KR20210143847A - 연마용 조성물 - Google Patents
연마용 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210143847A KR20210143847A KR1020217034147A KR20217034147A KR20210143847A KR 20210143847 A KR20210143847 A KR 20210143847A KR 1020217034147 A KR1020217034147 A KR 1020217034147A KR 20217034147 A KR20217034147 A KR 20217034147A KR 20210143847 A KR20210143847 A KR 20210143847A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- weight
- polishing composition
- polishing
- less
- salt
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 277
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 156
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 89
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 67
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 66
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims abstract description 61
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 15
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 7
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 55
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 27
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 26
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 21
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 20
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 19
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 13
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 10
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 8
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001393 triammonium citrate Substances 0.000 description 8
- 235000011046 triammonium citrate Nutrition 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 7
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 6
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 229920001567 vinyl ester resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 5
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 5
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 4
- GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N (2s,3r)-butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C[C@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-ZXZARUISSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000017060 Arachis glabrata Nutrition 0.000 description 3
- 241001553178 Arachis glabrata Species 0.000 description 3
- 235000010777 Arachis hypogaea Nutrition 0.000 description 3
- 235000018262 Arachis monticola Nutrition 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000881 Modified starch Polymers 0.000 description 3
- 229920000463 Poly(ethylene glycol)-block-poly(propylene glycol)-block-poly(ethylene glycol) Polymers 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 3
- 239000002552 dosage form Substances 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 3
- 235000020232 peanut Nutrition 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpiperidin-2-one Chemical compound C=CN1CCCCC1=O PBGPBHYPCGDFEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAXPOSPGRHYIHE-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-(2-decoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCO QAXPOSPGRHYIHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DFSGINVHIGHPES-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-4h-1,3-oxazin-2-one Chemical compound C=CN1CC=COC1=O DFSGINVHIGHPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMALNMQOXQXZRO-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylmorpholin-3-one Chemical compound C=CN1CCOCC1=O ZMALNMQOXQXZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HDYTUPZMASQMOH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylmorpholine-3,5-dione Chemical compound C=CN1C(=O)COCC1=O HDYTUPZMASQMOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical group OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N mellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019426 modified starch Nutrition 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide Chemical compound CC(=O)NC=C RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAZULKRCTMKQAS-UHFFFAOYSA-N n-ethenylbutanamide Chemical compound CCCC(=O)NC=C HAZULKRCTMKQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUWVWLRMZQHYHL-UHFFFAOYSA-N n-ethenylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC=C IUWVWLRMZQHYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 2
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004023 quaternary phosphonium compounds Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTIXUSNHAKOJBX-UHFFFAOYSA-N 1-(aziridin-1-yl)ethanone Chemical compound CC(=O)N1CC1 OTIXUSNHAKOJBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RESPXSHDJQUNTN-UHFFFAOYSA-N 1-piperidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCCC1 RESPXSHDJQUNTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLPAQAXAZQUXBG-UHFFFAOYSA-N 1-pyrrolidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCCC1 WLPAQAXAZQUXBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYGXUCWNFYFFBS-UHFFFAOYSA-N 1-thiomorpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCSCC1 LYGXUCWNFYFFBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQXBZWFNAKZUNM-UHFFFAOYSA-N 16-methyl-1-(16-methylheptadecoxy)heptadecane Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCC(C)C LQXBZWFNAKZUNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AKVUWTYSNLGBJY-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound CC(=C)C(=O)N1CCOCC1 AKVUWTYSNLGBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RASDUGQQSMMINZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-piperidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound CC(=C)C(=O)N1CCCCC1 RASDUGQQSMMINZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVCMKNCJDCTPIB-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pyrrolidin-1-ylprop-2-en-1-one Chemical compound CC(=C)C(=O)N1CCCC1 LVCMKNCJDCTPIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YICILWNDMQTUIY-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenepentanamide Chemical compound CCCC(=C)C(N)=O YICILWNDMQTUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 3-(ethenoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COC=C DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 4,5-dihydro-1,2-thiazole Chemical class C1CC=NS1 GUUULVAMQJLDSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIGIPJGWVLNDAF-UHFFFAOYSA-N 8-methyl-1-(8-methylnonoxy)nonane Chemical compound CC(C)CCCCCCCOCCCCCCCC(C)C WIGIPJGWVLNDAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-DVKNGEFBSA-N alpha-D-glucose Chemical group OC[C@H]1O[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-DVKNGEFBSA-N 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000004599 antimicrobial Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical group OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002057 carboxymethyl group Chemical group [H]OC(=O)C([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- MNUSMUGFHGAOIW-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1,2-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1(C(O)=O)C(O)=O MNUSMUGFHGAOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N diethylenediamine Natural products C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OC=C MEGHWIAOTJPCHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZWYWAIOTBEZFN-UHFFFAOYSA-N ethenyl hexanoate Chemical compound CCCCCC(=O)OC=C LZWYWAIOTBEZFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLZSRIYYOIZLJL-UHFFFAOYSA-N ethenyl pentanoate Chemical compound CCCCC(=O)OC=C BLZSRIYYOIZLJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- DJFBJKSMACBYBD-UHFFFAOYSA-N phosphane;hydrate Chemical group O.P DJFBJKSMACBYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960005141 piperazine Drugs 0.000 description 1
- 229960003506 piperazine hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N piperazine;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.C1CNCCN1 AVRVZRUEXIEGMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000244 polyoxyethylene sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000015227 regulation of liquid surface tension Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- MSFGZHUJTJBYFA-UHFFFAOYSA-M sodium dichloroisocyanurate Chemical compound [Na+].ClN1C(=O)[N-]C(=O)N(Cl)C1=O MSFGZHUJTJBYFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOMVKCHODRHQEV-UHFFFAOYSA-M tetraethylphosphanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[P+](CC)(CC)CC ZOMVKCHODRHQEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CRUVUWATNULHFA-UHFFFAOYSA-M tetramethylphosphanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[P+](C)(C)C CRUVUWATNULHFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
본 발명에 의해 제공되는 연마용 조성물은, 지립과, 수용성 고분자로서의 폴리비닐알코올계 폴리머와, 염기성 화합물과, 물을 포함하고, 3가 이상의 다가 유기산(염)을 더 포함한다.
Description
본 발명은, 연마용 조성물에 관한 것이다.
본 출원은, 2019년 3월 26일에 출원된 일본 특허 출원 제2019-058620호에 기초하는 우선권을 주장하고 있고, 그 출원의 전체 내용은 본 명세서 중에 참조로서 원용되어 있다.
금속이나 반금속, 비금속, 그의 산화물 등의 재료 표면에 대해, 연마용 조성물을 사용한 정밀 연마가 행해지고 있다. 예를 들어, 반도체 장치의 구성 요소 등으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼의 표면은, 일반적으로, 랩핑 공정(조연마 공정)과 폴리싱 공정(정밀 연마 공정)을 거쳐서 고품위의 경면으로 마무리할 수 있다. 상기 폴리싱 공정은, 전형적으로는, 예비 폴리싱 공정(예비 연마 공정)과 마무리 폴리싱 공정(최종 연마 공정)을 포함한다. 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물에 관한 기술 문헌으로서, 특허문헌 1 내지 4를 예로 들 수 있다.
마무리 폴리싱 공정(특히, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 그 외의 기판의 마무리 폴리싱 공정)에 사용되는 연마용 조성물에는, 연마 후에 있어서 고품질의 표면을 실현하는 성능이 요구된다. 이러한 용도를 위한 연마용 조성물은, 지립 및 물에 첨가하여, 연마 대상물 표면의 보호나 습윤성 향상 등의 목적으로 수용성 고분자를 포함하는 것이 많다.
수용성 고분자로서 폴리비닐알코올계 폴리머를 사용함으로써, 연마 후의 표면 습윤성을 바람직하게 향상시킬 수 있다. 한편, 근년에는, 연마 후의 표면 품질에 대한 요구가 더욱 높아져 오고 있다. 그래서 본 발명은 수용성 고분자로서 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하여, 연마 후의 연마 대상물의 표면 품질을 향상시킬 수 있는 연마용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이 명세서에 의해 제공되는 연마용 조성물은, 지립과, 수용성 고분자로서의 폴리비닐알코올계 폴리머와, 염기성 화합물과, 물을 포함한다. 상기 연마용 조성물은, 추가로 3가 이상의 다가 유기산(염)을 포함한다. 다가 유기산(염)의 사용에 의해, 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하는 연마용 조성물에 의한 연마 후의 연마 대상물의 표면 품질을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 헤이즈를 개선할 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 「산(염)」이란, 산 및 해당 산의 염을 포괄적으로 가리키는 용어이며, 「산 및/또는 그의 염」이라고도 표기할 수 있다. 예를 들어, 여기에 개시되는 연마용 조성물이 3가 이상의 다가 유기산(염)을 포함한다고 함은, 해당 조성물이, 3가 이상의 다가 유기산 및 그의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 의미한다.
바람직한 일 형태에 관한 연마용 조성물은, 상기 다가 유기산(염)으로서, 3가 이상의 다가 카르복실산(염)을 포함한다. 이러한 양태에 있어서 헤이즈의 개선 효과가 바람직하게 발휘될 수 있다.
바람직한 다른 일 형태에 관한 연마용 조성물은, 상기 다가 유기산(염)으로서, 3가 이상의 다가 유기산의 암모늄염을 포함한다. 다가 유기산의 암모늄염에 의하면, 소량의 사용에 의해서도 헤이즈를 효과적으로 개선할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 해당 연마용 조성물은, 다음 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2;
에 의해 산출되는 분산성이 10.8㎚ 미만인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 식 중의 d84는, 입도 분포의 누적 커브가 84%가 되는 점의 입자 직경[㎚]이며, d16은, 입도 분포의 누적 커브가 16%가 되는 점의 입자 직경[㎚]이다. 이러한 연마용 조성물에 의하면, 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하는 구성에 있어서, 연마 후의 연마 대상물 표면의 헤이즈를 효과적으로 개선할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 해당 연마용 조성물은, 폴리비닐알코올계 폴리머 이외의 수용성 고분자(이하, 「그 외의 수용성 고분자」라고도 함)를 더 포함한다. 상기 연마용 조성물은, 다음 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2;
에 의해 산출되는 분산성이 14.2㎚ 미만인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 식 중의 d84 및 d16은, 상술한 바와 같다. 이러한 연마용 조성물에 의하면, 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자를 조합하여 포함하는 구성에 있어서, 연마 후의 연마 대상물 표면의 헤이즈를 효과적으로 개선할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 해당 연마용 조성물은, 상기 유기산(염)을 포함하는 것에 의한 전기 전도도의 상승비가 3 이하이다. 이에 의해, 헤이즈를 효과적으로 개선하는 연마용 조성물이 실현될 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 바람직한 일 형태에서는, pH가 8 내지 12이다. 이와 같은 pH를 갖는 연마용 조성물을 사용하는 연마에 있어서, 헤이즈를 보다 적합하게 개선할 수 있다.
상기 폴리비닐알코올계 폴리머로서는, 중량 평균 분자량(Mw)이 10×104 이하인 것을 바람직하게 채용할 수 있다. 이러한 Mw를 갖는 폴리비닐알코올계 폴리머와 다가 유기산(염)을 조합하여 사용함으로써, 헤이즈의 개선 효과가 보다 적합하게 발휘될 수 있다.
상기 지립으로서는, 실리카 입자가 바람직하게 사용된다. 폴리비닐알코올계 폴리머와 다가 유기산(염)의 조합 사용에 의한 헤이즈의 개선 효과는, 지립으로서 실리카 입자를 사용하는 연마에 있어서 적합하게 발휘된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 실리콘 웨이퍼의 마무리 폴리싱 공정에 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 연마용 조성물을 사용하여 마무리 폴리싱을 행함으로써, 헤이즈를 개선하고, 고품질의 실리콘 웨이퍼 표면을 적합하게 실현할 수 있다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 특별히 언급하고 있는 사항 이외의 사항이며 본 발명의 실시에 필요한 사항은, 당해 분야에 있어서의 종래 기술에 기초하는 당업자의 설계 사항으로서 파악될 수 있다. 본 발명은 본 명세서에 개시되어 있는 내용과 당해 분야에 있어서의 기술 상식에 기초하여 실시할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 지립과, 수용성 고분자로서의 폴리비닐알코올계 폴리머와, 다가 유기산(염)과, 염기성 화합물과, 물을 포함한다. 이하, 여기에 개시되는 연마용 조성물의 함유물을 설명한다.
<지립>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 지립을 포함한다. 지립은, 연마 대상물의 표면을 기계적으로 연마하는 작용을 한다. 지립의 재질이나 성상은 특별히 제한되지 않고, 연마용 조성물의 사용 목적이나 사용 양태 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 지립의 예로서는, 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자를 들 수 있다. 무기 입자의 구체예로서는, 실리카 입자, 알루미나 입자, 산화세륨 입자, 산화크롬 입자, 이산화티타늄 입자, 산화지르코늄 입자, 산화마그네슘 입자, 이산화망간 입자, 산화아연 입자, 벵갈라 입자 등의 산화물 입자; 질화규소 입자, 질화붕소 입자 등의 질화물 입자; 탄화규소 입자, 탄화붕소 입자 등의 탄화물 입자; 다이아몬드 입자; 탄산칼슘이나 탄산바륨 등의 탄산염 등을 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자나 폴리(메트)아크릴산 입자(여기서 (메트)아크릴산이란, 아크릴산 및 메타크릴산을 포괄적으로 가리키는 의미임), 폴리아크릴로니트릴 입자 등을 들 수 있다. 이와 같은 지립은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 지립으로서는, 무기 입자가 바람직하며, 그 중에서도 금속 또는 반금속의 산화물로 이루어지는 입자가 바람직하고, 실리카 입자가 특히 바람직하다. 후술하는 실리콘 웨이퍼 등과 같이 실리콘으로 이루어지는 표면을 갖는 연마 대상물의 연마(예를 들어 마무리 폴리싱)에 사용될 수 있는 연마용 조성물에서는, 지립으로서 실리카 입자를 채용하는 것이 특히 의미가 있다. 여기에 개시되는 기술은, 예를 들어 상기 지립이 실질적으로 실리카 입자로 이루어지는 양태로 바람직하게 실시될 수 있다. 여기서 「실질적으로」란, 지립을 구성하는 입자의 95중량% 이상(바람직하게는 98중량% 이상, 보다 바람직하게는 99중량% 이상이며, 100중량%이어도 됨)이 실리카 입자인 것을 말한다.
실리카 입자의 구체예로서는, 콜로이달 실리카, 퓸드 실리카, 침강 실리카 등을 들 수 있다. 실리카 입자는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 연마 후에 있어서 표면 품위가 우수한 연마면이 얻어지기 쉽다는 점에서, 콜로이달 실리카의 사용이 특히 바람직하다. 콜로이달 실리카로서는, 예를 들어 이온 교환법에 의해 물유리(규산 Na)를 원료로 하여 제작된 콜로이달 실리카나, 알콕시드법 콜로이달 실리카(알콕시실란의 가수 분해 축합 반응에 의해 제조된 콜로이달 실리카)를 바람직하게 채용할 수 있다. 콜로이달 실리카는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
지립 구성 재료(예를 들어, 실리카 입자를 구성하는 실리카)의 진비중은, 1.5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.6 이상, 더욱 바람직하게는 1.7 이상이다. 실리카의 진비중의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 전형적으로는 2.3 이하, 예를 들어 2.2 이하이다. 지립(예를 들어 실리카 입자)의 진비중으로서는, 치환액으로서 에탄올을 사용한 액체 치환법에 의한 측정값을 채용할 수 있다.
지립(전형적으로는 실리카 입자)의 BET 직경(평균 1차 입자 직경)은 특별히 한정되지 않지만, 연마 효율 등의 관점에서, 바람직하게는 5㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상이다. 보다 높은 연마 효과(예를 들어, 헤이즈의 저감, 결함의 제거 등의 효과)를 얻는 관점에서, 상기 BET 직경은, 15㎚ 이상이 바람직하고, 20㎚ 이상(예를 들어 20㎚ 초과)이 보다 바람직하다. 또한, 스크래치 방지 등의 관점에서, 지립의 BET 직경은, 바람직하게는 100㎚ 이하, 보다 바람직하게 50㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎚ 이하이다. 보다 낮은 헤이즈의 표면을 얻기 쉽게 하는 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립의 BET 직경은, 35㎚ 이하이어도 되고, 32㎚ 미만이어도 되고, 30㎚ 미만이어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서 BET 직경이란, BET법에 의해 측정되는 비표면적(BET값)으로부터, BET 직경(㎚)=6000/(진밀도(g/㎤)×BET값(㎡/g))의 식에 의해 산출되는 입자 직경을 말한다. 예를 들어 실리카 입자의 경우, BET 직경(㎚)=2727/BET값(㎡/g)에 의해 BET 직경을 산출할 수 있다. 비표면적의 측정은, 예를 들어 마이크로메리틱스사제의 표면적 측정 장치, 상품명 「Flow Sorb II 2300」을 사용하여 행할 수 있다.
지립의 형상(외형)은 구형이어도 되고, 비구형이어도 된다. 비구형을 이루는 입자의 구체예로서는, 피너츠 형상(즉, 낙화생 껍데기 형상), 누에고치형 형상, 별사탕 형상, 럭비 볼 형상 등을 들 수 있다. 예를 들어, 입자의 대부분이 피너츠 형상 또는 누에고치형 형상을 한 지립을 바람직하게 채용할 수 있다.
특별히 한정되는 것은 아니지만, 지립의 긴 직경/짧은 직경비의 평균값(평균 애스펙트비)은 원리적으로 1.0 이상이며, 바람직하게는 1.05 이상, 더욱 바람직하게는 1.1 이상이다. 평균 애스펙트비의 증대에 의해, 보다 높은 연마 능률이 실현될 수 있다. 또한, 지립의 평균 애스펙트비는, 스크래치 저감 등의 관점에서, 바람직하게는 3.0 이하이고, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다.
지립의 형상(외형)이나 평균 애스펙트비는, 예를 들어 전자 현미경 관찰에 의해 파악할 수 있다. 평균 애스펙트비를 파악하는 구체적인 수순으로서는, 예를 들어, 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여, 독립된 입자의 형상을 인식할 수 있는 소정 개수(예를 들어 200개)의 지립 입자에 대해서, 각각의 입자 화상에 외접하는 최소의 직사각형을 그린다. 그리고, 각 입자 화상에 대하여 그려진 직사각형에 대해서, 그 긴 변의 길이(긴 직경의 값)를 짧은 변의 길이(짧은 직경의 값)로 나눈 값을 긴 직경/짧은 직경비(애스펙트비)로서 산출한다. 상기 소정 개수의 입자 애스펙트비를 산술 평균함으로써, 평균 애스펙트비를 구할 수 있다.
<수용성 고분자>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 수용성 고분자를 포함한다. 수용성 고분자는 연마 대상물 표면의 보호나, 연마 후의 연마 대상물 표면의 습윤성 향상 등에 도움이 될 수 있다.
(폴리비닐알코올계 폴리머)
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 수용성 고분자로서 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함한다. 폴리비닐알코올계 폴리머로서는, 그 반복 단위로서 비닐알코올 단위를 포함하는 수용성 유기물(전형적으로는 수용성 고분자)이 사용된다. 여기서, 비닐알코올 단위(이하 「VA 단위」라고도 함)란, 다음 화학식:-CH2-CH(OH)-;에 의해 나타내어지는 구조 부분이다. 폴리비닐알코올계 폴리머는, 반복 단위로서 VA 단위만을 포함하고 있어도 되고, VA 단위에 더하여 VA 단위 이외의 반복 단위(이하 「비VA 단위」라고도 함)를 포함하고 있어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머는, VA 단위와 비VA 단위를 포함하는 랜덤 공중합체이어도 되고, 블록 공중합체나 그라프트 공중합체이어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머는, 1종의 비VA 단위만을 포함해도 되고, 2종류 이상의 비VA 단위를 포함해도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물에 사용되는 폴리비닐알코올계 폴리머는, 변성되어 있지 않은 폴리비닐알코올(비변성 PVA)이어도 되고, 변성 폴리비닐알코올(변성 PVA)이어도 된다. 여기서 비변성 PVA란, 폴리아세트산비닐을 가수 분해(비누화)함으로써 생성하고, 아세트산비닐이 비닐 중합한 구조의 반복 단위(-CH2-CH(OCOCH3)-) 및 VA 단위 이외의 반복 단위를 실질적으로 포함하지 않는 폴리비닐알코올계 폴리머를 말한다. 상기 비변성 PVA의 비누화도는, 예를 들어 60% 이상이어도 되고, 수용성의 관점에서 70% 이상이어도 되고, 80% 이상이어도 되고, 90% 이상이어도 된다. 몇 가지의 양태에 있어서, 비누화도가 95% 이상 또는 98% 이상인 비변성 PVA를 수용성 고분자 화합물로서 바람직하게 채용할 수 있다.
변성 PVA에 포함될 수 있는 비VA 단위로서는, 예를 들어 후술하는 N-비닐형의 모노머나 N-(메트)아크릴로일형의 모노머에서 유래하는 반복 단위, 에틸렌에서 유래하는 반복 단위, 알킬비닐에테르에서 유래하는 반복 단위, 탄소 원자수 3 이상의 모노카르복실산의 비닐에스테르에서 유래하는 반복 단위 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 N-비닐형의 모노머의 일 적합예로서, N-비닐피롤리돈을 들 수 있다. 상기 N-(메트)아크릴로일형의 모노머의 일 적합예로서, N-(메트)아크릴로일모르폴린을 들 수 있다. 상기 알킬비닐에테르는, 예를 들어 프로필비닐에테르, 부틸비닐에테르, 2-에틸헥실비닐에테르 등의, 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬기를 갖는 비닐에테르일 수 있다. 상기 탄소 원자수 3 이상의 모노카르복실산의 비닐에스테르는, 예를 들어 프로판산비닐, 부탄산비닐, 펜탄산비닐, 헥산산비닐 등의, 탄소 원자수 3 이상 7 이하의 모노카르복실산의 비닐에스테르일 수 있다.
폴리비닐알코올계 폴리머는, VA 단위와, 옥시알킬렌기, 카르복시기, 술포기, 아미노기, 수산기, 아미드기, 이미드기, 니트릴기, 에테르기, 에스테르기 및 이들의 염으로부터 선택되는 적어도 하나의 구조를 갖는 비VA 단위를 포함하는 변성 PVA이어도 된다. 또한, 폴리비닐알코올계 폴리머는, 폴리비닐알코올계 폴리머에 포함되는 VA 단위의 일부가 알데히드로 아세탈화된 변성 PVA이어도 된다. 상기 알데히드로서는, 예를 들어 알킬알데히드를 바람직하게 사용할 수 있고, 탄소 원자수 1 이상 7 이하의 알킬기를 갖는 알킬알데히드가 바람직하고, 그 중에서도 n-부틸알데히드가 바람직하다. 폴리비닐알코올계 폴리머로서, 제4급 암모늄 구조 등의 양이온성기가 도입된 양이온 변성 폴리비닐알코올을 사용해도 된다. 상기 양이온 변성 폴리비닐알코올로서는, 예를 들어 디알릴디알킬암모늄염, N-(메트)아크릴로일아미노 알킬-N,N,N-트리알킬암모늄염 등의 양이온성기를 갖는 모노머에서 유래하는 양이온성기가 도입된 것을 들 수 있다.
폴리비닐알코올계 폴리머를 구성하는 전체 반복 단위의 몰수에서 차지하는 VA 단위의 몰수 비율은, 예를 들어 5% 이상이어도 되고, 10% 이상이어도 되고, 20% 이상이어도 되고, 30% 이상이어도 된다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 VA 단위의 몰수 비율은, 50% 이상이어도 되고, 65% 이상이어도 되고, 75% 이상이어도 되고, 80% 이상이어도 되고, 90% 이상(예를 들어 95% 이상 또는 98% 이상)이어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머를 구성하는 반복 단위의 실질적으로 100%가 VA 단위이어도 된다. 여기서 「실질적으로 100%」란, 적어도 의도적으로는 폴리비닐알코올계 폴리머에 비VA 단위를 함유시키지 않는 것을 말하고, 전형적으로는 전체 반복 단위의 몰수에서 차지하는 비VA 단위의 몰수 비율이 2% 미만(예를 들어 1% 미만)이며, 0%인 경우를 포함한다. 다른 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리비닐알코올계 폴리머를 구성하는 전체 반복 단위의 몰수에서 차지하는 VA 단위의 몰수 비율은, 예를 들어 95% 이하이어도 되고, 90% 이하이어도 되고, 80% 이하이어도 되고, 70% 이하이어도 된다.
폴리비닐알코올계 폴리머에 있어서의 VA 단위의 함유량(중량 기준의 함유량)은, 예를 들어 5중량% 이상이어도 되고, 10중량% 이상이어도 되고, 20중량% 이상이어도 되고, 30중량% 이상이어도 된다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 VA 단위의 함유량은, 50중량% 이상(예를 들어 50중량% 초과)이어도 되고, 70중량% 이상이어도 되고, 80중량% 이상(예를 들어 90중량% 이상 또는 95중량% 이상 또는 98중량% 이상)이어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머를 구성하는 반복 단위의 실질적으로 100중량%가 VA 단위이어도 된다. 여기서 「실질적으로 100중량%」란, 적어도 의도적으로는 폴리비닐알코올계 폴리머를 구성하는 반복 단위로서 비VA 단위를 함유시키지 않는 것을 말하고, 전형적으로는 폴리비닐알코올계 폴리머에 있어서의 비VA 단위의 함유량이 2중량% 미만(예를 들어 1중량% 미만)인 것을 말한다. 다른 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리비닐알코올계 폴리머에 있어서의 VA 단위의 함유량은, 예를 들어 95중량% 이하이어도 되고, 90중량% 이하이어도 되고, 80중량% 이하이어도 되고, 70중량% 이하이어도 된다.
폴리비닐알코올계 폴리머는, VA 단위의 함유량이 다른 복수의 폴리머쇄를 동일 분자 내에 포함하고 있어도 된다. 여기서 폴리머쇄란, 1분자의 폴리머의 일부를 구성하는 부분(세그먼트)을 가리킨다. 예를 들어, 폴리비닐알코올계 폴리머는, VA 단위의 함유량이 50중량%보다 높은 폴리머쇄 A와, VA 단위의 함유량이 50중량%보다 낮은(즉, 비VA 단위의 함유량이 50중량%보다 많음) 폴리머쇄 B를, 동일 분자 내에 포함하고 있어도 된다.
폴리머쇄 A는, 반복 단위로서 VA 단위만을 포함하고 있어도 되고, VA 단위에 더하여 비VA 단위를 포함하고 있어도 된다. 폴리머쇄 A에 있어서의 VA 단위의 함유량은, 60중량% 이상이어도 되고, 70중량% 이상이어도 되고, 80중량% 이상이어도 되고, 90중량% 이상이어도 된다. 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리머쇄 A에 있어서의 VA 단위의 함유량은, 95중량% 이상이어도 되고, 98중량% 이상이어도 된다. 폴리머쇄 A를 구성하는 반복 단위의 실질적으로 100중량%가 VA 단위이어도 된다.
폴리머쇄 B는, 반복 단위로서 비VA 단위만을 포함하고 있어도 되고, 비VA 단위에 더하여 VA 단위를 포함하고 있어도 된다. 폴리머쇄 B에 있어서의 비VA 단위의 함유량은, 60중량% 이상이어도 되고, 70중량% 이상이어도 되고, 80중량% 이상이어도 되고, 90중량% 이상이어도 된다. 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리머쇄 B에 있어서의 비VA 단위의 함유량은, 95중량% 이상이어도 되고, 98중량% 이상이어도 된다. 폴리머쇄 B를 구성하는 반복 단위의 실질적으로 100중량%가 비VA 단위이어도 된다.
폴리머쇄 A와 폴리머쇄 B를 동일 분자 중에 포함하는 폴리비닐알코올계 폴리머의 예로서, 이들의 폴리머쇄를 포함하는 블록 공중합체나 그라프트 공중합체를 들 수 있다. 상기 그라프트 공중합체는, 폴리머쇄 A(주쇄)에 폴리머쇄 B(측쇄)가 그라프트한 구조의 그라프트 공중합체이어도 되고, 폴리머쇄 B(주쇄)에 폴리머쇄 A(측쇄)가 그라프트한 구조의 그라프트 공중합체이어도 된다. 일 양태에 있어서, 폴리머쇄 A에 폴리머쇄 B가 그라프트한 구조의 폴리비닐알코올계 폴리머를 사용할 수 있다.
폴리머쇄 B의 예로서는, N-비닐형의 모노머에서 유래하는 반복 단위를 주반복 단위로 하는 폴리머쇄, N-(메트)아크릴로일형의 모노머에서 유래하는 반복 단위를 주반복 단위로 하는 폴리머쇄, 옥시알킬렌 단위를 주반복 단위로 하는 폴리머쇄 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 주반복 단위란, 특기하지 않는 경우, 50중량%를 초과하여 포함되는 반복 단위를 말한다.
폴리머쇄 B의 일 적합예로서, N-비닐형의 모노머를 주반복 단위로 하는 폴리머쇄, 즉 N-비닐계 폴리머쇄를 들 수 있다. N-비닐계 폴리머쇄에 있어서의 N-비닐형 모노머에서 유래하는 반복 단위의 함유량은, 전형적으로는 50중량% 초과이며, 70중량% 이상이어도 되고, 85중량% 이상이어도 되고, 95중량% 이상이어도 된다. 폴리머쇄 B의 실질적으로 전부가 N-비닐형 모노머에서 유래하는 반복 단위이어도 된다.
이 명세서에 있어서, N-비닐형의 모노머의 예에는, 질소를 함유하는 복소환(예를 들어 락탐환)을 갖는 모노머 및 N-비닐쇄상 아미드가 포함된다. N-비닐락탐형 모노머의 구체예로서는, N-비닐피롤리돈, N-비닐피페리돈, N-비닐모르폴리논, N-비닐카프로락탐, N-비닐-1,3-옥사진-2-온, N-비닐-3,5-모르폴린디온 등을 들 수 있다. N-비닐쇄상 아미드의 구체예로서는, N-비닐아세트아미드, N-비닐프로피온산 아미드, N-비닐부티르산아미드 등을 들 수 있다. 폴리머쇄 B는, 예를 들어 그 반복 단위의 50중량% 초과(예를 들어 70중량% 이상 또는 85중량% 이상 또는 95중량% 이상)가 N-비닐피롤리돈 단위인 N-비닐계 폴리머쇄일 수 있다. 폴리머쇄 B를 구성하는 반복 단위의 실질적으로 전부가 N-비닐피롤리돈 단위이어도 된다.
폴리머쇄 B의 다른 예로서, N-(메트)아크릴로일형의 모노머에서 유래하는 반복 단위를 주반복 단위로 하는 폴리머쇄, 즉, N-(메트)아크릴로일계 폴리머쇄를 들 수 있다. N-(메트)아크릴로일계 폴리머쇄에 있어서의 N-(메트)아크릴로일형 모노머에서 유래하는 반복 단위의 함유량은, 전형적으로는 50중량% 초과이며, 70중량% 이상이어도 되고, 85중량% 이상이어도 되고, 95중량% 이상이어도 된다. 폴리머쇄 B의 실질적으로 전부가 N-(메트)아크릴로일형 모노머에서 유래하는 반복 단위이어도 된다.
이 명세서에 있어서, N-(메트)아크릴로일형 모노머의 예에는, N-(메트)아크릴로일기를 갖는 쇄상 아미드 및 N-(메트)아크릴로일기를 갖는 환형 아미드가 포함된다. N-(메트)아크릴로일기를 갖는 쇄상 아미드의 예로서는, (메트)아크릴아미드; N-메틸(메트)아크릴아미드, N-에틸(메트)아크릴아미드, N-프로필(메트)아크릴아미드, N-이소프로필(메트)아크릴아미드, N-n-부틸(메트)아크릴아미드 등의 N-알킬(메트)아크릴아미드; N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N,N-디에틸(메트)아크릴아미드, N,N-디프로필(메트)아크릴아미드, N,N-디이소프로필(메트)아크릴아미드, N,N-디(n-부틸)(메트)아크릴아미드 등의 N,N-디알킬(메트)아크릴아미드; 등을 들 수 있다. N-(메트)아크릴로일기를 갖는 환형 아미드의 예로서는, N-(메트)아크릴로일모르폴린, N-(메트)아크릴로일피롤리딘 등을 들 수 있다.
폴리머쇄 B의 다른 예로서, 옥시알킬렌 단위를 주반복 단위로서 포함하는 폴리머쇄, 즉 옥시알킬렌계 폴리머쇄를 들 수 있다. 옥시알킬렌계 폴리머쇄에 있어서의 옥시알킬렌 단위의 함유량은, 전형적으로는 50중량% 초과이며, 70중량% 이상이어도 되고, 85중량% 이상이어도 되고, 95중량% 이상이어도 된다. 폴리머쇄 B에 포함되는 반복 단위의 실질적으로 전부가 옥시알킬렌 단위이어도 된다.
옥시알킬렌 단위의 예로서는, 옥시에틸렌 단위, 옥시프로필렌 단위, 옥시부틸렌 단위 등을 들 수 있다. 이와 같은 옥시알킬렌 단위는, 각각, 대응하는 알킬렌옥시드에서 유래하는 반복 단위일 수 있다. 옥시알킬렌계 폴리머쇄에 포함되는 옥시알킬렌 단위는, 1종이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 예를 들어, 옥시에틸렌 단위와 옥시프로필렌 단위를 조합하여 포함하는 옥시알킬렌계 폴리머쇄이어도 된다. 2종류 이상의 옥시알킬렌 단위를 포함하는 옥시알킬렌계 폴리머쇄에 있어서, 그들의 옥시알킬렌 단위는, 대응하는 알킬렌옥시드의 랜덤 공중합체이어도 되고, 블록 공중합체나 그라프트 공중합체이어도 된다.
폴리머쇄 B의 또 다른 예로서, 알킬비닐에테르(예를 들어, 탄소 원자수 1 이상 10 이하의 알킬기를 갖는 비닐에테르)에서 유래하는 반복 단위를 포함하는 폴리머쇄, 모노카르복실산비닐에스테르(예를 들어, 탄소 원자수 3 이상의 모노카르복실산의 비닐에스테르)에서 유래하는 반복 단위를 포함하는 폴리머쇄, VA 단위의 일부가 알데히드(예를 들어, 탄소 원자수 1 이상 7 이하의 알킬기를 갖는 알킬알데히드)로 아세탈화된 폴리머쇄, 양이온성기(예를 들어, 제4급 암모늄 구조를 갖는 양이온성기)가 도입된 폴리머쇄 등을 들 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물에 있어서의 폴리비닐알코올계 폴리머로서는, 비변성 PVA를 사용해도 되고, 변성 PVA를 사용해도 되고, 비변성 PVA와 변성 PVA를 조합하여 사용해도 된다. 비변성 PVA와 변성 PVA를 조합하여 사용하는 양태에 있어서, 연마용 조성물에 포함되는 폴리비닐알코올계 폴리머 전량에 대한 변성 PVA의 사용량은, 예를 들어 95중량% 미만이어도 되고, 90중량% 이하이어도 되고, 75중량% 이하이어도 되고, 50중량% 이하이어도 되고, 30중량% 이하이어도 되고, 10중량% 이하이어도 되고, 5중량% 이하이어도 되고, 1중량% 이하이어도 된다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 폴리비닐알코올계 폴리머로서 1종 또는 2종 이상의 비변성 PVA만을 사용하는 양태로 바람직하게 실시될 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물에 사용되는 폴리비닐알코올계 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은 특별히 한정되지 않는다. 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw는, 통상, 100×104 이하가 적당하며, 30×104 이하가 바람직하고, 20×104 이하이어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw가 작아지면, 폴리비닐알코올계 폴리머의 분산 안정성은 향상되는 경향이 있다. 이러한 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw는, 15×104 이하이어도 되고, 10×104 이하이어도 된다. 또한, 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw는, 통상은 2×103 이상인 것이 적당하며, 5×103 이상이어도 되고, 1×104 이상이어도 된다. 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw의 증대에 따라서, 연마 대상물의 보호나 습윤성 향상의 효과는 높아지는 경향이 있다. 이러한 관점에서, 여기에 개시되는 연마용 조성물에 사용되는 폴리비닐알코올계 폴리머의 Mw는, 5×103 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1×104 이상이며, 2×104 이상이어도 되고, 5×104 이상이어도 되고, 6×104 이상이어도 되고, 6.5×104 이상이어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 수용성 고분자 및 후술하는 계면 활성제의 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 수계의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 기초하는 값(수계, 폴리에틸렌옥시드 환산)을 채용할 수 있다. GPC 측정 장치로서는, 도소 가부시키가이샤 제조의 기종명 「HLC-8320GPC」를 사용하면 된다. 측정은, 예를 들어 하기의 조건에서 행할 수 있다. 후술하는 실시예에 대해서도 마찬가지의 방법이 채용된다.
[GPC 측정 조건]
샘플 농도: 0.1중량%
칼럼: TSKgel GMPWXL
검출기: 시차 굴절계
용리액: 100mM 질산나트륨 수용액/아세토니트릴=10 내지 8/0 내지 2
유속: 1mL/분
측정 온도: 40℃
샘플 주입량: 200μL
연마용 조성물에 있어서의 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량(2종 이상의 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하는 경우에는 그들의 합계량)은 특별히 한정되지 않는다. 연마 성능이나 표면 품질 향상 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 함유량은, 예를 들어 0.0001중량% 이상이어도 되고, 통상은 0.00025중량% 이상으로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 0.0004중량% 이상, 예를 들어 0.0005중량% 이상이다. 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.05중량% 이하로 할 수 있다. 농축액 단계에서의 안정성이나 연마 레이트, 세정성 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량은, 바람직하게는 0.035중량% 이하, 보다 바람직하게는 0.025중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.02중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.015중량% 이하, 예를 들어 0.0125중량% 이하, 전형적으로는 0.01중량% 이하이다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량이 0.008중량% 이하, 0.006중량% 이하 또는 0.004중량% 이하인 양태로도 바람직하게 실시될 수 있다.
폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량(2종 이상의 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하는 경우에는 그들의 합계량)은 지립과의 상대적 관계에 의해서도 특정될 수 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립 100중량부에 대한 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량은, 예를 들어 0.01중량부 이상으로 할 수 있고, 헤이즈 저감 등의 관점에서 0.1중량부 이상으로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 0.5중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 더욱 바람직하게는 3중량부 이상이다. 또한, 지립 100중량부에 대한 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량은, 예를 들어 50중량부 이하이어도 되고, 30중량부 이하이어도 된다. 연마용 조성물의 분산 안정성 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립 100중량부에 대한 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량은, 15중량부 이하로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 8중량부 이하이고, 7중량부 이하이어도 된다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 지립 100중량부에 대한 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량이 5중량부 미만, 3중량부 미만 또는 2중량부 미만인 양태로도 바람직하게 실시될 수 있다.
(그 외의 수용성 고분자)
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 본 발명의 효과가 현저하게 방해되지 않는 범위에서, 그 외의 수용성 고분자, 즉 폴리비닐알코올계 폴리머 이외의 수용성 고분자를, 필요에 따라서 더 함유하고 있어도 된다. 그 외의 수용성 고분자는, 연마용 조성물의 분야에 있어서 공지된 수용성 고분자로부터 적절히 선택할 수 있다. 그 외의 수용성 고분자의 예로서는, 옥시알킬렌 단위를 포함하는 폴리머, 질소 원자를 함유하는 폴리머 등의 합성 폴리머; 셀룰로오스 유도체나 전분 유도체 등의 천연물 유래의 폴리머; 등을 들 수 있다.
옥시알킬렌 단위를 포함하는 폴리머로서는, 폴리에틸렌옥시드(PEO)나, 에틸렌옥시드(EO)와 프로필렌옥시드(PO) 또는 부틸렌옥시드(BO)의 블록 공중합체, EO와 PO 또는 BO의 랜덤 공중합체 등이 예시된다. 그 중에서도, EO와 PO의 블록 공중합체 또는 EO와 PO의 랜덤 공중합체가 바람직하다. EO와 PO의 블록 공중합체는, PEO 블록과 폴리프로필렌옥시드(PPO) 블록을 포함하는 디블록체, 트리블록체 등일 수 있다. 상기 트리블록체의 예에는, PEO-PPO-PEO형 트리블록체 및 PPO-PEO-PPO형 트리블록체가 포함된다. 그 중에서도, PEO-PPO-PEO형 트리블록체가 보다 바람직하다.
EO와 PO의 블록 공중합체 또는 랜덤 공중합체에 있어서, 해당 공중합체를 구성하는 EO와 PO의 몰비(EO/PO)는, 물에 대한 용해성이나 세정성 등의 관점에서, 1보다 큰 것이 바람직하고, 2 이상인 것이 보다 바람직하고, 3 이상(예를 들어 5 이상)인 것이 더욱 바람직하다.
질소 원자를 함유하는 폴리머의 비한정적인 예에는, N-비닐형의 모노머 단위를 포함하는 폴리머; 이민 유도체; N-(메트)아크릴로일형의 모노머 단위를 포함하는 폴리머; 등이 포함된다.
N-비닐형의 모노머 단위를 포함하는 폴리머의 예에는, 질소를 함유하는 복소환(예를 들어 락탐환)을 갖는 모노머에서 유래하는 반복 단위를 포함하는 폴리머가 포함된다. 이와 같은 폴리머의 예에는, N-비닐락탐형 모노머의 단독 중합체 및 공중합체(예를 들어, N-비닐락탐형 모노머의 공중합 비율이 50중량%를 초과하는 공중합체), N-비닐쇄상 아미드의 단독 중합체 및 공중합체(예를 들어, N-비닐쇄상 아미드의 공중합 비율이 50중량%를 초과하는 공중합체) 등이 포함된다.
N-비닐락탐형 모노머(즉, 1분자 내에 락탐 구조와 N-비닐기를 갖는 화합물)의 구체예로서는, N-비닐피롤리돈(VP), N-비닐피페리돈, N-비닐모르폴리논, N-비닐카프로락탐(VC), N-비닐-1,3-옥사진-2-온, N-비닐-3,5-모르폴린디온 등을 들 수 있다. N-비닐락탐형의 모노머 단위를 포함하는 폴리머의 구체예로서는, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐 카프로락탐, VP와 VC의 랜덤 공중합체, VP 및 VC의 한쪽 또는 양쪽과 다른 비닐 모노머(예를 들어, 아크릴계 모노머, 비닐에스테르계 모노머 등)의 랜덤 공중합체, VP 및 VC의 한쪽 또는 양쪽을 포함하는 폴리머쇄를 포함하는 블록 공중합체나 그라프트 공중합체 등을 들 수 있다.
N-비닐쇄상 아미드의 구체예로서는, N-비닐아세트아미드, N-비닐프로피온산 아미드, N-비닐부티르산아미드 등을 들 수 있다.
N-(메트)아크릴로일형의 모노머 단위를 포함하는 폴리머의 예에는, N-(메트)아크릴로일형 모노머의 단독 중합체 및 공중합체(전형적으로는, N-(메트)아크릴로일형 모노머의 공중합 비율이 50중량%를 초과하는 공중합체)가 포함된다. N-(메트)아크릴로일형 모노머의 예에는, N-(메트)아크릴로일기를 갖는 쇄상 아미드 및 N-(메트)아크릴로일기를 갖는 환형 아미드가 포함된다.
N-(메트)아크릴로일기를 갖는 쇄상 아미드의 예로서는, (메트)아크릴아미드; N-메틸(메트)아크릴아미드, N-에틸(메트)아크릴아미드, N-프로필(메트)아크릴아미드, N-이소프로필(메트)아크릴아미드, N-n-부틸(메트)아크릴아미드 등의 N-알킬(메트)아크릴아미드; N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N,N-디에틸(메트)아크릴아미드, N,N-디프로필(메트)아크릴아미드, N,N-디이소프로필(메트)아크릴아미드, N,N-디(n-부틸)(메트)아크릴아미드 등의 N,N-디알킬(메트)아크릴아미드; 등을 들 수 있다. N-(메트)아크릴로일기를 갖는 쇄상 아미드를 모노머 단위로서 포함하는 폴리머의 예로서, N-이소프로필아크릴아미드의 단독 중합체 및 N-이소프로필아크릴아미드의 공중합체(예를 들어, N-이소프로필아크릴아미드의 공중합 비율이 50중량%를 초과하는 공중합체)를 들 수 있다.
N-(메트)아크릴로일기를 갖는 환형 아미드의 예로서는, N-아크릴로일모르폴린, N-아크릴로일티오모르폴린, N-아크릴로일피페리딘, N-아크릴로일피롤리딘, N-메타크릴로일모르폴린, N-메타크릴로일피페리딘, N-메타크릴로일피롤리딘 등을 들 수 있다. N-(메트)아크릴로일기를 갖는 환형 아미드를 모노머 단위로서 포함하는 폴리머의 예로서, 아크릴로일모르폴린계 폴리머(PACMO)를 들 수 있다. 아크릴로일모르폴린계 폴리머의 전형례로서, N-아크릴로일모르폴린(ACMO)의 단독 중합체 및 ACMO의 공중합체(예를 들어, ACMO의 공중합 비율이 50중량%를 초과하는 공중합체)를 들 수 있다. 아크릴로일모르폴린계 폴리머에 있어서, 전체 반복 단위의 몰수에서 차지하는 ACMO 단위의 몰수 비율은, 통상은 50% 이상이며, 80% 이상(예를 들어 90% 이상, 전형적으로는 95% 이상)인 것이 적당하다. 수용성 고분자의 전체 반복 단위가 실질적으로 ACMO 단위로 구성되어 있어도 된다.
질소 원자를 함유하는 폴리머의 다른 예로서, N-아실알킬렌이민형 모노머의 단독 중합체 및 공중합체를 들 수 있다. N-아실알킬렌이민형 모노머의 구체예로서는, N-아세틸에틸렌이민, N-프로피오닐에틸렌이민 등을 들 수 있다.
셀룰로오스 유도체는, 주반복 단위로서 β-글루코오스 단위를 포함하는 폴리머이며, 예를 들어 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스(HEC), 메틸히드록시에틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 또한, 전분 유도체는, 주반복 단위로서 α-글루코오스 단위를 포함하는 폴리머이며, 예를 들어 알파화 전분, 풀루란, 카르복시메틸 전분, 시클로덱스트린 등을 들 수 있다.
여기에 개시되는 기술에 있어서, 그 외의 수용성 고분자의 분자량은 특별히 한정되지 않는다. 그 외의 수용성 고분자의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예를 들어 100×104 이하이어도 되고, 세정성 등의 관점에서 통상적으로는 60×104 이하가 적당하며, 50×104 이하이어도 되고, 40×104 이하이어도 된다. 몇 가지의 양태에 있어서, 그 외의 수용성 고분자의 Mw는, 바람직하게는 20×104 이하, 예를 들어 10×104 이하 또는 8×104 이하일 수 있다. 또한, 연마 대상물의 보호성의 관점에서, 그 외의 수용성 고분자의 Mw는, 예를 들어 2000 이상이어도 되고, 통상은 5000 이상인 것이 바람직하다. 몇 가지의 양태에 있어서, Mw는 1.0×104 이상이 적당하며, 바람직하게는 1.5×104 이상, 보다 바람직하게는 2×104 이상, 더욱 바람직하게는 3×104 이상, 예를 들어 4×104 이상, 전형적으로는 5×104 이상이며, 10×104 이상이어도 되고, 20×104 이상이어도 되고, 30×104 이상이어도 된다.
그 외의 수용성 고분자는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자의 사용량의 관계는, 중량비로, 예를 들어 5:95 내지 95:5이어도 되고, 10:90 내지 90:10이어도 되고, 25:75 내지 75:25이어도 된다.
몇 가지의 양태에 있어서, 상기 중량비(폴리비닐알코올계 폴리머:그 외의 수용성 고분자)는, 예를 들어 50:50 내지 100:0이어도 되고, 80:20 내지 100:0이어도 되고, 90:10 내지 100:0이어도 된다.
다른 몇 가지의 양태에 있어서, 폴리비닐알코올계 폴리머:그 외의 수용성 고분자의 중량비는, 예를 들어 5:95 내지 70:30, 15:85 내지 50:50 또는 20:80 내지 40:60일 수 있다.
3가 이상의 다가 유기산(염)의 사용에 의한 상술한 효과는, 이와 같이 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자(예를 들어, 옥시알킬렌 단위를 포함하는 폴리머, 질소 원자를 함유하는 폴리머 등의 합성 폴리머)를 조합하여 포함하는 양태에 있어서도 적합하게 발휘될 수 있다.
응집물의 저감이나 세정성 향상 등의 관점에서, 그 외의 수용성 고분자로서는 비이온성의 폴리머를 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, 화학 구조나 순도의 제어 용이성의 관점에서, 그 외의 수용성 고분자로서 합성 폴리머를 바람직하게 채용할 수 있다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 그 외의 수용성 고분자로서 천연물 유래의 폴리머를 실질적으로 사용하지 않는 양태로 바람직하게 실시될 수 있다. 여기서, 실질적으로 사용하지 않는다고 함은, 폴리비닐알코올계 폴리머 100중량부에 대한 사용량이, 전형적으로는 3중량부 이하, 바람직하게는 1중량부 이하인 것을 말하고, 0중량부 또는 검출 한계 이하인 것을 포함한다.
(수용성 고분자의 함유량)
연마용 조성물에 있어서의 수용성 고분자의 함유량(2종 이상을 포함하는 경우에는 그들의 합계량)은 특별히 한정되지 않는다. 연마 성능이나 표면 품질 향상 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 함유량은, 예를 들어 0.0005중량% 이상이어도 되고, 통상은 0.0025중량% 이상으로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 0.005중량% 이상, 예를 들어 0.0075중량% 이상이다. 수용성 고분자의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.05중량% 이하로 할 수 있다. 농축액 단계에서의 안정성이나 연마 레이트, 세정성 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 수용성 고분자의 함유량은, 바람직하게는 0.035중량% 이하, 보다 바람직하게는 0.025중량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.02중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.015중량% 이하, 예를 들어 0.0125중량% 이하, 전형적으로는 0.01중량% 이하이다.
수용성 고분자의 함유량(2종 이상을 포함하는 경우에는 그들의 합계량)은 지립과의 상대적 관계에 의해서도 특정될 수 있다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립 100중량부에 대한 수용성 고분자의 함유량은, 예를 들어 0.01중량부 이상으로 할 수 있고, 헤이즈 저감 등의 관점에서 0.1중량부 이상으로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 0.5중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상, 더욱 바람직하게는 3중량부 이상이다. 또한, 지립 100중량부에 대한 수용성 고분자의 함유량은, 예를 들어 50중량부 이하이어도 되고, 30중량부 이하이어도 된다. 연마용 조성물의 분산 안정성 등의 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립 100중량부에 대한 수용성 고분자의 함유량은, 20중량부 이하로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 15중량부 이하, 보다 바람직하게는 13중량부 이하이고, 12중량부 이하이어도 된다.
<다가 유기산(염)>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 3가 이상의 다가 유기산(염)을 포함한다. 본 발명자들은, 수용성 고분자로서 폴리비닐알코올계 폴리머를 사용하는 연마용 조성물에, 3가 이상의 다가 유기산(염)을 더 함유시킴으로써, 연마 후의 연마 대상물의 헤이즈가 개선되는 것을 알아 내었다. 이와 같은 효과가 발휘되는 이유는, 특별히 한정적으로 해석되는 것은 아니지만, 예를 들어 이하와 같이 생각된다. 즉, 지립을 포함하는 연마용 조성물에 폴리비닐알코올계 폴리머를 함유시키는 것은, 연마 대상물의 보호나 연마 후의 연마 대상물 표면의 습윤성 향상 등에 도움이 될 수 있는 한편, 상기 지립의 부분적인 응집을 초래하는 요인이 될 수도 있다. 지립이 응집되면, 미소한 연마 불균일이 발생하기 쉬워져, 헤이즈의 저감이 곤란해진다. 3가 이상의 다가 유기산(염)은 지립 및 폴리비닐알코올계 폴리머를 포함하는 연마용 조성물에 있어서 상기 지립의 응집을 억제하여 분산성을 향상시키는 효과를 발휘하고, 이것이 헤이즈의 개선에 기여하는 것으로 생각된다.
상기 다가 유기산(염)으로서는, 전형적으로는, 산기 및 그의 염으로 이루어지는 군에서 선택되는 관능기를 1분자 중에 3 이상 갖는 다가 유기산(염)이 사용된다. 상기 산기는, 예를 들어 카르복시기, 술포기, 포스포기 등일 수 있다. 상기 관능기는, 각각 독립적으로, 카르복시기, 카르복시기의 염, 술포기 및 술포기의 염, 포스포기 및 포스포기의 염으로 이루어지는 군에서 선택될 수 있다. 다가 유기산(염)의 일 적합예로서, 3가 이상의 다가 카르복실산(염)을 들 수 있다. 다가 유기산(염) 1 분자당의 산기의 수(다가 카르복실산의 경우, 카르복시기 수)는 3 이상이며, 예를 들어 3, 4 또는 5이어도 되고, 바람직하게는 3 또는 4이다. 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 다가 유기산(염)은 1분자 중에 1 이상의 수산기를 갖는 히드록시 다가 유기산(염)일 수 있다. 히드록시 다가 유기산(염)의 일 적합예로서, 1분자 중에 1 이상의 수산기와 3 이상의 카르복시기를 갖는 히드록시 다가 카르복실산(염)을 들 수 있다. 다가 유기산(염)으로서 히드록시 다가 카르복실산(염)을 사용함으로써, 양호한 지립 분산성이 안정적으로 발휘되는 경향이 있다. 이에 의해 표면 품질의 향상(예를 들어 헤이즈의 개선)이 보다 적합하게 실현될 수 있다.
다가 유기산(염)을 구성하는 다가 유기산은, 예를 들어 아코니트산, 시트르산, 부탄테트라카르복실산, 트리메스산, 트리멜리트산, 시클로헥산트리카르복실 산, 피로멜리트산, 멜리트산, 니트릴로트리스(메틸렌포스폰산)(NTMP), 2-포스포노 부탄-1,2,4-트리카르복실산(PBTC) 등일 수 있다. 그 중에서도 바람직한 예로서, 시트르산(염) 및 부탄테트라카르복실산(염) 등을 들 수 있다. 다가 유기산의 염은, 예를 들어 나트륨염이나 칼륨염 등의 알칼리 금속염이나, 암모늄염 등일 수 있다. 그 중에서도 암모늄염이 바람직하다. 다가 유기산(염)은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
다가 유기산(염)의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 그 사용 효과가 적절하게 발휘되도록 설정할 수 있다. 몇 가지의 양태에 있어서, 다가 유기산(염)의 함유량은, 연마용 조성물의 전체 중량에 대하여, 예를 들어 0.0005중량% 이상이어도 되고, 0.001중량% 이상이어도 되고, 0.005중량% 이상이어도 되고, 0.01중량% 이상이어도 된다. 다가 유기산(염)의 함유량의 증대에 의해, 지립의 분산성이 향상되어, 헤이즈 개선의 효과가 보다 잘 발휘될 수 있다. 또한, 여기서 다가 유기산(염)의 함유량이란, 2종 이상의 다가 유기산(염)을 포함하는 양태에서는 그들의 합계 함유량을 말한다. 또한, 다가 유기산(염)의 함유량이 과도하게 많아지면 헤이즈 개선의 효과가 저하될 수 있기 때문에, 몇 가지의 양태에 있어서, 다가 유기산(염)의 함유량은, 예를 들어 5중량% 이하이어도 되고, 1중량% 이하이어도 되고, 0.3중량% 이하이어도 되고, 0.1중량% 이하이어도 되고, 0.05중량% 이하이어도 되고, 0.02중량% 이하이어도 된다. 이들의 함유량은, 예를 들어 연마 대상물에 공급되는 연마액(워킹 슬러리)에 있어서의 함유량에 바람직하게 적용될 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 다가 유기산(염)의 바람직한 함유량은, 해당 연마용 조성물에 포함되는 지립과의 상대적 관계에 의해 특정될 수 있다. 구체적으로는, 연마용 조성물에 있어서의 다가 유기산(염)의 함유량은, 해당 연마용 조성물에 포함되는 지립 100중량부에 대하여, 예를 들어 대략 0.01중량부 이상으로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 대략 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 대략 0.5중량부 이상이며, 대략 0.7중량부 이상이어도 된다. 지립의 함유량에 대한 다가 유기산(염)의 함유량의 증대에 의해, 지립의 분산성이 향상되어, 헤이즈 개선의 효과가 보다 잘 발휘될 수 있다. 지립의 함유량에 대한 다가 유기산(염)의 함유량이 과도하게 많아지면 헤이즈 개선의 효과가 저하될 수 있기 때문에, 몇 가지의 양태에 있어서, 지립 100중량부에 대한 다가 유기산(염)의 함유량은, 통상, 대략 50중량부 이하로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 대략 20중량부 이하, 보다 바람직하게는 대략 10중량부 이하이고, 대략 6중량부 이하이어도 된다. 지립 100중량부에 대한 다가 유기산(염)의 함유량은, 예를 들어 5중량부 이하로 할 수 있고, 3중량부 이하로 할 수도 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 다가 유기산(염)의 바람직한 함유량은, 해당 연마용 조성물에 포함되는 폴리비닐알코올계 폴리머와의 상대적 관계에 의해 특정될 수 있다. 구체적으로는, 연마용 조성물에 있어서의 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량(AHM)에 대한 다가 유기산(염)의 함유량(AOA)의 비(AOA/AHM)는 중량 기준으로, 예를 들어 대략 0.01 이상으로 하는 것이 적당하며, 보다 양호한 분산성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 대략 0.05 이상, 보다 바람직하게는 대략 0.1 이상이다. 또한, 폴리비닐알코올계 폴리머의 함유량에 대한 다가 유기산(염)의 함유량이 과도하게 많아지면 헤이즈 개선의 효과가 저하될 수 있기 때문에, 상기 비(AOA/AHM)는, 통상, 대략 10 이하로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 대략 3 이하, 보다 바람직하게는 대략 2 이하이고, 대략 1 이하이어도 된다. 상기 비(AOA/AHM)는, 예를 들어 0.7 이하로 할 수 있다.
다가 유기산(염)의 바람직한 함유량은, 연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자(폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자를 조합하여 포함하는 양태에서는, 그들의 합계량)의 상대적 관계로부터도 특정될 수 있다. 연마용 조성물에 있어서의 수용성 고분자의 함유량(AHT)에 대한 다가 유기산(염)의 함유량(AOA)의 비(AOA/AHT)는 중량 기준으로, 예를 들어 대략 0.01 이상으로 하는 것이 적당하며, 보다 양호한 분산성을 얻는 관점에서, 바람직하게는 대략 0.05 이상, 보다 바람직하게는 대략 0.1 이상이다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자를 조합하여 사용하고, 해당 그 외의 수용성 고분자를 적절하게 선택함으로써, 비(AOA/AHT)가 대략 0.2 이상, 대략 0.3 이상, 대략 0.4 이상 또는 대략 0.5 이상인 양태로 적합하게 실시될 수 있다. 또한, 수용성 고분자의 함유량에 대한 다가 유기산(염)의 함유량이 과도하게 많아지면 헤이즈 개선의 효과가 저하될 수 있기 때문에, 상기 비(AOA/AHT)는, 통상, 대략 10 이하로 하는 것이 적당하며, 바람직하게는 대략 7 이하, 보다 바람직하게는 대략 5 이하이고, 대략 3 이하이어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 다가 유기산(염)의 바람직한 함유량은, 해당 다가 유기산(염)을 함유하는 것에 의한 전기 전도도의 상승비에 의해 특정될 수 있다. 상기 전기 전도도의 상승비는, 여기에 개시되는 연마용 조성물의 전기 전도도 EC1[mS/㎝]과, 해당 연마용 조성물로부터 상기 다가 유기산(염)을 제외한 조성물의 전기 전도도 EC0[mS/㎝]로부터, 다음 식: 전기 전도도 상승비=EC1/EC0;에 의해 나타내어진다. 상기 전기 전도도 상승비는, 통상은 1 이상이며, 전형적으로는 1초이다. 다가 유기산(염)의 사용 효과를 보다 잘 발휘하는 관점에서, 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 전기 전도도 상승비는, 예를 들어 1.3 이상이어도 되고, 1.4 이상이어도 되고, 1.5 이상이어도 되고, 1.7 이상이어도 된다. 또한, 연마용 조성물의 분산 안정성 등의 관점에서, 상기 전기 전도도 상승비는, 예를 들어 10 미만이어도 되고, 통상은 5 미만인 것이 적당하다. 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 전기 전도도 상승비는, 3 이하인 것이 바람직하고, 예를 들어 3 미만이어도 되고, 2.5 미만이어도 되고, 2 미만이어도 된다. 다른 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 전기 전도도 상승비는, 예를 들어 1을 초과하여 10 미만이어도 되고, 1.3 이상 7 미만이어도 되고, 1.5 이상 5 미만이어도 되고, 2 이상 4 미만이어도 된다.
이와 같은 전기 전도도비가 되도록 다가 유기산(염)의 함유량을 설정함으로써, 헤이즈를 효과적으로 개선하는 연마용 조성물이 실현될 수 있다. 또한, 전기 전도도의 측정은, 액온 25℃의 조건에서, 통상의 방법에 의해 행할 수 있다. 측정 기기로서는, 예를 들어 호리바 세이사꾸쇼제의 도전율계, 형식 「DS-12」를 사용할 수 있다. 후술하는 실시예에서는, 상기 도전율계를 사용하여 전기 전도도를 측정하였다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 해당 연마용 조성물의 전기 전도도 EC1[mS/㎝]은 지립의 분산성의 관점에서, 예를 들어 0.03mS/㎝ 이상이어도 되고, 0.05mS/㎝ 이상이어도 되고, 0.08mS/㎝ 이상이어도 되고, 0.1mS/㎝ 이상이어도 되고, 0.11mS/㎝ 이상이어도 되고, 0.12mS/㎝이어도 된다. 또한, 연마용 조성물의 분산 안정성 등의 관점에서, 상기 전기 전도도 EC1[mS/㎝]은, 예를 들어 0.30mS/㎝ 이하이어도 되고, 0.20mS/㎝ 이하이어도 되고, 0.15mS/㎝ 이하이어도 된다. 상술한 어느 것의 상한 및/또는 하한을 충족하는 전기 전도도를 갖는 연마용 조성물에 의하면, 연마 후의 연마 대상물 표면의 헤이즈를 효과적으로 개선할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 해당 연마용 조성물의 전기 전도도 EC1[mS/㎝]이 0.12mS/㎝ 미만, 0.11mS/㎝ 미만, 0.10mS/㎝ 미만, 나아가 0.08mS/㎝ 미만인 양태로도 바람직하게 실시될 수 있다. 이와 같이 전기 전도도 EC1이 비교적 낮은 양태에서는, 수용성 고분자로서 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 양태에 있어서, 전기 전도도 EC1[mS/㎝]은, 예를 들어 0.01mS/㎝ 초과이어도 되고, 연마용 조성물의 분산 안정성 등의 관점에서 0.02mS/㎝ 초과인 것이 유리하며, 0.03mS/㎝ 초과이어도 되고, 0.04mS/㎝ 초과이어도 된다. 상술한 어느 것의 상한 및/또는 하한을 충족하는 전기 전도도를 갖는 연마용 조성물에 의하면, 연마 후의 연마 대상물 표면의 헤이즈를 효과적으로 개선할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 본 발명의 효과가 현저하게 방해되지 않는 범위에서, 상술한 바와 같은 다가 유기산(염)에 더하여, 무기산(염), 1가의 유기산(염) 및 2가의 유기산(염)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 산(염)(이하, 그 외의 산(염)이라고도 함)을 필요에 따라서 더 함유하고 있어도 된다. 상기 그 외의 산(염)은, 예를 들어 연마용 조성물의 pH의 조정, 전기 전도도의 조정 등의 목적으로 사용될 수 있다. 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 조성의 단순화나 성능 안정성 등의 관점에서, 다가 유기산(염) 이외의 산(염)을 실질적으로 포함하지 않는 양태로 바람직하게 실시될 수 있다. 여기서, 다가 유기산(염) 이외의 산(염)을 실질적으로 포함하지 않는다고 함은, 다가 유기산(염)의 함유량과 상기 그 외의 산(염)의 함유량의 합계량 중 95중량% 내지 100중량%(전형적으로는 98중량% 내지 100중량%)가 다가 유기산(염)인 것을 말한다.
<염기성 화합물>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 염기성 화합물을 함유한다. 본 명세서에 있어서 염기성 화합물이란, 물에 용해되어 수용액의 pH를 상승시키는 기능을 갖는 화합물을 가리킨다. 염기성 화합물로서는, 질소를 포함하는 유기 또는 무기의 염기성 화합물, 인을 포함하는 염기성 화합물, 알칼리 금속의 수산화물, 알칼리 토류 금속의 수산화물, 각종의 탄산염이나 탄산수소염 등을 사용할 수 있다. 질소를 포함하는 염기성 화합물의 예로서는, 제4급 암모늄 화합물, 암모니아, 아민(바람직하게는 수용성 아민) 등을 들 수 있다. 인을 포함하는 염기성 화합물의 예로서는, 제4급 포스포늄 화합물을 들 수 있다. 이와 같은 염기성 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
알칼리 금속의 수산화물의 구체예로서는, 수산화칼륨, 수산화나트륨 등을 들 수 있다. 탄산염 또는 탄산수소염의 구체예로서는, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨 등을 들 수 있다. 아민의 구체예로서는, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 무수 피페라진, 피페라진 6수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진, N-메틸피페라진, 구아니딘, 이미다졸이나 트리아졸 등의 아졸류 등을 들 수 있다. 제4급 포스포늄 화합물의 구체예로서는, 수산화테트라메틸포스포늄, 수산화테트라에틸포스포늄 등의 수산화제4급 포스포늄을 들 수 있다.
제4급 암모늄 화합물로서는, 테트라알킬암모늄염, 히드록시알킬트리알킬암모늄염 등의 제4급 암모늄염(전형적으로는 강 염기)을 바람직하게 사용할 수 있다. 이러한 제4급 암모늄염에 있어서의 음이온 성분은, 예를 들어 OH-, F-, Cl-, Br-, I-, ClO4 -, BH4 - 등일 수 있다. 그 중에서도 바람직한 예로서, 음이온이 OH-인 제4급 암모늄염, 즉 수산화제4급 암모늄을 들 수 있다. 수산화제4급 암모늄의 구체예로서는, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄, 수산화테트라부틸암모늄, 수산화테트라펜틸암모늄 및 수산화테트라헥실암모늄 등의 수산화테트라알킬암모늄; 수산화2-히드록시에틸트리메틸암모늄(콜린이라고도 함) 등의 수산화히드록시알킬트리알킬암모늄; 등을 들 수 있다.
이들의 염기성 화합물 중, 예를 들어, 알칼리 금속 수산화물, 수산화제4급 암모늄 및 암모니아로부터 선택되는 적어도 1종의 염기성 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 그 중에서도 수산화테트라알킬암모늄(예를 들어, 수산화테트라메틸암모늄) 및 암모니아가 보다 바람직하고, 암모니아가 특히 바람직하다.
<계면 활성제>
여기에 개시되는 연마용 조성물에는, 필요에 따라서, 계면 활성제를 함유시킬 수 있다. 연마용 조성물에 계면 활성제를 함유시킴으로써, 연마 후의 연마 대상물 표면의 헤이즈를 보다 잘 저감할 수 있다. 계면 활성제로서는, 음이온성, 양이온성, 비이온성, 양성의 어느 것도 사용 가능하다. 통상적으로는, 음이온성 또는 비이온성의 계면 활성제를 바람직하게 채용할 수 있다. 저기포성이나 pH 조정의 용이성 관점에서, 비이온성의 계면 활성제가 보다 바람직하다. 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 옥시알킬렌 중합체; 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세릴에테르 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산에스테르 등의 폴리옥시알킬렌 유도체(예를 들어, 폴리옥시알킬렌 부가물); 복수종의 옥시알킬렌의 공중합체(예를 들어, 디블록형 공중합체, 트리블록형 공중합체, 랜덤형 공중합체, 교호 공중합체); 등의 비이온성 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
비이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 에틸렌옥시드(EO)와 프로필렌옥시드(PO)의 블록 공중합체(디블록형 공중합체, PEO(폴리에틸렌옥시드)-PPO(폴리프로필렌옥시드)-PEO형 트리블록체, PPO-PEO-PPO형의 트리블록 공중합체 등), EO와 PO의 랜덤 공중합체, 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌프로필에테르, 폴리옥시에틸렌부틸에테르, 폴리옥시에틸렌펜틸에테르, 폴리옥시에틸렌헥실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌-2-에틸헥실에테르, 폴리옥시에틸렌노닐에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌이소데실에테르, 폴리옥시에틸렌트리데실에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌이소스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌도데실페닐에테르, 폴리옥시에틸렌스티렌화페닐에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌모노라우르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노스테아르산 에스테르, 폴리옥시에틸렌디스테아르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노올레산에스테르, 폴리옥시에틸렌디올레산에스테르, 모노라우르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노파르티민산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노스테아르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 트리올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 테트라 올레산폴리옥시에틸렌소르비트, 폴리옥시에틸렌피마자유, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직한 계면 활성제로서, EO와 PO의 블록 공중합체(특히, PEO-PPO-PEO형의 트리블록 공중합체), EO와 PO의 랜덤 공중합체 및 폴리옥시에틸렌알킬에테르(예를 들어 폴리옥시에틸렌데실에테르)를 들 수 있다. 폴리옥시에틸렌알킬에테르로서는, EO 부가 몰수가 1 내지 10 정도(예를 들어 3 내지 8 정도)의 것을 바람직하게 채용할 수 있다.
계면 활성제의 중량 평균 분자량(Mw)은, 전형적으로는 2000 미만이고, 여과성이나 세정성 등의 관점에서 1900 이하(예를 들어 1800 미만)인 것이 바람직하다. 또한, 계면 활성제의 Mw는 계면 활성능 등의 관점에서, 통상, 200 이상인 것이 적당하며, 헤이즈 저감 효과 등의 관점에서 250 이상(예를 들어 300 이상)인 것이 바람직하다. 계면 활성제의 Mw의 보다 바람직한 범위는, 해당 계면 활성제의 종류에 따라서도 다를 수 있다. 예를 들어, 계면 활성제로서 폴리옥시에틸렌알킬에테르를 사용하는 경우, 그 Mw는, 1500 이하인 것이 바람직하고, 1000 이하(예를 들어 500 이하)이어도 된다. 또한, 예를 들어 계면 활성제로서 PEO-PPO-PEO형의 트리블록 공중합체를 사용하는 경우, 그 Mw는, 예를 들어 500 이상이어도 되고, 1000 이상이어도 되고, 나아가 1200 이상이어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물이 계면 활성제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 저해하지 않는 범위라면 특별히 제한은 없다. 통상적으로는, 세정성 등의 관점에서, 지립 100중량부에 대한 계면 활성제의 함유량을 20중량부 이하로 하는 것이 적당하며, 15중량부 이하가 바람직하고, 10중량부 이하(예를 들어 6중량부 이하)가 보다 바람직하다. 계면 활성제의 사용 효과를 보다 잘 발휘시키는 관점에서, 지립 100중량부에 대한 계면 활성제 함유량은, 0.001중량부 이상이 적당하며, 0.005중량부 이상이 바람직하고, 0.01중량부 이상이어도 되고 0.05중량부 이상이어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물이 계면 활성제를 포함하는 경우, 수용성 고분자의 함유량 w1과 계면 활성제의 함유량 w2의 중량비(w1/w2)는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 0.01 내지 200의 범위로 할 수 있고, 통상은 0.05 내지 100의 범위가 바람직하고, 0.1 내지 70의 범위가 보다 바람직하다.
혹은, 조성의 단순화 등의 관점에서, 여기에 개시되는 연마용 조성물은, 계면 활성제를 실질적으로 포함하지 않는 양태로도 바람직하게 실시될 수 있다.
<물>
여기에 개시되는 연마용 조성물에 포함되는 물로서는, 이온 교환수(탈이온수), 순수, 초순수, 증류수 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 사용하는 물은, 연마용 조성물에 함유되는 다른 성분의 작용이 저해되는 것을 최대한 회피하기 위해, 예를 들어 전이 금속 이온의 합계 함유량이 100ppb 이하인 것이 바람직하다. 예를 들어, 이온 교환 수지에 의한 불순물 이온의 제거, 필터에 의한 이물의 제거, 증류 등의 조작에 의해 물의 순도를 높일 수 있다.
<그 밖의 성분>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 본 발명의 효과가 현저하게 방해되지 않는 범위에서, 예를 들어 방부제, 곰팡이 방지제 등의, 연마용 조성물(전형적으로는, 실리콘 웨이퍼의 마무리 폴리싱 공정에 사용되는 연마용 조성물)에 사용될 수 있는 공지된 첨가제를, 필요에 따라서 더 함유해도 된다. 방부제 및 곰팡이 방지제의 예로서는, 이소티아졸린계 화합물, 파라옥시벤조산에스테르류, 페녹시에탄올 등을 들 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 산화제를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 산화제가 포함되어 있으면, 예를 들어 실리콘 웨이퍼의 연마에 있어서, 해당 실리콘 웨이퍼의 표면이 산화되어 산화막이 발생하고, 이에 의해 소요 연마 시간이 길어져 버리기 때문이다. 여기서 말하는 산화제의 구체예로서는, 과산화수소(H2O2), 과황산나트륨, 과황산암모늄, 디클로로이소시아누르산나트륨 등을 들 수 있다. 또한, 연마용 조성물이 산화제를 실질적으로 포함하지 않는다고 함은, 적어도 의도적으로는 산화제를 함유시키지 않는 것을 말한다. 따라서, 원료나 제법 등에서 유래하여 미량(예를 들어, 연마용 조성물 중에 있어서의 산화제의 몰 농도가 0.0005몰/L 이하, 바람직하게는 0.0001몰/L 이하, 보다 바람직하게는 0.00001몰/L 이하, 특히 바람직하게는 0.000001몰/L 이하)의 산화제가 불가피하게 포함되어 있는 연마용 조성물은, 여기서 말하는 산화제를 실질적으로 함유하지 않는 연마용 조성물의 개념에 포함될 수 있다.
<pH>
여기에 개시되는 연마용 조성물의 pH는, 전형적으로는 8.0 이상이며, 바람직하게는 8.5 이상, 보다 바람직하게는 9.0 이상이다. 연마용 조성물의 pH가 높아지면, 연마 능률이 향상되는 경향이 있다. 한편, 지립(예를 들어 실리카 입자)의 용해를 방지하여 기계적인 연마 작용의 저하를 억제하는 관점에서, 연마용 조성물의 pH는, 통상, 12.0 이하인 것이 적당하며, 11.0 이하인 것이 바람직하고, 10.8 이하인 것이 보다 바람직하고, 10.5 이하인 것이 더욱 바람직하다.
pH는, pH 미터(예를 들어, 호리바 세이사꾸쇼제의 유리 전극식 수소 이온 농도 지시계(형식 번호 F-23))를 사용하고, 표준 완충액(프탈산염 pH 완충액 pH:4.01(25℃), 중성 인산염 pH 완충액 pH:6.86(25℃), 탄산염 pH 완충액 pH:10.01(25℃))을 사용하여 3점 교정한 후에, 유리 전극을 측정 대상의 조성물에 넣어서, 2분 이상 경과하여 안정된 후의 값을 측정함으로써 파악할 수 있다.
<분산성>
여기에 개시되는 기술에 있어서, 연마용 조성물에 포함되는 지립의 분산성의 정도는, 예를 들어 다음 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2;
에 의해 산출되는 분산성의 수치를 기준으로서 파악할 수 있다. 여기서, 상기 식 중의 d84는, 입도 분포의 누적 커브가 84%가 되는 점의 입자 직경[㎚]이며, d16은, 입도 분포의 누적 커브가 16%가 되는 점의 입자 직경[㎚]이다. d84 및 d16은, 동적 광산란법에 기초하는 측정에 의해 구할 수 있다. 측정 장치로서는, 예를 들어 마이크로트랙ㆍ벨사제의 동적 광산란식 입도 분포 측정 장치, 상품명 「나노트랙 UPA-UT151」 또는 그 상당품을 사용할 수 있다. 상기 분산성의 값이 보다 작은 것은, 입도 분포 폭이 보다 좁은 것을 나타내고 있다. 일반적으로, 지립의 응집이 발생하면, 해당 지립의 입도 분포 폭은 보다 넓어지는 경향이 있다. 이 점으로부터, 상기 분산성의 값이 보다 작은 연마용 조성물은, 지립의 응집이 보다 잘 억제되어 있다고 말할 수 있다.
여기에 개시되는 연마용 조성물의 몇 가지의 양태에 있어서, 상기 분산성의 값은, 50㎚ 미만인 것이 적당하며, 바람직하게는 20㎚ 미만이고, 보다 바람직하게는 15㎚ 미만이고, 더욱 바람직하게는 10.8㎚ 미만이다. 바람직한 일 양태에 있어서, 상기 분산성의 값은, 예를 들어 10.5㎚ 이하이다. 상기 분산성은, 원리상 0㎚이며, 실용상의 관점에서 1㎚ 이상이어도 되고, 3㎚ 이상이어도 되고, 5㎚ 이상이어도 되고, 8㎚ 이상이어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 그 외의 수용성 고분자를 더 포함하는 양태에 있어서, 상기 분산성의 값이 14.2㎚ 미만임으로써 양호한 헤이즈 개선 효과를 발휘할 수 있다. 이러한 양태에 있어서, 상기 분산성의 값은, 예를 들어 1㎚ 이상이어도 되고, 3㎚ 이상이어도 되고, 5㎚ 이상이어도 되고, 8㎚ 이상이어도 되고, 10㎚ 이상이어도 되고, 나아가 12㎚ 이상이어도 된다.
상기 분산성의 값은, 예를 들어, BET 직경이 10㎚ 이상 35㎚ 이하, 보다 바람직하게는 15㎚ 이상 32㎚ 미만인 지립(예를 들어 콜로이달 실리카)을 사용한 연마용 조성물에 바람직하게 적용될 수 있다.
<연마액>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 전형적으로는 해당 연마용 조성물을 포함하는 연마액의 형태로 연마 대상물의 표면 상에 공급되어, 그 연마 대상물의 연마에 사용된다. 상기 연마액은, 예를 들어 여기에 개시되는 어느 연마용 조성물을 희석(전형적으로는, 물에 의해 희석)하여 조제된 것일 수 있다. 혹은, 해당 연마용 조성물을 그대로 연마액으로서 사용해도 된다. 즉, 여기에 개시되는 기술에 있어서의 연마용 조성물의 개념에는, 연마 대상물에 공급되어 해당 연마 대상물의 연마에 사용되는 연마액(워킹 슬러리)과, 희석하여 연마액으로서 사용되는 농축액(연마액의 원액)의 양쪽이 포함된다.
<농축액>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 연마 대상물에 공급되기 전에는 농축된 형태(즉, 연마액의 농축액 형태)이어도 된다. 이와 같이 농축된 형태의 연마용 조성물은, 제조, 유통, 보존 등일 때에 있어서의 편리성이나 비용 저감 등의 관점에서 유리하다. 농축 배율은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 체적 환산으로 2배 내지 100배 정도로 할 수 있고, 통상은 5배 내지 50배 정도(예를 들어 10배 내지 40배 정도)가 적당하다.
이와 같은 농축액은, 원하는 타이밍에 희석하여 연마액(워킹 슬러리)을 조제하고, 해당 연마액을 연마 대상물에 공급하는 양태로 사용할 수 있다. 상기 희석은, 예를 들어 상기 농축액에 물을 첨가하여 혼합함으로써 행할 수 있다.
상기 농축액에 있어서의 지립의 함유량은, 예를 들어 25중량% 이하로 할 수 있다. 연마용 조성물의 분산 안정성이나 여과성 등의 관점에서, 통상, 상기 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 15중량% 이하이다. 바람직한 일 양태에 있어서, 지립의 함유량을 10중량% 이하로 해도 되고, 5중량% 이하로 해도 된다. 또한, 제조, 유통, 보존 등일 때에 있어서의 편리성이나 비용 저감 등의 관점에서, 농축액에 있어서의 지립의 함유량은, 예를 들어 0.1중량% 이상으로 할 수 있고, 바람직하게는 0.5중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.7중량% 이상, 더욱 바람직하게는 1중량% 이상이다.
<연마용 조성물의 조제>
여기에 개시되는 기술에 있어서 사용되는 연마용 조성물은, 1제형이어도 되고, 2제형을 비롯한 다제형이어도 된다. 예를 들어, 연마용 조성물의 구성 성분 중 적어도 지립을 포함하는 파트 A와, 나머지 성분 중 적어도 일부를 포함하는 파트 B를 혼합하고, 이들을 필요에 따라서 적절한 타이밍에 혼합 및 희석함으로써 연마액이 조제되도록 구성되어 있어도 된다.
연마용 조성물의 조제 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 날개식 교반기, 초음파 분산기, 호모 믹서 등의 주지의 혼합 장치를 사용하여, 연마용 조성물을 구성하는 각 성분을 혼합하면 된다. 이들 성분을 혼합하는 양태는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 전체 성분을 한번에 혼합해도 되고, 적절히 설정한 순서로 혼합해도 된다.
<용도>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 여러가지의 재질 및 형상을 갖는 연마 대상물의 연마에 적용될 수 있다. 연마 대상물의 재질은, 예를 들어 실리콘, 알루미늄, 니켈, 텅스텐, 구리, 탄탈, 티타늄, 스테인리스강 등의 금속 또는 반금속, 또는 이들의 합금; 석영 유리, 알루미노실리케이트 유리, 유리상 카본 등의 유리상 물질; 알루미나, 실리카, 사파이어, 질화규소, 질화탄탈, 탄화티타늄 등의 세라믹 재료; 탄화규소, 질화갈륨, 비소화갈륨 등의 화합물 반도체 기판 재료; 폴리이미드 수지 등의 수지 재료; 등일 수 있다. 이들 중 복수의 재질에 의해 구성된 연마 대상물이어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 실리콘으로 이루어지는 표면의 연마(전형적으로는 실리콘 웨이퍼의 연마)에 특히 바람직하게 사용될 수 있다. 여기서 말하는 실리콘 웨이퍼의 전형예는 실리콘 단결정 웨이퍼이며, 예를 들어 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이스하여 얻어진 실리콘 단결정 웨이퍼이다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 연마 대상물(예를 들어 실리콘 웨이퍼)의 폴리싱 공정에 바람직하게 적용할 수 있다. 연마 대상물에는, 여기에 개시되는 연마용 조성물에 의한 폴리싱 공정 전에, 랩핑이나 에칭 등의, 폴리싱 공정보다 상류의 공정에 있어서 연마 대상물에 적용될 수 있는 일반적인 처리가 실시되어 있어도 된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 연마 대상물(예를 들어 실리콘 웨이퍼)의 마무리 공정 또는 그 직전의 폴리싱 공정에 사용하는 것이 효과적이며, 마무리 폴리싱 공정에서의 사용이 특히 바람직하다. 여기서, 마무리 폴리싱 공정이란, 목적물의 제조 프로세스에 있어서의 마지막 폴리싱 공정(즉, 그 공정 후에는 가일층의 폴리싱을 행하지 않는 공정)을 가리킨다.
<연마>
여기에 개시되는 연마용 조성물은, 예를 들어 이하의 조작을 포함하는 양태로, 연마 대상물의 연마에 사용할 수 있다. 이하, 여기에 개시되는 연마용 조성물을 사용하여 연마 대상물(예를 들어 실리콘 웨이퍼)을 연마하는 방법의 적합한 일 양태에 대해서 설명한다.
즉, 여기에 개시되는 어느 것의 연마용 조성물을 포함하는 연마액을 준비한다. 상기 연마액을 준비하는 것에는, 연마용 조성물에 농도 조정(예를 들어 희석), pH 조정 등의 조작을 가하여 연마액을 조제하는 것이 포함될 수 있다. 혹은, 연마용 조성물을 그대로 연마액으로서 사용해도 된다.
이어서, 그 연마액을 연마 대상물에 공급하고, 통상의 방법에 의해 연마한다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 마무리 연마를 행하는 경우, 전형적으로는, 랩핑 공정을 거친 실리콘 웨이퍼를 일반적인 연마 장치에 세트하고, 해당 연마 장치의 연마 패드를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼의 연마 대상면에 연마액을 공급한다. 전형적으로는, 상기 연마액을 연속적으로 공급하면서, 실리콘 웨이퍼의 연마 대상면에 연마 패드를 압박하여 양자를 상대적으로 이동(예를 들어 회전 이동)시킨다. 이러한 연마 공정을 거쳐서 연마 대상물의 연마가 완료된다.
상기 연마 공정에 사용되는 연마 패드는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 발포 폴리우레탄 타입, 부직포 타입, 스웨이드 타입 등의 연마 패드를 사용할 수 있다. 각 연마 패드는 지립을 포함해도 되고, 지립을 포함하지 않아도 된다. 통상적으로는, 지립을 포함하지 않는 연마 패드가 바람직하게 사용된다.
여기에 개시되는 연마용 조성물을 사용하여 연마된 연마 대상물은, 전형적으로는 세정된다. 세정은 적당한 세정액을 사용하여 행할 수 있다. 사용하는 세정액은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 반도체 등의 분야에 있어서 일반적인 SC-1 세정액(수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2)과 물(H2O)의 혼합액), SC-2 세정액(염산(HCl)과 H2O2와 H2O의 혼합액) 등을 사용할 수 있다. 세정액의 온도는, 예를 들어 실온(전형적으로는 약 15℃ 내지 25℃) 이상, 약 90℃ 정도까지의 범위로 할 수 있다. 세정 효과를 향상시키는 관점에서, 50℃ 내지 85℃ 정도의 세정액을 바람직하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 따른 몇 가지의 실시예를 설명하지만, 본 발명을 이러한 실시예에 나타내는 것에 한정하는 것을 의도한 것은 아니다. 또한, 이하의 설명에 있어서 「부」 및 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 중량 기준이다.
≪실험예 1≫
<연마용 조성물의 조제>
(실시예 1 내지 3)
지립, 수용성 고분자, 산(염), 염기성 화합물, 계면 활성제 및 탈이온수를 혼합하여, 각 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다. 지립으로서는 콜로이달 실리카(평균 1차 입자 직경:25㎚)를 사용하고, 그 함유량을 0.175%로 하였다. 수용성 고분자로서는, 중량 평균 분자량(Mw)이 약 70000, 비누화도가 98% 이상인 폴리비닐알코올(비변성 PVA)을 사용하고, 그 함유량을 0.00875%로 하였다. 염기성 화합물로서는 암모니아를 사용하고, 그 함유량을 0.005%로 하였다. 계면 활성제로서는, 에틸렌옥시드 부가 몰수 5의 폴리옥시에틸렌데실에테르(C10EO5)를 사용하고, 그 함유량을 0.00015%로 하였다. 산(염)으로서는, 표 1에 나타내는 양의 시트르산 3암모늄을 사용하였다.
(실시예 4)
본 예에서는, 시트르산 3암모늄 대신에, 표 1에 나타내는 양의 시트르산을 사용하였다. 그 외의 점은 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
(실시예 5)
본 예에서는, 시트르산 3암모늄 대신에, 표 1에 나타내는 양의 부탄테트라카르복실산을 사용하였다. 그 외의 점은 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
(비교예 1)
실시예 1의 조성으로부터 시트르산 3암모늄을 제외한 것 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
(비교예 2 내지 5)
시트르산 3암모늄을 대신하여 표 1에 나타내는 종류 및 양의 산(염)을 사용한 것 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2 내지 5에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
<분산성 측정>
조제한 연마용 조성물에 대해서, 마이크로트랙ㆍ벨사제의 동적 광산란식 입도 분포 측정 장치, 상품명 「나노트랙 UPA-UT151」을 사용하여, 입도 분포를 측정하였다. 누적 커브가 84%가 되는 점의 입자 직경(㎚)을 d84, 누적 커브가 16%가 되는 점의 입자 직경(㎚)을 d16이라 하고, 다음 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2;
에 의해 분산성의 수치를 산출하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타냈다. 이 표 1에는, 상술한 방법에 의해 측정한 전기 전도도의 값을 아울러 나타내고 있다.
또한, 비교예 1의 연마용 조성물의 pH는 10.0이며, 다른 예에 관한 연마용 조성물의 pH는 모두 9.0 내지 9.9의 범위에 있었다.
<실리콘 웨이퍼의 연마>
연마 대상물로서, 랩핑 및 에칭을 종료한 직경 200㎜의 시판 실리콘 단결정 웨이퍼(전도형:P형, 결정 방위:<100>, COP(Crystal Originated Particle:결정 결함) 프리)를 하기의 연마 조건 1에 의해 예비 폴리싱한 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 예비 폴리싱은, 탈이온수 중에 지립(BET 직경이 35㎚인 콜로이달 실리카) 1.0% 및 수산화칼륨 0.068%를 포함하는 연마액을 사용하여 행했다.
[연마 조건 1]
연마 장치:가부시키가이샤 오카모토 코오사쿠 기카이 세이사쿠쇼제의 매엽 연마 장치 형식 「PNX-322」
연마 하중: 15㎪
정반의 회전 속도: 30rpm
헤드(캐리어)의 회전 속도: 30rpm
연마 패드:후지보우 에히메 가부시키가이샤 제조 제품명 「FP55」
예비 연마액의 공급 레이트: 550mL/min
예비 연마액의 온도: 20℃
정반 냉각수의 온도: 20℃
연마 시간: 3min
상기에서 조제한 각 예에 관한 연마용 조성물을 연마액으로서 사용하고, 상기 예비 폴리싱 후의 실리콘 웨이퍼를 하기의 연마 조건 2에 의해 연마하였다.
[연마 조건 2]
연마 장치:가부시키가이샤 오카모토 코오사쿠 기카이 세이사쿠쇼제의 매엽 연마 장치 형식 「PNX-322」
연마 하중: 15㎪
정반의 회전 속도: 30rpm
헤드(캐리어)의 회전 속도: 30rpm
연마 패드:후지보우 에히메 가부시키가이샤 제조 제품명 「POLYPAS27NX」
연마액의 공급 레이트: 400mL/min
연마액의 온도: 20℃
정반 냉각수의 온도: 20℃
연마 시간: 4min
연마 후의 실리콘 웨이퍼를 연마 장치로부터 분리하고, NH4OH(29%):H2O2(31%):탈이온수(DIW)=1:1:12(체적비)의 세정액을 사용하여 세정했다(SC-1 세정). 구체적으로는, 제1 및 제2의 2개의 세정조를 준비하고, 그들의 세정조의 각각에 상기 세정액을 수용하여 60℃로 유지하였다. 연마 후의 실리콘 웨이퍼를 제1 세정조에 5분 침지하고, 초순수에 침지하여 초음파를 부여하는 린스조를 거쳐, 제2 세정조에 5분 침지한 후, 초순수에 침지하여 초음파를 부여하는 린스조를 거쳐서 스핀 드라이어를 사용하여 건조시켰다.
<헤이즈 측정>
세정 후의 실리콘 웨이퍼 표면에 대해서, 케이엘에이텐코사제의 웨이퍼 검사 장치, 상품명 「Surfscan SP2XP」를 사용하여, DWO 모드로 헤이즈(ppm)를 측정하였다. 얻어진 결과를, 비교예 1에 관한 헤이즈값을 100%로 하는 상대값(헤이즈비)으로 환산하여 표 1에 나타냈다. 헤이즈비가 100% 미만이면, 헤이즈 개선 효과가 유의미하게 확인할 수 있다고 말할 수 있다.
표 1에 나타내어진 바와 같이, 다가 유기산(염)을 사용한 실시예 1 내지 5에서는, 비교예 1에 대하여 유의한 헤이즈 개선 효과가 확인되었다. 이들의 실시예에서는 비교예 1에 비하여 연마 조성물의 분산성(㎚)의 값이 명백하게 저하되어 있고, 이것이 헤이즈의 개선에 공헌한 것으로 생각된다. 한편, 1가 또는 2가의 산(염)을 사용한 비교예 2 내지 5에서는, 비교예 1에 대하여 헤이즈를 개선하는 효과는 확인되지 않았다.
또한, 폴리비닐알코올을 히드록시에틸셀룰로오스(HEC)로 변경한 것 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 조제한 참고예 1의 연마용 조성물의 분산성은 51.2㎚이며, 시트르산 3암모늄을 사용하지 않는 것 외는 참고예 1과 마찬가지로 하여 조제한 참고예 2의 연마용 조성물의 분산성은 23.3㎚이었다. 즉, 수용성 고분자로서 HEC를 단독으로 사용한 연마용 조성물에서는, 표 1에 나타내어지는 결과와는 달리, 다가 유기산(염)에 의한 분산성의 향상은 확인되지 않았다.
≪실험예 2≫
<연마용 조성물의 조제>
(실시예 6)
수용성 고분자로서, 중량 평균 분자량(Mw)이 약 70000, 비누화도가 98% 이상의 폴리비닐알코올(비변성 PVA)과, 중량 평균 분자량(Mw)이 약 350,000의 폴리아크릴로일모르폴린(PACMO)을 사용하였다. 상기 폴리비닐알코올의 함유량은 0.00263%로 하고, 상기 폴리아크릴로일모르폴린의 함유량은 0.00560%로 하였다. 또한, C10EO5의 함유량을 0.00007%로 하고, 시트르산 3암모늄의 함유량을 0.0042%로 하였다. 그 외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 본 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
(비교예 6)
실시예 6의 조성으로부터 시트르산 3암모늄을 제외한 것 외는 실시예 6과 마찬가지로 하여, 본 예에 관한 연마용 조성물을 조제하였다.
<평가>
조제한 연마용 조성물에 대해서, 상술한 실험예 1과 마찬가지로 분산성 측정, 실리콘 웨이퍼의 연마 및 헤이즈 측정을 행하였다. 결과를 표 2에 나타냈다. 실시예 6에 대해서 얻어진 헤이즈값은, 비교예 6에 관한 헤이즈값을 100%로 하는 상대값(헤이즈비)으로 환산하였다. 결과를 표 2에 나타냈다.
표 2에 나타내어진 바와 같이, 폴리비닐알코올계 폴리머와 그 외의 수용성 고분자를 조합하여 포함하는 연마용 조성물인 실시예 6, 비교예 6의 대비에 있어서, 비교예 6의 조성에 다가 유기산(염)을 첨가하는 것에 의한 명확한 헤이즈 개선 효과가 확인되었다.
이상, 본 발명의 구체예를 상세하게 설명했지만, 이들은 예시에 지나지 않고, 청구 범위를 한정하는 것은 아니다. 청구 범위에 기재된 기술에는, 이상에서 예시한 구체예를 다양하게 변형, 변경한 것이 포함된다.
Claims (11)
- 지립과, 수용성 고분자로서의 폴리비닐알코올계 폴리머와, 염기성 화합물과, 물을 포함하고,
3가 이상의 다가 유기산(염)을 더 포함하는, 연마용 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 다가 유기산(염)으로서, 3가 이상의 다가 카르복실산(염)을 포함하는, 연마용 조성물. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 다가 유기산(염)으로서, 3가 이상의 다가 유기산의 암모늄염을 포함하는, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
이하의 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2
(여기서, 상기 식 중의 d84는, 입도 분포의 누적 커브가 84%가 되는 점의 입자 직경[㎚]을 나타내고, d16은, 입도 분포의 누적 커브가 16%가 되는 점의 입자 직경[㎚]을 나타냄);
에 의해 나타내어지는 분산성이 10.8㎚ 미만인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수용성 고분자로서 상기 폴리비닐알코올계 폴리머 이외의 수용성 고분자를 더 포함하고,
이하의 식:
분산성[㎚]=(d84-d16)/2
(여기서, 상기 식 중의 d84는, 입도 분포의 누적 커브가 84%가 되는 점의 입자 직경[㎚]을 나타내고, d16은, 입도 분포의 누적 커브가 16%가 되는 점의 입자 직경[㎚]을 나타냄);
에 의해 나타내어지는 분산성이 14.2㎚ 미만인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 다가 유기산(염)을 포함하는 것에 의한 전기 전도도의 상승비가 3 이하인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
pH가 8 내지 12인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리비닐알코올계 폴리머의 중량 평균 분자량이 10×104 이하인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
계면 활성제를 더 포함하는, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지립은 실리카 입자인, 연마용 조성물. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
실리콘 웨이퍼의 마무리 폴리싱 공정에서 사용되는, 연마용 조성물.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2019-058620 | 2019-03-26 | ||
JP2019058620 | 2019-03-26 | ||
PCT/JP2020/012622 WO2020196369A1 (ja) | 2019-03-26 | 2020-03-23 | 研磨用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210143847A true KR20210143847A (ko) | 2021-11-29 |
Family
ID=72610948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217034147A KR20210143847A (ko) | 2019-03-26 | 2020-03-23 | 연마용 조성물 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220162477A1 (ko) |
EP (1) | EP3950876A4 (ko) |
JP (1) | JPWO2020196369A1 (ko) |
KR (1) | KR20210143847A (ko) |
CN (1) | CN113631679B (ko) |
TW (1) | TW202043425A (ko) |
WO (1) | WO2020196369A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113930165B (zh) * | 2021-11-23 | 2022-12-30 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种研磨助剂、制备方法、用途及研磨液和研磨方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140427A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Kobe Steel Ltd | 研磨液および研磨方法 |
JP5474400B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
JP6029895B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-11-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び基板の製造方法 |
JP6050125B2 (ja) | 2011-01-26 | 2016-12-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT348360B (de) | 1977-07-15 | 1979-02-12 | Lim Holding Sa | Vorrichtung zur herstellung von fahrzeugreifen durch giessen bzw. spritzen |
JPS6029895B2 (ja) | 1977-12-19 | 1985-07-13 | 富士通株式会社 | 表面検査装置 |
JP2003086546A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
US7553345B2 (en) * | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
JP5798450B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-10-21 | 花王株式会社 | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
CN102786879B (zh) * | 2012-07-17 | 2014-04-23 | 清华大学 | 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用 |
US10351732B2 (en) * | 2013-03-19 | 2019-07-16 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, method for producing polishing composition and polishing composition preparation kit |
CN104559796B (zh) * | 2013-10-14 | 2018-01-26 | 天津西美半导体材料有限公司 | 应用于超硬表面的表面改性氧化铝抛光液的制备方法 |
WO2016132676A1 (ja) * | 2015-02-19 | 2016-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハ研磨用組成物および研磨方法 |
CN108239484B (zh) * | 2016-12-23 | 2020-09-25 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种蓝宝石抛光用氧化铝抛光液及其制备方法 |
JP2017101248A (ja) * | 2017-01-13 | 2017-06-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
KR102565682B1 (ko) * | 2017-02-20 | 2023-08-11 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 기판 중간 연마용 조성물 및 실리콘 기판 연마용 조성물 세트 |
JP6941532B2 (ja) | 2017-09-22 | 2021-09-29 | 務 下原 | 外部入力機能を持つ鉄道模型の制御装置 |
-
2020
- 2020-03-23 EP EP20776532.2A patent/EP3950876A4/en active Pending
- 2020-03-23 US US17/442,105 patent/US20220162477A1/en active Pending
- 2020-03-23 KR KR1020217034147A patent/KR20210143847A/ko unknown
- 2020-03-23 WO PCT/JP2020/012622 patent/WO2020196369A1/ja unknown
- 2020-03-23 JP JP2021509368A patent/JPWO2020196369A1/ja active Pending
- 2020-03-23 CN CN202080023140.4A patent/CN113631679B/zh active Active
- 2020-03-25 TW TW109109948A patent/TW202043425A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11140427A (ja) | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Kobe Steel Ltd | 研磨液および研磨方法 |
JP5474400B2 (ja) | 2008-07-03 | 2014-04-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
JP6050125B2 (ja) | 2011-01-26 | 2016-12-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、それを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
JP6029895B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-11-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3950876A1 (en) | 2022-02-09 |
JPWO2020196369A1 (ko) | 2020-10-01 |
CN113631679A (zh) | 2021-11-09 |
TW202043425A (zh) | 2020-12-01 |
US20220162477A1 (en) | 2022-05-26 |
CN113631679B (zh) | 2023-08-08 |
WO2020196369A1 (ja) | 2020-10-01 |
EP3950876A4 (en) | 2022-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102226501B1 (ko) | 연마용 조성물 및 연마물 제조 방법 | |
JP7050684B2 (ja) | 研磨用組成物および研磨用組成物セット | |
KR102326750B1 (ko) | 연마용 조성물 및 그 제조 방법 | |
KR102239131B1 (ko) | 연마용 조성물 및 그 제조 방법 | |
JP7104053B2 (ja) | 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法 | |
JP7353051B2 (ja) | シリコンウェーハ研磨用組成物 | |
KR20180122318A (ko) | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
KR20210144815A (ko) | 연마용 조성물 | |
KR20190122221A (ko) | 실리콘 기판 중간 연마용 조성물 및 실리콘 기판 연마용 조성물 세트 | |
JP5920840B2 (ja) | 研磨用組成物およびその製造方法 | |
WO2020196370A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
KR102517629B1 (ko) | 연마용 조성물 | |
KR20210143847A (ko) | 연마용 조성물 | |
TW202220046A (zh) | 研磨用組成物及其利用 | |
KR20240074866A (ko) | 연마용 조성물 | |
TW202231830A (zh) | 矽晶圓用研磨用組成物及其利用 | |
WO2021199723A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
WO2023063027A1 (ja) | 研磨用組成物 | |
TW202219234A (zh) | 研磨用組成物及其利用 | |
KR20220150963A (ko) | 연마용 조성물 및 연마 방법 |