JPH10245545A - シリコンウェハー用研磨助剤 - Google Patents
シリコンウェハー用研磨助剤Info
- Publication number
- JPH10245545A JPH10245545A JP5054897A JP5054897A JPH10245545A JP H10245545 A JPH10245545 A JP H10245545A JP 5054897 A JP5054897 A JP 5054897A JP 5054897 A JP5054897 A JP 5054897A JP H10245545 A JPH10245545 A JP H10245545A
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- JP
- Japan
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- polishing
- silicon wafer
- block type
- aid
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、半導体の製造工程でのシリ
コンウェハーの鏡面研磨に好適に使用される新規なシリ
コンウェハー用研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコン
ウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコン
ウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨されたシリ
コンウェハーを提供することにある。 【解決手段】 本発明のシリコンウェハー用研磨助剤
は、下記の一般式（１） ＨＯ−(ＥＯ)a−(ＰＯ)b−(ＥＯ)c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはエチレンオキサイド残基を表わし、ＰＯ
はプロピレンオキサイド残基を表わし、ａ、ｂ及びｃは
１以上の数を表わす。）で表わされるブロック型ポリエ
ーテルからなることを特徴とする。
コンウェハーの鏡面研磨に好適に使用される新規なシリ
コンウェハー用研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコン
ウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコン
ウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨されたシリ
コンウェハーを提供することにある。 【解決手段】 本発明のシリコンウェハー用研磨助剤
は、下記の一般式（１） ＨＯ−(ＥＯ)a−(ＰＯ)b−(ＥＯ)c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはエチレンオキサイド残基を表わし、ＰＯ
はプロピレンオキサイド残基を表わし、ａ、ｂ及びｃは
１以上の数を表わす。）で表わされるブロック型ポリエ
ーテルからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシ
リコンウェハー研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコン
ウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコン
ウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨されたシリ
コンウェハーに関する。
でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用されるシ
リコンウェハー研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコン
ウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコン
ウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨されたシリ
コンウェハーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用シリコンウェハーの鏡面研磨工
程には、シリコンインゴットから切断によってウェハー
状に切り出した際に生じる切断歪層及び表面うねりを除
去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッピング工程を
経たラップドシリコンウェハーを、目的とする表面精度
に仕上げるポリッシング工程(精密研磨工程)がある。
又、後者のポリッシング工程には、大体の精度に仕上げ
る１次ポリッシング工程(１次研磨工程)と、目的とする
表面精度に仕上げるファイナルポリッシング工程(最終
研磨工程)に分別され、場合によっては１次ポリッシン
グ工程を２つに分け、１次、２次ポリッシング工程と称
する場合もある。
程には、シリコンインゴットから切断によってウェハー
状に切り出した際に生じる切断歪層及び表面うねりを除
去するラッピング工程（粗研磨）と、ラッピング工程を
経たラップドシリコンウェハーを、目的とする表面精度
に仕上げるポリッシング工程(精密研磨工程)がある。
又、後者のポリッシング工程には、大体の精度に仕上げ
る１次ポリッシング工程(１次研磨工程)と、目的とする
表面精度に仕上げるファイナルポリッシング工程(最終
研磨工程)に分別され、場合によっては１次ポリッシン
グ工程を２つに分け、１次、２次ポリッシング工程と称
する場合もある。
【０００３】従来、シリコンウェハーの研磨剤としては
コロイダルシリカが一般的に使用されてきた。しかし、
コロイダルシリカ研磨液のみを用いると研磨工程終了時
にシリコンウェハーの表面にヘイズ（曇り）が生じると
いう問題がある。又、パウダー状シリカを研磨剤として
用いるとヘイズは発生しにくいが、水溶液に均一に分散
させる工程が新たに必要となり、更に、静置しておくと
沈殿するために常に研磨液を攪拌している必要があっ
た。
コロイダルシリカが一般的に使用されてきた。しかし、
コロイダルシリカ研磨液のみを用いると研磨工程終了時
にシリコンウェハーの表面にヘイズ（曇り）が生じると
いう問題がある。又、パウダー状シリカを研磨剤として
用いるとヘイズは発生しにくいが、水溶液に均一に分散
させる工程が新たに必要となり、更に、静置しておくと
沈殿するために常に研磨液を攪拌している必要があっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題を解決す
べく、従来からシリコン研磨液に添加する助剤が検討さ
れてきた。例えば、特開平４―２９１７２２号には、コ
ロイダルシリカ及び特定のＨＬＢ値を示す非イオン界面
活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示されてい
る。特開平４―２９１７２３号には、コロイダルシリカ
及び特定のアニオン界面活性剤を含むシリコンウェハー
用研磨剤が開示されている。
べく、従来からシリコン研磨液に添加する助剤が検討さ
れてきた。例えば、特開平４―２９１７２２号には、コ
ロイダルシリカ及び特定のＨＬＢ値を示す非イオン界面
活性剤を含むシリコンウェハー用研磨剤が開示されてい
る。特開平４―２９１７２３号には、コロイダルシリカ
及び特定のアニオン界面活性剤を含むシリコンウェハー
用研磨剤が開示されている。
【０００５】これらの界面活性剤は、研磨液の表面張力
を調整して、研磨時に研磨されるシリコンウェハーの研
磨表面に研磨液を十分保持させるために使用されてい
た。しかし、半導体産業の発展の結果、より高精度、高
品質のシリコンウェハーが求められるにつれ上述のよう
な界面活性剤では研磨助剤としての性能が不十分である
ことが指摘されはじめた。
を調整して、研磨時に研磨されるシリコンウェハーの研
磨表面に研磨液を十分保持させるために使用されてい
た。しかし、半導体産業の発展の結果、より高精度、高
品質のシリコンウェハーが求められるにつれ上述のよう
な界面活性剤では研磨助剤としての性能が不十分である
ことが指摘されはじめた。
【０００６】従って、本発明の目的は、半導体の製造工
程でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用される
新規なシリコンウェハー用研磨助剤、該研磨助剤を用い
たシリコンウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用い
るシリコンウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨
されたシリコンウェハーを提供することにある。
程でのシリコンウェハーの鏡面研磨に好適に使用される
新規なシリコンウェハー用研磨助剤、該研磨助剤を用い
たシリコンウェハー用研磨助剤組成物、該組成物を用い
るシリコンウェハーの研磨方法並びに該方法により研磨
されたシリコンウェハーを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討し、特定の構造を有するポリエーテルが従来の研磨
助剤より優れた性能を示すことを発見し本発明を完成さ
せた。即ち、本発明は下記の一般式（１） ＨＯ−(ＥＯ)a−(ＰＯ)b−(ＥＯ)c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはエチレンオキサイド残基を表わし、ＰＯ
はプロピレンオキサイド残基を表わし、ａ、ｂ及びｃは
１以上の数を表わす。）で表わされるブロック型ポリエ
ーテルからなるシリコンウェハー用研磨助剤である。
又、本発明は、上記のシリコンウェハー用研磨助剤を含
むシリコンウェハー用研磨剤組成物である。更に、本発
明は、上記研磨剤組成物を用いるシリコンウェハーの研
磨方法である。又、本発明は、該シリコンウェハーの研
磨方法により研磨されたシリコンウェハーである。
検討し、特定の構造を有するポリエーテルが従来の研磨
助剤より優れた性能を示すことを発見し本発明を完成さ
せた。即ち、本発明は下記の一般式（１） ＨＯ−(ＥＯ)a−(ＰＯ)b−(ＥＯ)c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはエチレンオキサイド残基を表わし、ＰＯ
はプロピレンオキサイド残基を表わし、ａ、ｂ及びｃは
１以上の数を表わす。）で表わされるブロック型ポリエ
ーテルからなるシリコンウェハー用研磨助剤である。
又、本発明は、上記のシリコンウェハー用研磨助剤を含
むシリコンウェハー用研磨剤組成物である。更に、本発
明は、上記研磨剤組成物を用いるシリコンウェハーの研
磨方法である。又、本発明は、該シリコンウェハーの研
磨方法により研磨されたシリコンウェハーである。
【０００８】
【発明の実施の形態】一般式（１）中、ＥＯはエチレン
オキサイド残基、即ち−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−基を表わ
し、ＰＯはプロピレンオキサイド残基、即ち−ＣＨ(ＣＨ
3)−ＣＨ2−Ｏ−基を表わす。ａ、ｂ及びｃは１以上の
数を表わす。一般式（１）で表わされるブロック型ポリ
エーテルは、例えばプロピレンオキサイドを重合させて
得られたポリプロピレングリコールに、エチレンオキサ
イドを付加させることにより得ることができる。この際、
ポリプロピレングリコールの分子量や付加させるエチレ
ンオキサイドの量により、得られるブロック型ポリエー
テルの物性、例えば表面張力、親水性等を制御すること
ができるので、研磨されるシリコンウェハーや研磨する
方法に適したブロック型ポリエーテルを選択して使用す
ることが可能である。ブロック型ポリエーテルの分子量
は１,０００〜１０,０００が好ましい。
オキサイド残基、即ち−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｏ−基を表わ
し、ＰＯはプロピレンオキサイド残基、即ち−ＣＨ(ＣＨ
3)−ＣＨ2−Ｏ−基を表わす。ａ、ｂ及びｃは１以上の
数を表わす。一般式（１）で表わされるブロック型ポリ
エーテルは、例えばプロピレンオキサイドを重合させて
得られたポリプロピレングリコールに、エチレンオキサ
イドを付加させることにより得ることができる。この際、
ポリプロピレングリコールの分子量や付加させるエチレ
ンオキサイドの量により、得られるブロック型ポリエー
テルの物性、例えば表面張力、親水性等を制御すること
ができるので、研磨されるシリコンウェハーや研磨する
方法に適したブロック型ポリエーテルを選択して使用す
ることが可能である。ブロック型ポリエーテルの分子量
は１,０００〜１０,０００が好ましい。
【０００９】一般式（１）で表わされるブロック型ポリ
エーテルの中でも、シリコンウェハーを研磨するのに好
ましい表面張力を与えるものはＥＯ及びＰＯの重量比が
ＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜５０：５０であるブロック型ポ
リエーテルである。又、これらの中でも、ＥＯ及びＰＯ
の重量比がＥＯ：ＰＯ＝３０：７０〜５０：５０である
ブロック型ポリエーテル（Ａ）及びＥＯ及びＰＯの重量
比がＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜２０：８０であるブロック
型ポリエーテル（Ｂ）の２種類のブロック型ポリエーテ
ルを併用した場合はシリコンウェハーを研磨するのに特
に適した表面張力を与えるので、ヘイズが無く、表面が
平滑・平坦なシリコンウェハーを得ることができ、その
結果、高性能の半導体素子が得られる。
エーテルの中でも、シリコンウェハーを研磨するのに好
ましい表面張力を与えるものはＥＯ及びＰＯの重量比が
ＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜５０：５０であるブロック型ポ
リエーテルである。又、これらの中でも、ＥＯ及びＰＯ
の重量比がＥＯ：ＰＯ＝３０：７０〜５０：５０である
ブロック型ポリエーテル（Ａ）及びＥＯ及びＰＯの重量
比がＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜２０：８０であるブロック
型ポリエーテル（Ｂ）の２種類のブロック型ポリエーテ
ルを併用した場合はシリコンウェハーを研磨するのに特
に適した表面張力を与えるので、ヘイズが無く、表面が
平滑・平坦なシリコンウェハーを得ることができ、その
結果、高性能の半導体素子が得られる。
【００１０】又、ブロック型ポリエーテルに更にプロピ
レングリコールを添加することは、研磨液の粘度を下
げ、又コロイダルシリカ等の水分散シリカの分散性を向
上させるので好ましい。ブロック型ポリエーテルとプロ
ピレングリコールを併用する場合は、ブロック型ポリエ
ーテルを組成物全量に対して６０〜９９重量％、プロピ
レングリコールを組成物全量に対して１〜４０重量％含
有する組成にすることが好ましい。
レングリコールを添加することは、研磨液の粘度を下
げ、又コロイダルシリカ等の水分散シリカの分散性を向
上させるので好ましい。ブロック型ポリエーテルとプロ
ピレングリコールを併用する場合は、ブロック型ポリエ
ーテルを組成物全量に対して６０〜９９重量％、プロピ
レングリコールを組成物全量に対して１〜４０重量％含
有する組成にすることが好ましい。
【００１１】上記の本発明のシリコンウェハー用研磨助
剤は通常、研磨剤である水分散シリカに添加して使用さ
れる。水分散シリカとしては例えば水分散パウダーシリ
カ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でもｐＨ８
〜１２に調整されたアルカリ性コロイダルシリカが好ま
しい。アルカリ性コロイダルシリカの中でも、平均粒子
径は７〜１００μｍが好ましく、濃度は２０〜６０重量
％が好ましい。
剤は通常、研磨剤である水分散シリカに添加して使用さ
れる。水分散シリカとしては例えば水分散パウダーシリ
カ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、中でもｐＨ８
〜１２に調整されたアルカリ性コロイダルシリカが好ま
しい。アルカリ性コロイダルシリカの中でも、平均粒子
径は７〜１００μｍが好ましく、濃度は２０〜６０重量
％が好ましい。
【００１２】本発明のシリコンウェハー用研磨助剤の添
加量は特に限定されないが、水分散パウダーシリカ、コ
ロイダルシリカ等の固形分に対して０.００５重量％〜
５重量％添加することが好ましい。
加量は特に限定されないが、水分散パウダーシリカ、コ
ロイダルシリカ等の固形分に対して０.００５重量％〜
５重量％添加することが好ましい。
【００１３】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。尚、以下の実施例中、部及び％は特に記載が無
い限り重量基準である。試験に用いた本発明の研磨助剤
及び比較品は以下のとおりである。
明する。尚、以下の実施例中、部及び％は特に記載が無
い限り重量基準である。試験に用いた本発明の研磨助剤
及び比較品は以下のとおりである。
【００１４】
【表１】
【００１５】なお、表１中のブロック型ポリエーテル
（Ａ）及び（Ｂ）は、ＰＯをｂモル重合させたポリプロ
ピレンクリコールに、ＥＯをａ＋ｃモル付加させること
により製造されたものである。
（Ａ）及び（Ｂ）は、ＰＯをｂモル重合させたポリプロ
ピレンクリコールに、ＥＯをａ＋ｃモル付加させること
により製造されたものである。
【００１６】比較品１：アルミン酸ナトリウム 比較品２：ラウリルスルホン酸ナトリウム 比較品３：ノニルフェノールエチレンオキサイド５０モ
ル付加物
ル付加物
【００１７】（実施例１）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−３０［商品名、旭電化工業（株）製、平均
粒子径１０〜１５μｍ、シリカ固形分３０％、ｐＨ＝
９.５］をシリカ固形分５.０％に希釈した。これに本発
明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０.１
％（比較品１は１.０％）添加し、よく攪拌して均一化
して希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の条件で
流し込み、１次ポリッシング工程を経たシリコンウェハ
ーを研磨した。
ライトＡＴ−３０［商品名、旭電化工業（株）製、平均
粒子径１０〜１５μｍ、シリカ固形分３０％、ｐＨ＝
９.５］をシリカ固形分５.０％に希釈した。これに本発
明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０.１
％（比較品１は１.０％）添加し、よく攪拌して均一化
して希釈研磨液とした。この希釈研磨液を以下の条件で
流し込み、１次ポリッシング工程を経たシリコンウェハ
ーを研磨した。
【００１８】＜条件＞ ポリッシングマシーン：ＬＰＨ−１５改良機[ラップマ
スター（株）製］ ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ローデル・
ニッタ（株）製 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、ク
イックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥させ
た。乾燥後、以下の評価を行った。
スター（株）製］ ポリッシング盤直径：１５インチ 加工圧力：１００ｇ／ｃｍ2 加工温度：３０℃ 加工液供給量：１０リットル／時間 加工時間：１時間 加工枚数：１枚 ポリッシャー：ＳＵＰＲＥＭＥ ＲＮ−Ｈ ローデル・
ニッタ（株）製 上記条件下でファイナルポリッシングを行い、終了後、
ウェハー表面を乾燥させないように注意して過酸化水素
―アンモニア溶液８０℃でＲＣＡ洗浄した。洗浄後、ク
イックダンプ洗浄を行い、スピンドライヤーで乾燥させ
た。乾燥後、以下の評価を行った。
【００１９】＜評価１＞ グリーンベンチ内でハロゲン
平行光［超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテ
ック（株）製］の反射を目視で測定し、ヘイズの発生を
観察した。
平行光［超高輝度検査用照明装置Ｕ１Ｈ−１Ｈ、インテ
ック（株）製］の反射を目視で測定し、ヘイズの発生を
観察した。
【００２０】＜評価２＞ 研磨ウェハーの表面粗さを光
学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ社ＷＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、
２５０μｍ）で平均２乗粗さを測定した。
学干渉式粗さ計（ＷＹＫＯ社ＷＹＫＯＴＯＰＯ−３Ｄ、
２５０μｍ）で平均２乗粗さを測定した。
【００２１】＜評価３＞ 研磨ウェハーの表面平坦度
（最大厚さと最小厚さの差、ＴＴＶ）をＴＴＶ測定装置
（ＡＤＥマイクロスキャン８３００、ＡＤＥ社製）によ
り測定した。
（最大厚さと最小厚さの差、ＴＴＶ）をＴＴＶ測定装置
（ＡＤＥマイクロスキャン８３００、ＡＤＥ社製）によ
り測定した。
【００２２】＜評価４＞ 研磨中の研磨速度を測定し
た。
た。
【００２３】
【表２】
【００２４】（実施例２）コロイダルシリカとしてアデ
ライトＡＴ−５０［商品名、旭電化工業（株）製、平均
粒子径２０〜３０μｍ、シリカ固形分５０％、ｐＨ＝１
０.０］をシリカ固形分５.０％に希釈した。これに本発
明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０.０
１％（比較品１は０.５％）添加し、よく攪拌して均一
化して希釈研磨液とした。以下、実施例1と同様の方法
で評価を行った。結果を以下に示す。
ライトＡＴ−５０［商品名、旭電化工業（株）製、平均
粒子径２０〜３０μｍ、シリカ固形分５０％、ｐＨ＝１
０.０］をシリカ固形分５.０％に希釈した。これに本発
明の研磨助剤及び比較品をシリカ固形分に対して０.０
１％（比較品１は０.５％）添加し、よく攪拌して均一
化して希釈研磨液とした。以下、実施例1と同様の方法
で評価を行った。結果を以下に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】以上の実施例から、本発明の研磨助剤はア
ニオン界面活性剤（比較品２）、非イオン界面活性剤
（比較品３）に比べて表面粗さ、平坦度、研磨速度等に
優れていることが分かる。
ニオン界面活性剤（比較品２）、非イオン界面活性剤
（比較品３）に比べて表面粗さ、平坦度、研磨速度等に
優れていることが分かる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の効果は、新規なシリコンウェハ
ー研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコンウェハー用研
磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコンウェハーの研
磨方法並びに該方法により研磨されたシリコンウェハー
を提供したことにある。
ー研磨助剤、該研磨助剤を用いたシリコンウェハー用研
磨助剤組成物、該組成物を用いるシリコンウェハーの研
磨方法並びに該方法により研磨されたシリコンウェハー
を提供したことにある。
Claims (9)
- 【請求項１】 下記の一般式（１） ＨＯ−(ＥＯ)a−(ＰＯ)b−(ＥＯ)c−Ｈ （１） （式中、ＥＯはエチレンオキサイド残基を表わし、ＰＯ
はプロピレンオキサイド残基を表わし、ａ、ｂ及びｃは
１以上の数を表わす。）で表わされるブロック型ポリエ
ーテルからなるシリコンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項２】 一般式（１）で表わされるブロック型ポ
リエーテルの分子量が１,０００〜１０,０００である、
請求項１記載のシリコンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項３】 一般式（１）中のＥＯ及びＰＯの重量比
がＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜５０：５０であるブロック型
ポリエーテルからなる、請求項１又は２記載のシリコン
ウェハー用研磨助剤。 - 【請求項４】 一般式（１）中のＥＯ及びＰＯの重量比
がＥＯ：ＰＯ＝３０：７０〜５０：５０であるブロック
型ポリエーテル（Ａ）及び一般式（１）中のＥＯ及びＰ
Ｏの重量比がＥＯ：ＰＯ＝５：９５〜２０：８０である
ブロック型ポリエーテル（Ｂ）からなる、請求項１乃至
３のいずれか１項記載のシリコンウェハー用研磨助剤。 - 【請求項５】 更に、プロピレングリコールを含む、請
求項１乃至４のいずれか１項記載のシリコンウェハー用
研磨助剤組成物。 - 【請求項６】 ブロック型ポリエーテル（Ａ）及びブロ
ック型ポリエーテル（Ｂ）の合計量が組成物全量に対し
て６０〜９９重量％であり、プロピレングリコールの量
が組成物全量に対して１〜４０重量％である、請求項５
記載のシリコンウェハー用研磨助剤組成物。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項記載のシ
リコンウェハー用研磨助剤及びコロイダルシリカを含む
シリコンウェハー用研磨剤組成物。 - 【請求項８】 請求項７記載のシリコンウェハー用研磨
剤組成物を用いるシリコンウェハーの研磨方法。 - 【請求項９】 請求項８記載のシリコンウェハーの研磨
方法により研磨されたシリコンウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054897A JP3810172B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | シリコンウエーハ用研磨助剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5054897A JP3810172B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | シリコンウエーハ用研磨助剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10245545A true JPH10245545A (ja) | 1998-09-14 |
| JP3810172B2 JP3810172B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=12862078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5054897A Expired - Lifetime JP3810172B2 (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | シリコンウエーハ用研磨助剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3810172B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6665315B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-12-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Transmission apparatus automatically acquiring identifying information and independently measuring propagation delay |
| EP1512732A1 (en) | 2003-09-05 | 2005-03-09 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| WO2008067731A1 (fr) * | 2006-12-08 | 2008-06-12 | Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd. | Application de polymères non ioniques dans la fabrication d'un liquide de polisssage d'arrêt de gravure automatique de polysilicium et utilisation de ceux-ci |
| DE112008002628T5 (de) | 2007-09-28 | 2010-11-04 | Nitta Haas Inc. | Polierzusammensetzung |
| DE102011011911A1 (de) | 2010-03-02 | 2011-12-01 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und diese verwendendes Polierverfahren |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP5054897A patent/JP3810172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
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