JP6029895B2 - 研磨用組成物及び基板の製造方法 - Google Patents
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研磨用組成物は、pH8.0以上であることが好ましい。
本発明の基板の製造方法は、上記研磨用組成物を用いて基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする。
研磨用組成物は、重量平均分子量が1000000以下であり、かつ重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)で表される分子量分布が5.0以上、8.0以下の水溶性高分子を含有する。本実施形態の研磨用組成物は、例えばシリコン基板、化合物半導体基板等の半導体基板を研磨対象物として、その半導体基板を研磨する用途に用いられる。ここで、半導体基板の研磨工程には、例えば、単結晶インゴットから円盤状にスライスされた半導体基板に対して、その表面を平面化する粗研磨工程(例えば、一次研磨又は二次研磨)と、粗研磨工程後の半導体基板の表面に存在する微細な凹凸を更に除去して鏡面化する最終研磨工程とが含まれる。研磨用組成物は半導体基板を粗研磨する用途にも、最終研磨する用途にも好適に使用することができる。本実施形態の研磨用組成物は、半導体基板を最終研磨する用途に好適に用いられる。
水溶性高分子は、研磨面の濡れ性を高める働きを有する。水溶性高分子として、重量平均分子量がより小さく、かつ分子量分布がより大きい水溶性高分子を用いることで、研磨速度を高める効果及び研磨面の濡れ性を高める効果のいずれの効果も発揮させることが容易となる。なお、分子量分布がより小さい水溶性高分子を用いることで、研磨用組成物の分散安定性が高まる傾向にある。こうした観点から、研磨用組成物に使用される水溶性高分子の重量平均分子量及び分子量分布は上記のように設定される。
研磨速度は、水溶性高分子の重量平均分子量の減少によって、高まる傾向となる。研磨用組成物の安定性は、水溶性高分子の重量平均分子量の減少によって、より保たれる傾向となる。研磨面の濡れ性は、水溶性高分子の重量平均分子量の増大によって、高まる傾向となる。
研磨用組成物には、研磨面の濡れ性を高める効果を発揮させることが更に容易にするという観点から、有機酸塩及び無機酸塩から選ばれる少なくとも一種の塩が含有されることが好ましい。また、これらの塩は、砥粒を適度に凝集させる働きを有するため、研磨速度をより高める効果も得られ易くなる。
有機酸塩及び無機酸塩の中でも、半導体基板の金属汚染を抑制するという観点から、アンモニウム塩が好ましい。
研磨用組成物には、砥粒を含有させることができる。砥粒は、半導体基板の表面に対して、物理的な作用を与えて物理的に研磨する。
研磨用組成物中には塩基性化合物を含有させることができる。塩基性化合物は、研磨面に対して、化学的な作用を与えて化学的に研磨する(ケミカルエッチング)。これにより、研磨速度を向上させることが容易となる。
塩基性化合物の中でも、アンモニア、アルカリ金属の水酸化物、及び第四級アンモニウム水酸化物から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
研磨用組成物中の水は、他の成分を溶解または分散させる働きを有する。水は、研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が100ppb以下とされることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルターによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。具体的には、例えば、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水等を用いることが好ましい。
研磨用組成物のpHは、8.0以上が好ましく、より好ましくは8.5以上であり、更に好ましくは9.0以上である。研磨用組成物のpHの増大によって、半導体基板を研磨する際に高い研磨速度が得られる傾向となる。研磨用組成物のpHは12.5以下であることが好ましく、より好ましくは11.5以下であり、最も好ましくは11以下である。研磨用組成物のpHの減少によって、半導体基板の形状が維持され易くなる傾向となる。
研磨用組成物中にはキレート剤を含有させることができる。キレート剤は、研磨系中の金属不純物成分を捕捉して錯体を形成することによって半導体基板の金属汚染を抑制する。
研磨用組成物中には界面活性剤を含有させることができる。界面活性剤は、半導体基板の研磨面の荒れを抑制する。これにより、研磨面のヘイズレベルを低減することが容易となる。特に、研磨用組成物に塩基性化合物を含有させた場合には、塩基性化合物による化学的研磨(ケミカルエッチング)によって半導体基板の研磨面に荒れが生じ易くなる傾向となる。このため、塩基性化合物と界面活性剤との併用は特に有効である。
<上記成分以外の成分>
研磨用組成物は、必要に応じて研磨用組成物に一般に含有されている公知の添加剤、例えば有機酸、及び無機酸を更に含有してもよい。
研磨用組成物は、防腐剤、防カビ剤等を更に含有してもよい。防腐剤及び防カビ剤としては、例えば、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、及びフェノキシエタノールが挙げられる。
研磨用組成物の調製には、例えば翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いることができる。研磨用組成物の各原料は、同時に混合されてもよいし、混合順序を適宜設定されてもよい。
希釈用原液に含有される砥粒の平均二次粒子径R1は、10nm以上であることが好ましく、より好ましくは20nm以上である。砥粒の平均二次粒子径R1の増大によって、半導体基板を研磨する際に高い研磨速度が得られ易くなる。希釈用原液に含有される砥粒の平均二次粒子径R1は、200nm以下であることが好ましく、より好ましくは150nm以下である。砥粒の平均二次粒子径R1の減少によって、希釈用原液の安定性が向上する傾向となる。
半導体基板は、研磨用組成物を用いた研磨工程を含む製造方法により製造される。研磨工程では、半導体基板の表面に研磨用組成物を供給しながら、半導体基板の表面に研磨パッドを押し付けて半導体基板及び研磨パッドを回転させる。このとき、研磨用組成物に含有される水溶性高分子により研磨面の濡れ性が高まる。この水溶性高分子の重量平均分子量は1000000以下であるため、研磨速度が高まり易くなる。更に、水溶性高分子の分子量分布が5.0以上であるため、研磨速度及び研磨面の濡れ性が更に高まり易くなる。こうして研磨工程が完了した半導体基板は、その表面を洗浄する洗浄工程が実施される。
(1)研磨用組成物は、重量平均分子量が1000000以下であり、かつ分子量分布が5.0以上の水溶性高分子を含有するため、研磨速度を高める効果及び研磨面の濡れ性を高める効果のいずれも発揮させることが容易となる。このため、例えば研磨面の品質を確保することが容易となる。なお、水溶性高分子の分子量分布が8.0以下であるため、研磨用組成物の分散安定性を高めることが容易となる。
(4)半導体基板の最終研磨は、特に品質が重視される傾向にある。研磨用組成物は、半導体基板を最終研磨する用途に用いられることで、研磨速度を高める効果及び研磨面の濡れ性を高める効果に基づく品質向上に貢献することが可能となる。
・前記研磨用組成物に含有する水溶性高分子の分子量分布は、例えば重量平均分子量の異なる複数種の水溶性高分子を混合することで調整されてもよい。すなわち、研磨用組成物中の水溶性高分子は、一種又は複数種から構成される水溶性高分子であって、その水溶性高分子全体の重量平均分子量Mwにおける分子量分布(Mw/Mn)が5.0以上となる構成であればよい。
・前記実施形態の研磨用組成物に含有される各成分は製造の直前にフィルターによりろ過処理されたものであってもよい。また、前記実施形態の研磨用組成物は、使用の直前にフィルターによりろ過処理して使用されるものであってもよい。ろ過処理が施されることによって、研磨用組成物中の粗大異物が取り除かれて品質が向上する。
(イ)希釈することで研磨用組成物を得るための希釈用原液であって、砥粒と、重量平均分子量が1000000以下であり、かつ分子量分布が5.0以上、8.0以下の水溶性高分子とを含有する希釈用原液。
(ハ)前記研磨用組成物を用いて基板を研磨する研磨方法。
(実施例1〜13及び比較例1,2)
砥粒としてのコロイダルシリカ、水溶性高分子、及び塩基性化合物をイオン交換水に混合することで希釈用原液を調製した。砥粒としては平均一次粒子径35nmのコロイダルシリカ、塩基性化合物としてはアンモニアを用いた。実施例8〜13の希釈用原液には、更に塩を含有させた。次に、希釈用原液を純水によって20倍に希釈する希釈工程を行うことで、表1に示す水溶性高分子を含有する研磨用組成物を得た。希釈工程では、ホモジナイザーを用いて撹拌及び分散する操作を行った後に、研磨用組成物中に含まれる粗大異物を取り除くために、研磨用組成物をろ過した。
表1中の“水溶性高分子”欄において、“Mw”は重量平均分子量、“Mn”は数平均分子量、“Mw/Mn”は分子量分布を示し、分子量分布を測定するGPCの条件は以下のとおりである。
カラム:東ソー(株)製の商品名:TSKgel GMPWxl×2+G2500PWxl(φ7.8mm×300mm×3本)
カラム温度:40℃
溶離液:200mM 硝酸ナトリウム水溶液
試料濃度:0.05質量%
流速:1.0mL/min
注入量:200μL
検出器:RI(示差屈折計)
標準物質:ポリエチレンオキサイド
表1中の“水溶性高分子”欄において“種類”欄に記載する“HEC”は、ヒドロキシエチルセルロースを示す。表1中の“塩”欄において、“種類”欄に記載する“TAC”は、クエン酸三アンモニウムを示し、“AAc”は、酢酸アンモニウムを示す。
得られた研磨用組成物を用いて、表2に示す条件でシリコン基板を最終研磨した。この最終研磨に供されるシリコン基板は、市販の研磨剤(商品名:GLANZOX−1103、株式会社フジミインコーポレーテッド製)を用いて予め研磨される。シリコン基板は、直径が300mm、伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1Ω・cm以上100Ω・cm未満である。
表2に示す条件でシリコン基板を研磨したときのシリコン基板の厚みを黒田精工株式会社製のナノメトロ300TTを使って測定し、研磨前後の厚みの差を研磨時間で除して研磨速度を算出した。表1の“研磨速度”欄に示した“A”は研磨速度が0.04μm/分以上、“B”は0.03μm/分以上0.04μm/分未満、“C”は0.025μm/分以上0.03μm/分未満、“D”は0.02μm/分以上0.025μm/分未満、“E”は0.015μm/分以上0.02μm/分未満、“F”は0.015μm/分未満であることを表す。
研磨工程後の研磨面の撥水部分について基板端部からの長さを計測した。このとき、撥水部分が存在しない場合を“A”、撥水部分が2mm未満の場合を“B”、2mm以上5mm未満の場合を“C”、5mm以上10mm未満の場合を“D”、10mm以上15mm未満である場合を“E”、15mm以上の場合を“F”と判定した。その判定結果を表1の“濡れ性”欄に示す。
Claims (5)
- 重量平均分子量が1000000以下であり、かつ重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)で表される分子量分布が5.0以上、8.0以下の水溶性高分子を含有することを特徴とするシリコン基板研磨(ラッピング研磨を除く)用組成物。
- 更に有機酸塩及び無機酸塩から選ばれる少なくとも一種の塩を含有する請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記研磨用組成物は、pH8.0以上である請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物。
- 基板を最終研磨する用途に用いられる請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて基板を研磨する研磨工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
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