JP6357296B2 - 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の目的は、研磨対象物の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易な研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法を提供することにある。
前記二酸化ケイ素の真比重が1.7以上であることが好ましい。
本発明の半導体基板の製造方法は、前記研磨用組成物を用いて研磨対象物としての半導体基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする。
(第1実施形態)
本実施形態の研磨用組成物は、二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、塩基性化合物、及び水を含有する。本実施形態の研磨用組成物は、例えばシリコン基板等の半導体基板を研磨対象物として、その半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる。
研磨用組成物中の二酸化ケイ素は、研磨対象となる面に対し、物理的な作用を与える働きを有し、研磨対象となる面を物理的に研磨する。
研磨用組成物中の二酸化ケイ素の含有量は0.6質量%以上であることが好ましく、より好ましくは0.8質量%以上、さらに好ましくは1.0質量%以上である。二酸化ケイ素の含有量が多いほど、高い研磨速度が得られ易くなるとともに、表面粗さ又は段差を低減する効果が高くなる。
研磨用組成物中の含窒素水溶性高分子は、半導体基板の中央から端部の平坦性を維持する。
塩基性化合物は、研磨対象となる面を化学的に研磨する働き、及び研磨用組成物の保存安定性を向上させる働きを有する。
条件X2:C/Aの値が5000以上かつ1500000未満
条件X1として規定するB/Aの値は、物理的作用に対する保護作用の大きさを示す。保護作用の大きさを、研磨用組成物中の物理的作用に対して適切な範囲にすることで、研磨製品の品質、及び研磨速度のいずれも高めることが容易となる。
研磨用組成物中にはキレート剤を含有させることができる。研磨用組成物中のキレート剤は、研磨系中の金属不純物を捕捉して錯体を作ることで、半導体基板への金属不純物の残留を抑制する。
研磨用組成物中のキレート剤の含有量は0.0001質量%以上であることが好ましく、より好ましくは0.0005質量%以上である。キレート剤の含有量を増加させることによって、半導体基板の残留金属不純物を抑制する効果が高まる。
研磨用組成物中の水は他の成分を溶解または分散させる働きを有する。水は、他の成分の働きを阻害されることを極力回避するため、遷移金属イオンの合計含有量が100ppb以下とされることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルターによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。具体的には、例えば、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水等を用いることが好ましい。
上述した研磨用組成物の調製には、例えば翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いることができる。研磨用組成物の各原料は、同時に混合されてもよいし、混合順序を適宜設定されてもよい。
研磨用組成物を用いて半導体基板の表面を研磨するときには、半導体基板の表面に研磨用組成物を供給しながら、半導体基板の表面に研磨パッドを押し付けて半導体基板及び研磨パッドを回転させる。研磨装置としては、半導体基板の両面を同時に研磨する両面研磨装置が用いられる。
(1)半導体基板の両面研磨、及び片面研磨のうち、両面研磨は、研磨効率が優先されることが多い。こうした両面研磨には高い研磨速度が要求されるため、半導体基板の端部の形状維持(又は端部の形状のコントロール)が困難である。本実施形態の研磨用組成物は、半導体基板の両面研磨に用いられるものであり、BET法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が40nm以上の二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有し、条件X1及び条件X2を満たしている。この構成により、半導体基板の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易となる。すなわち、本実施形態の研磨用組成物は、研磨速度が優先される両面研磨であっても、半導体基板の端部の形状を維持することが容易となり、さらに半導体基板の表面粗さ又は段差を低減することが容易となるという優れた効果を発揮する。
(3)二酸化ケイ素の真比重が1.7以上であることで、高い研磨速度がさらに得られ易くなるとともに、表面粗さ又は段差を低減する効果を高めることがさらに容易となる。
本発明を具体化した第2実施形態について第1実施形態と異なる点を中心に説明する。この実施形態では、半導体基板の両面を研磨する用途に限らず、半導体基板の片面を研磨する用途にも用いられる点、及びC/Aの値の範囲が第1実施形態と異なっている。
本実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物1リットル中の二酸化ケイ素の個数をA、含窒素水溶性高分子の単量体単位数をB、及び、塩基性化合物の分子数をCとしたとき、以下の条件Y1及び条件Y2を満たす。
条件Y2:C/Aの値が5000以上かつ100000未満
本実施形態の研磨用組成物は、BET法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が40nm以上の二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有し、条件Y1及び条件Y2を満たしている。この構成により、研磨対象物の端部の形状を維持するとともに、表面粗さ又は段差を低減することが容易であり、かつ高い研磨速度を得ることが容易となる。特に、本実施形態では、C/Aの値が100000未満であることで、表面粗さ又は段差の低減効果と半導体基板の端部の形状維持効果とをさらに高めることが容易となる。また、本実施形態の研磨用組成物においても、第1実施形態の(2)〜(4)に記載した効果を得ることができる。
・前記研磨用組成物に、防腐剤、防カビ剤等の公知の添加剤を必要に応じて含有させてもよい。防腐剤及び防カビ剤の具体例としては、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。
・前記研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤以上から構成する多剤型であってもよい。
(A.半導体基板の両面研磨)
二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子化合物、及び塩基性化合物をイオン交換水に混合して実施例A1〜A3,A7〜A10,A12,A13及び比較例A1〜A9の研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物の詳細を表1に示す。
研磨条件1でシリコン基板を研磨したときのシリコン基板の厚みを黒田精工株式会社製のナノメトロ300TTを使って測定し、研磨前後の厚みの差を研磨時間で除して研磨速度を算出した。表1の“研磨速度”欄に示した“◎”は研磨速度が0.40μm/分以上、“○”は0.35μm/分以上0.40μm/分未満、“△”は0.30μm/分以上0.35μm/分未満、“×”は0.30μm/分未満であることを表す。
研磨条件1で研磨したシリコン基板の表面粗さを示す“Ra”をザイゴ社製の“ZYGO New View 5010”を使って測定した。なお、“Ra”は、粗さ曲線の高さ方向の振幅の平均を示すパラメータであって、一定視野内でのシリコン基板表面の高さの算術平均を示す。表1の“表面粗さRa”欄に示した“◎”は、Raが7.0Å未満、“○”は7.0Å以上8.0Å未満、“△”は8.0Å以上10.0Å未満、“×”は10.0Å以上であることを表す。
研磨条件1でシリコン基板を研磨したとき、シリコン基板を25mm×25mmの正方形に区切った際のSFQR(平坦性)を黒田精工株式会社製のナノメトロ300TTを使って測定し、基板の外周部のノッチ部を除いた30点の研磨前後のSFQRの差の平均値を求め、研磨後の基板の端部形状を算出した。表1の“端部形状A1”欄に示した“◎”は、この値が1.0μm未満、“○”は1.0μm以上1.5μm未満、“△”は1.5μm以上2.0μm未満、“×”は2.0μm以上であることを表す。
実施例1,2,12及び比較例8の研磨用組成物を用いて、シリコン基板を表3に記載の研磨条件2で研磨した。シリコン基板は、直径が300mm、伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1Ω・cm以上100Ω・cm未満である。
(B.半導体基板の片面研磨)
二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子化合物、及び塩基性化合物をイオン交換水に混合して参考例B1〜B10及び比較例B1〜B12の研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物の詳細を表4に示す。なお、表4中の略号は、表1と同様である。
研磨条件3でシリコン基板を研磨したときのシリコン基板の厚みを黒田精工株式会社製のナノメトロ300TTを使って測定し、研磨前後の厚みの差を研磨時間で除して研磨速度を算出した。表4の“研磨速度”欄に示した“◎”は研磨速度が0.30μm/分以上、“○”は0.25μm/分以上0.30μm/分未満、“△”は0.20μm/分以上0.25μm/分未満、“×”は0.20μm/分未満であることを表す。
研磨条件3で研磨したシリコン基板の表面粗さを示す“Ra”をザイゴ社製の“ZYGO New View 5010”を使って測定した。なお、“Ra”は、粗さ曲線の高さ方向の振幅の平均を示すパラメータであって、一定視野内でのシリコン基板表面の高さの算術平均を示す。表4の“表面粗さRa”欄に示した“◎”は、Raが6.0Å未満、“○”は6.0Å以上7.0Å未満、“△”は7.0Å以上8.0Å未満、“×”は8.0Å以上であることを表す。
研磨条件3でシリコン基板を研磨したとき、シリコン基板を25mm×25mmの正方形に区切った際のSFQR(平坦性)を黒田精工株式会社製のナノメトロ300TTを使って測定し、基板の外周部のノッチ部を除いた30点の研磨前後のSFQRの差の平均値を求め、研磨後の基板の端部形状を算出した。表4の“端部形状B1”欄に示した“◎”は、この値が0.2μm未満、“○”は0.2μm以上0.3μm未満、“△”は0.3μm以上0.4μm未満、“×”は0.5μm以上であることを表す。
Claims (5)
- 半導体基板の両面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
二酸化ケイ素、含窒素水溶性高分子、及び塩基性化合物を含有し、
前記二酸化ケイ素は、BET法で測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が40nm以上であり、
研磨用組成物1リットル中の二酸化ケイ素の個数をAとし、
含窒素水溶性高分子の単量体単位数をBとし、
塩基性化合物の分子数をCとしたとき、
B/Aの値が1以上かつ447以下であるとともに、C/Aの値が5000以上かつ109000以下であることを特徴とする研磨用組成物。 - 前記含窒素水溶性高分子の重量平均分子量が1500000未満である請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記二酸化ケイ素の真比重が1.7以上である請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物。
- 前記塩基性化合物としてカリウム化合物及び第四級アンモニウム化合物を含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物としての半導体基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
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