冷することにより、ヒドロキシエチルセルロースの濃度が１．２％であり、界面活性剤の濃度が０．０６７％である、本例に係る基板保護剤を得た。原料界面活性剤としては、実施例１と同様に、重量平均分子量（Ｍｗ）が３７８でありエチレンオキサイド付加モル数５のポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）を用いた。

　（比較例２）
　比較例１における［原料界面活性剤の添加］において、原料ＨＥＣ水溶液（すなわち、非加熱の原料ＨＥＣ水溶液）に対して、室温の状態の（すなわち、温められていない）原料界面活性剤（１％水溶液）を投入したこと以外は、比較例１と同様にして、本例に係る基板保護剤を得た。

＜透過率の評価＞
　得られた各例に係る基板保護剤の波長域３８０～７８０ｎｍの可視光平均透過率を、紫外可視分光光度計（島津製作所製、型番「ＵＶ－２４５０」）を用いて測定した。上記測定は、各例に係る基板保護剤を調整後１日経過してから行った。以下に測定条件を示す。
　　［測定条件］
　　測定サンプルの濃度：ヒドロキシエチルセルロース１．２％、界面活性剤０．０６７％
　　測定サンプルの量：１０ｇ
　　測定サンプルの温度：室温
　　スキャンスピード：中速
　　サンプリングピッチ：１ｎｍ
　　スリット幅：２ｍｍ

　得られた透過率を以下の３段階で評価し、表１の該当欄に示す。
　　透過率９５％以上：Ｅ（優）
　　透過率８５％以上９５％未満：Ｇ（良）
　　透過率８５％未満：Ｐ（不良）

　表１に示される結果から明らかなように、加熱された原料ＨＥＣ水溶液に原料界面活性剤を加えて調製された実施例１～１０および１３の基板保護剤と、加熱された原料ＨＥＣ水溶液を一旦、室温まで冷却した後に原料界面活性剤を加えて調製された実施例１１の基板保護剤と、未加熱の原料ＨＥＣ水溶液と原料界面活性剤とを混合した後に当該混合液を加熱して調製された実施例１２の基板保護剤はいずれも、非加熱原料ＨＥＣ水溶液と原料界面活性剤を混合して調製された比較例１および２の基板保護剤に比べて、透過率が高いことが確かめられた。特に、原料ＨＥＣ水溶液の加熱温度を６０℃以上とした実施例１～７の基板保護剤は、より優れた透過率を示した。透過率の高さは、基板保護剤におけるＨＥＣ会合体のサイズまたは量が低減したことに起因すると考えられる。

　また、原料界面活性剤の添加時において、４３℃に温められた状態の原料界面活性剤を用いた実施例３と、室温の状態の原料界面活性剤を用いた実施例１３との対比により、温められた界面活性剤を用いることにより、基板保護剤の透過率が向上する傾向にあることが確かめられた。

＜試験例２＞
＜研磨用組成物の調製＞
　（実施例１４）
　試験例１の実施例３に係る基板保護剤を用意した。また、砥粒とアンモニアおよび脱イオン水を混合し、砥粒含有液を調製した。砥粒としては平均一次粒子径３５ｎｍのコロイダルシリカを使用した。上記砥粒含有液と、上記の試験例１の実施例３に係る基板保護剤とを混合することにより、本例に係る研磨用組成物の濃縮液を調製した。
　得られた研磨用組成物の濃縮液を脱イオン水で体積比２０倍に希釈することにより、砥粒の含有量を０．１２５％、アンモニアの含有量を０．００５０％、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）の含有量を０．０１００％、ポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）の含有量を０．０００５％とする、本例に係る研磨用組成物を得た。

　（比較例３）
　試験例１の実施例３に係る基板保護剤を用いる代わりに、試験例１の比較例１に係る基板保護剤を用いたこと以外は、実施例１４と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

　＜研磨面の表面品質の評価＞
　（シリコンウェーハの研磨）
　基板として、ラッピングおよびエッチングを終えた直径３００ｍｍの市販シリコン単結晶ウェーハ（伝導型：Ｐ型、結晶方位：＜１００＞、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ　Ｐａｒｔｉｃｌｅ：結晶欠陥）フリー）を下記の研磨条件１により予備ポリシングしたシリコンウェーハを用意した。予備ポリシングは、脱イオン水中に砥粒（平均一次粒子径が３５ｎｍのコロイダルシリカ）１．０％および水酸化カリウム０．０６８％を含む研磨液を使用して行った。

　　［研磨条件１］
　研磨装置：岡本工作機械製作所製の枚葉研磨装置　型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：２０ｋＰａ
　定盤の回転速度：２０ｒｐｍ
　ヘッド（キャリア）の回転速度：２０ｒｐｍ
　研磨パッド：ニッタ・デュポン社製、製品名「ＳＵＢＡ４００」
　研磨液の供給レート：１．０Ｌ／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：３分

　上記で調製した各例に係る研磨用組成物を研磨液として使用し、上記予備ポリシング後のシリコンウェーハを下記の研磨条件２により研磨し、続けて研磨条件３により研磨した。

　　［研磨条件２］
　研磨装置：岡本工作機械製作所製の枚葉研磨装置　型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：１６ｋＰａ
　定盤の回転速度：５０ｒｐｍ
　ヘッド（キャリア）の回転速度：５２ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製　製品名「ＰＯＬＹＰＡＳ２７５ＮＸ」
　研磨液の供給レート：１．５Ｌ／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：４分

　　［研磨条件３］
　研磨装置：岡本工作機械製作所製の枚葉研磨装置　型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：２０ｋＰａ
　定盤の回転速度：５０ｒｐｍ
　ヘッド（キャリア）の回転速度：５２ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製　製品名「ＰＯＬＹＰＡＳ２７５ＮＸ」
　研磨液の供給レート：１．５Ｌ／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：４分

　研磨後のシリコンウェーハを研磨装置から取り外し、ＮＨ_４ＯＨ（２９％）：Ｈ_２Ｏ_２（３１％）：脱イオン水（ＤＩＷ）＝１：１：１２（体積比）の洗浄液を用いて洗浄した（ＳＣ－１洗浄）。具体的には、第１および第２の２つの洗浄槽を用意し、それらの洗浄槽の各々に上記洗浄液を収容して７０℃に保持した。研磨後のシリコンウェーハを第１の洗浄槽に１０分浸漬し、その後超純水に浸漬して超音波を付与するリンス槽を経て、第２の洗浄槽に１０分浸漬した後、超純水に浸漬して超音波を付与するリンス槽を経て、スピンドライヤーを用いて乾燥させた。

＜ＬＰＤ－Ｎ数測定＞
　洗浄後のシリコンウェーハ表面につき、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ５」を用いて、ＤＣＯモードで３６ｎｍより大きいＬＰＤ－Ｎの個数を測定した。得られた結果を、比較例３についてのＬＰＤ－Ｎ数を１００％とする相対値に換算し、得られた値を表２の該当欄に記載した。

＜ＬＰＤ数測定＞
　洗浄後のシリコンウェーハ表面につき、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ５」を用いて、ＤＣＯモードで１９ｎｍより大きいＬＰＤの個数を測定した。得られた結果を、比較例３についてのＬＰＤ数を１００％とする相対値に換算し、得られた値を表２の該当欄に記載した。

　＜ヘイズ測定＞
　洗浄後のシリコンウェーハ表面につき、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ５」を用いて、ＤＷ２Ｏモードでヘイズ（ｐｐｍ）を測定した。得られた結果を、比較例３についてのヘイズ値を１００％とする相対値に換算し、得られた値を表２の該当欄に記載した。

　表２に示されるように、試験例１の実施例３に係る基板保護剤を用いて調製した実施例１４の研磨用組成物は、試験例１の比較例１に係る基板保護剤を用いて調製した比較例３の研磨用組成物に比べて、顕著にＬＰＤ－Ｎの数が低減することが確かめられた。

　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims

　砥粒と、塩基性化合物と、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む研磨用組成物の製造方法であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む研磨用組成物の製造方法。
　前記工程（Ｂ２）または前記工程（Ｃ１）において、前記原料界面活性剤は、室温よりも高い温度に温められた状態で添加される、請求項１に記載の研磨用組成物の製造方法。
　セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤の製造方法であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む、基板保護剤の製造方法。
　セルロース誘導体と、界面活性剤とを含む基板保護剤であって、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む方法によって調製される基板保護剤。
　砥粒と、塩基性化合物と、基板保護剤と、を含む研磨用組成物であって、
　前記基板保護剤は、セルロース誘導体と、界面活性剤とを含み、
　ここで、前記基板保護剤は、
　原料セルロース誘導体を溶媒に溶解して、原料セルロース誘導体溶液を作る工程（Ａ）と、以下の工程：
　前記原料セルロース誘導体溶液を加熱する工程（Ｂ１）、および、前記工程（Ｂ１）を経た前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加する工程（Ｂ２）；または、
　前記原料セルロース誘導体溶液に原料界面活性剤を添加して添加剤混合液を作る工程（Ｃ１）、および、前記添加剤混合液を加熱する工程（Ｃ２）；
　と、を含む方法によって調製されたものである、研磨用組成物。
　シリコン材料からなる表面の研磨に用いられる、請求項５に記載の研磨用組成物。
　請求項５または６に記載の研磨用組成物の濃縮液。
　請求項５または６に記載の研磨用組成物を用いてシリコン材料からなる表面を研磨する工程を含む、研磨方法。