KR20040103946A - 연마 조성물 - Google Patents

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KR20040103946A
KR20040103946A KR10-2004-7013000A KR20047013000A KR20040103946A KR 20040103946 A KR20040103946 A KR 20040103946A KR 20047013000 A KR20047013000 A KR 20047013000A KR 20040103946 A KR20040103946 A KR 20040103946A
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KR
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polishing
polishing composition
slurry
composition
weight
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Application number
KR10-2004-7013000A
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쉬하오펑
퀀시존
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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  • Organic Chemistry (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 조성물은 물, 연마재, 바람직하게는 콜로이드성 실리카, 분자량이 약 1,000,000 이상인 수용성 셀룰로즈 및 알칼리성 화합물, 바람직하게는 암모니아를 포함한다. 테트라메틸암모늄 하이드록사이드는 또한 연마 조성물에 첨가될 수 있다.

Description

연마 조성물{Polishing composition}
기술 분야
본 발명은 일반적으로 화학 기계적 연마 조성물, 보다 특히 반도체 산업용 실리콘 웨이퍼의 연마 공정에서 연마 슬러리로서 사용되는 조성물에 관한 것이다.
배경
반도체 산업용 실리콘 웨이퍼는 장치 제조 공정에서 이용하기 위해서는 표면 완전도가 높아야 한다. 이러한 표면은 보편적으로 웨이퍼를 (이후, 때로는 이의 특성상 "슬러리"로서 언급됨) 연마 조성물로 연마함으로써 제조된다. 연마 슬러리는 일반적으로 일정한 농도의 서브마이크론 입자를 함유하는 조성물로 구성된다. 그 부품 또는 기판은 당해 기판에 대해 압착되는 탄성 패드와 결합된 슬러리 속에서 중탕 또는 세정되고 슬러리 입자가 하중하에 당해 기판에 압착되도록 회전된다. 패드의 측면 운동은 슬러리 입자를 기판 표면의 맞은편으로 이동시켜 기판 표면을 마모시키거나 체적 제거를 초래한다. 이론상, 이 공정은 표면 특성을 투영하는 선택적 마모를 유도하여 당해 공정이 완결되는 경우 완전 평면 표면이 가장 미세한 세부 수준 이하로 제조되게 한다.
산업계에서 수행되는 실리콘 연마 공정은 두 가지 이상의 단계로 구성된다.제1 단계 또는 거친 연마 단계에서, 웨이퍼 톱질 공정(wafer sawing process) 및 성형 공정으로부터 잔류하는 전체 결함이 제거된다. 웨이퍼 표면은 활면 및 거울면이지만 여전히 수많은 미미한 결함들을 갖는 것으로 보인다. 이러한 결함은 표면으로부터 물질을 더 제거하고 표면 결함들을 연마에 의해 제거하도록 작용하는 후속적인 최종 연마 단계에 의해 제거함으로써 표면 조도를 최소화하고 헤이즈도가 낮은 표면을 제조하게 한다.
연마된 웨이퍼에 대한 표면 조도 및 표면 결함/입자 농도의 측정은 일반적으로 스캐닝 광 산란 검출기에 의해 수행된다. 각종 모델, 예를 들면, Censor ANS100, Tencor 6200 및 Estek WIS9000은 실리콘 웨이퍼 산업에서 광범위하게 사용된다. 모든 검출기는 즉, 웨이퍼 표면으로부터 거울 비반사광(non-specular reflected light)의 정도를 측정하는 것과 동일한 작동 원리를 사용한다. 고강도 레이저빔은 웨이퍼의 표면을 따라 스캐닝된다. 거울 비반사광은 오프축(off-axis) 검출기로 수집하고 이렇게 산란된 광의 신호 강도를 분석한다. 표면 조도는 보편적인 저강도의 광 산란을 발생시키는데, 일반적으로 헤이즈라고 불린다. 입자 또는 기타 이산 표면 결함은 점원 기원(point source origin)을 갖는 추가의 강렬한 산란을 제공한다. 이러한 점원의 산란 강도는 크기가 변하는 라텍스 표준 검정 구체와 필적한 것으로 평가된다. 이러한 점원은 일반적으로 광점 결함(Light Point Defect)이라 불리거나, LPD 및 이의 분포는 측정 기술에 따라 평가되며 용어는 본원에 참고로 인용되어 있는 문헌[참조: P. O. Hahn et al. in an articleentitled" The Si-Si02Interface Roughness: Causes and Effects"in C. R. Helms and B. E. Dead, Eds., "The Physics and Chemistry of Si02and the Si-Si02Interface, pp. 401-411, Plenum Press, New York (1988)]에 기재되어 있다. 통상의 2단계 연마에서 본 발명의 발명자들이 인식하는 한, 제2 단계의 연마에서 표면 조도가 우수한 기판 표면을 수득할 수 있지만, 스톡 제거 속도(stock removal rate)는 매우 낮다.
최종 연마 단계의 경우, 특히 2단계의 최종 연마시에, 알루미늄 옥사이드 또는 기타 연마재가 철저히 미분되고 적절한 입자 크기로 조절되며 물을 첨가하고 질산알루미늄 또는 각종 유기산 및 기타 연마 촉진제를 혼입하는 방식으로 제조된 연마 조성물에 의해 연마를 수행하거나, 콜로이드성 실리카 및 물을 포함하는 연마 조성물을 사용하는 것이 통상적이다. 그러나, 전자의 연마 조성물에 의한 연마는 기계적 성분과 화학적 성분과의 균형이 떨어진다는 문제점이 있으며, 미세 돌출부 또는 미세 피트가 형성되려는 경향이 있다. 후자의 연마 조성물에 의한 연마는 스톡 제거 속도가 너무 낮아서 연마하는 데 시간이 오래 걸리며 생산성이 낮고 미세 돌출부, 미세 피트 및 기타 표면 결함의 형성을 막기가 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 연마 조성물, 또는 연마 제거 속도가 높고 매우 매끄러우며 헤이즈도가 낮은 연마 표면을 형성할 수 있는 표면 처리 조성물을 개발할 것이 요망되고 있다.
실리콘 웨이퍼의 연마에 사용되는 슬러리에 대한 수 많은 선행 특허가 존재한다.
미노루(Minoru) 및 유타카(Yutaka)(일본 공개특허공보 제(평)11-116942호)는 이산화규소, 물, 수용성 중합체 화합물, 염기성 화합물, 알콜성 하이드록시 그룹 화합물 및 하이드록시 그룹 질소 함유 화합물로 이루어진 실리콘 웨이퍼용 연마 조성물을 언급한다. 고분자량 및 고다분산성 수용성 중합체 화합물의 임계성은 언급하지 않았다. 또한, 하이드록시에틸셀룰로즈를 폴리비닐 알콜과 결합하여 사용하는 것은 언급하지만 하이드록시에틸셀룰로즈를 단독으로 사용하는 것은 언급하지 않는다.
미이샤탸(Miyishata) 및 미나미(Minami)(유럽 공개특허공보 제0 933 166 A1호)는 주성분으로서의 실리카 입자, 용매로서의 물, 및 수용성 셀룰로즈를 함유하는 연마재로 이루어진 연마제를 언급한다. 고분자량 및 고다분산성 수용성 중합체 화합물의 임계성은 언급하지 않는다.
간단한 요약
본 발명은 연마 제거 속도가 높고 매우 매끄러우며 헤이즈도가 낮은 연마 표면을 형성할 수 있는 연마 조성물을 제공한다.
한 가지 국면에 있어서, 본 발명은 땅콩형(peanut-like shaped) 콜로이드성 실리카 입자, 수용성 셀룰로즈, 암모니아 및 물을 포함하는 연마 조성물이다.
또 다른 국면에 있어서, 본 발명은 연마재, 분자량이 약 1,000,000 이상인 수용성 셀룰로즈, 알칼리성 화합물 및 물을 포함하는 연마 조성물이다.
또 다른 국면에 있어서, 본 발명은 연마재, 다분산도가 약 5MW/Mn 이상인 수용성 셀룰로즈, 알칼리성 화합물 및 물을 포함하는 연마 조성물이다.
본 발명의 기타 목적, 특징 및 이점은 다음 상세한 설명으로부터 명백해진다. 그러나, 본 발명의 상세한 설명 및 특정 실시예가 본 발명의 양태를 나타내지만 이는 단지 이를 예시하고자 하는 것이며, 본 발명이 발명의 상세한 설명에 이어지는 청구의 범위에 의해서만 한정됨을 이해해야 한다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명에 따라 조성물 속의 하이드록시에틸셀룰로즈의 농도가 40:1의 희석액에서 시험한 조성물을 변화시킴에 따르는 기판 헤이즈에 대한 효과를 도시한 도면이다.
도 2는 20:1의 희석액에서 시험한 본 발명에 따르는 연마 조성물 속에서 암모니아의 농도를 변화시기 위한 연마 제거 속도를 도시한 도면이다.
도 3은 40:1의 희석액에서 시험한 본 발명에 따르는 조성물을 연마하기 위한 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드의 농도를 변화시킴에 있어서의 연마 제거 속도를 도시한 도면이다.
바람직한 양태의 상세한 설명
산업 표준을 수월하게 능가하는 반도체 실리콘 웨이퍼의 연마를 위한 최종 연마 조성물 또는 슬러리가 개발되어 왔다. 이 슬러리는 손상층을 제거하기 위한제거 속도가 높으며 기존의 상응하는 산업 표준 최종 실리콘 연마 슬러리에 비하여 낮은 헤이즈 표면을 제조한다. 연마 슬러리는 연마재, 수용성 셀룰로즈, 알칼리성 화합물 및 물을 포함한다. 이 슬러리는 연마재, 수용성 셀룰로즈, 알칼리성 화합물 및 물을 혼합하고 분산시켜 제조한다. 이들 성분을 물 속에 분산 또는 용해시키기 위한 방법은 임의 공정이다. 예를 들면, 이들 성분은 날개형 교반기(vane-type stirring machine) 또는 초음파 분산에 의해 교반하여 분산될 수 있다. 추가로, 이들 성분의 혼합 순서는 무순이며 또한 동시에 수행할 수 있다.
반도체 기판 위에 형성된 필름의 연마시, 슬러리는, 희석된 슬러리의 두께가 바람직하게는 희석 전의 슬러리만큼 두꺼운 약 1/20 내지 약 1/80, 보다 바람직하게는 희석 전의 슬러리만큼 두꺼운 약 1/20 내지 약 1/40으로 되도록 물로 희석시킨다. 슬러리를 희석하기 위해, 슬러리 및 분산재는 슬러리용 노즐과 분산재용의 또 다른 노즐을 통해 연마 디스크에 배열된 반도체 웨이퍼 위로 동시에 공급된다. 바람직한 방법에 있어서, 슬러리와 분산재를 예비혼합하고, 반도체 웨이퍼에 도포시킨다.
연마재
본 발명의 연마 조성물에 있어서, 사용되는 바람직한 연마재는 콜로이드성 실리카이다. 바람직하게 사용되는 콜로이드성 실리카 입자는 일본에 소재하는 후소, 인코포레이티드(Fuso, Inc.)가 시판하는 후소(Fuso) PL-3 콜로이드성 실리카 및 로델 니타(Rodel Nitta)가 시판하는 로델 파티클 인코포레이티드(RodelParticle Inc.) 콜로이드성 실리카이다. 이들 콜로이드성 실리카 입자는 비구체이고 땅콩형 형태를 나타내며 표준 콜로이드성 실리카보다 거친 표면을 갖는다. 이러한 현상은 최종 2급 입자를 형성하기 위해 2개의 작은 주요 입자들을 함께 결합함에 의해 달성된다. 땅콩형 주요 입자 크기는 50nm 이하로 유지된다. 입자 크기가 증가함에 따라, 콜로이드성 실리카 입자는 그 땅콩 형태가 사라진다. 예를 들면, 300nm의 후소 입자는 둥글고 땅콩형이 아니다. 이는 당해 입자를 구체로 되게 하는 오츠발트 숙성(Ostwald ripening)으로부터 발생한다. 이러한 조도 및 형태는 당해 입자가 통상의 구체의 콜로이드성 실리카 고체 입자에 비하여 연질이기 때문에 실리콘 최종 연마에 최적인 것으로 추측된다.
20:1 내지 40:1의 희석액인 본 발명의 슬러리에서 콜로이드성 실리카 입자의 양은, 희석 후의 슬러리의 총량을 기준으로 하여, 약 0.01 내지 약 1.00중량%, 바람직하게는 약 0.10 내지 약 0.5중량%이다. 연마재의 함량이 너무 적으면 연마 제거 속도가 낮으며 가공 시간이 오래 걸리며, 이에 따라 생산성이 너무 낮아져서 실용적이지 못하다. 한편, 연마재의 함량이 너무 많으면 균일한 분산이 거의 유지되지 못하는 경향이 있으며, 조성물의 점도가 과도하게 되어 취급하기 어려워지는 경향이 있다.
실리카 입자는 연마재 입자로서 기계적 작용에 의해 연마되는 표면을 연마하는 데 사용한다. 본 발명의 연마 조성물에 사용되는 실리카 입자의 바람직한 평균 입자 크기는 약 20 내지 약 120nm, 보다 바람직하게는 약 50 내지 약 80nm로 변한다. 입자가 땅콩이기 때문에, 주요 입자 크기는 30 내지 35nm이다. 생성된 두 번째 땅콩형 입자는 2개의 주요 입자를 포함하기 때문에 이 크기의 거의 두배이다.
입자 크기가 너무 크면 연마재 입자의 분산성은 거의 유지되지 못하는 경향이 있으며, 이에 따라 조성물의 안정성이 저하되고, 연마재 입자가 침전되기 쉽고 연마된 웨이퍼 표면에 긁힘이 형성될 수 있는 문제가 있을 수 있다. 다른 한편, 입자 크기가 너무 작으면 연마 제거 속도는 너무 낮아지기 쉽고, 가공하기에 시간이 오래 걸리며, 생산성이 너무 낮아서 실용적이지 못하다.
수용성 셀룰로즈
본 발명의 조성물은 바람직하게는 수용성 셀룰로즈를 함유한다. 연마 직후 웨이퍼 표면은 소수성을 가지며, 공기 중에서 또는 기타 외부 물질 속에서 오염된 연마 조성물이 이러한 상태로 웨이퍼 표면에 부착되는 경우, 당해 조성물 또는 기타 외부 물질 속의 연마재는 건조되고 고화되어 웨이퍼 표면에 단단하게 고착되며, 따라서 웨이퍼 표면에 부착된다. 반면, 본 발명의 연마 조성물에서, 수용성 셀룰로즈가 웨이퍼 표면에 친수성을 제공하도록 작용하여 웨이퍼 표면이 연마의 완료로부터 완충 또는 세정의 후속적인 단계까지의 단기간내에 건조되지는 않는다. 바람직한 방법에 있어서, 기판 웨이퍼는 연마 후 물로 완충된다. 물 버프와 웨이퍼 위의 계면활성제와의 조합은 불완전하게 낮아진다.
수용성 셀룰로즈는 콜로이드성 실리카 입자 또는 웨이퍼 표면을 피복시킨다. 수용성 셀룰로즈는 웨이퍼 표면에 부딪히는 입자를 완충시킨다. 수용성 셀룰로즈는 연마 단계 동안에 웨이퍼가 손상되는 것을 억제하는 데 사용한다. 수용성 셀룰로즈는 당해 조성물 속에 용해될 필요가 있으며 하이드록시메틸셀룰로즈, 하이드록시프로필셀룰로즈, 하이드록시프로필메틸 셀룰로즈 및 하이드록시에틸셀룰로즈로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 하이드록시에틸셀룰로즈는 수용성 셀룰로즈인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 하이드록시에틸셀룰로즈는 고분자량 및 다분산성을 갖는다. 하이드록시에틸셀룰로즈의 분자량은 바람직하게는 약 1,000,000 이상이고 다분산도는 약 5분자량/분자수(MW/Mn) 이상이다. 다분산도는 중합체 쇄의 크기 변화를 측정한다. 하이드록시에틸셀룰로즈의 양은, 희석 후 슬러리의 총량을 기준으로 하여, 바람직하게는 약 0.006 내지 약 1중량%, 보다 바람직하게는 약 0.01 내지 약 0.5중량%, 가장 바람직하게는 약 0.005 내지 약 0.03중량%이다. 이 양이 2중량%를 초과하는 경우, 슬러리의 점도는 과도하게 증가하여 슬러리를 부드럽게 다루기가 어려워진다. 하이드록시에틸셀룰로즈의 함량이 너무 많으면 실리콘 제거를 늦출 수 있는 두꺼운 층에서 콜로이드성 실리카 입자 및/또는 기판 표면을 완전히 피복시킨다. 고분자량 및 고다분산성을 갖는 슬러리를 사용함에 의해, 슬러리가, 기판 위의 표면 피복률이 커지고 기판 표면에서 팩킹 밀도가 높아져서 제거 속도가 증가하는 것으로 밝혀졌다.
알칼리성 화합물
알칼리성 화합물은 슬러리의 pH를 조절하며 알칼리성 측면에 본 발명의 슬러리를 위치시키도록 가하여 연마 기능을 촉진시킨다. 또한, 슬러리가 실리카를 포함하는 경우, pH 조절제를 가하여 연마 단계의 pH 값을 8 이상으로 설정하여 실리카 및 수용성 셀룰로즈의 응집을 억제한다. 바람직하게 사용되는 알칼리성 화합물은 암모니아이다. 슬러리 속의 암모니아 농도를 증가시키면 연마 중에 웨이퍼 표면에 하이드록시 농도가 증가하며 실리콘 에칭 속도(etching rate)를 촉진시킨다. 이는 실리카 입자가 또한 높은 pH 영역에서 보다 안정하므로 제거 속도를 증가시키는 바람직한 방법인 것으로 생각된다. 암모니아의 양은, 희석 후 슬러리의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.006 내지 약 0.075중량%, 바람직하게는 약 0.0125 내지 약 0.0375중량%이다.
테트라메틸 암모늄 하이드록사이드
테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 첨가하면 제거 속도를 낮추고 헤이즈도를 훨씬 더 낮춤으로써 본 발명의 슬러리의 성능을 크게 개선시키는 것으로 밝혀졌다. TMAH는 실리콘 웨이퍼의 세정 용액에서 종종 사용되는 화합물이다. 동시에 TMAH는 또한 슬러리 속에서 실리카 입자의 안정화를 촉진시킬 수 있다.
TMAH는 하이드록시에틸셀룰로즈에 관하여 표면 피복률의 정도에 따라 연마 중에 소수성 웨이퍼 표면을 제조할 수 있다. TMAH는 연마 온도를 감소시키는 것으로 관찰된다. TMAH의 양은, 희석 후 슬러리의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.0003 내지 약 0.05중량%, 바람직하게는 약 0.0006 내지 약 0.02중량%일 수 있다.
실시예 1
본 발명에 따라, 하이드록시에틸셀룰로즈의 농도를 변경하여 샘플 조성물을시험하였다. 당해 조성물에서 기타 물질의 농도 및 특성은 각각의 샘플 조성물에 대해 동일하게 유지시켰다. 표 I은 40:1 희석액에서 시험한 제형을 기재한다. 도 1은 하이드록시에틸셀룰로즈가 40:1 희석액에서 슬러리용 하이드록시에틸셀룰로즈의 농도 변경에 있어서 헤이즈도에 대해 갖는 효과를 도시한다.
HEC 농도 제형(40:1 희석액)
슬러리 표제 연마재 HEC(MW) HEC 농도 HH4OH 농도 표제 희석액
RPTA-0113 4.00% 1,300,000 0.50% 0.500% 40:1
RPTA-0114 4.00% 1,300,000 0.75% 0.500% 40:1
RPTA-0119 4.00% 1,300,000 0.10% 0.500% 40:1
실시예 2
본 발명에 따라, 암모니아의 농도를 변경하여 샘플 조성물을 시험하였다. 당해 조성물에서 기타 물질의 농도 및 특성은 각각의 샘플 조성물에 대해 동일하게 유지시켰다. 표 II는 20:1 희석액에서 시험한 제형을 기재한다. 도 2는 제거 속도가 20:1 희석액인 슬러리용 암모니아의 농도 변경에 미치는 영향을 도시한다.
NH4OH 농도 시험 제형
슬러리 표제 연마재 HEC(MW) HEC 농도 HH4OH 농도 표제 희석액
RPTA-0101 9.50% 1,300,000 0.25% 0.245% 20:1
RPTA-0107 9.50% 1,300,000 0.25% 0.500% 20:1
RPTA-0111 9.50% 1,300,000 0.25% 0.350% 20:1
실시예 3
본 발명에 따라, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드의 농도를 변경하여 샘플 조성물을 시험하였다. 당해 조성물에서 기타 물질의 농도 및 특성은 각각의 샘플 조성물에 대해 동일하게 유지시켰다. 표 III은 20:1 희석액과 40:1 희석액에서 시험한 TMAH 제형을 기재한다. 표 IV 및 표 V는 표 III에 기재한 제형으로 수득한 연마 결과를 기재한다. 모든 시험은 Strausbaugh 6EC에서 수행한다. 20:1 희석액의 표 III 제형은 8분 및 10분 동안 연마하고, 40:1 희석액의 표 III 제형은 동일한 연마 범위하에 6분 동안 연마하였다. 제형 스크리닝에 사용되는 패드는 SPM3100 패드이다. 도 3은 TMAH의 농도가 증가함에 따르는 제거 속도의 감소를 도시한 것이다. 표 IV 및 V는 TMAH가 증가함에 따르는 제거 속도 및 헤이즈도의 감소를 도시한 것이다.
TMAH 시험 제형
슬러리 표제 연마재 HEC(MW) HEC 농도 TMAH 농도 NH4OH 농도 표제 희석액
RPTA0107 9.50% 1,300,000 0.25% 0.00% 0.50% 20
RPTA0140 9.50% 1,300,000 0.25% 0.025% 0.50% 20
RPTA0113 4.00% 1,300,000 0.50% 0.00% 0.50% 40
RPTA0117 4.00% 1,300,000 0.50% 0.05% 0.50% 40
RPTA0115 4.00% 1,300,000 0.50% 0.10% 0.50% 40
20:1에서의 TMAH 제형 연마 결과
슬러리 형태 희석액 온도(℃) 제거율(㎛) 연마 시간(min) 제거 속도(㎛/min) 헤이즈도 LPD
RPTA0107 20:1 30.8 0.2486 8 0.0311 0.289 221
RPTA0107 20:1 31.3 0.2500 8 0.0313 0.290 149
RPTA0140 20:1 25.8 0.0122 10 0.0012 0.252 234
RPTA0140 20:1 26.1 0.0123 10 0.0012 0.268 317
40:1에서의 TMAH 제형 연마 결과
슬러리 제형 희석액 온도(℃) 제거율(㎛) 연마 시간(min) 제거 속도(㎛/min) 헤이즈도 LPD
RPTA0113 40:1 29.8 0.1311 6 0.0218 0.253 123
RPTA0113 40:1 30.4 0.1311 6 0.0219 0.260 182
RPTA0117 40:1 27.9 0.0806 6 0.0134 0.219 173
RPTA0117 40:1 28.3 0.0779 6 0.0130 0.232 151
RPTA0115 40:1 25.7 0.0301 6 0.0050 0.213 159
RPTA0115 40:1 25.2 0.0301 6 0.0050 0.210 276

Claims (10)

  1. 주요 입자 크기가 50nm 이하인 땅콩형 콜로이드성 실리카 입자 0.01 내지 1중량%,
    친수성 표면을 실리콘 웨이퍼에 제공하기 위한 수용성 셀룰로즈,
    pH를 8 이상으로 증가시키기 위한 하이드록시 이온 공급원 및
    물을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 연마에 유용한 연마 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 수용성 셀룰로즈가 하이드록시에틸셀룰로즈를 포함하는 연마 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 하이드록시에틸셀룰로즈의 다분산도가 약 5MW/Mn 이상인 연마 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 땅콩형 콜로이드성 실리카 입자의 평균 입자 크기 범위가 약 20 내지 약 120nm인 연마 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 0.0003 내지 0.05중량%를 포함하는 연마 조성물.
  6. 주요 입자 크기가 50nm 이하인 땅콩형 콜로이드성 실리카 입자 0.01 내지 1중량%,
    친수성 표면을 실리콘 웨이퍼에 제공하기 위한 수용성 셀룰로즈 0.006 내지 1중량%,
    테트라메틸암모늄 하이드록사이드 0.0003 내지 0.05중량%,
    pH를 8 이상으로 증가시키기 위한 암모니아를 포함하는 하이드록시 이온 공급원 및
    물을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 연마에 유용한 연마 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 수용성 셀룰로즈가 하이드록시에틸셀룰로즈를 포함하는 연마 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 하이드록시에틸셀룰로즈의 다분산도가 약 5MW/Mn 이상인 연마 조성물.
  9. 제6항에 있어서, 땅콩형 콜로이드성 실리카 입자의 평균 입자 크기 범위가 약 20 내지 약 120nm인 연마 조성물.
  10. 제6항에 있어서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 0.0006 내지 0.02중량%를 포함하는 연마 조성물.
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