WO2018150945A1 - シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット - Google Patents

シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット Download PDF

Info

Publication number
WO2018150945A1
WO2018150945A1 PCT/JP2018/003971 JP2018003971W WO2018150945A1 WO 2018150945 A1 WO2018150945 A1 WO 2018150945A1 JP 2018003971 W JP2018003971 W JP 2018003971W WO 2018150945 A1 WO2018150945 A1 WO 2018150945A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
polishing composition
less
water
soluble polymer
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/003971
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
公亮 土屋
真希 浅田
怜史 百田
Original Assignee
株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジミインコーポレーテッド filed Critical 株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority to JP2018568125A priority Critical patent/JP7185533B2/ja
Priority to CN201880006314.9A priority patent/CN110177853A/zh
Priority to US16/486,949 priority patent/US20200010727A1/en
Priority to EP18754373.1A priority patent/EP3584823A4/en
Priority to KR1020197027101A priority patent/KR102565682B1/ko
Publication of WO2018150945A1 publication Critical patent/WO2018150945A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Definitions

  • the present invention relates to a silicon substrate intermediate polishing composition and a silicon substrate polishing composition set containing the composition.
  • the surface of a silicon substrate used for manufacturing a semiconductor product is finished to a high-quality mirror surface through a lapping process and a polishing process.
  • the polishing process is typically composed of a plurality of polishing processes including a preliminary polishing process (preliminary polishing process) and a final polishing process (final polishing process).
  • Patent Documents 1 to 3 are listed as technical documents related to polishing of a semiconductor substrate such as a silicon wafer.
  • Patent Document 1 discloses a technique for improving the wettability of a surface after polishing and reducing minute defects such as adhesion of particles by using a final polishing composition containing a low-viscosity water-soluble polymer compound.
  • Patent Document 2 describes a technique for improving wettability after polishing and reducing surface defects by using hydroxyethyl cellulose that satisfies a predetermined inertial radius and contact angle.
  • an object of the present invention is to provide a polishing composition that can be used in a process upstream of a final polishing process of a silicon substrate and can effectively realize a high-quality surface after the final polishing process.
  • Another object of the present invention is to provide a composition set for polishing a silicon substrate comprising such a polishing composition.
  • an intermediate polishing composition used for the intermediate polishing step is provided.
  • the intermediate polishing composition includes a abrasive A 1, a basic compound B 1, and a surface protective agent S 1.
  • the surface protective agent S 1 includes a water-soluble polymer P 1 having a weight average molecular weight (Mw) higher than 30 ⁇ 10 4 , and further includes a dispersant D 1 . Dispersion parameter alpha 1 of the surface protective agent S 1 is less than 80%.
  • Such an intermediate polishing composition includes a water-soluble polymer P 1 having an Mw higher than 30 ⁇ 10 4 , thereby suitably satisfying both processing power suitable for the intermediate polishing step and protection of the surface of the object to be polished. Can do. Further, since the dispersibility parameter alpha 1 of the surface protective agent S 1 is limited to less than 80%, the dispersibility of the water-soluble polymer P 1 in the intermediate polishing composition is good, the water-soluble polymer P 1 It is possible to effectively suppress the occurrence of defects due to. Further, the use of the dispersant D 1 can improve the dispersibility of the water-soluble polymer P 1 and can further reduce the value of the dispersibility parameter ⁇ 1 . According to such an intermediate polishing composition, in the intermediate polishing step, it is possible to realize a polishing object surface on which a high-quality surface can be easily obtained after the final polishing step.
  • the content of the dispersing agent D 1 on the surface protective agent S 1, for example, can be set to more than 0.8 times the content of the water-soluble polymer P 1. As a result, it is possible to more appropriately achieve both processing force and surface protection suitable for the intermediate polishing step, and it is possible to realize a polishing object surface on which a higher quality surface can be easily obtained after the finish polishing step. .
  • the dispersant D1 one having an Mw of 3 ⁇ 10 4 or less can be preferably used. According to such a dispersant D 1 , the dispersibility parameter ⁇ 1 tends to be efficiently reduced. Therefore, the processing force suitable for the intermediate polishing step and the surface protection can be more suitably achieved.
  • the surface protective agent S 1 includes a cellulose derivative as the water-soluble polymer P 1 .
  • the effect of applying the present invention can be exhibited particularly suitably.
  • the content of the surface protective agent S 1 can be, for example, 0.005 g or more and 5 g or less per 100 g of the abrasive grain A 1 content.
  • the abrasive grain A 1 may be silica particles.
  • abrasive A 1 are silica particles, the effect of applying the present invention can be particularly suitably exerted.
  • a composition set for polishing a silicon substrate comprising any of the intermediate polishing compositions disclosed herein and the final polishing composition used in the above-described final polishing step is also provided.
  • the final polishing composition may include the abrasive A 2, a basic compound B 2, and a surface protective agent S 2.
  • the surface protective agent S 2 typically contains a water-soluble polymer P 2 .
  • the polishing composition set a dispersion parameter alpha 1 of the surface protective agent S 1 included in the intermediate polishing composition, the finishing dispersion parameter of the surface protective agent S 2 contained in the polishing composition alpha 2 It is preferable that the relationship satisfies the following formula: ( ⁇ 1 / ⁇ 2 ) ⁇ 0.5;
  • the dispersion parameter alpha 2 of the finishing surface contained in the polishing composition protective agent S 2 is preferably not less than 30% 1%. By using such a finish polishing composition, a higher quality polishing object surface can be realized.
  • the “finish polishing step” refers to a polishing step arranged last (that is, on the most downstream side) among polishing steps performed using a polishing composition containing abrasive grains.
  • the polishing composition used in the finish polishing step is referred to as “finish polishing composition”. Therefore, the final polishing composition in the technique disclosed herein can be grasped as the polishing composition of the type used on the most downstream side among a plurality of types of polishing composition used in the polishing process of the silicon substrate. .
  • the “intermediate polishing step” refers to a polishing step arranged immediately before the above-described final polishing step among polishing steps performed using a polishing composition containing abrasive grains. That is, it refers to a preliminary polishing step arranged on the most downstream side in a preliminary polishing step (preliminary polishing step) performed prior to the final polishing step.
  • the polishing composition used in the intermediate polishing step is referred to as “intermediate polishing composition”. Therefore, the intermediate polishing composition in the technology disclosed herein is grasped as the second type of polishing composition used from the downstream side among the plurality of types of polishing compositions used in the polishing process of the silicon substrate. Can be done.
  • the intermediate polishing step may be the first polishing step (primary preliminary polishing step) in the preliminary polishing step, or may be the second and subsequent polishing steps.
  • the intermediate polishing composition disclosed herein can be suitably used in an embodiment in which the intermediate polishing step is the second and subsequent polishing steps in the preliminary polishing step. That is, the intermediate polishing composition disclosed herein can be preferably used in the intermediate polishing step of the silicon substrate after the primary preliminary polishing step.
  • the technique disclosed herein is preferably applied to polishing using a silicon substrate (particularly a silicon wafer) as an object to be polished.
  • a typical example of the silicon wafer here is a silicon single crystal wafer, for example, a silicon single crystal wafer obtained by slicing a silicon single crystal ingot.
  • the surface to be polished in the technique disclosed herein is typically a surface made of silicon.
  • the silicon substrate is subjected to general treatment that can be applied to the silicon substrate in a process upstream of the intermediate polishing process, such as lapping, etching, or the above-described primary preliminary polishing, before the intermediate polishing process disclosed herein. It may be given.
  • polishing composition is sometimes used as a term indicating general polishing compositions.
  • Intermediate polishing composition disclosed herein includes a abrasive A 1, a basic compound B 1, and a surface protective agent S 1.
  • the surface protective agent S 1 includes a water-soluble polymer P 1 having a weight average molecular weight (Mw) higher than 30 ⁇ 10 4 , further includes a dispersant D 1 , and a dispersibility parameter ⁇ 1 is less than 80%. It is characterized by that.
  • the water-soluble polymer P 1 functions to enhance the protection of the surface of the object to be polished in the intermediate polishing step. Thereby, the smoothness of the surface of the object to be polished (here, the silicon substrate) at the end of the intermediate polishing step can be further increased. High smoothness at the end of intermediate polishing means that there are few irregularities to be eliminated in the final polishing process, and the load of the final polishing process is small. Therefore, even if a final polishing composition having a weaker polishing power (working power) is employed in the final polishing step, the unevenness existing at the start of final polishing can be eliminated to a desired level. By using the finish polishing composition having a weaker processing force, it is possible to reduce the load applied to the object to be polished in the final polishing step, suppress the generation of defects, and improve the surface quality of the object to be polished after finish polishing.
  • the water-soluble polymer P 1 a polymer having Mw higher than 30 ⁇ 10 4 is used.
  • the Mw (Mw P1 ) of the water-soluble polymer P 1 is preferably higher than 40 ⁇ 10 4 and more preferably higher than 50 ⁇ 10 4 .
  • Mw P1 increases, the number of molecules contained per weight of the water-soluble polymer P 1 decreases, and thus it becomes easy to obtain a processing force suitable for the intermediate polishing step.
  • a water-soluble polymer P 1 having Mw P1 of 70 ⁇ 10 4 or more can be preferably used.
  • Mw P1 may be 85 ⁇ 10 4 or more, for example, 100 ⁇ 10 4 or more.
  • Mw P1 is not particularly limited, and may be, for example, 250 ⁇ 10 4 or less, or 200 ⁇ 10 4 or less. From the viewpoint of reducing the dispersion parameter alpha 1, in one embodiment, Mw P1 may be preferably used a water-soluble polymer P 1 of 170 ⁇ 10 4 or less (e.g., 0.99 ⁇ 10 4 or less). Mw P1 may be 130 ⁇ 10 4 or less, for example.
  • the relationship between the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the water-soluble polymer P 1 is not particularly limited. From the viewpoint of preventing the occurrence of aggregates, for example, the molecular weight distribution (Mw / Mn) is preferably 10.0 or less, and more preferably 7.0 or less. Mw / Mn is 1.0 or more in principle, and typically 1.05 or more. The technique disclosed here is also suitably implemented in an embodiment in which the Mw / Mn of the water-soluble polymer P 1 is 2.0 or more (for example, 3.0 or more, 4.0 or more, or 5.0 or more). obtain.
  • the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the water-soluble polymer and the dispersant described later are values based on gel permeation chromatography (GPC) (water system, converted to polyethylene oxide). Can be adopted.
  • Dispersibility parameter ⁇ 1 (%) (T 1 / T 0 ) ⁇ 100
  • the ammonia concentrations of the standard solution and the test solution are both 0.57% by weight.
  • hydroxyethyl cellulose having a weight average molecular weight (Mw) of 120 ⁇ 10 4 is used.
  • the concentration of the standard polymer in the standard solution is 0.12% by weight.
  • the concentration of the surface protective agent S 1 in the test solution is such that the concentration of the water-soluble polymer P 1 constituting the surface protective agent S 1 is the same as the concentration of the standard polymer (that is, 0.12% by weight).
  • the liquid passing times T 0 and T 1 are measured as follows.
  • Used filters Type Membrane filter ( ⁇ 47mm, disk type) Material Mixed cellulose ester Pore size 1.0 ⁇ m Suction pressure: 0.005 MPa
  • a membrane filter is set in a suction filter, 100 g of deionized water is suction filtered at the above suction pressure, and then 100 g of the standard solution is suction filtered. At this time, the time (liquid passing time) T 0 required for filtration of 100 g of the standard solution is measured.
  • ⁇ 1 thus obtained can serve as a guideline for estimating the degree of dispersibility of the water-soluble polymer P 1 in the intermediate polishing composition.
  • the surface protective agent S 1 in which ⁇ 1 is less than 80% the water-soluble polymer P 1 contained in the surface protective agent S 1 can be appropriately dispersed in the intermediate polishing composition. Defects that can be caused by including the water-soluble polymer P 1 in the composition (for example, generation of defects caused by the high-Mw water-soluble polymer P 1 ) can be highly suppressed.
  • ⁇ 1 is 75% or less (more preferably 70% or less, for example, 65% or less), a higher effect can be exhibited.
  • ⁇ 1 is 60% or less.
  • the lower limit of ⁇ 1 is not particularly limited, and may be, for example, 10% or more.
  • ⁇ 1 is usually suitably 25% or more, 40% or more, 45% or more, 50% or more. (For example, 55% or more).
  • alpha 1 is the type of and the molecular weight selected water-soluble polymer P 1, it can be adjusted by choice and amount such dispersing agent D 1.
  • the surface protective agent S 1 in the technology disclosed herein can be configured such that, for example, ⁇ 1 / Mw P1 is 7.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or less.
  • Mw P1 is the Mw of the water-soluble polymer P 1 and is typically 30 ⁇ 10 4 or more.
  • ⁇ 1 is the dispersibility parameter of the surface protective agent S 1 and is typically less than 80% (ie less than 0.8).
  • the surface protective agent S 1 having a small value of ⁇ 1 / Mw P1 has good dispersibility of the surface protective agent S 1 for Mw P1 of the water-soluble polymer P 1 .
  • alpha 1 / Mw P1 is preferably 6.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or less, and more preferably 6.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or less.
  • ⁇ 1 / Mw P1 may be 5.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or less, such as 5.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or less.
  • the lower limit of ⁇ 1 / Mw P1 is not particularly limited. From the viewpoint of practicality, ⁇ 1 / Mw P1 may be, for example, 1.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or more, 2.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or more, 2.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or more, 3 It may be 0.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or more (for example, 3.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or more).
  • the technique disclosed herein can also be suitably implemented in an aspect in which ⁇ 1 / Mw P1 is 4.0 ⁇ 10 ⁇ 7 or more (for example, 4.5 ⁇ 10 ⁇ 7 or more).
  • Water-soluble polymer P 1 In the technology disclosed herein, the type of the water-soluble polymer P 1 is not particularly limited, and can be appropriately selected from water-soluble polymers known in the field of polishing compositions. Water-soluble polymer P 1 is a type may be used alone or in combination of two or more.
  • water-soluble polymer P 1 is a cationic group may be selected from water-soluble polymer having at least one functional group in the molecule selected from an anionic group and a nonionic group.
  • the water-soluble polymer may have, for example, a hydroxyl group, a carboxy group, an acyloxy group, a sulfo group, a primary amide structure, a heterocyclic structure, a vinyl structure, a polyoxyalkylene structure, etc. in the molecule.
  • it can be preferably used a nonionic polymer as a water-soluble polymer P 1.
  • water-soluble polymer examples include cellulose derivatives, starch derivatives, polymers containing oxyalkylene units, vinyl alcohol polymers, polymers containing nitrogen atoms, and the like. Of these, cellulose derivatives and starch derivatives are preferable, and cellulose derivatives are more preferable.
  • Cellulose derivatives are polymers containing ⁇ -glucose units as the main repeating unit.
  • Specific examples of the cellulose derivative include hydroxyethyl cellulose (HEC), hydroxypropyl cellulose, hydroxyethyl methyl cellulose, hydroxypropyl methyl cellulose, methyl cellulose, ethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose and the like. Of these, HEC is preferable.
  • Starch derivatives are polymers that contain ⁇ -glucose units as the main repeating unit. Specific examples of starch derivatives include pregelatinized starch, pullulan, carboxymethyl starch, and cyclodextrin. Of these, pullulan is preferred.
  • Polymers containing oxyalkylene units include polyethylene oxide (PEO), block copolymers of ethylene oxide (EO) and propylene oxide (PO) or butylene oxide (BO), and random copolymerization of EO and PO or BO. Examples include coalescence. Among these, a block copolymer of EO and PO or a random copolymer of EO and PO is preferable.
  • the block copolymer of EO and PO may be a diblock copolymer including a PEO block and a polypropylene oxide (PPO) block, a triblock copolymer, or the like.
  • triblock copolymer examples include a PEO-PPO-PEO type triblock copolymer and a PPO-PEO-PPO type triblock copolymer. Usually, a PEO-PPO-PEO type triblock copolymer is more preferable.
  • copolymer refers to various copolymers such as a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer, and a graft copolymer unless otherwise specified. is there.
  • the molar ratio (EO / PO) of EO and PO constituting the copolymer is determined from the viewpoint of solubility in water, detergency, and the like. It is preferably larger than 1, more preferably 2 or more, and further preferably 3 or more (for example, 5 or more).
  • the vinyl alcohol-based polymer is typically a polymer (PVA) containing a vinyl alcohol unit (VA unit) as a main repeating unit.
  • PVA polymer
  • VA unit vinyl alcohol unit
  • the ratio of the number of moles of VA units to the number of moles of all repeating units is usually 50% or more, preferably 65% or more, more preferably 70% or more, for example, 75% or more. All repeating units may consist essentially of VA units.
  • the vinyl alcohol-based polymer includes a VA unit and a non-VA unit (that is, a repeating unit other than the VA unit), the type of the non-VA unit is not particularly limited.
  • the non-VA unit is, for example, a structural unit derived from vinyl pyrrolidone, a structural unit derived from ethylene, an alkyl vinyl ether unit, a monocarboxylic acid vinyl ester unit, a structural unit obtained by acetalizing polyvinyl alcohol and an aldehyde, and the like. possible.
  • a vinyl ether unit having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms alkyl vinyl ether unit
  • a vinyl ester unit derived from a monocarboxylic acid having 1 to 7 carbon atoms monocarboxylic acid vinyl ester unit
  • a non-VA unit selected from the group consisting of a structural unit obtained by acetalizing polyvinyl alcohol and an aldehyde having an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms is preferred.
  • Examples of vinyl ether units having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl vinyl ether units, n- and i-propyl vinyl ether units, n-, i- and t-butyl vinyl ether units, and 2-ethylhexyl vinyl ether units. Is mentioned.
  • Examples of vinyl ester units derived from monocarboxylic acids having 1 to 7 carbon atoms include vinyl propanoate units, vinyl butanoate units, vinyl pentanoate units, vinyl hexanoate units, and the like.
  • Examples of the aldehyde having an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms include acetaldehyde and n-butyraldehyde.
  • the polymer containing a VA unit and a non-VA unit may contain only one type of non-VA unit as the non-VA unit, or may contain two or more types of non-VA units.
  • the content ratio (molar ratio) between the VA unit and the non-VA unit is not particularly limited.
  • the VA unit: non-VA unit (molar ratio) may be, for example, 1:99 to 99: 1, preferably 95: 5 to 50:50, and more preferably 95: 5 to 80:20.
  • polymers containing VA units and non-VA units include copolymers comprising vinyl alcohol units and vinyl pyrrolidone units, copolymers comprising vinyl alcohol units and ethylene units, copolymers comprising vinyl alcohol units and methyl vinyl ether units.
  • Copolymer Copolymer, copolymer containing vinyl alcohol unit and n-propyl vinyl ether unit, copolymer containing vinyl alcohol unit and i-propyl vinyl ether unit, copolymer containing vinyl alcohol unit and n-butyl vinyl ether unit, vinyl alcohol unit And a copolymer containing i-butyl vinyl ether units, a copolymer containing vinyl alcohol units and t-butyl vinyl ether units, a copolymer containing vinyl alcohol units and 2-ethylhexyl vinyl ether units, Polymer acetalizing part of vinyl alcohol with n- butyraldehyde, and the like.
  • the polymer containing the VA unit and the non-VA unit may be a modified polyvinyl alcohol having a hydrophilic functional group in its side chain.
  • the hydrophilic functional groups include oxyalkylene groups, carboxy groups, sulfo groups, amino groups, hydroxyl groups, amide groups, imide groups, nitrile groups, ether groups, ester groups, and salts thereof.
  • the modified polyvinyl alcohol for example, cationized polyvinyl alcohol having a cationic group such as a quaternary ammonium structure may be used.
  • Examples of the cationized polyvinyl alcohol include those derived from a monomer having a cationic group such as diallyldialkylammonium salt and N- (meth) acryloylaminoalkyl-N, N, N-trialkylammonium salt.
  • the degree of saponification of PVA is usually 50 mol% or more, preferably 65 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, for example, 75 mol% or more.
  • the saponification degree of PVA is 100 mol% or less in principle.
  • Non-limiting examples of polymers containing nitrogen atoms include: polymers containing N-vinyl type monomer units; imine derivatives; polymers containing N- (meth) acryloyl type monomer units;
  • polymers containing an N-vinyl type monomer unit include a polymer containing a repeating unit derived from a monomer having a nitrogen-containing heterocyclic ring (for example, a lactam ring).
  • polymers include homopolymers and copolymers of N-vinyl lactam monomers (for example, copolymers in which the copolymerization ratio of N-vinyl lactam monomers exceeds 50% by weight), N-vinyl Examples thereof include homopolymers and copolymers of chain amides (for example, copolymers in which the copolymerization ratio of N-vinyl chain amide exceeds 50% by weight).
  • N-vinyl lactam type monomers that is, compounds having a lactam structure and an N-vinyl group in one molecule
  • N-vinyl pyrrolidone VP
  • N-vinyl piperidone N-vinyl morpholinone
  • N -Vinylcaprolactam VC
  • N-vinyl-1,3-oxazin-2-one N-vinyl-3,5-morpholinedione and the like.
  • polymers containing monomer units of the N-vinyl lactam type include polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl caprolactam, random copolymers of VP and VC, one or both of VP and VC and other vinyl monomers (for example, acrylic type A random copolymer with a monomer, a vinyl ester monomer, etc.), a block copolymer containing a polymer chain containing one or both of VP and VC, a graft copolymer, and the like.
  • the N-vinyl chain amide include N-vinylacetamide, N-vinylpropionic acid amide, N-vinylbutyric acid amide and the like.
  • polymers containing N- (meth) acryloyl type monomer units include homopolymers and copolymers of N- (meth) acryloyl type monomers (typically copolymers of N- (meth) acryloyl type monomers). A copolymer having a polymerization ratio of more than 50% by weight).
  • examples of the N- (meth) acryloyl type monomer include a chain amide having an N- (meth) acryloyl group and a cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group.
  • chain amides having an N- (meth) acryloyl group include (meth) acrylamide; N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl ( N-alkyl (meth) acrylamides such as (meth) acrylamide and Nn-butyl (meth) acrylamide; N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dipropyl (meta) ) Acrylamide, N, N-diisopropyl (meth) acrylamide, N, N-dialkyl (meth) acrylamide such as N, N-di (n-butyl) (meth) acrylamide;
  • polymers containing a chain amide having an N- (meth) acryloyl group as a monomer unit include homopolymers of
  • Examples of the cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group include N- (meth) acryloylmorpholine, N- (meth) acryloylpyrrolidine and the like.
  • Examples of the polymer containing a cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group as a monomer unit include a homopolymer of N-acryloylmorpholine and a copolymer of N-acryloylmorpholine (for example, the copolymerization ratio of N-acryloylmorpholine is Copolymer exceeding 50% by weight).
  • the technique disclosed here can be preferably implemented in a mode in which the surface protective agent S 1 contains at least a cellulose derivative (eg, HEC) as the water-soluble polymer P 1 .
  • a cellulose derivative eg, HEC
  • the technique disclosed herein may also be implemented in a mode in which the water-soluble polymer P 1 includes a combination of a cellulose derivative and another water-soluble polymer.
  • the proportion of the cellulose derivative (eg, HEC) in the entire water-soluble polymer P 1 can be, for example, 30% by weight or more (more preferably 50% by weight or more, and further preferably 80% by weight or more). .
  • Dispersant D 1 Surface protective agent S 1 in the intermediate polishing compositions disclosed herein comprise a combination of a water-soluble polymer P 1 and dispersing agent D 1.
  • This can increase the type and range of Mw of materials that may be selected as the water-soluble polymer P 1. For example, it is possible to use a higher Mw water-soluble polymer P 1 while suppressing an increase in ⁇ 1 .
  • Dispersant D 1 may also have the ability to protect the surface of the substrate.
  • a material that can function as a dispersant for the water-soluble polymer P 1 , that is, the surface protective agent S 1 , is contained in the surface protective agent S 1 .
  • a material capable of reducing ⁇ 1 can be appropriately employed.
  • a dispersing agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the dispersant D 1 can be used as surfactants. Any of an anionic surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, and an amphoteric surfactant can be used. Usually, an anionic or nonionic surfactant can be preferably employed. From the viewpoint of low foaming property and ease of pH adjustment, a nonionic surfactant is more preferable.
  • nonionic surfactants include oxyalkylene polymers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol; polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene fatty acid Polyoxyalkylene derivatives (eg, polyoxyalkylene adducts) such as esters, polyoxyethylene glyceryl ether fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters; copolymers of plural types of oxyalkylenes (eg, diblock type copolymers) , Triblock copolymer, random copolymer, alternating copolymer); and the like.
  • oxyalkylene polymers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol
  • polyoxyethylene alkyl ether polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene fatty acid
  • a surfactant containing a polyoxyalkylene structure for example, a polyoxyethylene structure, a polyoxypropylene structure, etc.
  • a surfactant can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • nonionic surfactant examples include a block copolymer of ethylene oxide (EO) and propylene oxide (PO) (diblock copolymer, PEO (polyethylene oxide) -PPO (polypropylene oxide) -PEO type).
  • EO ethylene oxide
  • PO propylene oxide
  • PEO polyethylene oxide
  • PPO polypropylene oxide
  • preferable surfactants include block copolymers of EO and PO (particularly, PEO-PPO-PEO type triblock copolymers) and polyoxyethylene alkyl ethers (for example, polyoxyethylene decyl ether). .
  • Mw dispersant D 1 is not particularly limited, but usually it is suitably in the 10 ⁇ 10 4 or less (e.g., 5 ⁇ 10 4 or less). From the viewpoint of improving the dispersibility of the water-soluble polymer P 1 more efficiently, the Mw of the dispersant D 1 may be 3 ⁇ 10 4 or less, or 2 ⁇ 10 4 or less, or 1 ⁇ may be 10 4 or less, it may be 9500 or less (e.g., 9000 or less). Also, Mw of the dispersing agent D 1, from the viewpoint of easily exhibiting dispersibility Facility, usually, is suitably more than 200, 250 or more (e.g. 300 or higher) is preferred.
  • a more preferable range of Mw dispersant D 1 may vary depending on the type of dispersant D 1.
  • a polyoxyethylene alkyl ether as a dispersing agent D 1
  • its Mw is preferably 2000 or less, it may be 1000 or less (e.g., 500 or less).
  • a PEO-PPO-PEO type triblock copolymer is used as the dispersant D 1 , for example, the Mw may be 1000 or more, 3000 or more, or 5000 or more. Good. The same applies to the dispersing agent D 2 which will be described later.
  • the concentration of the surface protective agent S 1 in the intermediate polishing composition is not particularly limited and may be, for example, 0.0001% by weight or more. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the preferred concentration is 0.0005% by weight or more, more preferably 0.001% by weight or more.
  • the concentration of the surface protective agent S 1 may be, for example, 0.5 wt% or less. From the viewpoint of obtaining a processing force suitable for the intermediate polishing step, the concentration is usually suitably 0.1% by weight or less, and preferably 0.05% by weight or less. From the viewpoint of obtaining a higher processing force, the concentration may be 0.01% by weight or less (for example, 0.005% by weight or less).
  • the concentration of the surface protective agent S 1 in the intermediate polishing composition can be suitably implemented in a manner which is less than 0.005 wt%.
  • the content of the surface protective agent S 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 can be, for example, 0.001 g or more, and is usually suitably 0.005 g or more. is there. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the content may be 0.01 g or more, 0.05 g or more, 0.1 g or more, 0.5 g or more, or 1 g or more (for example, 1.2 g or more). Further, the content of the surface protective agent S 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 is usually suitably 10 g or less and 7 g or less from the viewpoint of obtaining a processing force suitable for the intermediate polishing step. It is preferable.
  • the content may be 5 g or less, or 3 g or less.
  • the technique disclosed here can also be suitably implemented in an embodiment in which the content of the surface protective agent S 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 is 2.5 g or less (for example, 2.0 g or less).
  • the concentration of the water-soluble polymer P 1 in the intermediate polishing composition is not particularly limited and may be, for example, 0.0001% by weight or more. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the preferred concentration is 0.0005% by weight or more, more preferably 0.001% by weight or more. Further, the concentration of the water-soluble polymer P 1 can be set to, for example, less than 0.5% by weight. From the viewpoint of obtaining a processing force suitable for the intermediate polishing step, the concentration is usually suitably less than 0.1% by weight, and preferably less than 0.05% by weight. From the viewpoint of obtaining a higher processing force, the concentration may be less than 0.01% by weight (for example, less than 0.005% by weight). The technique disclosed here can be suitably implemented, for example, in an embodiment in which the concentration of the water-soluble polymer P 1 in the intermediate polishing composition is less than 0.005% by weight.
  • the content of the water-soluble polymer P 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 can be, for example, 0.001 g or more, and usually 0.01 g or more is appropriate. It is. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the content may be 0.05 g or more, 0.1 g or more, 0.5 g or more, or 1.0 g or more (for example, 1.2 g or more). Also good. Further, the content of the water-soluble polymer P 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 is usually suitably less than 10 g from the viewpoint of obtaining a processing force suitable for the intermediate polishing step, and less than 7 g. It is preferable to do.
  • the content may be less than 5 g or less than 3 g.
  • the technique disclosed here can also be suitably implemented in an embodiment in which the content of the water-soluble polymer P 1 with respect to 100 g of the abrasive grain A 1 is less than 2.5 g (for example, less than 2.0 g).
  • the content of the dispersant D 1 (for example, a surfactant) in the intermediate polishing composition is not particularly limited, and can be set so as to obtain a desired effect. From the viewpoint of easily exerting a processing force suitable for the intermediate polishing step, it is appropriate that the content of the dispersant D 1 in the intermediate polishing composition is usually less than the content of the water-soluble polymer P 1. .
  • the content of the dispersant D 1 can be, for example, 0.8 times or less of the content of the water-soluble polymer P 1 , and may be 0.5 times or less from the viewpoint of placing more emphasis on processing power. It may be 3 times or less.
  • the content (by weight) of the dispersant D 1 can be, for example, 0.001 times or more of the content of the water-soluble polymer P 1 , and usually 0.01 times or more is appropriate. From the viewpoint of obtaining a higher effect, it may be 0.03 times or more, or 0.05 times or more (for example, 0.1 times or more).
  • the type and amount of dispersing agent D 1 may be the effect of reducing the dispersion parameter alpha 1 by the use of dispersant D 1 is set to be adequately exhibited.
  • the dispersion parameter alpha 1 of the surface protective agent S 1 containing a dispersant D 1 is a composition from the surface protective agent S 1 excluding the dispersing agent D 1 surface compared to for example, 5% or more to the dispersion parameter alpha 1B of the protective agent S 1B (preferably 10% or more, more preferably 20% or more) to be lower, to set the type and amount of dispersing agent D 1 it can.
  • the dispersion parameter alpha 1B of the surface protective agent S 1B in the measurement of the dispersion parameter alpha 1 described above is obtained by using a surface protective agent S 1B in place of the surface protective agent S 1.
  • Surface protective agent S 1 in the technology disclosed herein can be alpha 1 25% or more than alpha 1B (for example, 30% or more, or 35% or more, or 40% or more) configured to be lowered.
  • Surface protective agent S 1B (i.e., a surface protective agent of the composition from the surface protective agent S 1 except for the dispersing agent D 1) dispersion parameter alpha 1B of may be for example 80% or more, a 85% or more Or 90% or more, or 95% or more.
  • ⁇ 1B increases, the effect of protecting the surface of the object to be polished and the polishing rate tend to be improved.
  • the upper limit of ⁇ 1B is not particularly limited. From the viewpoint of easily obtaining a processing force suitable for intermediate polishing, in one embodiment, ⁇ 1B may be 200% or less, or 150% or less (for example, 120% or less).
  • the surface protecting agent S 1 in the technology disclosed herein may further include a water-soluble polymer P L having an Mw of 30 ⁇ 10 4 or less as a component different from the dispersant D 1 .
  • the water-soluble polymer P L is, for example, any one of the water-soluble polymers exemplified above, and the Mw is 30 ⁇ 10 4 or less (for example, 20 ⁇ 10 4 or less, or 15 ⁇ 10 4 or less, or 10 ⁇ 10 4 or less, or 5 ⁇ 10 4 or less).
  • the lower limit of the Mw of the water-soluble polymer P L is not particularly limited, can be, for example, 1 ⁇ 10 4 or more.
  • the use amount of the water-soluble polymer P L is usually less than 1.0 times the use amount of the water-soluble polymer P 1 on a weight basis, and preferably 0.5 times or less. , 0.1 times or less or 0.05 times or less.
  • a surface protective agent S 1 is may suitably be implemented in a manner that is substantially free of water-soluble polymer P L.
  • Abrasive materials and properties used as abrasive grains A 1 is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the intended use and mode of use and the like.
  • Examples of the abrasive grains include inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include silica particles, alumina particles, cerium oxide particles, chromium oxide particles, titanium dioxide particles, zirconium oxide particles, magnesium oxide particles, manganese dioxide particles, zinc oxide particles, oxide particles such as bengara particles; Examples thereof include nitride particles such as silicon nitride particles and boron nitride particles; carbide particles such as silicon carbide particles and boron carbide particles; diamond particles; carbonates such as calcium carbonate and barium carbonate.
  • Specific examples of the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles and poly (meth) acrylic acid particles (here, (meth) acrylic acid is a generic term for acrylic acid and methacrylic acid). And polyacrylonitrile particles. Such abrasive grains may be used singly or in combination of two or more.
  • an inorganic particle is preferable,
  • grains which consist of an oxide of a metal or a semimetal are especially preferable, and a silica particle is especially preferable.
  • Art disclosed herein, for example, may be preferably embodied with abrasive A 1 consists essentially of silica particles.
  • substantially means 95% by weight or more (preferably 98% by weight or more, more preferably 99% by weight or more, or 100% by weight) of the particles constituting the abrasive grains. It means silica particles.
  • silica particles include colloidal silica, fumed silica, precipitated silica and the like.
  • Silica particles can be used singly or in combination of two or more.
  • the use of colloidal silica is particularly preferred because it is easy to obtain a polished surface with excellent surface quality after polishing.
  • colloidal silica for example, colloidal silica produced using water glass (Na silicate) as a raw material by an ion exchange method, or alkoxide colloidal silica (colloidal silica produced by hydrolysis condensation reaction of alkoxysilane) is preferably employed. be able to.
  • Colloidal silica can be used singly or in combination of two or more.
  • the true specific gravity of the abrasive constituent material is preferably 1.5 or more, more preferably 1.6 or more, and even more preferably 1.7 or more.
  • the physical polishing ability tends to increase due to an increase in the true specific gravity of the abrasive constituting material.
  • abrasive grains having a true specific gravity of 2.0 or more are particularly preferable.
  • the upper limit of the true specific gravity of the abrasive grains is not particularly limited, but is typically 2.3 or less, for example, 2.2 or less.
  • the true specific gravity of the abrasive grains for example, silica particles
  • a value measured by a liquid replacement method using ethanol as a replacement liquid can be employed.
  • the BET diameter of the abrasive grain A 1 is not particularly limited. From the viewpoint of polishing efficiency and the like, the BET diameter is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and particularly preferably 20 nm or more. Higher polishing effect (e.g., reduction of the surface roughness Ra, the raised eliminated, etc.) from the viewpoint of obtaining, BET diameter of 25nm or more, more can be preferably used abrasive A 1 above 30 nm (e.g., 32nm or more) .
  • BET diameter of the abrasive grains A 1 is preferably 100nm or less, more preferably 70nm or less, more preferably 60nm or less. In one embodiment, BET diameter of the abrasive grains A 1 may be a 50nm or less (e.g., 40nm or less).
  • the particle diameter calculated by the formula.
  • the specific surface area can be measured using, for example, a surface area measuring device manufactured by Micromeritex Corporation, a trade name “Flow Sorb II 2300”.
  • the shape (outer shape) of the abrasive grains may be spherical or non-spherical.
  • specific examples of the non-spherical particles include a peanut shape (that is, a peanut shell shape), a bowl shape, a confetti shape, a rugby ball shape, and the like.
  • abrasive grains in which many of the particles have a peanut shape or a bowl shape can be preferably used.
  • the average value of the major axis / minor axis ratio (average aspect ratio) of the abrasive grains is theoretically 1.0 or more, preferably 1.05 or more, more preferably 1.1 or more. It is. By increasing the average aspect ratio, higher polishing efficiency can be realized.
  • the average aspect ratio of the abrasive grains is preferably 3.0 or less, more preferably 2.0 or less, and still more preferably 1.5 or less, from the viewpoint of reducing scratches.
  • the shape (outer shape) and average aspect ratio of the abrasive grains can be grasped by, for example, observation with an electron microscope.
  • each particle image of a predetermined number (for example, 200) of silica particles capable of recognizing the shape of independent particles using a scanning electron microscope (SEM) is used.
  • SEM scanning electron microscope
  • the value obtained by dividing the length of the long side (major axis value) by the length of the short side (minor axis value) is the major axis / minor axis ratio (aspect ratio).
  • An average aspect ratio can be obtained by arithmetically averaging the aspect ratios of the predetermined number of particles.
  • the content of the abrasive grains A 1 in intermediate polishing composition is not particularly limited. In one embodiment, the content is preferably 0.001% by weight or more, more preferably 0.01% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more (eg, 0.2% by weight or more).
  • the increased content of the abrasive grains A 1, a higher polishing rate can be achieved.
  • the content of the abrasive grains A 1 is usually suitably 10 wt% or less, preferably 5 wt% or less, more preferably 1 wt% or less, further Preferably it is 0.8 weight% or less (for example, 0.5 weight% or less).
  • the intermediate polishing composition disclosed herein typically contains water.
  • water ion exchange water (deionized water), pure water, ultrapure water, distilled water and the like can be preferably used.
  • the water to be used preferably has, for example, a total content of transition metal ions of 100 ppb or less in order to avoid as much as possible the action of other components contained in the intermediate polishing composition.
  • the purity of water can be increased by operations such as removal of impurity ions with an ion exchange resin, removal of foreign matter with a filter, distillation, and the like.
  • the basic compound B1 can be appropriately selected from various basic compounds having a function of increasing the pH of an aqueous solution by dissolving in water.
  • an organic or inorganic basic compound containing nitrogen, an alkali metal hydroxide, an alkaline earth metal hydroxide, various carbonates, bicarbonates, or the like can be used.
  • Examples of basic compounds containing nitrogen include quaternary ammonium compounds, quaternary phosphonium compounds, ammonia, amines (preferably water-soluble amines), and the like. Such basic compounds can be used singly or in combination of two or more.
  • alkali metal hydroxide examples include potassium hydroxide and sodium hydroxide.
  • Specific examples of the carbonate or bicarbonate include ammonium bicarbonate, ammonium carbonate, potassium bicarbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, sodium carbonate and the like.
  • amines include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- ( ⁇ -aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, anhydrous piperazine , Piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, guanidine, azoles such as imidazole and triazole, and the like.
  • quaternary phosphonium compound include quaternary phosphonium hydroxide such as tetramethylphosphonium hydroxide and tetraethylphosphonium hydroxide.
  • quaternary ammonium salt typically a strong base
  • a quaternary ammonium salt such as a tetraalkylammonium salt or a hydroxyalkyltrialkylammonium salt
  • the anionic component in such a quaternary ammonium salt can be, for example, OH ⁇ , F ⁇ , Cl ⁇ , Br ⁇ , I ⁇ , ClO 4 ⁇ , BH 4 ⁇ and the like.
  • the anion is OH - a is a quaternary ammonium salt, i.e., include quaternary ammonium hydroxide.
  • quaternary ammonium hydroxide examples include hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, and tetrahexylammonium hydroxide.
  • tetraalkylammonium hydroxide is preferable, and tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is particularly preferable.
  • the basic compound B 1 contained in the intermediate polishing composition is preferably at least one basic compound selected from alkali metal hydroxide, quaternary ammonium hydroxide and ammonia. . Of these, quaternary ammonium hydroxide and ammonia are more preferred, and ammonia is particularly preferred.
  • the intermediate polishing composition disclosed herein includes, for example, a surface protective agent S 1 containing at least a cellulose derivative (eg, HEC) as the water-soluble polymer P 1 and a basic compound B 1 containing ammonia. It can be preferably implemented.
  • the intermediate polishing composition disclosed herein is a chelating agent, an organic acid, an organic acid salt, an inorganic acid, an inorganic acid salt, an antiseptic, an antifungal agent, etc., as long as the effects of the present invention are not significantly hindered.
  • Examples of chelating agents include aminocarboxylic acid chelating agents and organic phosphonic acid chelating agents.
  • aminocarboxylic acid chelating agents include ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid, nitrilotriacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid ammonium, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, hydroxyethylethylenediamine sodium triacetate, diethylenetriaminepentaacetic acid Diethylenetriamine sodium pentaacetate, triethylenetetramine hexaacetic acid and sodium triethylenetetramine hexaacetate.
  • organic phosphonic acid chelating agents examples include 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic).
  • ethylenediaminetetrakis methylenephosphonic acid
  • diethylenetriaminepenta methylenephosphonic acid
  • diethylenetriaminepentaacetic acid are preferable.
  • Particularly preferred chelating agents include ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid) and diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid).
  • a chelating agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the intermediate polishing composition in the technology disclosed herein may be an embodiment that does not substantially contain a chelating agent.
  • organic acids include fatty acids such as formic acid, acetic acid and propionic acid, aromatic carboxylic acids such as benzoic acid and phthalic acid, citric acid, oxalic acid, tartaric acid, malic acid, maleic acid, fumaric acid, succinic acid, organic Examples include sulfonic acid and organic phosphonic acid.
  • organic acid salts include alkali metal salts (sodium salts, potassium salts, etc.) and ammonium salts of organic acids.
  • inorganic acids include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, carbonic acid and the like.
  • inorganic acid salts include alkali metal salts (sodium salts, potassium salts, etc.) and ammonium salts of inorganic acids.
  • An organic acid and its salt, and an inorganic acid and its salt can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • antiseptics and fungicides include isothiazoline compounds, paraoxybenzoates, phenoxyethanol and the like.
  • the intermediate polishing composition preferably contains substantially no oxidizing agent.
  • the intermediate polishing composition contains an oxidizing agent
  • the intermediate polishing composition is supplied to the object to be polished (here, the silicon substrate), whereby the surface of the object to be polished is oxidized and an oxide film. This is because the polishing rate may be reduced.
  • the oxidizing agent herein include hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), sodium persulfate, ammonium persulfate, sodium dichloroisocyanurate, and the like.
  • polishing does not contain an oxidizing agent substantially means not containing an oxidizing agent intentionally at least.
  • the pH of the intermediate polishing composition is usually suitably 8.0 or more, preferably 8.5 or more, more preferably 9.0 or more, still more preferably 9.5 or more, for example 10.0. That's it.
  • the pH of the intermediate polishing composition is suitably 12.0 or less from the viewpoint of preventing dissolution of abrasive grains (for example, silica particles) and suppressing a decrease in mechanical polishing action by the abrasive grains. Yes, preferably 11.8 or less, more preferably 11.5 or less, and even more preferably 11.0 or less.
  • the pH of the composition is determined by using a pH meter (for example, a glass electrode type hydrogen ion concentration indicator (model number F-23) manufactured by HORIBA, Ltd.) and a standard buffer solution (phthalic acid).
  • carbonate pH buffer solution pH: 10.01 (25 ° C) the glass electrode can be put into the composition to be measured, and the value can be grasped by measuring the value after 2 minutes or more has passed and stabilized.
  • the polishing object that has finished the intermediate polishing step using such an intermediate polishing composition is further subjected to a final polishing step.
  • the finish polishing composition used in the finishing step is not particularly limited.
  • the abrasive A 2, a basic compound B 2, the final polishing composition comprising a surface protective agent S 2 may be used preferably.
  • Abrasive A 2 is not particularly limited contained in the final polishing composition is usually, like the abrasive A 1 of the intermediate polishing composition, the silica particles can be preferably used.
  • the silica particles colloidal silica is particularly preferable.
  • colloidal silica produced using alkoxysilane as a raw material can be preferably used.
  • Colloidal silica can be used singly or in combination of two or more.
  • Abrasive A abrasives preferred specific gravity to be used as 2, for abrasive profile and the average aspect ratio is the same as the abrasive grains A 1 of the intermediate polishing composition, duplicated descriptions are omitted.
  • the BET diameter of the abrasive grain A 2 is not particularly limited. From the viewpoint of polishing efficiency and the like, the BET diameter is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more. Higher polishing effect (e.g., reduced haze, effects such as removal of defects) from the viewpoint of obtaining, BET diameter of the abrasive grains A 2 is preferably at least 15 nm, more 20nm (e.g. 20nm greater) are more preferred. Further, in view of smoother highly surface easily obtained, BET diameter of the abrasive grains A 2 is preferably 100nm or less, more preferably 50nm or less, more preferably 40nm or less.
  • BET diameter of 35nm or less (typically less than 35nm, preferably less than 32 nm, such as less than 30 nm) may be used abrasives A 2 of.
  • the content of the abrasive grains A 2 in the final polishing composition is not particularly limited. In one embodiment, the content can be, for example, 0.01% by weight or more, 0.03% by weight or more, or 0.05% by weight or more (eg, 0.08% by weight or more). .
  • the increased content of the abrasive grains A 2 a higher polishing effect can be achieved.
  • the content of the abrasive grains A 2 is usually suitably 7% by weight or less, preferably 5 wt% or less, more preferably 3 wt% or less, further Preferably it is 2 weight% or less (for example, 1 weight% or less). In one embodiment, the content of the abrasive grains A 2 may be 0.5 wt% or less, may be 0.3 wt% or less, or may be 0.2 wt% or less.
  • Basic compound B 2 As the basic compound B 2 contained in the finish polishing composition, for example, one or more of the basic compounds exemplified as the basic compound B 1 that can be used in the intermediate polishing composition are selected. Can be used.
  • the basic compound B 2 for example, alkali metal hydroxides, at least one basic compound selected from quaternary ammonium and ammonia hydroxide can be preferably used. Of these, quaternary ammonium hydroxide and ammonia are more preferred, and ammonia is particularly preferred.
  • Surface protective agent S 2 of the final polishing composition preferably contains at least a water-soluble polymer P 2.
  • the water-soluble polymer P 2 for example, can be adopted similar to the exemplified water-soluble polymer as a water-soluble polymer P 1 which may be used in the surface protective agent S 1 of the intermediate polishing composition.
  • Water-soluble polymer P 2 may be used alone or in combination of two or more species.
  • a preferred example of the water-soluble polymer that can be used as the water-soluble polymer P 2 is a cellulose derivative (for example, HEC).
  • Cellulose derivatives can be used alone or in combination with other water-soluble polymers.
  • water-soluble polymer P 2 is a mode comprising a combination of the other water-soluble polymer cellulose derivative is preferable.
  • the ratio of the water-soluble polymer P 2 in the entire cellulose derivatives e.g. HEC
  • HEC for example can be 10 wt% or more, may be more than 25 wt%, may be more than 40 wt%, It may be 60% by weight or more, 75% by weight or more, or 90% by weight or more.
  • water-soluble polymer that can be used as the water-soluble polymer P 2 is a polymer containing a nitrogen atom.
  • the nitrogen atom-containing polymer can be used alone or in combination with other water-soluble polymers (for example, cellulose derivatives).
  • Non-limiting examples of nitrogen atom-containing polymers include polymers containing N-vinyl type monomer units such as N-vinyl lactam and N-vinyl chain amides; imine derivatives; N- (meth) acryloyl type polymers Polymers containing monomer units; and the like.
  • nitrogen atom-containing polymer containing an N-vinyl type monomer unit examples include a polymer containing a repeating unit derived from a monomer having a nitrogen-containing heterocyclic ring (eg, a lactam ring).
  • nitrogen atom-containing polymers include homopolymers and copolymers of N-vinyl lactam monomers (for example, copolymers in which the copolymerization ratio of N-vinyl lactam monomers exceeds 50% by weight), N-vinyl chain amide homopolymers and copolymers (for example, copolymers in which the copolymerization ratio of N-vinyl chain amide exceeds 50% by weight) and the like are included.
  • N-vinyl lactam monomers include N-vinyl pyrrolidone (VP), N-vinyl piperidone, N-vinyl morpholinone, N-vinyl caprolactam (VC), N-vinyl-1,3-oxazine-2- ON, N-vinyl-3,5-morpholinedione and the like.
  • VP N-vinyl pyrrolidone
  • VC N-vinyl caprolactam
  • N-vinyl-1,3-oxazine-2- ON N-vinyl-3,5-morpholinedione and the like.
  • polymers containing monomer units of the N-vinyl lactam type include polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl caprolactam, random copolymers of VP and VC, one or both of VP and VC and other vinyl monomers (for example, acrylic type A random copolymer with a monomer, a vinyl ester monomer, etc.), a block copolymer containing a polymer chain containing one or both of VP and VC, a graft copolymer, and the like.
  • the N-vinyl chain amide include N-vinylacetamide, N-vinylpropionic acid amide, N-vinylbutyric acid amide and the like.
  • polymers containing N- (meth) acryloyl type monomer units include homopolymers and copolymers of N- (meth) acryloyl type monomers (typically copolymers of N- (meth) acryloyl type monomers). A copolymer having a polymerization ratio of more than 50% by weight).
  • examples of the N- (meth) acryloyl type monomer include a chain amide having an N- (meth) acryloyl group and a cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group.
  • chain amides having an N- (meth) acryloyl group include (meth) acrylamide; N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl ( N-alkyl (meth) acrylamides such as (meth) acrylamide and Nn-butyl (meth) acrylamide; N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dipropyl (meta) ) Acrylamide, N, N-diisopropyl (meth) acrylamide, N, N-dialkyl (meth) acrylamide such as N, N-di (n-butyl) (meth) acrylamide;
  • polymers containing a chain amide having an N- (meth) acryloyl group as a monomer unit include homopolymers of
  • Examples of the cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group include N- (meth) acryloylmorpholine, N- (meth) acryloylpyrrolidine and the like.
  • Examples of the polymer containing a cyclic amide having an N- (meth) acryloyl group as a monomer unit include a homopolymer of N-acryloylmorpholine and a copolymer of N-acryloylmorpholine (for example, the copolymerization ratio of N-acryloylmorpholine is Copolymer exceeding 50% by weight).
  • the nitrogen-containing polymer may be preferably employed a polymer including, for example, N- vinyl polymer chain.
  • the polymer chain is a concept including a polymer chain constituting the whole polymer of one molecule and a polymer chain constituting a part of the polymer of one molecule.
  • the N-vinyl polymer chain is a polymer chain in which the copolymerization ratio of the N-vinyl monomer is more than 50% by weight and 100% by weight or less.
  • a polymer chain (N-vinyl) in which the content of repeating units derived from N-vinyl lactam type monomers such as N-vinyl pyrrolidone, N-vinyl piperidone, N-vinyl caprolactam is more than 50 wt% and not more than 100 wt%
  • N-vinyl lactam type monomers such as N-vinyl pyrrolidone, N-vinyl piperidone, N-vinyl caprolactam is more than 50 wt% and not more than 100 wt%
  • a graft copolymer of polyvinyl alcohol and polyvinyl pyrrolidone can be given.
  • Such a polymer containing an N-vinyl polymer chain can be preferably used in combination with a cellulose derivative as one component of the water-soluble polymer P 2 , and in another embodiment, a water-soluble polymer other than the cellulose derivative. It may be used in combination with a polymer (for example, a vinyl alcohol polymer, a polymer containing an oxyalkylene unit, etc.).
  • the water-soluble polymer P 2 is also composed of a composition containing an N-vinyl polymer chain alone, a composition containing a vinyl alcohol polymer alone, a composition containing an oxyalkylene unit alone, a vinyl alcohol
  • a composition including a combination of a polymer and a cellulose derivative, a composition including a combination of a polymer including an oxyalkylene unit and a cellulose derivative, and the like may be used.
  • Mw of the water-soluble polymer P 2 is not particularly limited.
  • the Mw of the water-soluble polymer P 2 may be, for example, 200 ⁇ 10 4 or less, 150 ⁇ 10 4 or less, 100 ⁇ 10 4 or less, or 70 ⁇ 10 4 or less.
  • Mw is 50 ⁇ 10 than 4 (more preferably less than 30 ⁇ 10 4, for example, 28 ⁇ 10 4 or less) can be preferably used a water-soluble polymer P 2 of.
  • the Mw of the water-soluble polymer P 2 is usually preferably 1 ⁇ 10 4 or more (for example, 2 ⁇ 10 4 or more).
  • the weight average molecular weight Mw P1 of the water-soluble polymer P 1 contained in the intermediate polishing composition and the weight average of the water-soluble polymer P 2 contained in the final polishing composition is preferably selected so as to satisfy the relationship of Mw P1 > Mw P2 . This tends to achieve a higher quality surface after finish polishing.
  • Water-soluble polymer P 1 and a water-soluble polymer P 2 is, for example, Mw P1 / Mw P2 can be selected to be 1.3 or more. In one embodiment, Mw P1 / Mw P2 may be 1.5 or more, 2 or more, 3 or more, or 4 or more.
  • Mw P1 / Mw P2 may be, for example, 100 or less, may be 50 or less, may be 20 or less, may be 10 or less in one embodiment (e.g., 7.0 or less).
  • the type having the highest Mw contained in each water-soluble polymer Mw P1 and Mw P2 shall be contrasted for the water-soluble polymer.
  • the dispersion parameter alpha 2 of the surface protective agent S 2 is in relation to the dispersion parameter alpha 1 of the surface protective agent S 1 described above, alpha 1 / It is preferable to satisfy ⁇ 2 ⁇ 0.5.
  • the dispersion parameter alpha 2 of the surface protective agent S 2 in the measurement of the dispersion parameter alpha 1 described above is obtained by using a surface protective agent S 2 in place of the surface protective agent S 1. Polishing while suppressing the occurrence of defects by performing the intermediate polishing process and the final polishing process using the intermediate polishing composition and the final polishing composition selected so that ⁇ 1 / ⁇ 2 is 0.5 or more. The surface smoothness of the object can be effectively improved.
  • ⁇ 1 / ⁇ 2 is 1.0 or more, more preferably 1.5 or more, for example 3.5 or more or 5.0 or more.
  • the upper limit of ⁇ 1 / ⁇ 2 is not particularly limited, but in practice, ⁇ 1 / ⁇ 2 is usually suitably 10 or less, preferably 8 or less, for example 6 or less.
  • Dispersion parameter alpha 2 of the surface protective agent S 2 may be, for example, 50% or less, it is usually preferably 30% or less, more preferably 20% or less. By reducing ⁇ 2 , filterability and cleanability tend to be improved. From the viewpoint of improving the surface protective and wettability after polishing of a polishing object, the dispersion parameter alpha 2, usually suitable to be 1% or more, preferably 5% or more.
  • Surface protective agent S 2 may contain a dispersing agent D 2 in addition to the water-soluble polymer P 2.
  • the dispersant D 2 By using the dispersant D 2 , the dispersibility parameter ⁇ 2 of the surface protective agent S 2 can be adjusted, and it becomes easy to satisfy the preferable ⁇ 1 / ⁇ 2 described above. It is preferable to reduce the dispersibility parameter ⁇ 2 from the viewpoint of improving the filterability and cleanability of the finish polishing composition.
  • the dispersant D 2 can be used by selecting one or two or more from among the materials exemplified as a dispersing agent D 1 which may be used in the surface protective agent S 1 of the intermediate polishing composition.
  • Mw can be adopted 1 ⁇ 10 4 or less of the surfactant (preferably nonionic surfactants) as a dispersing agent D 2.
  • the surfactant preferably nonionic surfactants
  • preferable surfactants include block copolymers of EO and PO (particularly, PEO-PPO-PEO type triblock copolymers) and polyoxyethylene alkyl ethers (for example, polyoxyethylene decyl ether). .
  • the concentration of the surface protective agent S 2 in the final polishing composition is not particularly limited and may be, for example, 0.0005% by weight or more. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the preferred concentration is 0.001% by weight or more, more preferably 0.002% by weight or more. In one embodiment, the concentration of the surface protective agent S 2 may be 0.003 wt% or more, may be 0.005% by weight or more. Further, the concentration of the surface protective agent S 2 can be, for example, 1.0% by weight or less, usually 0.5% by weight or less, and may be 0.1% by weight or less. It is good also as 0.05 weight% or less (for example, 0.02 weight% or less).
  • the content of the surface protective agent S 2 with respect to 100 g of the abrasive grain A 2 can be, for example, 0.01 g or more, and usually 0.05 g or more is appropriate. is there. From the viewpoint of obtaining a higher protective effect, the content may be 0.1 g or more, 0.5 g or more, 1 g or more, or 2 g or more (for example, 3 g or more). Further, from the viewpoint of filterability and cleanability, the content of the surface protective agent S 2 with respect to 100 g of the abrasive grain A 2 is usually suitably 15 g or less, and may be 10 g or less, or 7 g or less. (For example, 5 g or less).
  • the content C P2 of the water-soluble polymer P 2 per 100 g of the abrasive grain A 2 in the finish polishing composition is equal to the water-soluble polymer P 1 per 100 g of the abrasive grain A 1 in the intermediate polishing composition.
  • C P2 / C P1 can be set to be, for example, 1.0 or more (typically larger than 1.0).
  • the technique disclosed here can be suitably implemented in a mode in which C P2 / C P1 is 1.2 or more (for example, 1.5 or more, 2.0 or more, or 2.5 or more).
  • C P2 / C P1 can be set to, for example, 10 or less, usually 7 or less, or 5 or less.
  • the surface smoothness of the object to be polished is suppressed while suppressing the occurrence of defects. Can be improved effectively.
  • the finish polishing composition typically contains water.
  • water the same water as that of the intermediate polishing composition can be used.
  • the finish polishing composition is a chelating agent, organic acid, organic acid salt, inorganic acid, inorganic acid salt, preservative, antifungal agent as long as the effects of the present invention are not significantly hindered.
  • a known additive that can be used for a polishing composition (typically, a polishing composition used in a polishing step of a silicon substrate), may be further contained as necessary.
  • the finish polishing composition in the technique disclosed herein may be in an embodiment substantially free of a chelating agent. Moreover, it is preferable that the final polishing composition does not substantially contain an oxidizing agent, like the intermediate polishing composition.
  • the pH of the finish polishing composition is usually suitably 8.0 or more, preferably 8.5 or more, more preferably 9.0 or more, further preferably 9.5 or more, particularly preferably 9. .8 or more.
  • the pH of the intermediate polishing composition is suitably 12.0 or less from the viewpoint of preventing dissolution of abrasive grains (for example, silica particles) and suppressing a decrease in mechanical polishing action by the abrasive grains. Yes, preferably 11.8 or less, more preferably 11.5 or less, and even more preferably 11.0 or less (for example, 10.5 or less).
  • the polishing composition disclosed herein is typically in the form of a polishing slurry containing the polishing composition, and can be used for polishing a polishing object, for example, as follows. That is, a polishing slurry used in each polishing step or each polishing step is prepared. Next, the polishing slurry (working slurry) is supplied to the object to be polished and polished by a conventional method. For example, an object to be polished is set in a polishing apparatus, and polishing slurry is supplied to the surface of the object to be polished (surface to be polished) through a polishing pad fixed to a surface plate (polishing surface plate) of the polishing apparatus. Typically, while continuously supplying the polishing slurry, the polishing pad is pressed against the surface of the object to be polished, and both are relatively moved (for example, rotated).
  • Each polishing slurry may be in a concentrated form (that is, in the form of a concentrated slurry of the polishing slurry and can be grasped as a stock solution of the polishing slurry) before being supplied to the object to be polished. That is, the concept of the polishing composition in the technology disclosed herein is used as a polishing slurry (working slurry) that is supplied to a polishing object and used for polishing the polishing object and diluted as a polishing slurry. Both concentrates (ie, stock solutions of polishing slurries) are included.
  • the polishing slurry (concentrated liquid) in such a concentrated form is advantageous from the viewpoints of convenience, cost reduction, etc. during production, distribution, storage and the like.
  • the concentration ratio is not particularly limited, and can be, for example, about 2 to 100 times in terms of volume, and usually about 5 to 50 times (for example, about 10 to 40 times) is appropriate.
  • the content of abrasive grains in the concentrated liquid can be, for example, 50% by weight or less.
  • the abrasive grain content in the concentrated liquid is preferably 45% by weight or less, more preferably 40% by weight. It is as follows.
  • the content of abrasive grains can be, for example, 0.5% by weight or more, preferably 1% by weight or more, and more preferably Is 3% by weight or more (for example, 4% by weight or more).
  • the content of the abrasive grains may be 5% by weight or more, or 10% by weight or more (for example, 15% by weight or more, 20% by weight or more, or 30% by weight or more).
  • Such a concentrated liquid can be used in such a manner that a polishing slurry (working slurry) is prepared by diluting at a desired timing and the polishing slurry is supplied to a polishing object.
  • the dilution can be performed, for example, by adding water to the concentrated solution and mixing.
  • the polishing composition disclosed herein may be a one-part type or a multi-part type including a two-part type.
  • a polishing slurry is prepared by mixing part A containing at least abrasive grains and part B containing the remaining components among the constituents of the polishing slurry, and diluting at an appropriate timing as necessary. It may be configured.
  • each component contained in the polishing composition may be mixed using a well-known mixing device such as a blade-type stirrer, an ultrasonic disperser, or a homomixer.
  • a well-known mixing device such as a blade-type stirrer, an ultrasonic disperser, or a homomixer.
  • the aspect which mixes these components is not specifically limited, For example, all the components may be mixed at once and may be mixed in the order set suitably.
  • a double-side polishing apparatus that simultaneously polishes both sides of the object to be polished, or a single-side polishing apparatus that polishes only one side of the object to be polished may be used.
  • a single-side polishing apparatus can be preferably employed.
  • the polishing pad used in each polishing step is not particularly limited.
  • a polishing pad of foamed polyurethane type, non-woven fabric type, suede type or the like can be used.
  • Each polishing pad may include abrasive grains or may not include abrasive grains.
  • the polishing of an object to be polished (here, a silicon substrate, typically a silicon single crystal wafer) is completed through the intermediate polishing step and the finish polishing step as described above. Therefore, as another aspect of the technology disclosed herein, an intermediate polishing step performed using any of the intermediate polishing compositions disclosed herein, and a final polishing step (typically performed after the intermediate polishing step) Specifically, a polishing object (by polishing) including applying a polishing process including a final polishing step performed using any of the final polishing compositions disclosed herein, and polishing the object to be polished (Product) is provided.
  • a polishing composition set that can be preferably used in a silicon substrate polishing process including an intermediate polishing step and a final polishing step is provided.
  • the polishing composition set includes at least one of the intermediate polishing compositions disclosed herein and a final polishing composition.
  • the intermediate polishing composition may be a polishing slurry or a concentrated liquid used in the intermediate polishing step.
  • the finish polishing composition may be a polishing slurry or a concentrated solution used in the finish polishing step.
  • the surface protective agent S 2 comprises a water-soluble polymer P 2, and (alpha 1 / Those satisfying ⁇ 2 ) ⁇ 0.5 can be preferably used.
  • Example 1 In deionized water, abrasive grains A 1 0.23% BET diameter of 35nm colloidal silica as, Mw is 120 ⁇ 10 4 of hydroxyethyl cellulose (HEC) 0.003% water-soluble polymer P 1, dispersing agents An intermediate polishing composition comprising 0.0004% of a PEO-PPO-PEO block copolymer having an Mw of 9000 as D 1 and 0.01% of ammonia as a basic compound B 1 with the balance being water. was prepared.
  • HEC hydroxyethyl cellulose
  • Example 2 and 3 Intermediate polishing compositions according to Examples 2 and 3 were prepared in the same manner as in Example 1 , except that the concentration of the dispersant D1 was changed as shown in Table 1.
  • Example 4 An intermediate polishing composition according to this example was prepared in the same manner as in Example 3 except that HEC having an Mw of 50 ⁇ 10 4 was used as the water-soluble polymer P 1 .
  • Example 5 Other used at a concentration of 0.00002% polyoxyethylene decyl ether moles of ethylene oxide added 5 (C10PEO5) as a dispersing agent D 1 in the same manner as in Example 4, the intermediate polishing composition according to the present embodiment Prepared.
  • C10PEO5 polyoxyethylene decyl ether moles of ethylene oxide added 5
  • Comparative Example 1 Other not using the dispersant D 1 in the same manner as in Example 1 to prepare an intermediate polishing composition of Comparative Example 1.
  • Comparative Example 2 Other not using the dispersant D 1 in the same manner as in Example 4, was prepared intermediate polishing composition of Comparative Example 2.
  • Comparative Example 3 An intermediate polishing composition according to Comparative Example 3 was prepared in the same manner as Comparative Example 2 except that the concentration of the water-soluble polymer P 1 was changed to 0.006%.
  • Example 4 An intermediate polishing composition according to this example was prepared in the same manner as in Example 4 except that HEC having an Mw of 25 ⁇ 10 4 was used as the water-soluble polymer P 1 .
  • a commercially available silicon single crystal wafer having a diameter of 300 mm and finished lapping and etching (conduction type: P type, crystal orientation: ⁇ 100>, resistivity: 1 ⁇ ⁇ cm or more and less than 100 ⁇ ⁇ cm, COP free) is used. did.
  • Polishing device Single wafer polishing machine manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd. Model “PNX-332B” Polishing load: 20 kPa Plate rotation speed: 20 rpm Carrier rotation speed: 20rpm Polishing pad: Product name “FP55”, manufactured by Fujibo Atago Co., Ltd. Polishing liquid supply rate: 1 liter / min Polishing liquid temperature: 20 ° C. Surface plate cooling water temperature: 20 ° C Polishing time: 2 minutes
  • Polishing device Single wafer polishing machine manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd. Model “PNX-332B” Polishing load: 15 kPa Plate rotation speed: 30 rpm Carrier rotation speed: 30rpm Polishing pad: Polishing pad manufactured by Fujibo Atago Co., Ltd., trade name “POLYPAS27NX” Polishing liquid supply rate: 2 l / min Polishing liquid temperature: 20 ° C. Surface plate cooling water temperature: 20 ° C Polishing time: 2 minutes
  • SC-1 wash More specifically, two cleaning tanks equipped with an ultrasonic oscillator with a frequency of 950 kHz are prepared, the cleaning liquid is accommodated in each of the first and second cleaning tanks and held at 60 ° C., and after polishing.
  • the silicon wafer is immersed in the first cleaning tank for 6 minutes, then rinsed with ultrapure water and ultrasonic waves, and then immersed in the second cleaning tank for 6 minutes, each with the ultrasonic oscillator activated, and isopropyl alcohol. (IPA) It was pulled up into the atmosphere and dried.
  • a primary polishing step using a common primary polishing composition an intermediate polishing step using each of the intermediate polishing compositions according to Examples and Comparative Examples, and a common finish polishing composition A silicon wafer polished by a polishing process including the final polishing step used was obtained.
  • LPD number evaluation> Using a wafer inspection apparatus (trade name “Surfscan SP2” manufactured by KLA-Tencor Corporation), defects (particles) having a size of 37 nm or more present on the surface of the silicon wafer obtained by each of the examples and comparative examples. The number was counted. The counted number of defects (LPD number) is shown in Table 1 in terms of a relative value where the number of LPDs in Comparative Example 1 is 100.
  • the surface protecting agent S includes a water-soluble polymer P 1 having a weight average molecular weight Mw P1 higher than 30 ⁇ 10 4 , a dispersant D 1 , and ⁇ 1 of less than 80%.
  • the intermediate polishing compositions of examples 1-5 containing 1, compared with Comparative example 1, that the number of LPD is significantly reduced after the final polishing was confirmed.
  • Comparative Example 4 using the water-soluble polymer P 1 having a weight average molecular weight Mw P1 of 30 ⁇ 10 4 or less as the intermediate polishing composition the number of LPDs was increased as compared with Comparative Example 1.
  • Comparative Example 5 in which ⁇ 1 is greater than 80% and Comparative Examples 2 and 3 in which the dispersant D 1 is not used, the effect of reducing the number of LPDs was small.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

シリコン基板の仕上げ研磨工程より上流の工程で用いられて、仕上げ研磨工程後において高品位の表面を効果的に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明によると、中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて上記中間研磨工程に用いられる中間研磨用組成物が提供される。上記中間研磨用組成物は、砥粒Ａ１と、塩基性化合物Ｂ１と、表面保護剤Ｓ１とを含む。上記表面保護剤Ｓ１は、重量平均分子量が３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１を含み、さらに、分散剤Ｄ１を含み、かつ分散性パラメータα１が８０％未満である。

Description

シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
　本発明は、シリコン基板中間研磨用組成物および該組成物を含むシリコン基板研磨用組成物セットに関する。本出願は、２０１７年２月２０日に出願された日本国特許出願２０１７－２９１５３号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。
　半導体製品の製造等に用いられるシリコン基板の表面は、一般に、ラッピング工程とポリシング工程とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備ポリシング工程（予備研磨工程）と仕上げポリシング工程（仕上げ研磨工程）とを含む複数の研磨工程により構成されている。シリコンウェーハ等の半導体基板の研磨に関する技術文献として特許文献１～３が挙げられる。
日本国特許出願公開２０１２－８９８６２号公報 日本国特許出願公開２０１５－１２４２３１号公報 日本国特許出願公開２０１６－４９５３号公報
　半導体配線の微細化に伴い、シリコン基板をより高品位な表面に仕上げることが求められている。例えば、仕上げ研磨後の表面において、一般にＬＰＤ（Light Point Defect；ＬＰＤ）と称される微小パーティクルの数をより低減することが望まれている。特許文献１には、低粘度の水溶性高分子化合物を含む仕上げ研磨用組成物を用いることにより、研磨後の表面の濡れ性を向上させ、パーティクルの付着等の微小な欠陥を低減する技術が記載されている。特許文献２には、所定の慣性半径および接触角を満たすヒドロキシエチルセルロースを用いることにより、同様に研磨後の濡れ性向上および表面欠陥低減を図る技術が記載されている。しかし、このような技術によっても、仕上げ研磨後の表面品質に関する近年の要求レベルには十分に対応できない場合があった。
　そこで本発明は、シリコン基板の仕上げ研磨工程より上流の工程で用いられて、仕上げ研磨工程後において高品位の表面を効果的に実現し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、かかる研磨用組成物を含むシリコン基板研磨用組成物セットを提供することである。
　この明細書によると、中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて、上記中間研磨工程に用いられる中間研磨用組成物が提供される。上記中間研磨用組成物は、砥粒Ａ１と、塩基性化合物Ｂ１と、表面保護剤Ｓ１とを含む。上記表面保護剤Ｓ１は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１を含み、さらに分散剤Ｄ１を含む。上記表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１は８０％未満である。このような中間研磨用組成物は、Ｍｗが３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１を含むことにより、中間研磨工程に適した加工力と研磨対象物表面の保護性とを好適に両立し得る。また、表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１が８０％未満に制限されているので、中間研磨用組成物中における水溶性高分子Ｐ１の分散性がよく、該水溶性高分子Ｐ１に起因する欠陥の発生を効果的に抑制することができる。また、分散剤Ｄ１の使用により上記水溶性高分子Ｐ１の分散性を改善し、分散性パラメータα１の値をより小さくすることができる。このような中間研磨用組成物によると、中間研磨工程において、仕上げ研磨工程後に高品位の表面が得られやすい研磨対象物表面を実現することができる。
　表面保護剤Ｓ１における分散剤Ｄ１の含有量は、例えば、上記水溶性高分子Ｐ１の含有量の０．８倍以下とすることができる。これにより、中間研磨工程に適した加工力と表面保護性とをより好適に両立させることができ、仕上げ研磨工程後においてより高品位の表面が得られやすい研磨対象物表面を実現することができる。
　分散剤Ｄ１としては、Ｍｗが３×１０４以下のものを好ましく使用し得る。このような分散剤Ｄ１によると、分散性パラメータα１が効率よく低減される傾向にある。したがって、中間研磨工程に適した加工力と表面保護性とをより好適に両立させ得る。
　ここに開示される技術の好ましい一態様において、上記表面保護剤Ｓ１は、上記水溶性高分子Ｐ１としてセルロース誘導体を含む。このような態様において、本発明を適用することによる効果が特に好適に発揮され得る。
　上記表面保護剤Ｓ１の含有量は、上記砥粒Ａ１の含有量１００ｇ当たり、例えば０．００５ｇ以上５ｇ以下とすることができる。表面保護剤Ｓ１の含有量を上記範囲とすることにより、中間研磨工程に適した加工力と表面保護性とを好適に両立させやすくなる。
　好ましい一態様において、上記砥粒Ａ１はシリカ粒子であり得る。砥粒Ａ１がシリカ粒子である態様において、本発明を適用することによる効果が特に好適に発揮され得る。
　この明細書によると、また、ここに開示されるいずれかの中間研磨用組成物と、上記仕上げ研磨工程に用いられる仕上げ研磨用組成物と、を含むシリコン基板研磨用組成物セットが提供される。上記仕上げ研磨用組成物は、砥粒Ａ２と、塩基性化合物Ｂ２と、表面保護剤Ｓ２とを含み得る。上記表面保護剤Ｓ２は、典型的には、水溶性高分子Ｐ２を含む。上記研磨用組成物セットは、上記中間研磨用組成物に含まれる表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１と、上記仕上げ研磨用組成物に含まれる表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２との関係が、次式：（α１／α２）≧０．５；を満たすことが好ましい。このような構成の研磨用組成物セットを用いてシリコン基板を研磨することにより、高品位な表面を有するシリコン基板が好適に製造され得る。
　上記仕上げ研磨用組成物に含まれる表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２は、１％以上３０％以下であることが好ましい。このような仕上げ研磨用組成物を用いることにより、より高品位の研磨対象物表面が実現され得る。
　以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
　この明細書において「仕上げ研磨工程」とは、砥粒を含む研磨用組成物を用いて行われる研磨工程のうち最後に（すなわち、最も下流側に）配置される研磨工程をいう。かかる仕上げ研磨工程に用いられる研磨用組成物を「仕上げ研磨用組成物」という。したがって、ここに開示される技術における仕上げ研磨用組成物は、シリコン基板の研磨過程で用いられる複数種類の研磨用組成物のうち、最も下流側で用いられる種類の研磨用組成物として把握され得る。
　この明細書において「中間研磨工程」とは、砥粒を含む研磨用組成物を用いて行われる研磨工程のうち、上記仕上げ研磨工程の直前に配置される研磨工程をいう。すなわち、仕上げ研磨工程に先だって行われる予備研磨工程（予備ポリシング工程）のうち、最も下流側に配置される予備研磨工程をいう。また、かかる中間研磨工程に用いられる研磨用組成物を「中間研磨用組成物」という。したがって、ここに開示される技術における中間研磨用組成物は、シリコン基板の研磨過程で用いられる複数種類の研磨用組成物のうち、下流側から２番目に用いられる種類の研磨用組成物として把握され得る。上記中間研磨工程は、予備研磨工程における最初の研磨工程（一次予備研磨工程）であってもよく、二番目以降の研磨工程であってもよい。ここに開示される中間研磨用組成物は、上記中間研磨工程が予備研磨工程における二番目以降の研磨工程である態様において好適に用いられ得る。すなわち、ここに開示される中間研磨用組成物は、一次予備研磨工程を終えたシリコン基板の中間研磨工程において好ましく用いられ得る。
　ここに開示される技術は、シリコン基板（特にシリコンウェーハ）を研磨対象物とする研磨に好ましく適用される。ここでいうシリコンウェーハの典型例はシリコン単結晶ウェーハであり、例えば、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコン単結晶ウェーハである。ここに開示される技術における研磨対象面は、典型的には、シリコンからなる表面である。上記シリコン基板には、ここに開示される中間研磨工程の前に、ラッピングやエッチング、あるいは上述した一次予備研磨等の、中間研磨工程より上流の工程においてシリコン基板に適用され得る一般的な処理が施されていてもよい。
　なお、以下の説明において、いずれの研磨工程に用いられる研磨用組成物であるか（例えば、中間研磨用組成物であるか仕上げ研磨用組成物であるか）を問わず、ポリシング工程において使用される研磨用組成物一般を指す用語として「研磨用組成物」の語を用いることがある。
＜表面保護剤Ｓ１＞
　ここに開示される中間研磨用組成物は、砥粒Ａ１と、塩基性化合物Ｂ１と、表面保護剤Ｓ１とを含む。上記表面保護剤Ｓ１は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１を含み、さらに分散剤Ｄ１を含み、かつ分散性パラメータα１が８０％未満であることによって特徴づけられる。
　（水溶性高分子Ｐ１のＭｗ）
　水溶性高分子Ｐ１は、中間研磨工程において、研磨対象物表面の保護性を高める働きをする。これにより、中間研磨工程の終了時における研磨対象物（ここではシリコン基板）の表面の平滑性をより高くし得る。中間研磨終了時の平滑性が高いことは、仕上げ研磨工程で解消すべき凹凸が少なく、仕上げ研磨工程の負荷が小さいことを意味する。したがって、仕上げ研磨工程において、より研磨力（加工力）が弱い仕上げ研磨用組成物を採用しても、仕上げ研磨の開始時点で存在する凹凸を所望のレベルまで解消することが可能となる。より加工力の弱い仕上げ研磨用組成物を用いることにより、仕上げ研磨工程において研磨対象物に加わる負荷を軽減して欠陥発生を抑制し、仕上げ研磨後の研磨対象物の表面品位を向上させ得る。
　水溶性高分子Ｐ１としては、Ｍｗが３０×１０４より高いものが用いられる。水溶性高分子Ｐ１のＭｗ（ＭｗＰ１）は、４０×１０４より高いことが好ましく、５０×１０４より高いことがより好ましい。ＭｗＰ１が大きくなると、水溶性高分子Ｐ１の重量当たりに含まれる分子数が少なくなるため、中間研磨工程に適した加工力が得られやすくなる。かかる観点から、ＭｗＰ１が７０×１０４以上の水溶性高分子Ｐ１を好ましく用いることができる。一態様において、ＭｗＰ１は、８５×１０４以上であってもよく、例えば１００×１０４以上であってもよい。ＭｗＰ１の上限は特に制限されず、例えば２５０×１０４以下であってよく、２００×１０４以下でもよい。分散性パラメータα１を低減する観点から、一態様において、ＭｗＰ１が１７０×１０４以下（例えば１５０×１０４以下）の水溶性高分子Ｐ１を好ましく採用し得る。ＭｗＰ１は、例えば１３０×１０４以下であってもよい。
　水溶性高分子Ｐ１の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との関係は特に制限されない。凝集物の発生防止等の観点から、例えば分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１０．０以下であるものが好ましく、７．０以下であるものがさらに好ましい。なお、Ｍｗ／Ｍｎは、原理上、１．０以上であり、典型的には１．０５以上である。ここに開示される技術は、水溶性高分子Ｐ１のＭｗ／Ｍｎが２．０以上（例えば３．０以上、または４．０以上、または５．０以上）である態様でも好適に実施され得る。
　なお、本明細書において、水溶性高分子や後述する分散剤の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づく値（水系、ポリエチレンオキサイド換算）を採用することができる。
　（分散性パラメータα１）
　表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１は、所定の方法で行われる吸引濾過において、標準ポリマーおよびアンモニアを含み残部が水からなる標準液１００ｇの濾過時間（通液時間）Ｔ０と、表面保護剤Ｓ１およびアンモニアを含み残部が水からなる試験液１００ｇの濾過時間（通液時間）Ｔ１とから、以下の式により算出される。
　　分散性パラメータα１（％）＝（Ｔ１／Ｔ０）×１００
　ここで、上記標準液および上記試験液のアンモニア濃度は、いずれも０．５７重量％とする。上記標準ポリマーとしては、重量平均分子量（Ｍｗ）が１２０×１０４のヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を使用する。上記標準液における上記標準ポリマーの濃度は、０．１２重量％とする。上記試験液における表面保護剤Ｓ１の濃度は、該表面保護剤Ｓ１を構成する水溶性高分子Ｐ１の濃度が上記標準ポリマーの濃度と同じ濃度（すなわち０．１２重量％）となるように設定する。
　上記通液時間Ｔ０およびＴ１は、以下のようにして測定される。
　　〔吸引濾過条件〕
　使用フィルタ：
　　　種類　メンブレンフィルター（φ４７ｍｍ、ディスク型）
　　　材質　混合セルロースエステル
　　　孔径　１．０μｍ
　吸引圧力：０．００５ＭＰａ
　　〔通液時間の測定手順〕
　吸引濾過器にメンブレンフィルターをセットし、上記吸引圧力にて脱イオン水１００ｇを吸引濾過し、続いて標準液１００ｇを吸引濾過する。このとき標準液１００ｇの濾過に要した時間（通液時間）Ｔ０を計測する。
　次いで、メンブレンフィルターを新しいものに交換した後、上記吸引圧力にて脱イオン水１００ｇを吸引濾過し、続いて試験液１００ｇを吸引濾過する。このとき試験液１００ｇの濾過に要した時間（通液時間）Ｔ１を計測する。
　このようにして求められるα１は、中間研磨用組成物中における水溶性高分子Ｐ１の分散性の程度を見積もる目安として役立ち得る。α１が８０％未満である表面保護剤Ｓ１によると、中間研磨用組成物中において上記表面保護剤Ｓ１に含まれる水溶性高分子Ｐ１を適切に分散させることができ、中間研磨用組成物に水溶性高分子Ｐ１を含ませることにより生じ得る弊害（例えば、高Ｍｗの水溶性高分子Ｐ１に起因する欠陥の発生等）を高度に抑制することができる。α１が７５％以下（より好ましくは７０％以下、例えば６５％以下）である表面保護剤Ｓ１によると、より高い効果が発揮され得る。ここに開示される技術は、α１が６０％以下である態様でも好適に実施され得る。α１の下限は特に制限されず、例えば１０％以上であり得る。水溶性高分子Ｐ１による保護性能を高める観点等から、α１は、通常、２５％以上が適当であり、４０％以上であってもよく、４５％以上であってもよく、５０％以上（例えば５５％以上）であってもよい。α１は、水溶性高分子Ｐ１の種類や分子量の選択、分散剤Ｄ１の選択や使用量等により調節することができる。
　特に限定するものではないが、上述したα１の条件が満たされる範囲において、α１に対して水溶性高分子Ｐ１のＭｗをより高くすることにより、より好適な結果が実現され得る。かかる観点から、ここに開示される技術における表面保護剤Ｓ１は、例えば、α１／ＭｗＰ１が７．０×１０－７以下となるように構成され得る。ここで、ＭｗＰ１は水溶性高分子Ｐ１のＭｗであり、典型的には３０×１０４以上である。α１は、表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータであり、典型的には８０％未満（すなわち０．８未満）である。α１／ＭｗＰ１の値が小さい表面保護剤Ｓ１は、水溶性高分子Ｐ１のＭｗＰ１の割に、該表面保護剤Ｓ１の分散性がよいといえる。したがって、α１／ＭｗＰ１がより小さい表面保護剤Ｓ１を含む中間研磨用組成物によると、水溶性高分子Ｐ１の使用に起因する欠陥の発生を防ぎつつ、加工力と研磨対象物表面の保護性とがより好適に両立される傾向にある。かかる観点から、α１／ＭｗＰ１は、６．５×１０－７以下であることが好ましく、６．０×１０－７以下であることがより好ましい。一態様において、α１／ＭｗＰ１は、５．５×１０－７以下であってよく、例えば５．０×１０－７以下であってもよい。α１／ＭｗＰ１の下限は特に限定されない。実用性の観点から、α１／ＭｗＰ１は、例えば１．５×１０－７以上であってよく、２．０×１０－７以上でもよく、２．５×１０－７以上でもよく、３．０×１０－７以上（例えば３．５×１０－７以上）でもよい。ここに開示される技術は、α１／ＭｗＰ１が４．０×１０－７以上（例えば４．５×１０－７以上）である態様でも好適に実施され得る。
　（水溶性高分子Ｐ１）
　ここに開示される技術において、水溶性高分子Ｐ１の種類は特に限定されず、研磨用組成物の分野において公知の水溶性高分子のなかから適宜選択することができる。水溶性高分子Ｐ１は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　例えば、水溶性高分子Ｐ１は、カチオン性基、アニオン性基およびノニオン性基から選ばれる少なくとも一種の官能基を分子中に有する水溶性高分子から選択され得る。上記水溶性高分子は、例えば、分子中に水酸基、カルボキシ基、アシルオキシ基、スルホ基、第１級アミド構造、複素環構造、ビニル構造、ポリオキシアルキレン構造等を有するものであり得る。凝集物の低減や洗浄性向上等の観点から、水溶性高分子Ｐ１としてノニオン性のポリマーを好ましく採用し得る。
　水溶性高分子Ｐ１として利用し得る水溶性高分子の例としては、セルロース誘導体、デンプン誘導体、オキシアルキレン単位を含むポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、窒素原子を含有するポリマー等が挙げられる。なかでも、セルロース誘導体、デンプン誘導体が好ましく、セルロース誘導体がより好ましい。
　セルロース誘導体は、主たる繰返し単位としてβ－グルコース単位を含むポリマーである。セルロース誘導体の具体例としては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。なかでもＨＥＣが好ましい。
　デンプン誘導体は、主たる繰返し単位としてα－グルコース単位を含むポリマーである。デンプン誘導体の具体例としては、アルファ化デンプン、プルラン、カルボキシメチルデンプン、シクロデキストリン等が挙げられる。なかでもプルランが好ましい。
　オキシアルキレン単位を含むポリマーとしては、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）や、エチレンオキサイド（ＥＯ）とプロピレンオキサイド（ＰＯ）またはブチレンオキサイド（ＢＯ）とのブロック共重合体、ＥＯとＰＯまたはＢＯとのランダム共重合体等が例示される。そのなかでも、ＥＯとＰＯのブロック共重合体またはＥＯとＰＯのランダム共重合体が好ましい。ＥＯとＰＯとのブロック共重合体は、ＰＥＯブロックとポリプロピレンオキサイド（ＰＰＯ）ブロックとを含むジブロック共重合体、トリブロック共重合体等であり得る。上記トリブロック共重合体の例には、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型トリブロック共重合体およびＰＰＯ－ＰＥＯ－ＰＰＯ型トリブロック共重合体が含まれる。通常は、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型トリブロック共重合体がより好ましい。
　なお、本明細書中において共重合体とは、特記しない場合、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等の各種の共重合体を包括的に指す意味である。
　ＥＯとＰＯとのブロック共重合体またはランダム共重合体において、該共重合体を構成するＥＯとＰＯとのモル比（ＥＯ／ＰＯ）は、水への溶解性や洗浄性等の観点から、１より大きいことが好ましく、２以上であることがより好ましく、３以上（例えば５以上）であることがさらに好ましい。
　ビニルアルコール系ポリマーは、典型的には、主たる繰返し単位としてビニルアルコール単位（ＶＡ単位）を含むポリマー（ＰＶＡ）である。当該ポリマーにおいて、全繰返し単位のモル数に占めるＶＡ単位のモル数の割合は、通常は５０％以上であり、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、例えば７５％以上である。全繰返し単位が実質的にＶＡ単位から構成されていてもよい。ビニルアルコール系ポリマーがＶＡ単位と非ＶＡ単位（すなわち、ＶＡ単位以外の繰返し単位）とを含む場合、該非ＶＡ単位の種類は特に限定されない。上記非ＶＡ単位は、例えば、ビニルピロリドンに由来する構成単位、エチレンに由来する構成単位、アルキルビニルエーテル単位、モノカルボン酸ビニルエステル単位、ポリビニルアルコールとアルデヒドとをアセタール化して得られる構成単位、等であり得る。なかでも、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を有するビニルエーテル単位（アルキルビニルエーテル単位）、炭素原子数１以上７以下のモノカルボン酸に由来するビニルエステル単位（モノカルボン酸ビニルエステル単位）、および、ポリビニルアルコールと炭素原子数１以上７以下のアルキル基を有するアルデヒドとをアセタール化して得られる構成単位、からなる群から選択される非ＶＡ単位が好ましい。
　炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を有するビニルエーテル単位の例としては、メチルビニルエーテル単位、ｎ－およびｉ－プロピルビニルエーテル単位、ｎ－，ｉ－およびｔ－ブチルビニルエーテル単位、２－エチルヘキシルビニルエーテル単位等が挙げられる。炭素原子数１以上７以下のモノカルボン酸に由来するビニルエステル単位の例としては、プロパン酸ビニル単位、ブタン酸ビニル単位、ペンタン酸ビニル単位、ヘキサン酸ビニル単位等が挙げられる。炭素原子数１以上７以下のアルキル基を有するアルデヒドの例としては、アセトアルデヒド、ｎ－ブチルアルデヒド等が挙げられる。
　ＶＡ単位と非ＶＡ単位とを含むポリマーは、非ＶＡ単位として一種類の非ＶＡ単位のみを含んでもよく、二種類以上の非ＶＡ単位を含んでもよい。ＶＡ単位と非ＶＡ単位との含有比率（モル比）は特に制限されない。ＶＡ単位：非ＶＡ単位（モル比）は、例えば１：９９～９９：１であってよく、好ましくは９５：５～５０：５０であり、より好ましくは９５：５～８０：２０である。
　ＶＡ単位と非ＶＡ単位とを含むポリマーの例として、ビニルアルコール単位およびビニルピロリドン単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびエチレン単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびメチルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびｎ－プロピルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびｉ－プロピルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびｎ－ブチルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびｉ－ブチルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位およびｔ－ブチルビニルエーテル単位を含む共重合体、ビニルアルコール単位および２－エチルヘキシルビニルエーテル単位を含む共重合体、ポリビニルアルコールの一部をｎ－ブチルアルデヒドでアセタール化したポリマー、等が挙げられる。
　上記ＶＡ単位と非ＶＡ単位とを含むポリマーは、その側鎖に親水性官能基を有する変性ポリビニルアルコールであってもよい。上記親水性官能基の例としては、オキシアルキレン基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、水酸基、アミド基、イミド基、ニトリル基、エーテル基、エステル基、およびこれらの塩が挙げられる。上記変性ポリビニルアルコールとして、例えば、第四級アンモニウム構造等のカチオン性基を有するカチオン化ポリビニルアルコールを使用してもよい。上記カチオン化ポリビニルアルコールとしては、例えば、ジアリルジアルキルアンモニウム塩、Ｎ－（メタ）アクリロイルアミノアルキル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリアルキルアンモニウム塩等のカチオン性基を有するモノマーに由来するものが挙げられる。
　ＰＶＡのけん化度は、通常は５０モル％以上であり、好ましくは６５モル％以上、より好ましくは７０モル％以上、例えば７５モル％以上である。なお、ＰＶＡのけん化度は、原理上、１００モル％以下である。
　窒素原子を含有するポリマーの非限定的な例には、Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマー；イミン誘導体；Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマー；等が含まれる。
　Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマーの例には、窒素を含有する複素環（例えばラクタム環）を有するモノマーに由来する繰返し単位を含むポリマーが含まれる。このようなポリマーの例には、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）、Ｎ－ビニル鎖状アミドの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニル鎖状アミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）等が含まれる。
　Ｎ－ビニルラクタム型モノマー（すなわち、一分子内にラクタム構造とＮ－ビニル基とを有する化合物）の具体例としては、Ｎ－ビニルピロリドン（ＶＰ）、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルモルホリノン、Ｎ－ビニルカプロラクタム（ＶＣ）、Ｎ－ビニル－１，３－オキサジン－２－オン、Ｎ－ビニル－３，５－モルホリンジオン等が挙げられる。Ｎ－ビニルラクタム型のモノマー単位を含むポリマーの具体例としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカプロラクタム、ＶＰとＶＣとのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方と他のビニルモノマー（例えば、アクリル系モノマー、ビニルエステル系モノマー等）とのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方を含むポリマー鎖を含むブロック共重合体やグラフト共重合体等が挙げられる。
　Ｎ－ビニル鎖状アミドの具体例としては、Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ－ビニルプロピオン酸アミド、Ｎ－ビニル酪酸アミド等が挙げられる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの単独重合体および共重合体（典型的には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が含まれる。Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドおよびＮ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドが含まれる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドの例としては、（メタ）アクリルアミド；Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド等のＮ－アルキル（メタ）アクリルアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジ（ｎ－ブチル）（メタ）アクリルアミド等のＮ，Ｎ－ジアルキル（メタ）アクリルアミド；等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの単独重合体およびＮ－イソプロピルアクリルアミドの共重合体（例えば、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドの例としては、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ－（メタ）アクリロイルピロリジン等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、Ｎ－アクリロイルモルホリンの単独重合体およびＮ－アクリロイルモルホリンの共重合体（例えば、Ｎ－アクリロイルモルホリンの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。
　ここに開示される技術は、表面保護剤Ｓ１が水溶性高分子Ｐ１として少なくともセルロース誘導体（例えばＨＥＣ）含む態様で好ましく実施され得る。例えば、水溶性高分子Ｐ１としてセルロース誘導体を単独で使用する態様で好適に実施され得る。ここに開示される技術は、また、水溶性高分子Ｐ１がセルロース誘導体と他の水溶性高分子とを組み合わせて含む態様で実施してもよい。かかる態様において、水溶性高分子Ｐ１全体に占めるセルロース誘導体（例えばＨＥＣ）の割合は、例えば３０重量％以上（より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上）とすることができる。
　（分散剤Ｄ１）
　ここに開示される中間研磨用組成物における表面保護剤Ｓ１は、水溶性高分子Ｐ１と分散剤Ｄ１とを組み合わせて含む。分散剤Ｄ１の使用により、水溶性高分子Ｐ１の分散性を高め、表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１を小さくすることができる。これにより、水溶性高分子Ｐ１として選択し得る材料の種類やＭｗの範囲を広げることができる。例えば、α１の上昇を抑えつつ、より高Ｍｗの水溶性高分子Ｐ１を用いることが可能となる。分散剤Ｄ１は、基板の表面を保護する能力も有し得る。
　分散剤Ｄ１としては、水溶性高分子Ｐ１の分散剤として機能し得る材料（典型的には水溶性有機化合物）、すなわち表面保護剤Ｓ１に含有させることで該表面保護剤Ｓ１のα１を低減し得る材料を適宜採用し得る。分散剤は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　分散剤Ｄ１としては、例えば界面活性剤を用いることができる。アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤のいずれも使用可能である。通常は、アニオン性またはノニオン性の界面活性剤を好ましく採用し得る。低起泡性やｐＨ調整の容易性の観点から、ノニオン性の界面活性剤がより好ましい。ノニオン性界面活性剤の例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のオキシアルキレン重合体；ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のポリオキシアルキレン誘導体（例えば、ポリオキシアルキレン付加物）；複数種のオキシアルキレンの共重合体（例えば、ジブロック型共重合体、トリブロック型共重合体、ランダム型共重合体、交互共重合体）；等が挙げられる。一態様において、一分子内にポリオキシアルキレン構造（例えば、ポリオキシエチレン構造、ポリオキシプロピレン構造等）を含む界面活性剤を好ましく採用し得る。界面活性剤は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　ノニオン性界面活性剤の具体例としては、エチレンオキサイド（ＥＯ）とプロピレンオキサイド（ＰＯ）とのブロック共重合体（ジブロック型共重合体、ＰＥＯ（ポリエチレンオキサイド）－ＰＰＯ（ポリプロピレンオキサイド）－ＰＥＯ型トリブロック体、ＰＰＯ－ＰＥＯ－ＰＰＯ型のトリブロック共重合体等）、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシエチレンプロピルエーテル、ポリオキシエチレンブチルエーテル、ポリオキシエチレンペンチルエーテル、ポリオキシエチレンヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレン－２－エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンイソデシルエーテル、ポリオキシエチレントリデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンイソステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン、ポリオキシエチレンモノラウリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンジステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノオレイン酸エステル、ポリオキシエチレンジオレイン酸エステル、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルチミン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油等が挙げられる。なかでも好ましい界面活性剤として、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体（特に、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック共重合体）およびポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えばポリオキシエチレンデシルエーテル）が挙げられる。
　分散剤Ｄ１のＭｗは特に限定されないが、通常は１０×１０４以下（例えば５×１０４以下）とすることが適当である。水溶性高分子Ｐ１の分散性をより効率よく向上させる観点から、分散剤Ｄ１のＭｗは、３×１０４以下であってもよく、２×１０４以下であってもよく、１×１０４以下であってもよく、９５００以下（例えば９０００以下）であってもよい。また、分散剤Ｄ１のＭｗは、分散性向上機能を発揮しやすくする観点から、通常、２００以上が適当であり、２５０以上（例えば３００以上）が好ましい。分散剤Ｄ１のＭｗのより好ましい範囲は、該分散剤Ｄ１の種類によっても異なり得る。例えば、分散剤Ｄ１としてポリオキシエチレンアルキルエーテルを用いる場合、そのＭｗは、２０００以下であることが好ましく、１０００以下（例えば５００以下）であってもよい。また、分散剤Ｄ１として例えばＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック共重合体を用いる場合、そのＭｗは、例えば１０００以上であってよく、３０００以上であってもよく、５０００以上であってもよい。後述する分散剤Ｄ２においても同様である。
　（表面保護剤Ｓ１の含有量）
　中間研磨用組成物における表面保護剤Ｓ１の濃度は、特に制限されず、例えば０．０００１重量％以上とすることができる。より高い保護効果を得る観点から、好ましい濃度は０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上である。また、表面保護剤Ｓ１の濃度は、例えば０．５重量％以下とすることができる。中間研磨工程に適した加工力を得る観点から、上記濃度は、通常、０．１重量％以下とすることが適当であり、０．０５重量％以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記濃度を０．０１重量％以下（例えば０．００５重量％以下）としてもよい。ここに開示される技術は、例えば、中間研磨用組成物における表面保護剤Ｓ１の濃度が０．００５重量％未満である態様でも好適に実施され得る。
　特に限定するものではないが、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する表面保護剤Ｓ１の含有量は、例えば０．００１ｇ以上とすることができ、通常は０．００５ｇ以上とすることが適当である。より高い保護効果を得る観点から、上記含有量は、０．０１ｇ以上としてもよく、０．０５ｇ以上としてもよく、０．１ｇ以上としてもよく、０．５ｇ以上としてもよく、１ｇ以上（例えば１．２ｇ以上）としてもよい。また、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する表面保護剤Ｓ１の含有量は、中間研磨工程に適した加工力を得る観点から、通常、１０ｇ以下とすることが適当であり、７ｇ以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記含有量は、５ｇ以下であってもよく、３ｇ以下であってもよい。ここに開示される技術は、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する表面保護剤Ｓ１の含有量が２．５ｇ以下（例えば２．０ｇ以下）である態様でも好適に実施され得る。
　中間研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ１の濃度は、特に制限されず、例えば０．０００１重量％以上とすることができる。より高い保護効果を得る観点から、好ましい濃度は０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上である。また、水溶性高分子Ｐ１の濃度は、例えば０．５重量％未満とすることができる。中間研磨工程に適した加工力を得る観点から、上記濃度は、通常、０．１重量％未満とすることが適当であり、０．０５重量％未満とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記濃度を０．０１重量％未満（例えば０．００５重量％未満）としてもよい。ここに開示される技術は、例えば、中間研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ１の濃度が０．００５重量％未満である態様でも好適に実施され得る。
　特に限定するものではないが、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、例えば０．００１ｇ以上とすることができ、通常は０．０１ｇ以上とすることが適当である。より高い保護効果を得る観点から、上記含有量は、０．０５ｇ以上としてもよく、０．１ｇ以上としてもよく、０．５ｇ以上としてもよく、１．０ｇ以上（例えば１．２ｇ以上）としてもよい。また、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、中間研磨工程に適した加工力を得る観点から、通常、１０ｇ未満とすることが適当であり、７ｇ未満とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記含有量は、５ｇ未満であってもよく、３ｇ未満であってもよい。ここに開示される技術は、砥粒Ａ１の含有量１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量が２．５ｇ未満（例えば２．０ｇ未満）である態様でも好適に実施され得る。
　中間研磨用組成物における分散剤Ｄ１（例えば界面活性剤）の含有量は特に制限されず、所望の効果が得られるように設定することができる。中間研磨工程に適した加工力を発揮しやすくする観点から、中間研磨用組成物における分散剤Ｄ１の含有量は、通常、水溶性高分子Ｐ１の含有量より少なくすることが適当である。分散剤Ｄ１の含有量は、例えば、水溶性高分子Ｐ１の含有量の０．８倍以下とすることができ、より加工力を重視する観点から０．５倍以下としてもよく、０．３倍以下としてもよい。また、分散剤Ｄ１の含有量（重量基準）は、例えば、水溶性高分子Ｐ１の含有量の０．００１倍以上とすることができ、通常は０．０１倍以上とすることが適当であり、より高い効果を得る観点から０．０３倍以上としてもよく、０．０５倍以上（例えば０．１倍以上）としてもよい。
　ここに開示される技術において、分散剤Ｄ１の種類および使用量は、該分散剤Ｄ１の使用によって分散性パラメータα１を低減する効果が適切に発揮されるように設定することができる。特に限定するものではないが、一態様において、分散剤Ｄ１を含む表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１が、該表面保護剤Ｓ１から上記分散剤Ｄ１を除いた組成である表面保護剤Ｓ１Ｂの分散性パラメータα１Ｂに比べて例えば５％以上（好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上）低くなるように、分散剤Ｄ１の種類および使用量を設定することができる。ここで、表面保護剤Ｓ１Ｂの分散性パラメータα１Ｂは、上述した分散性パラメータα１の測定において、表面保護剤Ｓ１に代えて表面保護剤Ｓ１Ｂを用いることにより求められる。ここに開示される技術における表面保護剤Ｓ１は、α１がα１Ｂより２５％以上（例えば３０％以上、または３５％以上、または４０％以上）低くなるように構成することができる。
　表面保護剤Ｓ１Ｂ（すなわち、表面保護剤Ｓ１から分散剤Ｄ１を除いた組成の表面保護剤）の分散性パラメータα１Ｂは、例えば８０％以上であってよく、８５％以上であってもよく、９０％以上であってもよく、９５％以上であってもよい。α１Ｂが大きくなると、研磨対象物表面を保護する効果や研磨速度が向上する傾向にある。α１Ｂの上限は特に限定されない。中間研磨に適した加工力を得やすくする観点から、一態様において、α１Ｂは、２００％以下であってよく、１５０％以下（例えば１２０％以下）であってもよい。
　ここに開示される技術における表面保護剤Ｓ１は、分散剤Ｄ１とは異なる成分として、Ｍｗが３０×１０４以下の水溶性高分子ＰＬをさらに含んでいてもよい。水溶性高分子ＰＬは、例えば、上記で例示したいずれかの種類の水溶性高分子であって、Ｍｗが３０×１０４以下（例えば２０×１０４以下、または１５×１０４以下、または１０×１０４以下、または５×１０４以下）のものであり得る。水溶性高分子ＰＬのＭｗの下限は特に限定されず、例えば１×１０４以上であり得る。水溶性高分子ＰＬの使用量は、重量基準で、通常、水溶性高分子Ｐ１の使用量の１．０倍未満とすることが適当であり、０．５倍以下とすることが好ましく、０．１倍以下または０．０５倍以下としてもよい。ここに開示される技術は、表面保護剤Ｓ１が水溶性高分子ＰＬを実質的に含まない態様でも好適に実施され得る。
＜砥粒Ａ１＞
　砥粒Ａ１として用いられる砥粒の材質や性状は特に制限されず、使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。このような砥粒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記砥粒としては、無機粒子が好ましく、なかでも金属または半金属の酸化物からなる粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。ここに開示される技術は、例えば、砥粒Ａ１が実質的にシリカ粒子からなる態様で好ましく実施され得る。ここで「実質的に」とは、砥粒を構成する粒子の９５重量％以上（好ましくは９８重量％以上、より好ましくは９９重量％以上であり、１００重量％であってもよい。）がシリカ粒子であることをいう。
　シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。シリカ粒子は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。研磨後において表面品位に優れた研磨面が得られやすいことから、コロイダルシリカの使用が特に好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば、イオン交換法により水ガラス（珪酸Ｎａ）を原料として作製されたコロイダルシリカや、アルコキシド法コロイダルシリカ（アルコキシシランの加水分解縮合反応により製造されたコロイダルシリカ）を好ましく採用することができる。コロイダルシリカは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　砥粒構成材料（例えば、シリカ粒子を構成するシリカ）の真比重は、１．５以上であることが好ましく、より好ましくは１．６以上、さらに好ましくは１．７以上である。砥粒構成材料の真比重の増大により、物理的な研磨能力は高くなる傾向にある。かかる観点から、真比重が２．０以上（例えば２．１以上）の砥粒が特に好ましい。砥粒の真比重の上限は特に限定されないが、典型的には２．３以下、例えば２．２以下である。砥粒（例えばシリカ粒子）の真比重としては、置換液としてエタノールを用いた液体置換法による測定値を採用し得る。
　砥粒Ａ１（典型的にはシリカ粒子）のＢＥＴ径は、特に限定されない。研磨効率等の観点から、上記ＢＥＴ径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上である。より高い研磨効果（例えば、表面粗さＲａの低減、隆起解消性等）を得る観点から、ＢＥＴ径が２５ｎｍ以上、さらには３０ｎｍ以上（例えば３２ｎｍ以上）の砥粒Ａ１を好ましく用いることができる。また、スクラッチ防止等の観点から、砥粒Ａ１のＢＥＴ径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下である。一態様において、砥粒Ａ１のＢＥＴ径が５０ｎｍ以下（例えば４０ｎｍ以下）であってもよい。
　なお、本明細書においてＢＥＴ径とは、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、ＢＥＴ径（ｎｍ）＝６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ３）×ＢＥＴ値（ｍ２／ｇ））の式により算出される粒子径をいう。例えばシリカ粒子の場合、ＢＥＴ径（ｎｍ）＝２７２７／ＢＥＴ値（ｍ２／ｇ）によりＢＥＴ径を算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて行うことができる。
　砥粒の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなす粒子の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭型形状、金平糖形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。例えば、粒子の多くがピーナッツ形状または繭型形状をした砥粒を好ましく採用し得る。
　特に限定するものではないが、砥粒の長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、原理的に１．０以上であり、好ましくは１．０５以上、さらに好ましくは１．１以上である。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨能率が実現され得る。また、砥粒の平均アスペクト比は、スクラッチ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。
　なお、この明細書において、砥粒の形状（外形）や平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により把握することができる。平均アスペクト比を把握する具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、独立した粒子の形状を認識できる所定個数（例えば２００個）のシリカ粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。
　中間研磨用組成物における砥粒Ａ１の含有量は、特に制限されない。一態様において、上記含有量は、好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上（例えば０．２重量％以上）である。砥粒Ａ１の含有量の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。また、研磨対象物からの除去性等の観点から、砥粒Ａ１の含有量は、通常、１０重量％以下が適当であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、さらに好ましくは０．８重量％以下（例えば０．５重量％以下）である。
＜水＞
　ここに開示される中間研磨用組成物は、典型的には水を含む。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、中間研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。
＜塩基性化合物Ｂ１＞
　塩基性化合物Ｂ１は、水に溶解して水溶液のｐＨを上昇させる機能を有する各種の塩基性化合物から適宜選択され得る。例えば、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。窒素を含む塩基性化合物の例としては、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物、アンモニア、アミン（好ましくは水溶性アミン）等が挙げられる。このような塩基性化合物は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　アルカリ金属の水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。炭酸塩または炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類等が挙げられる。第四級ホスホニウム化合物の具体例としては、水酸化テトラメチルホスホニウム、水酸化テトラエチルホスホニウム等の水酸化第四級ホスホニウムが挙げられる。
　第四級アンモニウム化合物としては、テトラアルキルアンモニウム塩、ヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩（典型的には強塩基）を好ましく用いることができる。かかる第四級アンモニウム塩におけるアニオン成分は、例えば、ＯＨ－、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、ＣｌＯ４ －、ＢＨ４ －等であり得る。なかでも好ましい例として、アニオンがＯＨ－である第四級アンモニウム塩、すなわち水酸化第四級アンモニウムが挙げられる。水酸化第四級アンモニウムの具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウムおよび水酸化テトラヘキシルアンモニウム等の水酸化テトラアルキルアンモニウム；水酸化２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム（コリンともいう。）等の水酸化ヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウム；等が挙げられる。これらのうち水酸化テトラアルキルアンモニウムが好ましく、なかでも水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）が好ましい。
　ここに開示される技術において、中間研磨用組成物に含まれる塩基性化合物Ｂ１としては、アルカリ金属水酸化物、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアから選択される少なくとも一種の塩基性化合物が好ましい。これらのうち、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。ここに開示される中間研磨用組成物は、例えば、水溶性高分子Ｐ１として少なくともセルロース誘導体（例えばＨＥＣ）を含む表面保護剤Ｓ１と、アンモニアを含む塩基性化合物Ｂ１とを含む態様で好ましく実施され得る。
＜その他の成分＞
　ここに開示される中間研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（典型的には、シリコン基板のポリシング工程に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
　キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２－アミノエチルホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸およびα－メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましい。なかでも好ましいものとして、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。キレート剤は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。ここに開示される技術における中間研磨用組成物は、キレート剤を実質的に含まない態様であり得る。
　有機酸の例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸等の脂肪酸、安息香酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸、クエン酸、シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸、マレイン酸、フマル酸、コハク酸、有機スルホン酸、有機ホスホン酸等が挙げられる。有機酸塩の例としては、有機酸のアルカリ金属塩（ナトリウム塩、カリウム塩等）やアンモニウム塩等が挙げられる。無機酸の例としては、硫酸、硝酸、塩酸、炭酸等が挙げられる。
　無機酸塩の例としては、無機酸のアルカリ金属塩（ナトリウム塩、カリウム塩等）やアンモニウム塩が挙げられる。有機酸およびその塩、ならびに無機酸およびその塩は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
　防腐剤および防カビ剤の例としては、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。
　中間研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。中間研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該中間研磨用組成物が研磨対象物（ここではシリコン基板）に供給されることで該研磨対象物の表面が酸化されて酸化膜が生じ、これにより研磨レートが低下してしまうことがあり得るためである。ここでいう酸化剤の具体例としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム等が挙げられる。なお、中間研磨用組成物が酸化剤を実質的に含まないとは、少なくとも意図的には酸化剤を含有させないことをいう。
＜ｐＨ＞
　中間研磨用組成物のｐＨは、通常、８．０以上であることが適当であり、好ましくは８．５以上、より好ましくは９．０以上、さらに好ましくは９．５以上、例えば１０．０以上である。中間研磨用組成物のｐＨが高くなると、加工力が向上する傾向にある。一方、砥粒（例えばシリカ粒子）の溶解を防ぎ、該砥粒による機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、中間研磨用組成物のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．８以下であることが好ましく、１１．５以下であることがより好ましく、１１．０以下であることがさらに好ましい。
　なお、ここに開示される技術において、組成物のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、堀場製作所製のガラス電極式水素イオン濃度指示計（型番Ｆ－２３））を使用し、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：１０．０１（２５℃））を用いて３点校正した後で、ガラス電極を測定対象の組成物に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定することにより把握することができる。
＜仕上げ研磨用組成物＞
　このような中間研磨用組成物を用いる中間研磨工程を終えた研磨対象物は、さらに仕上げ研磨工程に供される。仕上げ工程に使用する仕上げ研磨用組成物は、特に限定されない。一態様において、砥粒Ａ２と、塩基性化合物Ｂ２と、表面保護剤Ｓ２とを含む仕上げ研磨用組成物が好ましく用いられ得る。
　（砥粒Ａ２）
　仕上げ研磨用組成物に含まれる砥粒Ａ２は特に限定されないが、通常は、中間研磨用組成物の砥粒Ａ１と同様、シリカ粒子を好ましく使用し得る。シリカ粒子としては、コロイダルシリカが特に好ましく、例えば、アルコキシシランを原料として作製されたコロイダルシリカを好ましく採用し得る。コロイダルシリカは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。砥粒Ａ２として用いられる砥粒の好ましい真比重、砥粒の外形および平均アスペクト比については、中間研磨用組成物の砥粒Ａ１と同様であるので、重複する記載は省略する。
　砥粒Ａ２（典型的にはシリカ粒子）のＢＥＴ径は、特に限定されない。研磨効率等の観点から、上記ＢＥＴ径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。より高い研磨効果（例えば、ヘイズの低減、欠陥の除去等の効果）を得る観点から、砥粒Ａ２のＢＥＴ径は、１５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上（例えば２０ｎｍ超）がより好ましい。また、より平滑性の高い表面が得られやすいという観点から、砥粒Ａ２のＢＥＴ径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。より高品位の表面を得やすい等の観点から、一態様において、ＢＥＴ径が３５ｎｍ以下（典型的には３５ｎｍ未満、好ましくは３２ｎｍ未満、例えば３０ｎｍ未満）の砥粒Ａ２を用いてもよい。
　仕上げ研磨用組成物における砥粒Ａ２の含有量は、特に制限されない。一態様において、上記含有量は、例えば０．０１重量％以上とすることができ、０．０３重量％以上としてもよく、０．０５重量％以上（例えば０．０８重量％以上）としてもよい。砥粒Ａ２の含有量の増大によって、より高い研磨効果が実現され得る。また、研磨対象物からの除去性等の観点から、砥粒Ａ２の含有量は、通常、７重量％以下が適当であり、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下（例えば１重量％以下）である。一態様において、砥粒Ａ２の含有量は、０．５重量％以下であってもよく、０．３重量％以下であってもよく、０．２重量％以下であってもよい。
　（塩基性化合物Ｂ２）
　仕上げ研磨用組成物に含まれる塩基性化合物Ｂ２としては、例えば、中間研磨用組成物に使用し得る塩基性化合物Ｂ１として例示した塩基性化合物のなかから一種または二種以上を選択して使用することができる。塩基性化合物Ｂ２としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアから選択される少なくとも一種の塩基性化合物を好ましく使用し得る。これらのうち、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。
　（表面保護剤Ｓ２）
　仕上げ研磨用組成物の表面保護剤Ｓ２は、少なくとも水溶性高分子Ｐ２を含有することが好ましい。水溶性高分子Ｐ２としては、例えば、中間研磨用組成物の表面保護剤Ｓ１に使用し得る水溶性高分子Ｐ１として例示した水溶性高分子と同様のものを採用し得る。水溶性高分子Ｐ２は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて使用することができる。
　水溶性高分子Ｐ２として用いられ得る水溶性高分子の一好適例として、セルロース誘導体（例えばＨＥＣ）が挙げられる。セルロース誘導体は、単独でまたは他の水溶性高分子と組み合わせて用いられ得る。例えば、水溶性高分子Ｐ２がセルロース誘導体と他の水溶性高分子とを組み合わせて含む態様が好ましい。かかる態様において、水溶性高分子Ｐ２全体に占めるセルロース誘導体（例えばＨＥＣ）の割合は、例えば１０重量％以上とすることができ、２５重量％以上としてもよく、４０重量％以上としてもよく、６０重量％以上としてもよく、７５重量％以上としてもよく、９０重量％以上としてもよい。
　水溶性高分子Ｐ２として用いられ得る水溶性高分子の他の一好適例として、窒素原子を含有するポリマーが挙げられる。窒素原子含有ポリマーは、単独でまたは他の水溶性高分子（例えば、セルロース誘導体）と組み合わせて用いられ得る。窒素原子含有ポリマーの非限定的な例には、Ｎ－ビニルラクタムやＮ－ビニル鎖状アミド等のようなＮ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマー；イミン誘導体；Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマー；等が含まれる。
　Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含む窒素原子含有ポリマーの例には、窒素を含有する複素環（例えばラクタム環）を有するモノマーに由来する繰返し単位を含むポリマーが含まれる。このような窒素原子含有ポリマーの例には、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）、Ｎ－ビニル鎖状アミドの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニル鎖状アミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）等が含まれる。
　Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの具体例としては、Ｎ－ビニルピロリドン（ＶＰ）、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルモルホリノン、Ｎ－ビニルカプロラクタム（ＶＣ）、Ｎ－ビニル－１，３－オキサジン－２－オン、Ｎ－ビニル－３，５－モルホリンジオン等が挙げられる。Ｎ－ビニルラクタム型のモノマー単位を含むポリマーの具体例としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカプロラクタム、ＶＰとＶＣとのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方と他のビニルモノマー（例えば、アクリル系モノマー、ビニルエステル系モノマー等）とのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方を含むポリマー鎖を含むブロック共重合体やグラフト共重合体等が挙げられる。
　Ｎ－ビニル鎖状アミドの具体例としては、Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ－ビニルプロピオン酸アミド、Ｎ－ビニル酪酸アミド等が挙げられる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの単独重合体および共重合体（典型的には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が含まれる。Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドおよびＮ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドが含まれる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドの例としては、（メタ）アクリルアミド；Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド等のＮ－アルキル（メタ）アクリルアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジ（ｎ－ブチル）（メタ）アクリルアミド等のＮ，Ｎ－ジアルキル（メタ）アクリルアミド；等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの単独重合体およびＮ－イソプロピルアクリルアミドの共重合体（例えば、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。
　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドの例としては、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ－（メタ）アクリロイルピロリジン等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、Ｎ－アクリロイルモルホリンの単独重合体およびＮ－アクリロイルモルホリンの共重合体（例えば、Ｎ－アクリロイルモルホリンの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。
　水溶性高分子Ｐ２としてセルロース誘導体と窒素原子含有ポリマーとを組み合わせて含む態様において、上記窒素原子含有ポリマーとしては、例えばＮ－ビニル系ポリマー鎖を含むポリマーを好ましく採用し得る。ここでポリマー鎖とは、一分子のポリマー全体を構成するポリマー鎖と、一分子のポリマーの一部を構成するポリマー鎖とを包含する概念である。また、Ｎ－ビニル系ポリマー鎖とは、Ｎ－ビニル型モノマーの共重合割合が５０重量％を超えて１００重量％以下であるポリマー鎖をいう。例えば、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のＮ－ビニルラクタム型モノマーに由来する繰返し単位の含有量が５０重量％を超えて１００重量％以下であるポリマー鎖（Ｎ－ビニルラクタム型ポリマー鎖）からなる水溶性高分子や、一分子のポリマーの一部がＮ－ビニルラクタム型ポリマー鎖により構成された共重合体（グラフト共重合体、ブロック共重合体等）を、水溶性高分子Ｐ２として好ましく採用し得る。一分子のポリマーの一部がＮ－ビニルラクタム型ポリマー鎖により構成された共重合体の一例として、ポリビニルアルコールとポリビニルピロリドンとのグラフト共重合体が挙げられる。
　なお、このようなＮ－ビニル系ポリマー鎖を含むポリマーは、水溶性高分子Ｐ２の一成分として、セルロース誘導体と組み合わせて好ましく用いられ得るほか、他の一態様において、セルロース誘導体以外の水溶性高分子（例えば、ビニルアルコール系ポリマー、オキシアルキレン単位を含むポリマー等）と組み合わせて用いられてもよい。水溶性高分子Ｐ２は、また、Ｎ－ビニル系ポリマー鎖を含むポリマーを単独で含む組成、ビニルアルコール系ポリマーを単独で含む組成、オキシアルキレン単位を含むポリマーを単独で含む組成、ビニルアルコール系ポリマーとセルロース誘導体とを組み合わせて含む組成、オキシアルキレン単位を含むポリマーとセルロース誘導体とを組み合わせて含む組成、等であってもよい。
　水溶性高分子Ｐ２のＭｗは特に限定されない。水溶性高分子Ｐ２のＭｗは、例えば２００×１０４以下であってよく、１５０×１０４以下でもよく、１００×１０４以下でもよく、７０×１０４以下でもよい。濾過性や洗浄性の観点から、一態様において、Ｍｗが５０×１０４未満（より好ましくは３０×１０４未満、例えば２８×１０４以下）の水溶性高分子Ｐ２を好ましく採用し得る。また、水溶性高分子Ｐ２のＭｗは、通常、１×１０４以上（例えば２×１０４以上）であることが好ましい。
　ここに開示される技術の一態様において、中間研磨用組成物に含まれる水溶性高分子Ｐ１の重量平均分子量ＭｗＰ１と、仕上げ研磨用組成物に含まれる水溶性高分子Ｐ２の重量平均分子量ＭｗＰ２とは、ＭｗＰ１＞ＭｗＰ２の関係を満たすように選択することが好ましい。これにより、仕上げ研磨後においてより高品位の表面が実現される傾向にある。水溶性高分子Ｐ１および水溶性高分子Ｐ２は、例えば、ＭｗＰ１／ＭｗＰ２が１．３以上となるように選択することができる。一態様において、ＭｗＰ１／ＭｗＰ２は、１．５以上であってもよく、２以上であってもよく、３以上であってもよく、４以上であってもよい。また、ＭｗＰ１／ＭｗＰ２は、例えば１００以下とすることができ、５０以下としてもよく、２０以下としてもよく、一態様において１０以下（例えば７．０以下）としてもよい。
　なお、水溶性高分子Ｐ１および水溶性高分子Ｐ２の一方または両方が互いにＭｗの異なる二種類以上の水溶性高分子からなる場合は、各水溶性高分子に含まれる最もＭｗの高い種類の水溶性高分子についてＭｗＰ１とＭｗＰ２とを対比するものとする。
　仕上げ研磨用組成物に含まれる表面保護剤Ｓ２は、該表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２が、上述した表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１との関係で、α１／α２≧０．５を満たすことが好ましい。ここで、表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２は、上述した分散性パラメータα１の測定において、表面保護剤Ｓ１に代えて表面保護剤Ｓ２を用いることにより求められる。α１／α２が０．５以上となるように選択された中間研磨用組成物および仕上げ研磨用組成物を用いて中間研磨工程および仕上げ研磨工程を行うことにより、欠陥の発生を抑えつつ研磨対象物の表面平滑性を効果的に向上させることができる。したがって、仕上げ研磨後において、より高品位の表面を効率よく実現することができる。好ましくはα１／α２が１．０以上、より好ましくは１．５以上、例えば３．５以上または５．０以上となるように選択された中間研磨用組成物および仕上げ研磨用組成物によると、より好適な結果が実現され得る。α１／α２の上限は特に制限されないが、実用上、通常はα１／α２を１０以下とすることが適当であり、好ましくは８以下、例えば６以下である。
　表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２は、例えば５０％以下とすることができ、通常は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。α２の低減により、濾過性や洗浄性が向上する傾向にある。また、研磨対象物の表面保護性や研磨後の濡れ性を向上する観点から、分散性パラメータα２は、通常、１％以上とすることが適当であり、５％以上とすることが好ましい。
　表面保護剤Ｓ２は、水溶性高分子Ｐ２に加えて分散剤Ｄ２を含有してもよい。分散剤Ｄ２の使用により、表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２を調節することができ、上述した好ましいα１／α２を満たすことが容易となる。分散性パラメータα２を低減することは、仕上げ研磨用組成物の濾過性や洗浄性を向上する観点からも好ましい。分散剤Ｄ２としては、中間研磨用組成物の表面保護剤Ｓ１に使用し得る分散剤Ｄ１として例示した材料のなかから一種または二種以上を選択して使用することができる。一態様において、Ｍｗが１×１０４以下の界面活性剤（好ましくはノニオン系界面活性剤）を分散剤Ｄ２として採用することができる。なかでも好ましい界面活性剤として、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体（特に、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック共重合体）およびポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えばポリオキシエチレンデシルエーテル）が挙げられる。
　仕上げ研磨用組成物における表面保護剤Ｓ２の濃度は、特に制限されず、例えば０．０００５重量％以上とすることができる。より高い保護効果を得る観点から、好ましい濃度は０．００１重量％以上であり、より好ましくは０．００２重量％以上である。一態様において、表面保護剤Ｓ２の濃度は、０．００３重量％以上であってよく、０．００５重量％以上であってもよい。また、表面保護剤Ｓ２の濃度は、例えば１．０重量％以下とすることができ、通常は０．５重量％以下とすることが適当であり、０．１重量％以下としてもよく、０．０５重量％以下（例えば０．０２重量％以下）としてもよい。
　特に限定するものではないが、砥粒Ａ２の含有量１００ｇに対する表面保護剤Ｓ２の含有量は、例えば０．０１ｇ以上とすることができ、通常は０．０５ｇ以上とすることが適当である。より高い保護効果を得る観点から、上記含有量は、０．１ｇ以上としてもよく、０．５ｇ以上としてもよく、１ｇ以上としてもよく、２ｇ以上（例えば３ｇ以上）としてもよい。また、濾過性や洗浄性の観点から、砥粒Ａ２の含有量１００ｇに対する表面保護剤Ｓ２の含有量は、通常、１５ｇ以下とすることが適当であり、１０ｇ以下としてもよく、７ｇ以下（例えば５ｇ以下）としてもよい。
　仕上げ研磨用組成物における砥粒Ａ２の含有量１００ｇ当たりの水溶性高分子Ｐ２の含有量ＣＰ２は、中間研磨用組成物における砥粒Ａ１の含有量１００ｇ当たり水溶性高分子Ｐ１の含有量ＣＰ１との関係で、ＣＰ２／ＣＰ１が例えば１．０以上（典型的には１．０より大）となるように設定することができる。ここに開示される技術は、ＣＰ２／ＣＰ１が１．２以上（例えば１．５以上、または２．０以上、または２．５以上）となる態様で好適に実施され得る。また、ＣＰ２／ＣＰ１は、例えば１０以下とすることができ、通常は７以下とすることが適当であり、５以下としてもよい。このようなＣＰ２／ＣＰ１の関係を満たす中間研磨用組成物および仕上げ研磨用組成物を用いて中間研磨工程および仕上げ研磨工程を行うことにより、欠陥の発生を抑えつつ研磨対象物の表面平滑性を効果的に向上させることができる。
　（水）
　仕上げ研磨用組成物は、典型的には水を含む。水としては、中間研磨用組成物の水と同様のものを用いることができる。
　（その他の成分）
　仕上げ研磨用組成物は、中間研磨用組成物と同様、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（典型的には、シリコン基板のポリシング工程に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。ここに開示される技術における仕上げ研磨用組成物は、キレート剤を実質的に含まない態様であり得る。また、仕上げ研磨用組成物は、中間研磨用組成物と同様、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。
　仕上げ研磨用組成物のｐＨは、通常、８．０以上であることが適当であり、好ましくは８．５以上、より好ましくは９．０以上、さらに好ましくは９．５以上、特に好ましくは９．８以上である。仕上げ研磨用組成物のｐＨが高くなると、加工力が向上する傾向にある。一方、砥粒（例えばシリカ粒子）の溶解を防ぎ、該砥粒による機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、中間研磨用組成物のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．８以下であることが好ましく、１１．５以下であることがより好ましく、１１．０以下（例えば１０．５以下）であることがさらに好ましい。
＜研磨＞
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨スラリーの形態で、例えば以下のようにして研磨対象物の研磨に用いることができる。すなわち、各研磨工程または各研磨段階で用いられる研磨スラリーを用意する。次いで、その研磨スラリー（ワーキングスラリー）を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、研磨対象物を研磨装置にセットし、該研磨装置の定盤（研磨定盤）に固定された研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨スラリーを供給する。典型的には、上記研磨スラリーを連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。
　各研磨スラリーは、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨スラリーの濃縮液の形態であり、研磨スラリーの原液としても把握され得る。）であってもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨スラリー（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨スラリーとして用いられる濃縮液（すなわち、研磨スラリーの原液）との双方が包含される。このように濃縮された形態の研磨スラリー（濃縮液）は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は特に限定されず、例えば、体積換算で２倍～１００倍程度とすることができ、通常は５倍～５０倍程度（例えば１０倍～４０倍程度）が適当である。
　上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５０重量％以下とすることができる。上記濃縮液の取扱い性（例えば、砥粒の分散安定性や濾過性）等の観点から、通常、上記濃縮液における砥粒の含有量は、好ましくは４５重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば０．５重量％以上とすることができ、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上（例えば４重量％以上）である。好ましい一態様において、砥粒の含有量は、５重量％以上としてもよく、１０重量％以上（例えば１５重量％以上、または２０重量％以上、または３０重量％以上）としてもよい。
　このような濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨スラリー（ワーキングスラリー）を調製し、該研磨スラリーを研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば、上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。
　ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、研磨スラリーの構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートＡと、残りの成分を含むパートＢとを混合し、必要に応じて適切なタイミングで希釈することにより研磨スラリーが調製されるように構成されていてもよい。
　研磨用組成物の調製方法は特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いて、研磨用組成物に含まれる各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
　研磨装置としては、研磨対象物の両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いてもよく、研磨対象物の片面のみを研磨する片面研磨装置を用いてもよい。中間研磨工程および仕上げ研磨工程においては、片面研磨装置を好ましく採用し得る。各研磨工程において用いられる研磨パッドは特に限定されない。例えば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の研磨パッドを用いることができる。各研磨パッドは、砥粒を含んでもよく、砥粒を含まなくてもよい。
　ここに開示される研磨方法によると、上述のような中間研磨工程および仕上げ研磨工程を経て、研磨対象物（ここではシリコン基板、典型的にはシリコン単結晶ウェーハ）の研磨が完了する。したがって、ここに開示される技術の他の側面として、ここに開示されるいずれかの中間研磨用組成物を用いて行われる中間研磨工程と、該中間研磨工程の後に行われる仕上げ研磨工程（典型的には、ここに開示されるいずれかの仕上げ研磨用組成物を用いて行われる仕上げ研磨工程）とを含む研磨プロセスを適用して研磨対象物を研磨することを含む、研磨物（研磨による結果物）の製造方法が提供される。
＜研磨用組成物セット＞
　この明細書によると、中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて好ましく用いられ得る研磨用組成物セットが提供される。その研磨用組成物セットは、ここに開示されるいずれかの中間研磨用組成物と、仕上げ研磨用組成物とを少なくとも含む。上記中間研磨用組成物は、中間研磨工程に用いられる研磨スラリーまたはその濃縮液であり得る。同様に、上記仕上げ研磨用組成物は、仕上げ研磨工程に用いられる研磨スラリーまたはその濃縮液であり得る。上記仕上げ研磨用組成物としては、砥粒Ａ２と塩基性化合物Ｂ２と表面保護剤Ｓ２とを含み、上記表面保護剤Ｓ２は水溶性高分子Ｐ２を含み、かつ（α１／α２）≧０．５を満たすものが好ましく用いられ得る。このような研磨用組成物セットに含まれる中間研磨用組成物および仕上げ研磨用組成物を用いて中間研磨用工程および仕上げ研磨工程を行うことにより、高品位の表面を有するシリコン基板を効果的に製造することができる。
　以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「％」は、分散性パラメータの数値を表す場合を除き、重量基準である。
＜中間研磨用組成物＞
　（実施例１）
　イオン交換水中に、砥粒Ａ１としてＢＥＴ径が３５ｎｍのコロイダルシリカを０．２３％、水溶性高分子Ｐ１としてＭｗが１２０×１０４のヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）を０．００３％、分散剤Ｄ１としてＭｗが９０００のＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯブロック共重合体を０．０００４％、塩基性化合物Ｂ１としてアンモニアを０．０１％の濃度でそれぞれ含み、残部が水からなる中間研磨用組成物を調製した。
　（実施例２，３）
　分散剤Ｄ１の濃度を表１に示すように変更した他は実施例１と同様にして、実施例２，３に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（実施例４）
　水溶性高分子Ｐ１としてＭｗが５０×１０４のＨＥＣを使用した他は実施例３と同様にして、本例に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（実施例５）
　分散剤Ｄ１としてエチレンオキサイド付加モル数５のポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）を０．００００２％の濃度で使用した他は実施例４と同様にして、本例に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（比較例１）
　分散剤Ｄ１を使用しない他は実施例１と同様にして、比較例１に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（比較例２）
　分散剤Ｄ１を使用しない他は実施例４と同様にして、比較例２に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（比較例３）
　水溶性高分子Ｐ１の濃度を０．００６％に変更した他は比較例２と同様にして、比較例３に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（比較例４）
　水溶性高分子Ｐ１としてＭｗが２５×１０４のＨＥＣを使用した他は実施例４と同様にして、本例に係る中間研磨用組成物を調製した。
　（比較例５）
　分散剤Ｄ１の濃度を０．００００１％に変更した他は実施例１と同様にして、本例に係る中間研磨用組成物を調製した。
　これらの実施例および比較例に係る中間研磨用組成物の各々について、上述した方法で表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１を測定した。結果を表１に示す。
＜シリコンウェーハの研磨＞
（１）一次研磨工程
　砥粒０．９５％および塩基性化合物０．０６４５％を含み、残部が水からなる一次研磨用組成物を調製した。砥粒としては、ＢＥＴ径３５ｎｍのコロイダルシリカを使用した。塩基性化合物としては水酸化カリウム（ＫＯＨ）を使用した。この一次研磨用組成物をそのまま研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、研磨対象物としてのシリコンウェーハを下記研磨条件１で研磨した。シリコンウェーハとしては、ラッピングおよびエッチングを終えた直径３００ｍｍの市販シリコン単結晶ウェーハ（伝導型：Ｐ型、結晶方位：＜１００＞、抵抗率：１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満、ＣＯＰフリー）を使用した。
　　〔研磨条件１〕
　研磨装置：株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨機、型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：２０ｋＰａ
　定盤回転数：２０ｒｐｍ
　キャリア回転数：２０ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製、製品名「ＦＰ５５」
　研磨液供給レート：１リットル／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：２分
（２）中間研磨工程
　上述した実施例および比較例に係る中間研磨用組成物の各々をそのまま研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、上記一次研磨工程を終えたシリコンウェーハを下記研磨条件２で研磨した。
　　〔研磨条件２〕
　研磨装置：株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨機、型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：１５ｋＰａ
　定盤回転数：３０ｒｐｍ
　キャリア回転数：３０ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製の研磨パッド、商品名「ＰＯＬＹＰＡＳ２７ＮＸ」
　研磨液供給レート：２リットル／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：２分
（３）仕上げ研磨工程
　イオン交換水中に、ＢＥＴ径が２５ｎｍのコロイダルシリカを０．１８％、水溶性高分子Ｐ２としてＭｗが２５×１０４のＨＥＣを０．００４％およびＭｗが４．５×１０４のポリビニルピロリドンを０．００３％、分散剤Ｄ２としてエチレンオキサイド付加モル数５のポリオキシエチレンデシルエーテル（Ｃ１０ＰＥＯ５）を０．０００２％、アンモニアを０．００５％、の濃度でそれぞれ含む仕上げ研磨用組成物を調製した。この仕上げ研磨用組成物をそのまま研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、上記中間研磨工程を終えたシリコンウェーハを上記研磨条件２で研磨した。なお、上記仕上げ研磨用組成物に含まれる表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２を上述した方法により測定したところ、１３％であった。
　研磨後のシリコンウェーハを研磨装置から取り外し、ＮＨ４ＯＨ（２９％）：Ｈ２Ｏ２（３１％）：脱イオン水（ＤＩＷ）＝１：３：３０（体積比）の洗浄液を用いて洗浄した（ＳＣ－１洗浄）。より具体的には、周波数９５０ｋＨｚの超音波発振器を取り付けた洗浄槽を２つ用意し、それら第１および第２の洗浄槽の各々に上記洗浄液を収容して６０℃に保持し、研磨後のシリコンウェーハを第１の洗浄槽に６分、その後超純水と超音波によるリンス槽を経て、第２の洗浄槽に６分、それぞれ上記超音波発振器を作動させた状態で浸漬し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）雰囲気中に引き上げて乾燥させた。
　このようにして、共通の一次研磨用組成物を用いた一次研磨工程と、実施例および比較例に係る中間研磨用組成物の各々を用いた中間研磨工程と、共通の仕上げ研磨用組成物を用いた仕上げ研磨工程とを含む研磨プロセスにより研磨されたシリコンウェーハを得た。
＜ＬＰＤ数評価＞
　ウェーハ検査装置（ケーエルエー・テンコール社製、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ２」）を使用して、各実施例および比較例により得られたシリコンウェーハの表面に存在する３７ｎｍ以上の大きさの欠陥（パーティクル）の個数をカウントした。カウントされた欠陥の数（ＬＰＤ数）を、比較例１のＬＰＤ数を１００とする相対値に換算して表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、重量平均分子量ＭｗＰ１が３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１を含み、さらに分散剤Ｄ１を含み、かつα１が８０％未満である表面保護剤Ｓ１を含む実施例１～５の中間研磨用組成物によると、比較例１に比べて、仕上げ研磨後におけるＬＰＤ数が大幅に低減されることが確認された。一方、中間研磨用組成物として重量平均分子量ＭｗＰ１が３０×１０４以下の水溶性高分子Ｐ１を用いた比較例４では、比較例１に比べてＬＰＤ数が増加した。また、α１が８０％より大きい比較例５および分散剤Ｄ１不使用の比較例２，３では、ＬＰＤ数の低減効果が小さかった。
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (8)

  1. 　中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて前記中間研磨工程に用いられる中間研磨用組成物であって、
    　砥粒Ａ１と、塩基性化合物Ｂ１と、表面保護剤Ｓ１とを含み、
    　前記表面保護剤Ｓ１は、重量平均分子量が３０×１０４より高い水溶性高分子Ｐ１と、分散剤Ｄ１とを含み、
    　前記表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１が８０％未満である、シリコン基板中間研磨用組成物。
  2. 　前記分散剤Ｄ１の含有量は、前記水溶性高分子Ｐ１の含有量の０．８倍以下である、請求項１に記載の中間研磨用組成物。
  3. 　前記分散剤Ｄ１の重量平均分子量は３×１０４以下である、請求項１または２に記載の中間研磨用組成物。
  4. 　前記表面保護剤Ｓ１は、前記水溶性高分子Ｐ１としてセルロース誘導体を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の中間研磨用組成物。
  5. 　前記表面保護剤Ｓ１の含有量は、前記砥粒Ａ１の含有量１００ｇ当たり０．００５ｇ以上５ｇ以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の中間研磨用組成物。
  6. 　前記砥粒Ａ１はシリカ粒子である、請求項１から５のいずれか一項に記載の中間研磨用組成物。
  7. 　請求項１から６のいずれか一項に記載の中間研磨用組成物と、
    　前記仕上げ研磨工程に用いられる仕上げ研磨用組成物と
    を含むシリコン基板研磨用組成物セットであって、
    　前記仕上げ研磨用組成物は、砥粒Ａ２と、塩基性化合物Ｂ２と、表面保護剤Ｓ２とを含み、
    　前記表面保護剤Ｓ２は水溶性高分子Ｐ２を含み、
    　前記表面保護剤Ｓ１の分散性パラメータα１と、前記表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２との関係が、次式：（α１／α２）≧０．５；を満たす、シリコン基板研磨用組成物セット。
  8. 　前記表面保護剤Ｓ２の分散性パラメータα２が１％以上３０％以下である、請求項７に記載の研磨用組成物セット。
PCT/JP2018/003971 2017-02-20 2018-02-06 シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット WO2018150945A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018568125A JP7185533B2 (ja) 2017-02-20 2018-02-06 シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
CN201880006314.9A CN110177853A (zh) 2017-02-20 2018-02-06 硅基板中间研磨用组合物及硅基板研磨用组合物套组
US16/486,949 US20200010727A1 (en) 2017-02-20 2018-02-06 Intermediate polishing composition for silicon substrate and polishing composition set for silicon substrate
EP18754373.1A EP3584823A4 (en) 2017-02-20 2018-02-06 SILICONE SUBSTRATE INTERMEDIATE PRODUCT POLISHING COMPOSITION AND SILICONE SUBSTRATE POLISHING COMPOSITION
KR1020197027101A KR102565682B1 (ko) 2017-02-20 2018-02-06 실리콘 기판 중간 연마용 조성물 및 실리콘 기판 연마용 조성물 세트

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-029153 2017-02-20
JP2017029153 2017-02-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018150945A1 true WO2018150945A1 (ja) 2018-08-23

Family

ID=63169395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/003971 WO2018150945A1 (ja) 2017-02-20 2018-02-06 シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200010727A1 (ja)
EP (1) EP3584823A4 (ja)
JP (1) JP7185533B2 (ja)
KR (1) KR102565682B1 (ja)
CN (1) CN110177853A (ja)
TW (1) TW201835286A (ja)
WO (1) WO2018150945A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3950875A4 (en) * 2019-03-28 2022-11-02 Fujimi Incorporated POLISHING COMPOSITION

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6879798B2 (ja) * 2017-03-30 2021-06-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
KR20210143847A (ko) * 2019-03-26 2021-11-29 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
CN113930165B (zh) * 2021-11-23 2022-12-30 浙江奥首材料科技有限公司 一种研磨助剂、制备方法、用途及研磨液和研磨方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005518668A (ja) * 2002-02-21 2005-06-23 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨組成物
WO2008044477A1 (fr) * 2006-10-06 2008-04-17 Jsr Corporation Dispersion aqueuse pour polissage chimico-mécanique et procédé de polissage chimico-mécanique pour dispositif semi-conducteur
JP2012089862A (ja) 2008-07-03 2012-05-10 Fujimi Inc 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法
JP2015124231A (ja) 2013-12-25 2015-07-06 ニッタ・ハース株式会社 半導体基板用濡れ剤及び研磨用組成物
WO2015194136A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコンウェーハの研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット
JP2016039179A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの仕上げ研磨方法及びシリコンウェーハ
JP2017029153A (ja) 2001-02-14 2017-02-09 アンスロジェネシス コーポレーション 分娩後の哺乳動物の胎盤、その使用およびそれに由来する胎盤幹細胞

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4668528B2 (ja) * 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR101983868B1 (ko) * 2011-10-24 2019-05-29 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법
EP2957613B1 (en) * 2013-02-13 2020-11-18 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition and method for producing polished article
KR102330030B1 (ko) * 2013-03-19 2021-11-24 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물, 연마용 조성물 제조 방법 및 연마용 조성물 조제용 키트
JP6255287B2 (ja) * 2014-03-24 2017-12-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法およびそれに用いられる研磨用組成物

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017029153A (ja) 2001-02-14 2017-02-09 アンスロジェネシス コーポレーション 分娩後の哺乳動物の胎盤、その使用およびそれに由来する胎盤幹細胞
JP2005518668A (ja) * 2002-02-21 2005-06-23 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨組成物
WO2008044477A1 (fr) * 2006-10-06 2008-04-17 Jsr Corporation Dispersion aqueuse pour polissage chimico-mécanique et procédé de polissage chimico-mécanique pour dispositif semi-conducteur
JP2012089862A (ja) 2008-07-03 2012-05-10 Fujimi Inc 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法
JP2015124231A (ja) 2013-12-25 2015-07-06 ニッタ・ハース株式会社 半導体基板用濡れ剤及び研磨用組成物
WO2015194136A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコンウェーハの研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット
JP2016004953A (ja) 2014-06-18 2016-01-12 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコンウェーハの研磨方法、研磨用組成物および研磨用組成物セット
JP2016039179A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの仕上げ研磨方法及びシリコンウェーハ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3950875A4 (en) * 2019-03-28 2022-11-02 Fujimi Incorporated POLISHING COMPOSITION

Also Published As

Publication number Publication date
KR102565682B1 (ko) 2023-08-11
KR20190122221A (ko) 2019-10-29
EP3584823A4 (en) 2020-12-23
CN110177853A (zh) 2019-08-27
JP7185533B2 (ja) 2022-12-07
EP3584823A1 (en) 2019-12-25
US20200010727A1 (en) 2020-01-09
JPWO2018150945A1 (ja) 2019-12-26
TW201835286A (zh) 2018-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5890583B2 (ja) 研磨用組成物および研磨物製造方法
JP7148506B2 (ja) 研磨用組成物およびこれを用いた研磨方法
CN106463386B (zh) 硅晶圆的研磨方法、研磨用组合物及研磨用组合物套组
CN106663619B (zh) 硅晶圆研磨用组合物
JP7185533B2 (ja) シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
JP7353051B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
WO2017150158A1 (ja) シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット
JP6691774B2 (ja) 研磨用組成物およびその製造方法
JP6255287B2 (ja) 研磨方法およびそれに用いられる研磨用組成物
JP2020027834A (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
KR101732331B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물
JP6246638B2 (ja) 研磨方法およびそれに用いられる研磨用組成物
JP7026043B2 (ja) シリコンウェーハ粗研磨用組成物の製造方法、シリコンウェーハ粗研磨用組成物セット、およびシリコンウェーハの研磨方法
WO2018096991A1 (ja) 研磨用組成物
JP6305674B2 (ja) 研磨用組成物及び半導体基板の製造方法
JP5859054B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
TWI829675B (zh) 研磨用組合物
WO2023181928A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023189812A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023063027A1 (ja) 研磨用組成物
JP2023149877A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18754373

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018568125

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197027101

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018754373

Country of ref document: EP