TWI262209B - Polishing composition - Google Patents
Polishing composition Download PDFInfo
- Publication number
- TWI262209B TWI262209B TW092103519A TW92103519A TWI262209B TW I262209 B TWI262209 B TW I262209B TW 092103519 A TW092103519 A TW 092103519A TW 92103519 A TW92103519 A TW 92103519A TW I262209 B TWI262209 B TW I262209B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- water
- weight
- composition
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 53
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims abstract description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011782 vitamin Substances 0.000 claims description 2
- 229940088594 vitamin Drugs 0.000 claims description 2
- 229930003231 vitamin Natural products 0.000 claims description 2
- 235000013343 vitamin Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003722 vitamin derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims 2
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims 1
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004494 ethyl ester group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- -1 tetramethyl ketone Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 11
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 3
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 description 2
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M tetrakis-decylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCC[N+](CCCCCCCCCC)(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 241000380131 Ammophila arenaria Species 0.000 description 1
- 241001553178 Arachis glabrata Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000009123 Fibrin Human genes 0.000 description 1
- 108010073385 Fibrin Proteins 0.000 description 1
- BWGVNKXGVNDBDI-UHFFFAOYSA-N Fibrin monomer Chemical compound CNC(=O)CNC(=O)CN BWGVNKXGVNDBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229920003064 carboxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229950003499 fibrin Drugs 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020232 peanut Nutrition 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
1262209 九、發明說明： 發明所屬之技術領域】 導 先前技術】 本發明主要為關於一種化學機㈣光m指在半 體工業拋光矽晶圓加工所用之拋光漿液内之組合物。 半導體業之石夕晶圓必須具有高度完美表面才能用在组 件加工。這種表面均透過以_種拋光組合物（本文以下或稱 為“漿液”以配合其性質）拋光晶圓而得。抛光漿液—般 有次微米粒子之組合物。組件或基材浸浴或以漿液渴潤， 配合-種彈性墊壓在基材上旋轉，使毁液粒子在受壓下壓 住基材。塾側向移動促使槳液粒子移動過基材表面，造成 基材表面磨損或體積去除。理想狀況下，此種加工能將突 起部份選擇性磨去，加工完成得到最高程度的表 面。 一工業界矽拋光加工有二個或以上步驟。首先，或稱粗 扎光步私中，去除晶圓因裁切或成型所生主要缺陷點。晶_ 圓表面狀似光滑可觀，但實際上仍具有無數多的細小缺陷 點、。此部份須由其後細拋光步驟去除，其去除表面上更多 才^料及拋光去表面缺陷，使表面粗度為最低，產生無霧區 表面。 拋光後晶圓表面粗糙度及缺陷/粒子濃度是以掃描光 線散射偵測器測量。各種型號可用於石夕晶圓工業，如
Censor ANSl〇〇? Tencor 6200 ^ Estek WIS9000 〇 、J 紅作原理相同，即自晶圓表面偵測非正反射光程度。
(修正本）93045L 1262209 以南密度雷射光束掃過晶圓表面。非正反射光收集在軸外 偵、測器’再分析此散射光訊號強度。表面粗糙會造成低強 度光之一般散射，一般稱為霧狀。粒子或其它間斷表面缺 產生較始、而具同點源之散射。此散射點光源強度取與各 種尺寸之乳膠標準校正球比較。這種點光源一般稱為光點 偵測或LPD，而其分佈排列係依據p· 〇h· Ha|]n等人文獻 The Si~Si02 Interface Roughness: Causes and
Effects”，及“C· R· Helms and Β· E· Dead，Eds·，，，The
Physics and Chemistry of Si02 and the Si~Si02
Interface，pp· 401-411，Plenum Press，Mew York (1 988) 之測量技藝及命名，併為本文參考。目前所知，傳統二步 驟可以得到在二次步驟拋光後具良好表面之基材表面，但 是去除率非常慢。 ^取終拋光中，尤其是二步驟最終拋光中，通常是以拋 光組合物方式拋光，其係以氧化鋁或其它研磨物徹底粉碎 調成適當粒子尺寸，加入水，硝酸紹或各種有機酸，及其 它拋光加速劑，或是使用含有膠質氧化矽及水之拋光組ς 物。然而以前一種拋光組合物方式拋光產生一項問題，亦 即機械成份與化學成份平衡差，而細小突起易形成。使用 後一種拋光組合物問題為料除去率太低，拋光需時甚長， 生產力低，且不易避免小突起，細刺及其它表面缺陷。 因此需要發展一種拋光組合物或表面處理組合物，其 具有尚拋光去除率，且可形成不具霧之非常平滑拋光表面。 用於拋光矽晶圓漿液之先前專利有許多。
(修 IL 本）93045L 1262209 曰Min°ru及Yutaka(日本專利字號第u-1 1 6942)所述石夕 曰曰圓拋光毁液包含二氧切，水，水溶性聚合物化合物， 醇性羥基化合物，及經基含氛化合物。並未提出 物化合物之高分子量及高多分散性。此外，其提出以、^ =維素配合聚乙稀醇使用，未提出單獨使㈣乙基=維
Miyishata 及 Minami(歐洲專利書第 Ep 〇 933 1 號)提出以含氧化石夕之研磨物為主成份，水為溶劑，及一種 水溶纖維素之拋光劑。未提出高分子量及高多散性。ί 【發明内容】 本發明提供-種具高抛光去除率且可形成非常平滑抛 光表面及具低霧之拋光組合物。 :發明特性之一為含花生狀勝質氧化矽粒子，水溶性 、，滅、准不’氨，及水之拋光組合物。 本發明另項特點為含研磨物，分量子至少約 1，〇〇〇, _水溶性纖維素，驗性化合物與水的ς総合物。彳 本發明另項特點為含研磨物’多分散性至少、約5嶋 水溶性纖維素，鹼性化合物及水之拋光組合物。 本發明其它目的，特點及優點，可由以下詳細說明更 ^於明瞭。然而咸應認知，詳細說明及將特定實例雖指出 科明具體實例，係以範例方式提供，本發明範田壽係由以 下洋細况明後之申請專利範圍界定。 【實施方式】 此處提出一種超出目前1@ $
業私準，拋光矽半導體晶圓 (修正本） 93045L 7 1262209 之最終拋光組合物或聚液。此毁液較目前已存在工業標準 激液具有去除受損層較高去除率，並為較低霧 表面。“液包含研磨物，水溶性纖維素，驗性化合物及 水。該浆液係混合並分散該研磨物，水溶纖維素，驗性化 t物及水而成。分散或溶解這些成份於水中方式不為固定 種二舉例而言’可以葉片式搜拌機攪拌或超音波分散方 此外，混合順序不為—定，亦不同時進行。 rΑΙϋΐ導體基材上形成膜時，滎液經水稀釋使稀釋漿< =1/2°到約1/80的原襞液濃度，較佳為1/2。到約 二，度。為稀釋該漿液，職與分散物係以同 半；=過二L及分散物經另一小孔到位在拋光盤上的 半導體曰曰:圓。W土方式為預混合聚液與分散物後再施加於 研磨物 本發明抛総合物較佳使用研磨物為膠質氧
Inc. a ^ Fus〇 pL_3 m羊匕 及 R〇de】 Nltta2R〇del Particle lnc.膠 = f氧切為非球形，具如花生狀形體， X 一知貝氧化矽為粗糙之表面。此現 級粒子形成二級粒子而成。花生粒之初級粒子。二 广。未u τ。丄當粒子尺寸增大’膠質氧化石夕粒子即失去 化形。舉例而言，300⑽Fus0粒子為圓形而非 此係導因於G伽】Μ熟現象，使粒子成為圓形。粗料戶。 爾為對石夕最終拋光為最重要’因為該粒子較傳統心
(修正本） 93 04 5 L 1262209 固體膠質氧化矽粒子為敕。 本發明漿液中谬質氧化石夕粒子量為20 : 1到40 : 1稀 的稀釋後漿液重量約。。i "%到約i 〇〇wt%，較佳約為 〇·10㈣到約Q·5秦若研磨物含量太小，拋光去除率 低，需長時間拋光，使生產力低到不符合實際應用。另一 量太高’不易維持均勾分散，且組合物黏度會 過南，處理困難。 工=光欲拋光表面氧化石夕粒子是作為研磨力機 &柄明拋光組合物所用氧切粒子較佳平均粒徑，可< 由峨120 _，更佳在約5〇 到約8。⑽間。 1 及立狀’初級粒子為3〇至35⑽。所得花生狀 粒子為約二倍於該粒徑，因其包含二個初級粒子。 右粒徑太大，研磨粒子分散性不易 不安定，研磨粒沈澱，易於在拋 二此、·且“勿 方面，若粒經太小，抛光去除=二表㈣成到痕。另 加1產率太低。 料低’加工時間過長，實際
水溶性纖維素 I 本發明組合物較佳含有—種水溶性纖維素 圓表面立即產生疏水性，在拋光組合物中，空，俊日日 它《物沈積在晶圓表面，組合物研磨物或：：乾二或 化疋於晶圓表φ，造成晶圓表面沈積。然在 乙續固 合物中，該水溶纖維素在晶圓表' 、 X明拋光組 表面形成親水性，故曰P1生 面在拋光結束到下—階段緩衝或清潔前， :曰0表 燥。較佳方法中，A s wj 了内不會乾 基材曰曰因在拋光後以水緩衝。水緩衝加
(修正本）93045L 1262209 上界面劑組合之下，可使晶圓不良降低。 該水溶纖維素在膠質氧化石夕粒子或晶圓表面塗佈。該 水溶性纖維素此時緩衝粒子碰擊表面。水溶纖維素用以壓 制拋光步料晶圓的損害。該水溶纖料f能溶於該租人 物，並選自下列群組：經甲基纖維素，經丙基纖維素^ ^甲基纖維素，及經乙基纖維素。以經乙基纖維素為！; Γ 、纖維素。最佳者，該經乙基纖維素具高分子量及 夕分散性（P〇lydlspersity)。m纖維素 於約uoo，刚而多分散性大於約5分子量/分子數土大« (MW/Mn)。多分散性測量聚合物鍵尺寸 . 較佳佔稀釋後繼量的約。. 右L乙基織維素1太高，若宗 化矽粒子及/ A# & 凡王主佈—厚層在膠質氧 或基材表面，則會阻卿移除。使用高分子量 面㊁液對表面有較大覆蓋性，對基材表丨 ® /、知同包覆岔度，可增加去除率。 驗性化合物 驗性化合物控錢液邱值，加人本發明 鹼性，增加拋光功能。同時，# /吏/、在
值調整拖光時PH值為8或以上 時：此PH 素結團。較佳㈣化合物$ 2 #及水純纖維 時增加經基漠度於晶圓二=::氨量可在抛光 較佳增進去除率方法，因氧化時：^為 ]〇
(修正本）93045L 1262209 w t %， 氨量佔稀釋後衆液總重量的約fl.006 wt%到約〇.〇?5 車乂么為約 0. 0125 到約 0. 0375 wt%。 四曱基銨氫氧化物 、加入四甲基錄氫氧化物（TMAH)可大幅度改良本發明漿 ，功效、’使霧現象較低較好。画為一種有時用來清潔矽 曰曰圓之/合液。TMAH有時有助於安定漿液中氧化矽粒子。 TMAH有助在拋光時於晶圓表面產生疏水性，視經乙基 纖維素表面覆蓋程度而^。麵呈現可降拋光溫度。m土 佔稀釋後漿液總重量之約〇 〇〇〇3wt%到約〇 〇5w % 為約 〇· 0006 Wt%到約 〇· 02 Wt%。 乂土 實施方式 實例1 本發明組合物實例，以改變羥乙基纖維素濃度測試。 各組合物實例中其它材料濃度及性質維持不變。表1 :: 為40 : 1稀釋之配方測試。第！圖說明4〇 : ι稀釋漿=不 羧乙基纖維素濃度改變對霧的影響。 ^ /之中
表I HEC濃度配方（4〇 : 1稀釋） 漿液 目標研磨 HEC(MW) HEC濃度 〇. 500% 4〇?7^ RPTA-0113 4. 00% 1，300, 000 RPTA-0114 「4. 00% 1， 300, 000 oTTs%^ ---------— 0. 500% RPTA-0119 4. 00% 1， 300, 000 —-—._____ ο. 500% ^ (修正木）93〇叹 1262209 . 實例2 本發明組合物實例以改變氨濃度測試。各組合物實例 中其它材料濃度及性質保持不變。表π所示為2〇:1稀釋 下測試之配方。第2圖說明2〇 : 1稀釋漿液改變氨濃度對 去除率的影響。 、又
表II ΝΗ4〇Η濃度測試配方
漿液 目標研磨 HEC(MW) HEC濃度 NH·濃度 目標豨釋 RPTA-0101 9. 50% 1，300, 000 0. 25% 0.245% 20 1 RPTA-0107 9· 50% 1，300, 000 0.25% 0.500% 20 1 RPTA-0111 9. 50% ^ 1，300, 000 0. 25% 0.350% -------- 20 JJ 實例3 本發明組合物實例以改變四曱基銨氫氧化物濃度測 試。組合物實例中其它材料濃度及性質維持不變。表j j t 所示為20 : 1及40 : 1稀釋測試之TMAH配方。表Iv及v 為表111配方所得拋光結果。所有測試均在Strausbaugh Φ 6 EC進行。表ΠΙ20: 1稀釋配方拋光8及1〇分鐘，而表 ΠΙ 40 : 1配方在同樣拋光參數下拋光6分鐘。配方過遽 塾為SMP3100墊。第3圖所示為當TMAH濃度增加時去除率 降低。表IV及V所示為增加TMAH時，去除率及霧的降低。
(修正本） 93045L 1262209
表III TMAH測試配方 漿液 目標研磨 HEC(MW) HEC 濃度 TMAH 濃度 NH.OH 濃度 目標稀釋 RPTA0107 9. 50% 1，300, 000 0.25% 0. 00% 0. 50°/〇 20 RPTA0140 9. 50% 1，300, 000 0. 25% 0. 025% 0. 50% 20 RPTA0113 4. 00% 1，300, 000 0. 50% 0. 00% 0. 50°/〇 40 RPTA0117 4. 00% 1，300, 000 0. 50°/〇 0. 05% 0. 50% 40 RPTA0115 4. 00% 1，300, 000 0. 50% 0. 10% 0. 50% 40 \
表IV TMAH配方拋光測試結果20 : 1 漿液種類 稀釋 溫度 (°C) 去除 (β m) 抛光時間 (分） 去除率 (//m /min) 務 LPD RPTA0107 20 1 30. 8 0. 2486 8 0. 0311 0. 289 221 RPTA0107 20 1 31. 3 0. 2500 8 0. 0313 0. 290 149 RPTA0140 20 1 25. 8 0. 0122 10 0.0012 0. 252 234 RPTA0140 20 1 26. 1 0. 0123 10 0. 0012 0. 268 317
(修正本） 93045L 1262209 表v TMAH配方抛光測試結果40 : 1 漿液種類 稀釋 溫度 rc) 去除 (“ m) 抛光時間 (分） 去除率 (β m /min) 霧 LPD RPTA0113 40:1 29. 8 0.1311 6 0. 0218 0. 253 123 RPTA0113 40:1 30. 4 0. 1311 6 0. 0219 0.260 182 RPTA0117 40:1 27· 9 〇. 0806 6 0. 0134 0.219 173 RPTA0117 40:1 28.3 0.0779 6 0. 0130 0. 232 151 RPTA0115 40:1 25. 7 0.0301 6 0.0050 0. 213 159 RPTA0115 40:1 25. 2 0.0050 0.210 276 ^ 【圖式簡單說明】 第1圖為以40 ·· 1稀釋本發明組合物後，改變組合物 搜乙基纖維素濃度所作基材霧效果繪圖。 第2圖為以20 : 1稀釋本發明組合物後，改變該拋光 組合物氨濃度所得拋光去除率繪圖。 第3圖為以40 · 1稀釋本發明組合物後，改變該拋光 組合物四曱基銨濃度所得拋光去除率。
(修正本） 93045L
Claims (1)
- I262209 弟92103519號專利申請案 申請專利範圍修正本 I (95年5月30日） 種用於拋光矽晶圓之拋光組合物，包含以重量百分比 計算之下列成份·· "〇· 01至1重夏％之花生狀膠質氧化矽粒子，該花生 狀虱化矽粒子具有小於50 nm之初級粒徑，· 提供該氧化矽晶圓親水性表面之水溶性纖维辛· 秘0._至0.075重賴，以提升邱值為至少^ $加石夕姓刻速率；及 水。 2. ::1!專利範圍第1項之拋光組合物，其中該水溶性纖 、准素包括羥乙基纖維素。 3. =請相範圍第2項之拋光組合物，其中祕乙基纖 、、隹f具有至少約5 Mw/Mn之多分散性。 4. 專利範圍第1項之拋光組合物，其中該花生狀膠丨 ^ w粒子包括二級粒子’該二級粒子具有範圍自約 nm至12 0 nm之平均粒徑。 5· 專利範圍第1項之拋光組合物，其中該拋光組合 氧=:步包含自〇·_到U5重量％之四甲基銨氯 93045L修正版 1 Sen:㈣光組合物，其包含以重量百分 〇. 〇1至1重量％之花生狀膠質氧切粒子，該花生 l2622〇9 呔氧化矽粒子具有小於5〇 nm之初級粒徑； 〇. 006至1重量％之水溶性纖維素，其 矽晶圓親水性表面； 、/、氧化 0-0003至0.05重量％之四甲基銨氫氧化物； 〇. 0125至〇. 0375重量％之氨，以裎4 II ， 8日祕^ ^ 以挺升PH值為至少 8且乓加石夕姓刻速率·，及 水。 7. ^請專利範圍第6項之拋光組合物，其中該水溶 維素包括羥乙基纖維素。 、籲 8. 如申請專利範圍第7項之拋光組合物，其中該羥乙基纖 維素具至少約5 MW/Mn之多分散性。 9. :"專利範圍第6項之拋光組合物，其中該花生狀膠 貝乳化石夕粒子具範圍自約20⑽至約12〇⑽之平均粒 徑。 1〇.如申請專利範圍第6項之抛光組合物，其中包含0.0_ 至0.02重量百分比之四甲基錢氣氧化物。 # 93045L修正版
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/081,707 US6685757B2 (en) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | Polishing composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200303343A TW200303343A (en) | 2003-09-01 |
| TWI262209B true TWI262209B (en) | 2006-09-21 |
Family
ID=27733294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092103519A TWI262209B (en) | 2002-02-21 | 2003-02-20 | Polishing composition |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6685757B2 (zh) |
| EP (1) | EP1478492A2 (zh) |
| JP (1) | JP2005518668A (zh) |
| KR (1) | KR20040103946A (zh) |
| CN (1) | CN100446926C (zh) |
| AU (1) | AU2003215261A1 (zh) |
| TW (1) | TWI262209B (zh) |
| WO (1) | WO2003072669A2 (zh) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| US7736405B2 (en) * | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
| JP4668528B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4532149B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-08-25 | ニッタ・ハース株式会社 | シリコンウエハ研磨用組成物およびシリコンウエハの研磨方法 |
| JP2006352043A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nitta Haas Inc | 半導体研磨用組成物 |
| TW200916564A (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
| JP5196819B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-05-15 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| JP2008270584A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 |
| JP2009231486A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| JP5474400B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| SG176631A1 (en) | 2009-06-05 | 2012-01-30 | Sumco Corp | Method of polishing silicon wafer as well as silicon wafer |
| DE102009028762A1 (de) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Rena Gmbh | Verfahren zum Ätzen von Siliziumoberflächen |
| US8815110B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-08-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing bulk silicon |
| US8697576B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-04-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing polysilicon |
| US8883034B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-11-11 | Brian Reiss | Composition and method for polishing bulk silicon |
| JP5492603B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-05-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| WO2012002525A1 (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
| WO2012005289A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法およびその研磨液 |
| WO2012099845A2 (en) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon polishing compositions with improved psd performance |
| RU2467047C1 (ru) * | 2011-05-04 | 2012-11-20 | Александр Николаевич Коротков | Абразивно-притирочная паста |
| KR20120136882A (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| KR101983868B1 (ko) | 2011-10-24 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 그것을 사용한 연마 방법 및 기판의 제조 방법 |
| TWI582184B (zh) | 2012-01-16 | 2017-05-11 | 福吉米股份有限公司 | 研磨用組成物、其製造方法、稀釋用原液、矽基板之製造方法、及矽基板 |
| TWI650408B (zh) | 2012-01-16 | 2019-02-11 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨用組成物，其製造方法，矽基板之製造方法及矽基板 |
| JP6029895B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2016-11-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び基板の製造方法 |
| DE112013004295T5 (de) * | 2012-08-31 | 2015-05-13 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats |
| JP6087143B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-03-01 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| DE102013205448A1 (de) * | 2013-03-27 | 2014-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Halbleitermaterial |
| US9012327B2 (en) | 2013-09-18 | 2015-04-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Low defect chemical mechanical polishing composition |
| CN105802509B (zh) * | 2014-12-29 | 2018-10-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种组合物在阻挡层抛光中的应用 |
| EP3261114B1 (en) | 2015-02-19 | 2021-01-13 | Fujimi Incorporated | Composition for silicon wafer polishing and polishing method |
| WO2017169154A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物セット、前研磨用組成物、及びシリコンウェーハの研磨方法 |
| US20200010727A1 (en) * | 2017-02-20 | 2020-01-09 | Fujimi Incorporated | Intermediate polishing composition for silicon substrate and polishing composition set for silicon substrate |
| JP6822432B2 (ja) * | 2018-02-23 | 2021-01-27 | 株式会社Sumco | ウェーハの片面研磨方法 |
| WO2020004047A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
| CN110551453A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-12-10 | 清华大学 | 一种抛光组合物 |
| CN111269695A (zh) * | 2020-02-29 | 2020-06-12 | 上海大学 | 花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| JPH10309660A (ja) | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| JP4052607B2 (ja) | 1998-04-20 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 研磨剤及び半導体基板のポリッシング方法 |
| JPH11349925A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Fujimi Inc | エッジポリッシング用組成物 |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4090589B2 (ja) | 1998-09-01 | 2008-05-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP4132432B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2008-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
| JP3563017B2 (ja) | 2000-07-19 | 2004-09-08 | ロデール・ニッタ株式会社 | 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法 |
| JP2002043258A (ja) | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Asahi Kasei Corp | 金属膜用研磨組成物 |
| JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-21 US US10/081,707 patent/US6685757B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-14 CN CNB038043130A patent/CN100446926C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-14 EP EP03711077A patent/EP1478492A2/en not_active Withdrawn
- 2003-02-14 WO PCT/US2003/004684 patent/WO2003072669A2/en not_active Application Discontinuation
- 2003-02-14 KR KR10-2004-7013000A patent/KR20040103946A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-02-14 JP JP2003571362A patent/JP2005518668A/ja active Pending
- 2003-02-14 AU AU2003215261A patent/AU2003215261A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-20 TW TW092103519A patent/TWI262209B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6685757B2 (en) | 2004-02-03 |
| EP1478492A2 (en) | 2004-11-24 |
| AU2003215261A8 (en) | 2003-09-09 |
| WO2003072669A2 (en) | 2003-09-04 |
| KR20040103946A (ko) | 2004-12-09 |
| WO2003072669A3 (en) | 2004-03-04 |
| CN100446926C (zh) | 2008-12-31 |
| WO2003072669A9 (en) | 2004-04-01 |
| TW200303343A (en) | 2003-09-01 |
| CN1635940A (zh) | 2005-07-06 |
| US20030154659A1 (en) | 2003-08-21 |
| JP2005518668A (ja) | 2005-06-23 |
| AU2003215261A1 (en) | 2003-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI262209B (en) | Polishing composition | |
| JP4115562B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| CN1187426C (zh) | 光学抛光制剂 | |
| TWI229117B (en) | Aqueous dispersion containing cerium oxide-coated silicon powder, process for the production thereof and use | |
| JP2592401B2 (ja) | 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法 | |
| US5860848A (en) | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries | |
| CN1673306B (zh) | 研磨液组合物 | |
| KR100394049B1 (ko) | 연마용슬러리및그의제조방법 | |
| EP0962508B1 (en) | Use of a wafer edge polishing composition | |
| CN106044786B (zh) | 多分散大粒径硅溶胶及其制备方法 | |
| JP2001139935A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2008235481A (ja) | 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 | |
| JP2005518668A5 (zh) | ||
| JP6360311B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
| WO1996038262A1 (en) | Compositions for polishing silicon wafers and methods | |
| JP6679386B2 (ja) | 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法 | |
| WO2011158718A1 (ja) | 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法 | |
| CN110240866A (zh) | 研磨用组合物 | |
| JPH09137155A (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
| JP6584935B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
| JP2001277106A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| KR100447540B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 연마용 슬러리 | |
| EP0840664B1 (en) | Compositions for polishing silicon wafers and methods | |
| WO2022074835A1 (ja) | シリコン基板の研磨 | |
| JPWO2019065994A1 (ja) | 研磨用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |