JP2005518668A - 研磨組成物 - Google Patents
研磨組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005518668A JP2005518668A JP2003571362A JP2003571362A JP2005518668A JP 2005518668 A JP2005518668 A JP 2005518668A JP 2003571362 A JP2003571362 A JP 2003571362A JP 2003571362 A JP2003571362 A JP 2003571362A JP 2005518668 A JP2005518668 A JP 2005518668A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- water
- slurry
- colloidal silica
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims 2
- -1 hydroxy ions Chemical class 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 35
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 241001553178 Arachis glabrata Species 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 235000020232 peanut Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000017060 Arachis glabrata Nutrition 0.000 description 2
- 235000010777 Arachis hypogaea Nutrition 0.000 description 2
- 235000018262 Arachis monticola Nutrition 0.000 description 2
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 229920003169 water-soluble polymer Chemical class 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000001016 Ostwald ripening Methods 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920003063 hydroxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229940031574 hydroxymethyl cellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
半導体ウェーハを研磨するための研磨組成物は、水、好ましくはコロイダルシリカである砥粒、少なくとも約１，０００，０００の分子量を有する水溶性セルロース及び好ましくはアンモニアであるアルカリ性化合物を含む。水酸化テトラメチルアンモニウムを研磨組成物に加えてもよい。
Description
本発明は一般にケミカルメカニカルポリッシングに関し、より具体的には、半導体産業のためのシリコンウェーハの研磨法において研磨スラリーとして使用される組成物に関する。
背景
半導体産業のためのシリコンウェーハは、素子製造工程に使用することができるまでに高い表面完成度を有しなければならない。これらの表面は一般に、研磨組成物（以下、その性質から「スラリー」と呼ぶこともある）を用いてウェーハを研磨することによって製造される。研磨スラリーは一般に、一定濃度のサブミクロン粒子を含有する組成物からなる。部品、すなわち基材は、基材に押し当てられ、回転させられるエラストマーパッドとともにスラリーに浸漬又はリンスされて、スラリー粒子が負荷の下で基材に押し当てられる。パッドの横方向の動きがスラリー粒子を基材表面上で動かし、摩耗、すなわち基材表面の体積除去を生じさせる。理想的には、この工程が、突出する表面フィーチャの選択的エロージョンを生じさせて、工程が完了したとき、もっとも微小なレベルの細部まで完璧な平面が製造される。
半導体産業のためのシリコンウェーハは、素子製造工程に使用することができるまでに高い表面完成度を有しなければならない。これらの表面は一般に、研磨組成物（以下、その性質から「スラリー」と呼ぶこともある）を用いてウェーハを研磨することによって製造される。研磨スラリーは一般に、一定濃度のサブミクロン粒子を含有する組成物からなる。部品、すなわち基材は、基材に押し当てられ、回転させられるエラストマーパッドとともにスラリーに浸漬又はリンスされて、スラリー粒子が負荷の下で基材に押し当てられる。パッドの横方向の動きがスラリー粒子を基材表面上で動かし、摩耗、すなわち基材表面の体積除去を生じさせる。理想的には、この工程が、突出する表面フィーチャの選択的エロージョンを生じさせて、工程が完了したとき、もっとも微小なレベルの細部まで完璧な平面が製造される。
工業的に実施されているシリコン研磨法は２以上の工程からなる。第１の、すなわち粗研磨工程では、ウェーハ切断及び成形作業から残った大きな欠陥を除去する。ウェーハ表面は平滑で鏡面的に見えるが、数多くの微細な欠陥をなおも含む。これらの欠陥は、その後、より多くの材料を表面から除去し、表面欠陥を磨き落とすように作用して、それによって表面粗さを最小限にし、ヘイズの低い面を製造する最終研磨工程によって除去される。
表面粗さ及び表面欠陥／研磨されるウェーハ上の粒子濃度の計測は一般に、走査型光散乱検出器によって実施される。種々のモデル、たとえばCensor ANS100、Tencor 6200及びEstek WIS9000が、シリコンウェーハ産業で広く使用されている。すべての検出器は同じ作動原理を使用している。すなわち、ウェーハ表面から反射する光の非正反射度を計測する。高輝度レーザビームがウェーハの表面全体を走査する。非正反射光は軸外れ検出器に収集され、この散乱光の信号強度が解析される。表面粗さは、一般に「ヘイズ」と呼ばれる、強度の低い非局在化した光散乱を生じさせる。粒子又は他の別個の表面不完全さは、点源を有する、より強い散乱を生じさせる。これらの散乱の点源の強さは、異なるサイズのラテックス標準較正球の点源の強さに比較して格付けされる。これらの点源は一般に、光点欠陥又はＬＰＤと呼ばれ、その分布は、引用例として本明細書に取り込む、C. R. Helms及びB. E. Dead編「The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Inteface」の中でP. O. Hahnらによって「The Si-SiO2 Interface Roughness: Causes and Effects」と題する論文(pp. 401-411, Plenum Press, New York (1988)）で与えられている計測技術及び術語にしたがって格付けされる。本発明者らが知る限り、従来の２工程研磨では、第２の工程の研磨で良好な表面粗さを有する基材表面を得ることは可能であったが、原料除去速度が非常に低かった。
最終研磨工程の場合、特に２工程の仕上げ研磨においては、酸化アルミニウム又は他の砥粒を徹底的に微粉砕し、適切な粒径に調節し、水をそれに加え、硝酸アルミニウム又は種々の有機酸及び他の研磨促進剤をそこに配合するような方法で調製された研磨組成物によって研磨を実施するか、コロイダルシリカ及び水を含む研磨組成物を使用することが一般的であった。しかし、前者の研磨組成物による研磨は、機械的成分と化学的成分とのバランスが悪く、微小突起又は微細なくぼみが形成する傾向にあるという問題を抱えていた。後者の研磨組成物による研磨は、原料除去速度が低いために研磨に長時間を要し、生産性が低く、また、微小突起、微細なくぼみ及び他の表面欠陥の形成を防ぐことが困難であるという問題を抱えていた。
したがって、高い研磨除去速度を有し、ヘイズが少ない非常に平滑な研磨面を形成することができる研磨組成物又は表面処理組成物を開発することが要望されていた。
シリコンウェーハの研磨に使用されるスラリーに関しては多くの背景特許がある。
Minoru及びYutaka（特開平１１−１１６９４２）は、二酸化ケイ素、水、水溶性ポリマー化合物、塩基性化合物、アルコール性ヒドロキシ基化合物及びヒドロキシ基窒素含有化合物からなる、シリコンウェーハのための研磨スラリーを記載している。水溶性ポリマー化合物の高い分子量及び高い多分散度の臨界性は教示されていない。さらには、ヒドロキシエチルセルロースをポリビニルアルコールと併用することを教示しているが、ヒドロキシエチルセルロース単独での使用は教示していない。
Miyishata及びMinami（ヨーロッパ特許出願ＥＰ０９３３１６６Ａ１）は、主成分としてシリカ粒子を含有する砥粒、溶媒としての水及び水溶性セルロースからなる研磨剤を記載している。高い分子量及び高い多分散度の臨界性は教示されていない。
概要
本発明は、高い研磨除去速度を有し、ヘイズが少ない非常に平滑な研磨面を形成することができる研磨組成物を提供する。
本発明は、高い研磨除去速度を有し、ヘイズが少ない非常に平滑な研磨面を形成することができる研磨組成物を提供する。
一つの態様で、本発明は、ピーナッツ形状のコロイダルシリカ粒子、水溶性セルロース、アンモニア及び水を含む研磨組成物である。
もう一つの態様で、本発明は、砥粒、少なくとも約１，０００，０００の分子量を有する水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を含む研磨組成物である。
さらに別の態様で、本発明は、砥粒、少なくとも約５ＭＷ／Ｍｎの多分散度を有する水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を含む研磨組成物である。
本発明の他の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。しかし、詳細な説明及び具体例は、本発明の実施態様を示すものではあるが、例として挙げるだけであり、本発明は、請求の範囲のみによって限定されるということが理解されよう。
好ましい実施態様の詳細な説明
現在の工業規格を超える性能を有する、シリコン半導体ウェーハを研磨するための最終研磨組成物又はスラリーが開発された。スラリーは、対応する既存の工業規格最終シリコン研磨スラリーに比較して、より高い損傷層除去速度を有し、よりヘイズが少ない表面を製造する。スラリーは、砥粒、水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を含む。スラリーは、砥粒、水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を混合し、分散させることによって形成される。これらの成分を水中に分散又は溶解させる方法は限定されない。たとえば、羽根型攪拌機による攪拌によって分散させてもよいし、超音波分散によって分散させてもよい。さらに、成分を混合する順序は限定されず、同時に実施してもよい。
現在の工業規格を超える性能を有する、シリコン半導体ウェーハを研磨するための最終研磨組成物又はスラリーが開発された。スラリーは、対応する既存の工業規格最終シリコン研磨スラリーに比較して、より高い損傷層除去速度を有し、よりヘイズが少ない表面を製造する。スラリーは、砥粒、水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を含む。スラリーは、砥粒、水溶性セルロース、アルカリ性化合物及び水を混合し、分散させることによって形成される。これらの成分を水中に分散又は溶解させる方法は限定されない。たとえば、羽根型攪拌機による攪拌によって分散させてもよいし、超音波分散によって分散させてもよい。さらに、成分を混合する順序は限定されず、同時に実施してもよい。
半導体基板上に形成した膜を研磨する際、スラリーは、好ましくは希釈前の約１／２０〜約１／８０、より好ましくは希釈前の約１／２０〜約１／４０の濃度になるように水で希釈する。スラリーを希釈するためには、スラリー及び分散剤を、スラリー用のノズル及び分散剤用の別のノズルに通して、研磨ディスク上に配置された半導体ウェーハ上に同時に供給する。好ましい方法では、スラリー及び分散剤を予備混合したのち、半導体ウェーハに適用する。
砥粒
本発明の研磨組成物において、使用される好ましい砥粒はコロイダルシリカである。好ましく使用されるコロイダルシリカ粒子は、日本のFuso社から市販されているFuso PL-3コロイダルシリカ及びRodel Nittaから市販されているRodel Particle社コロイダルシリカである。これらのコロイダルシリカ粒子は非球形であり、ピーナッツ形状を示し、標準コロイダルシリカよりも粗い表面を有している。この現象は、小さめの一次粒子２個が合わさった最終的な二次粒子を形成することによって達成される。ピーナッツ状物のための一次粒子は５０nm未満に維持される。粒径が増すにつれ、コロイダルシリカ粒子はそのピーナッツ形状を失う。たとえば、３００nmのFuso粒子は丸く、ピーナッツ状物ではない。これは、粒子を球体にならしめるオストワルド熟成から生じる。この粒子は従来の球体の固形コロイダルシリカ粒子に比べて軟質であるため、この粗さ及び形状がシリコン最終研磨に最適であると推測される。
本発明の研磨組成物において、使用される好ましい砥粒はコロイダルシリカである。好ましく使用されるコロイダルシリカ粒子は、日本のFuso社から市販されているFuso PL-3コロイダルシリカ及びRodel Nittaから市販されているRodel Particle社コロイダルシリカである。これらのコロイダルシリカ粒子は非球形であり、ピーナッツ形状を示し、標準コロイダルシリカよりも粗い表面を有している。この現象は、小さめの一次粒子２個が合わさった最終的な二次粒子を形成することによって達成される。ピーナッツ状物のための一次粒子は５０nm未満に維持される。粒径が増すにつれ、コロイダルシリカ粒子はそのピーナッツ形状を失う。たとえば、３００nmのFuso粒子は丸く、ピーナッツ状物ではない。これは、粒子を球体にならしめるオストワルド熟成から生じる。この粒子は従来の球体の固形コロイダルシリカ粒子に比べて軟質であるため、この粗さ及び形状がシリコン最終研磨に最適であると推測される。
２０：１〜４０：１の希釈である本発明のスラリー中のコロイダルシリカ粒子の量は、希釈後のスラリーの全重量に基づいて約０．０１重量％〜約１．００重量％、好ましくは約０．１０重量％〜約０．５重量％である。砥粒の含有率が低すぎるならば、研磨除去速度が低下し、加工に長時間を要するようになり、その結果、実用的であるには生産性が低すぎる。他方、含有率が高すぎるならば、均一な分散を維持しにくい傾向があり、組成物の粘性が過剰になる傾向があり、その結果、取り扱いにくくなる傾向がある。
シリカ粒子は、砥粒として、研磨される表面を機械的作用によって研磨するように働く。本発明の研磨組成物に使用されるシリカ粒子の好ましい平均粒径は、約２０nm〜約１２０nm、より好ましくは約５０nm〜約８０nmの範囲である。粒子がピーナッツ状物であるため、一次粒径は３０〜３５nmである。得られるピーナッツ形状の二次粒子は、一次粒子２個を含むため、そのサイズの約２倍である。
粒径が大きすぎるならば、砥粒の分散を維持しにくい傾向があり、その結果、組成物の安定性が低下し、砥粒が沈殿する傾向が見られ、研磨されるウェーハ表面にスクラッチが形成しやすくなるような問題が生じる。他方、粒径が小さすぎるならば、研磨除去速度が低下する傾向があり、加工に長時間を要するようになり、実用的であるには生産性が低下しすぎる。
水溶性セルロース
本発明の組成物は、好ましくは水溶性セルロースを含有する。研磨直後のウェーハ表面は疎水性であり、研磨組成物、空気中のダスト又は他の異物がそのような状態でウェーハ表面に付着すると、組成物中の砥粒又は異物が乾燥し、凝固してウェーハ表面に固着し、ひいてはウェーハ表面上に付着物を生じさせる。ところが、本発明の研磨組成物では、水溶性セルロースがウェーハ表面に親水性を提供するように作用し、その結果、ウェーハ表面は、研磨の完了から後続のバフィング又は洗浄工程までの短時間のうちに乾ききることはない。好ましい方法では、基材ウェーハを、研磨後、水でバフィングする。水でのバフィングとウェーハ上の界面活性剤との組み合わせが欠陥発生率を低く維持する。
本発明の組成物は、好ましくは水溶性セルロースを含有する。研磨直後のウェーハ表面は疎水性であり、研磨組成物、空気中のダスト又は他の異物がそのような状態でウェーハ表面に付着すると、組成物中の砥粒又は異物が乾燥し、凝固してウェーハ表面に固着し、ひいてはウェーハ表面上に付着物を生じさせる。ところが、本発明の研磨組成物では、水溶性セルロースがウェーハ表面に親水性を提供するように作用し、その結果、ウェーハ表面は、研磨の完了から後続のバフィング又は洗浄工程までの短時間のうちに乾ききることはない。好ましい方法では、基材ウェーハを、研磨後、水でバフィングする。水でのバフィングとウェーハ上の界面活性剤との組み合わせが欠陥発生率を低く維持する。
水溶性セルロースは、コロイダルシリカ粒子又はウェーハ表面のいずれかを被覆する。すると、水溶性セルロースは、表面に衝突する粒子を緩衝する。水溶性セルロースは、研磨工程中にウェーハに加えられる損傷を抑えるように働く。水溶性セルロースは、組成物中に溶解されなければならず、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース及びヒドロキシエチルセルロースからなる群より選択される。ヒドロキシエチルセルロースが好ましい水溶性セルロースである。もっとも好ましくは、ヒドロキシエチルセルロースは高い分子量及び多分散度を有する。ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、好ましくは約１，０００，０００を超え、その多分散度は、約５分子量（重量）／分子量（数）（ＭＷ／Ｍｎ）を超える。多分散度は、ポリマー鎖のサイズの差違を計測する。ヒドロキシエチルセルロースの量は、希釈後のスラリーの合計量に基づいて、好ましくは約０．００６重量％〜約１重量％、より好ましくは約０．０１重量％〜約０．５重量％、もっとも好ましくは約０．００５重量％〜約０．０３重量％である。量が２重量％を超えるならば、スラリーの粘性が過剰に上昇してスラリーが扱いにくくなる。ヒドロキシエチルセルロースの含有率が高すぎるならば、それがコロイダルシリカ粒子及び／又は基材表面を厚い層で覆い、この層がシリコン除去を妨げることがある。高い分子量及び高い多分散度を有するスラリーを使用することにより、スラリーが基材上でより大きな表面被覆範囲を有し、基材表面上でより高い充填密度を有し、それによって除去速度を増大させるということがわかった。
アルカリ化合物
アルカリ化合物は、スラリーのｐＨを制御し、本発明のスラリーをアルカリ側に配して研磨機能を促進するために加えられる。また、スラリーがシリカを含有する場合、研磨工程でのｐＨ値を８以上に設定してシリカ及び水溶性セルロースの凝集を防ぐため、ｐＨ調整剤が加えられる。好ましく使用されるアルカリ化合物はアンモニアである。スラリー中のアンモニア濃度を増すことは、研磨中のウェーハ表面のヒドロキシ濃度を増大させ、シリコンエッチングを加速する。また、シリカ粒子はより高いｐＨ範囲でより安定であるため、これが除去速度を高める好ましい方法であると考えられている。アンモニアの量は、希釈後のスラリーの全重量に基づいて、約０．００６重量％〜約０．０７５重量％、好ましくは約０．０１２５重量％〜約０．０３７５重量％であることができる。
アルカリ化合物は、スラリーのｐＨを制御し、本発明のスラリーをアルカリ側に配して研磨機能を促進するために加えられる。また、スラリーがシリカを含有する場合、研磨工程でのｐＨ値を８以上に設定してシリカ及び水溶性セルロースの凝集を防ぐため、ｐＨ調整剤が加えられる。好ましく使用されるアルカリ化合物はアンモニアである。スラリー中のアンモニア濃度を増すことは、研磨中のウェーハ表面のヒドロキシ濃度を増大させ、シリコンエッチングを加速する。また、シリカ粒子はより高いｐＨ範囲でより安定であるため、これが除去速度を高める好ましい方法であると考えられている。アンモニアの量は、希釈後のスラリーの全重量に基づいて、約０．００６重量％〜約０．０７５重量％、好ましくは約０．０１２５重量％〜約０．０３７５重量％であることができる。
水酸化テトラメチルアンモニウム
水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の添加が、より低い除去速度及びより良好でより少ないヘイズを提供することによって本発明のスラリーの性能を大幅に改善するということがわかった。ＴＭＡＨは、シリコンウェーハの洗浄溶液に使用されることもある化合物である。同時に、ＴＭＡＨは、スラリー中のシリカ粒子を安定化するのにも役立つ。
水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の添加が、より低い除去速度及びより良好でより少ないヘイズを提供することによって本発明のスラリーの性能を大幅に改善するということがわかった。ＴＭＡＨは、シリコンウェーハの洗浄溶液に使用されることもある化合物である。同時に、ＴＭＡＨは、スラリー中のシリカ粒子を安定化するのにも役立つ。
ＴＭＡＨは、研磨中に、ヒドロキシエチルセルロースに対するその表面被覆レベルに依存して、疎水性ウェーハ表面を形成するのに役立つ。ＴＭＡＨは、研磨温度を下げるということが確認されている。ＴＭＡＨの量は、希釈後のスラリーの全重量に基づいて、約０．０００３重量％〜約０．０５重量％、好ましくは約０．０００６重量％〜約０．０２重量％であることができる。
例１
本発明のサンプル組成物を異なるヒドロキシエチルセルロース濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表Ｉは、４０：１希釈で試験した配合物を示す。図１は、４０：１希釈のスラリーの場合で異なる濃度のヒドロキシエチルセルロースがヘイズに対して及ぼす影響を示す。
本発明のサンプル組成物を異なるヒドロキシエチルセルロース濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表Ｉは、４０：１希釈で試験した配合物を示す。図１は、４０：１希釈のスラリーの場合で異なる濃度のヒドロキシエチルセルロースがヘイズに対して及ぼす影響を示す。
例２
本発明のサンプル組成物を異なるアンモニア濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表IIは、２０：１希釈で試験した配合物を示す。図２は、２０：１希釈のスラリーの場合で異なる濃度のアンモニアによって除去速度がどのように影響を受けるのかを示す。
本発明のサンプル組成物を異なるアンモニア濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表IIは、２０：１希釈で試験した配合物を示す。図２は、２０：１希釈のスラリーの場合で異なる濃度のアンモニアによって除去速度がどのように影響を受けるのかを示す。
例３
本発明のサンプル組成物を異なる水酸化テトラメチルアンモニウム濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表IIIは、２０：１及び４０：１希釈で試験したＴＭＡＨ配合物を示す。表IV及びＶは、表IIIに示す配合物を用いて得られた研磨結果を示す。すべての試験は、Strausbaugh 6ECで実施した。同じ研磨パラメータの下、２０：１希釈の表IIIの配合物で８分間及び１０分間研磨し、４０：１希釈の表IIIの配合物で６分間研磨した。配合物スクリーニングに使用したパッドはSPM3100パッドであった。図３は、ＴＭＡＨの濃度を高めると除去速度がどのように低下するのかを示す。表IV及びＶは、ＴＭＡＨの増加とともに除去速度及びヘイズが低下することを示す。
本発明のサンプル組成物を異なる水酸化テトラメチルアンモニウム濃度で試験した。組成物中の他の物質の濃度及び性質は、サンプル組成物ごとに同じに維持した。表IIIは、２０：１及び４０：１希釈で試験したＴＭＡＨ配合物を示す。表IV及びＶは、表IIIに示す配合物を用いて得られた研磨結果を示す。すべての試験は、Strausbaugh 6ECで実施した。同じ研磨パラメータの下、２０：１希釈の表IIIの配合物で８分間及び１０分間研磨し、４０：１希釈の表IIIの配合物で６分間研磨した。配合物スクリーニングに使用したパッドはSPM3100パッドであった。図３は、ＴＭＡＨの濃度を高めると除去速度がどのように低下するのかを示す。表IV及びＶは、ＴＭＡＨの増加とともに除去速度及びヘイズが低下することを示す。
Claims (10)
- シリコンウェーハを研磨するのに有用な研磨組成物であって、
５０nm未満の一次粒径を有するピーナッツ形状のコロイダルシリカ粒子０．０１〜１重量％、
シリコンウェーハに親水性表面を提供するための水溶性セルロース、
ｐＨを少なくとも８に高めるためのヒドロキシイオンの供給源、及び
水
を含む研磨組成物。 - 前記水溶性セルロースがヒドロキシエチルセルロースを含む、請求項１記載の研磨組成物。
- 前記ヒドロキシエチルセルロースが少なくとも約５ＭＷ／Ｍｎの多分散度を有する、請求項２記載の研磨組成物。
- 前記ピーナッツ形状のコロイダルシリカ粒子が約２０nm〜約１２０nmの範囲の平均粒径を有する、請求項１記載の研磨組成物。
- 水酸化テトラメチルアンモニウム０．０００３〜０．０５重量％を含む、請求項１記載の研磨組成物。
- シリコンウェーハを研磨するのに有用な研磨組成物であって、
５０nm未満の一次粒径を有するピーナッツ形状のコロイダルシリカ粒子０．０１〜１重量％、
シリコンウェーハに親水性表面を提供するための水溶性セルロース０．００６〜１重量％、
水酸化テトラメチルアンモニウム０．０００３〜０．０５重量％、
ｐＨを少なくとも８に高めるための、アンモニアを含むヒドロキシイオンの供給源、及び
水
を含む研磨組成物。 - 前記水溶性セルロースがヒドロキシエチルセルロースを含む、請求項６記載の研磨組成物。
- 前記ヒドロキシエチルセルロースが少なくとも約５ＭＷ／Ｍｎの多分散度を有する、請求項７記載の研磨組成物。
- 前記ピーナッツ形状のコロイダルシリカ粒子が約２０nm〜約１２０nmの範囲の平均粒径を有する、請求項６記載の研磨組成物。
- 水酸化テトラメチルアンモニウム０．０００６〜０．０２重量％を含む、請求項６記載の研磨組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/081,707 US6685757B2 (en) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | Polishing composition |
| PCT/US2003/004684 WO2003072669A2 (en) | 2002-02-21 | 2003-02-14 | Polishing composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005518668A true JP2005518668A (ja) | 2005-06-23 |
| JP2005518668A5 JP2005518668A5 (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=27733294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003571362A Pending JP2005518668A (ja) | 2002-02-21 | 2003-02-14 | 研磨組成物 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6685757B2 (ja) |
| EP (1) | EP1478492A2 (ja) |
| JP (1) | JP2005518668A (ja) |
| KR (1) | KR20040103946A (ja) |
| CN (1) | CN100446926C (ja) |
| AU (1) | AU2003215261A1 (ja) |
| TW (1) | TWI262209B (ja) |
| WO (1) | WO2003072669A2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352043A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
| JP2008235491A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009231486A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| DE102009031356A1 (de) | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fujimi Inc., Kiyosu-shi | Benetzungsmittel für Halbleiter, Polierzusammensetzung und sie verwendendes Polierverfahren |
| JP2014049633A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び基板の製造方法 |
| KR20140080543A (ko) | 2011-10-24 | 2014-06-30 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
| JP2014130958A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| KR20140117496A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| KR20140117495A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 희석용 원액, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| WO2017169154A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物セット、前研磨用組成物、及びシリコンウェーハの研磨方法 |
| KR20170118690A (ko) | 2015-02-19 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| WO2018150945A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| US7736405B2 (en) * | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
| JP4668528B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4532149B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-08-25 | ニッタ・ハース株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物およびシリコンウエハの研磨方法 |
| CN101636465A (zh) * | 2007-01-31 | 2010-01-27 | 高级技术材料公司 | 用于化学机械抛光浆料应用的聚合物-二氧化硅分散剂的稳定化 |
| JP2008270584A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| US8877643B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-11-04 | Sumco Corporation | Method of polishing a silicon wafer |
| DE102009028762A1 (de) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Rena Gmbh | Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen |
| US8697576B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-04-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing polysilicon |
| US8883034B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-11-11 | Brian Reiss | Composition and method for polishing bulk silicon |
| US8815110B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-08-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing bulk silicon |
| JP5492603B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-05-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR20130014588A (ko) * | 2010-07-02 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 |
| JP5585652B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2014-09-10 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの研磨方法 |
| JP6014050B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2016-10-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 改善されたｐｓｄ性能を有するシリコン研磨用組成物 |
| RU2467047C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-11-20 | Александр Николаевич Коротков | Абразивно-притирочная паста |
| KR20120136882A (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| SG11201500924PA (en) | 2012-08-31 | 2015-04-29 | Fujimi Inc | Polishing composition and method for producing substrate |
| DE102013205448A1 (de) * | 2013-03-27 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
| US9012327B2 (en) | 2013-09-18 | 2015-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Low defect chemical mechanical polishing composition |
| CN105802509B (zh) * | 2014-12-29 | 2018-10-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 |
| JP6822432B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-01-27 | 株式会社Sumco | ウェーハの片面研磨方法 |
| WO2020004047A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
| CN110551453A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-12-10 | 清华大学 | 一种抛光组合物 |
| CN111269695A (zh) * | 2020-02-29 | 2020-06-12 | 上海大学 | 花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用 |
| CN115851138A (zh) * | 2022-12-23 | 2023-03-28 | 博力思(天津)电子科技有限公司 | 一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| JPH10309660A (ja) | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| JP4052607B2 (ja) | 1998-04-20 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法 |
| JPH11349925A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Fujimi Inc | エッジポリッシング用組成物 |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4090589B2 (ja) | 1998-09-01 | 2008-05-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4132432B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2008-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
| JP3563017B2 (ja) | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
| JP2002043258A (ja) | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Asahi Kasei Corp | 金属膜用研磨組成物 |
| JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-21 US US10/081,707 patent/US6685757B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-14 WO PCT/US2003/004684 patent/WO2003072669A2/en not_active Application Discontinuation
- 2003-02-14 EP EP03711077A patent/EP1478492A2/en not_active Withdrawn
- 2003-02-14 JP JP2003571362A patent/JP2005518668A/ja active Pending
- 2003-02-14 AU AU2003215261A patent/AU2003215261A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-14 CN CNB038043130A patent/CN100446926C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-14 KR KR10-2004-7013000A patent/KR20040103946A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-02-20 TW TW092103519A patent/TWI262209B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352043A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
| JP2008235491A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物 |
| JP2009231486A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| DE102009031356A1 (de) | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fujimi Inc., Kiyosu-shi | Benetzungsmittel für Halbleiter, Polierzusammensetzung und sie verwendendes Polierverfahren |
| US8632693B2 (en) | 2008-07-03 | 2014-01-21 | Fujimi Incorporated | Wetting agent for semiconductors, and polishing composition and polishing method employing it |
| US9579769B2 (en) | 2011-10-24 | 2017-02-28 | Fujimi Incorporated | Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate |
| KR20140080543A (ko) | 2011-10-24 | 2014-06-30 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
| KR20140117496A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| KR20140117495A (ko) | 2012-01-16 | 2014-10-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그의 제조 방법, 희석용 원액, 실리콘 기판의 제조 방법, 및 실리콘 기판 |
| US9206336B2 (en) | 2012-01-16 | 2015-12-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, manufacturing process therefor, process for production of silicon substrate, and silicon substrate |
| JP2014049633A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び基板の製造方法 |
| JP2014130958A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| KR20170118690A (ko) | 2015-02-19 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 및 연마 방법 |
| US10273383B2 (en) | 2015-02-19 | 2019-04-30 | Fujimi Incorporated | Polishing composition for silicon wafer and polishing method |
| WO2017169154A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物セット、前研磨用組成物、及びシリコンウェーハの研磨方法 |
| JPWO2017169154A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-02-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物セット、前研磨用組成物、及びシリコンウェーハの研磨方法 |
| WO2018150945A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット |
| JPWO2018150945A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2019-12-26 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット |
| JP7185533B2 (ja) | 2017-02-20 | 2022-12-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI262209B (en) | 2006-09-21 |
| WO2003072669A3 (en) | 2004-03-04 |
| WO2003072669A9 (en) | 2004-04-01 |
| AU2003215261A1 (en) | 2003-09-09 |
| EP1478492A2 (en) | 2004-11-24 |
| WO2003072669A2 (en) | 2003-09-04 |
| US20030154659A1 (en) | 2003-08-21 |
| KR20040103946A (ko) | 2004-12-09 |
| AU2003215261A8 (en) | 2003-09-09 |
| CN1635940A (zh) | 2005-07-06 |
| US6685757B2 (en) | 2004-02-03 |
| TW200303343A (en) | 2003-09-01 |
| CN100446926C (zh) | 2008-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005518668A (ja) | 研磨組成物 | |
| JP2005518668A5 (ja) | ||
| JP4115562B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| US5860848A (en) | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries | |
| EP0962508B1 (en) | Use of a wafer edge polishing composition | |
| JP2592401B2 (ja) | 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法 | |
| JP4311247B2 (ja) | 研磨用砥粒、研磨剤、研磨液の製造方法 | |
| JP3457144B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| EP1357161A2 (en) | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing | |
| JP2008147651A (ja) | シリコンウエハの最終研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの最終研磨方法 | |
| JP2008235481A (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 | |
| CN105829488A (zh) | 用于抛光基材的湿法铈土组合物、及其相关方法 | |
| KR20170041201A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 마무리 연마방법 및 실리콘 웨이퍼 | |
| WO2011158718A1 (ja) | 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法 | |
| WO2000072374A1 (en) | Detection of processing-induced defects in silicon wafer | |
| JP6618355B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| JPH09208933A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP6811090B2 (ja) | 酸化珪素膜用研磨液組成物 | |
| JP2001110760A (ja) | シリコンウェハー用研磨助剤 | |
| JP2001277106A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH10245545A (ja) | シリコンウェハー用研磨助剤 | |
| WO2022074835A1 (ja) | シリコン基板の研磨 | |
| EP0840664A1 (en) | Compositions for polishing silicon wafers and methods | |
| KR20030042147A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 연마용 슬러리 및 그 사용방법 | |
| CN114774003A (zh) | NiP改性层化学机械抛光液及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060208 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080909 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090224 |