KR20080047291A - 연마용 조성물 및 연마 방법 - Google Patents

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KR20080047291A
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다께히꼬 나까지마
다까시 이또
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가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드
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Abstract

본 발명은, 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 산화막을 선택적으로 연마할 수 있는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은, 실리카 및 세리아로부터 선택되는 지립과, 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속염 및 알칼리 금속 수산화물로부터 선택되는 알칼리와, 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, 에폭시/폴리에테르 변성 실리콘 오일 및 아미노/폴리에테르 변성 실리콘 오일로부터 선택되는 유기 변성 실리콘 오일을 함유한다.
연마용 조성물, 폴리실리콘막, 실리콘 산화막, 지립, 알칼리, 유기 변성 실리콘 오일

Description

연마용 조성물 및 연마 방법{POLISHING COMPOSITION AND POLISHING PROCESS}
본 발명은 실리콘 산화막을 연마하는 용도, 특히 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 산화막을 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 분리 기술의 일종인 STI(쉘로우 트렌치 분리; Shallow Trench Isolation)에서는 실리콘 기판 상에 설치된 실리콘 산화막을 CMP(화학 기계적 연마; Chemical Mechanical Polishing)에 의해 평탄화하는 것이 행해지고 있다. 이 STI용 CMP 슬러리에는 당연히 실리콘 산화막의 연마 속도가 높은 것이 요구되지만, 그 이외에도 예를 들면 소자 영역에 설치되어 있는 폴리실리콘막이 CMP로 제거되는 것을 방지하기 위해 폴리실리콘막의 연마 속도가 낮은 것도 요구된다. 즉, 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 산화막을 선택적으로 연마할 수 있는 것이 요구된다.
본 발명에 관련한 선행 기술 문헌으로서는 이하의 특허 문헌 1, 2를 들 수 있다.
[특허 문헌 1] 국제 공개 제00/39843호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공표 제2001-501369호 공보
본 발명은 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 산화막을 선택적으로 연마할 수 있는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은, 실리카 및 세리아로부터 선택되는 지립과, 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속염 및 알칼리 금속 수산화물로부터 선택되는 알칼리와, 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, 에폭시/폴리에테르 변성 실리콘 오일 및 아미노/폴리에테르 변성 실리콘 오일로부터 선택되는 유기 변성 실리콘 오일을 함유하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 있어서 상기 지립이 실리카인 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 산화막을 연마하는 연마 방법을 제공한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 질화막을 연마하는 연마 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 산화막을 선택적으로 연마 할 수 있는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 지립, 알칼리 및 유기 변성 실리콘 오일을 물에 혼합함으로써 제조된다. 따라서, 연마용 조성물은 지립, 알칼리 및 유기 변성 실리콘 오일 및 물을 포함한다. 이 연마용 조성물은 실리콘 산화막을 연마하는 용도, 특히 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 산화막을 연마하는 용도로 사용된다.
상기 지립은, 실리콘 산화막을 기계적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다.
연마용 조성물에 포함되는 지립은, 실리카 및 세리아로부터 선택되고, 바람직하게는 실리카, 보다 바람직하게는 퓸드 실리카 또는 콜로이드 실리카, 더욱 바람직하게는 퓸드 실리카이다. 연마용 조성물에 포함되는 지립이 실리카인 경우에는 알칼리 영역에서의 지립의 분산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 퓸드 실리카 또는 콜로이드 실리카인 경우에는 연마용 조성물에 의한 연마 후의 표면 결함을 감소시킬 수 있고, 퓸드 실리카인 경우에는 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 특히 크게 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은, 지립이 실리카인 경우에는 4 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 지립이 세리아인 경우에는 0.1 질량％ 이상인 것이 바람직하다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 실리카의 함유량이 4 질량％ 이상 또는 연마용 조성물 중의 세리아의 함유량이 0.1 질량％ 이상이면, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량은, 지립이 실리카인 경우에는 25 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 지립이 세리아인 경우에는 10 질량％ 이하인 것이 바람직하다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라 지립의 분산성이 향상되고, 연마용 조성물 중에 침전이 생기지 않게 된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 실리카의 함유량이 25 질량％ 이하 또는 연마용 조성물 중의 세리아의 함유량이 10 질량％ 이하이면, 연마용 조성물 중의 지립의 분산성을 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 지립의 평균 입경은, 지립이 실리카 및 세리아의 어느 경우이든 20 nm 이상인 것이 바람직하고, 25 nm 이상인 것이 보다 바람직하다. 지립의 평균 입경이 커짐에 따라 실리콘 산화막을 기계적으로 연마하는 지립의 작용이 강해지기 때문에, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 지립의 평균 입경이 20 nm 이상, 다시 말해 25 nm 이상이면, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물에 포함되는 지립의 평균 입경은, 지립이 실리카인 경우에는 100 nm 이하인 것이 바람직하고, 75 nm 이하인 것이 보다 바람직하며, 지립이 세리아인 경우에는 200 nm 이하인 것이 바람직하고, 100 nm 이하인 것이 보다 바람 직하다. 지립의 평균 입경이 작아짐에 따라 지립의 분산성이 향상되고, 연마용 조성물 중에 침전이 생기지 않게 된다. 이러한 점에서 실리카의 평균 입경이 100 nm 이하, 다시 말해 75 nm 이하이면, 연마용 조성물 중의 지립의 분산성을 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다. 또한, 세리아의 평균 입경이 200 nm 이하, 다시 말해 100 nm 이하인 경우에도, 마찬가지로 연마용 조성물 중의 지립의 분산성을 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 평균 입경의 값은, BET법으로 측정되는 지립의 비표면적과 지립의 입자 밀도에 기초하여 산출되는 것이다.
상기 알칼리는, 실리콘 산화막을 화학적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다.
연마용 조성물에 포함되는 알칼리는 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속염 및 알칼리 금속 수산화물로부터 선택되며, 바람직하게는 알칼리 금속 수산화물이다. 연마용 조성물에 포함되는 알칼리가 알칼리 금속 수산화물인 경우에는, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 특히 크게 향상시킬 수 있다. 암모늄염은 예를 들면 탄산암모늄일 수도 있고, 알칼리 금속염은 예를 들면 탄산칼륨, 탄산나트륨 또는 탄산리튬일 수도 있고, 알칼리 금속 수산화물은 예를 들면 수산화칼륨, 수산화나트륨 또는 수산화리튬일 수도 있다. 또한, 연마용 조성물에 포함되는 알칼리가 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH)과 같은 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속염 및 알칼리 금속 수산화물 이외의 화합물이면, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도가 그다지 향상되지 않는다.
연마용 조성물 중의 알칼리 함유량은 0.01 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.1 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 알칼리 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 알칼리 함유량이 0.01 질량％ 이상, 다시 말해 0.1 질량％ 이상이면, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 알칼리 함유량은 10 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 2 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 알칼리 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물 중의 지립의 안정성이 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 알칼리 함유량이 10 질량％ 이하, 다시 말해 2 질량％ 이하이면, 연마용 조성물 중의 지립의 안정성을 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
상기 유기 변성 실리콘 오일은, 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마를 억제하는 기능을 한다. 이것은 주로 유기 변성 실리콘 오일이 폴리실리콘막의 표면에 보호막을 형성하고, 이 보호막이 연마용 조성물 중의 알칼리에 의한 폴리실리콘막의 에칭을 억제하기 때문이라고 생각된다.
연마용 조성물에 포함되는 유기 변성 실리콘 오일은, 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, 에폭시/폴리에테르 변성 실리콘 오일 및 아미노/폴리에테르 변성 실리콘 오일로부터 선택된다. 즉, 유기 변성 실리콘 오일은, 폴리실록산의 메틸기 일부, 보다 구체적으로는 폴리실록산의 양쪽 말단 또는 한쪽 말단의 메틸기, 또는 측쇄의 일부 메틸기, 또는 측쇄의 일부와 양쪽 말단 또는 한쪽 말단의 메틸기가 폴리옥시에틸렌기, 또는 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌)기, 또는 에폭시기 및 폴리에테르기, 또는 아미노기 및 폴리에테르기로 치환된 것이다.
연마용 조성물 중의 유기 변성 실리콘 오일의 함유량은 0.005 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 0.01 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 유기 변성 실리콘 오일의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마가 보다 강하게 억제된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 유기 변성 실리콘 오일의 함유량이 0.005 질량％ 이상, 다시 말해 0.01 질량％ 이상이면, 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 감소시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 유기 변성 실리콘 오일의 함유량은 10 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 5 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 3 질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유기 변성 실리콘 오일의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도가 향상된다. 이러한 점에서 연마용 조성물 중의 유기 변성 실리콘 오일의 함유량이 10 질량％ 이상, 다시 말해 5 질량％ 이상, 다시 말해 3 질량％ 이상이면, 연마용 조성물에 의한 실리콘 산화막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 유기 변성 실리콘 오일의 HLB(친수 친유 밸런스)값은 2 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 보다 바람직하고, 7 이상인 것이 더욱 바람직하다. 유기 변성 실리콘 오일의 HLB값이 커짐에 따라, 연마용 조성물 에 의한 연마 후의 표면에 이물질로서 남는 유기물 잔사가 감소된다. 이러한 점에서 유기 변성 실리콘 오일의 HLB값이 2 이상, 다시 말해 6 이상, 다시 말해 7 이상이면, 연마용 조성물에 의한 연마 후의 표면에 남는 유기물 잔쇄를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 감소시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물에 포함되는 유기 변성 실리콘 오일의 HLB값은 15 이하인 것이 바람직하고, 12 이하인 것이 보다 바람직하다. 유기 변성 실리콘 오일의 HLB값이 작아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마가 보다 강하게 억제된다. 이러한 점에서 유기 변성 실리콘 오일의 HLB값이 15 이하, 다시 말해 12 이하이면, 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마 속도를 실용상 특히 바람직한 수준으로까지 감소시킬 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 유기 변성 실리콘 오일의 평균 분자량은 200 내지 20,000인 것이 바람직하고, 200 내지 10,000인 것이 보다 바람직하다. 평균 분자량이 200 내지 20,000, 다시 말해 200 내지 10,000인 유기 변성 실리콘 오일은 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘막의 연마를 특히 효과적으로 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 이하의 이점이 얻어진다.
ㆍ본 실시 형태의 연마용 조성물은, 소정의 지립, 소정의 알칼리 및 소정의 유기 변성 실리콘 오일을 함유하고 있기 때문에, 실리콘 산화막의 연마 속도가 높은 한편, 폴리실리콘막의 연마 속도가 낮다. 따라서, 이 연마용 조성물에 따르면, 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 산화막을 선택적으로 연마할 수 있다. 따라서, 이 연마용 조성물은, 실리콘 산화막을 연마하는 용도, 특히 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 산화막을 연마하는 용도로 적합하다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 변경될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 실리콘 산화막 이외의 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용될 수도 있다. 구체적으로는 실리콘 질화막을 연마하는 용도, 특히 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 질화막을 연마하는 용도로 사용될 수도 있다. 단, 이 경우, 지립은 세리아가 아니라 실리카인 것이 바람직하다. 실리카는 실리콘 산화막을 기계적으로 연마하는 작용에 추가하여, 실리콘 질화막을 기계적으로 연마하는 작용도 갖고 있다. 따라서, 지립이 실리카인 연마용 조성물에 따르면, 폴리실리콘막에 대하여 실리콘 질화막을 선택적으로 연마할 수 있다. 따라서, 지립이 실리카인 연마용 조성물은, 실리콘 질화막을 연마하는 용도, 특히 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 질화막을 연마하는 용도로도 적합하다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 지립이 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 알칼리가 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 2종 이상의 유기 변성 실리콘 오일이 함유될 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물에는, 필요에 따라 방미제, 방식제, 소포제, 킬레이트제 등을 첨가할 수도 있다.
ㆍ상기 실시 형태의 연마용 조성물은, 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함 으로써 제조될 수도 있다.
<실시예>
이어서, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
지립, 알칼리 및 유기 변성 실리콘 오일을 적당히 물과 혼합함으로써 실시예 1 내지 40의 연마용 조성물을 제조하였다. 지립, 알칼리 또는 산, 및 유기 변성 실리콘 오일 또는 그에 대체되는 화합물을 적당히 물과 혼합함으로써 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물을 제조하였다. 각 예의 연마용 조성물 중의 지립, 알칼리 또는 산, 및 유기 변성 실리콘 오일 또는 그에 대체되는 화합물의 상세한 것은 하기 표 1에 나타낸 바와 같다.
표 1, 2의 "연마 속도"란에는, 실시예 1 내지 40 및 비교예 1 내지 18의 각 연마용 조성물을 사용하여, 실리콘 산화막(TEOS막) 부착 웨이퍼, 실리콘 질화막 부착 웨이퍼 및 폴리실리콘막 부착 웨이퍼를 하기 표 3에 나타낸 연마 조건으로 연마했을 때 실리콘 산화막의 연마 속도, 실리콘 질화막의 연마 속도 및 폴리실리콘막의 연마 속도를 측정한 결과를 나타내었다. 연마 속도는, 연마 전후의 각 웨이퍼의 두께 차이를 연마 시간으로 나눔으로써 구하였다. 웨이퍼의 두께 측정에는, 다이닛본 스크린 제조 주식회사의 박막 측정 장치 "VM2030"을 사용하였다.
표 1, 2의 "선택비"란에는, 상기와 같이 하여 구해지는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 폴리실리콘막의 연마 속도로부터 폴리실리콘막의 연마 속도에 대한 실리콘 산화막의 연마 속도의 비율(SiO2/Poly-Si) 및 폴리실리콘막의 연마 속도에 대한 실리콘 질화막의 연마 속도의 비율(Si3N4/Poly-Si)을 계산한 결과를 나타내었다.
Figure 112007084299171-PAT00001
Figure 112007084299171-PAT00002
표 1, 2의 "지립"란 중, "퓸드 실리카"는 평균 입경이 30 nm인 퓸드 실리카, "퓸드 실리카*"는 평균 입경이 50 nm인 퓸드 실리카, "콜로이드 실리카"는 평균 입경이 90 nm인 콜로이드 실리카, "세리아"는 평균 입경이 60 nm인 세리아, "알루미나"는 평균 입경이 100 nm인 알루미나를 나타낸다.
표 1, 2의 "알칼리 또는 산"란 중, "KOH"는 수산화칼륨, "NH3"은 암모니아, "TMAH"는 수산화 테트라메틸암모늄, "(CH3)2NH"는 디메틸아민을 나타낸다.
표 1, 2의 "유기 변성 실리콘 오일 또는 그에 대체되는 화합물"란 중, "A1"은 HLB값이 2인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A2"는 HLB값이 3인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A3"은 HLB값이 5인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A4"는 HLB값이 7인 측쇄형 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, "A5"는 HLB값이 8인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A6"은 HLB값이 10인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A7"은 HLB값이 12인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A8"은 HLB값이 13인 측쇄형 폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, "A9"는 HLB값이 11인 측쇄형 에폭시/폴리에테르 변성 실리콘 오일, "A10"은 HLB값이 12인 측쇄형 아미노/폴리에테르 변성 실리콘 오일, "A11"은 HLB값이 7인 양쪽 말단형 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, "B1"은 평균 분자량이 1,200,000인 히드록시에틸셀룰로오스, "B2"는 중합도가 200이고, 비누화도가 98 ％ 이상인 폴리비닐알코올, "B3"은 HLB값이 12.9인 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, "B4"는 평균 분자량이 9,000인 폴리비닐피롤리돈, "B5"는 HLB값이 9.8인 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르인산, "B6"은 HLB값이 10.5인 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르인산, "B7"은 HLB값이 10.5인 폴리옥시에틸렌알킬에테르인산, "B8"은 평균 분자량이 2,000인 폴리에틸렌글리콜을 나타낸다.
Figure 112007084299171-PAT00003
표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 40의 연마용 조성물에서는, 실리콘 산화막의 연마 속도에 관해서 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어지고, 폴리실리콘막과 실리콘 산화막 사이의 선택비에 관해서도 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어졌다. 그 중에서도 지립으로서 실리카를 함유하는 실시예 1 내지 40의 연마용 조성물에서는, 실리콘 산화막의 연마 속도에 추가하여 실리콘 질화막의 연마 속도에 관해서도 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어지고, 폴리실리콘막과 실리콘 질화막 사이의 선택비에 관해서도 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어졌다.
이에 대하여, 비교예 1 내지 18의 연마용 조성물에서는, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 연마 속도에 관해서 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어지지 않거나, 또는 폴리실리콘막의 연마 속도에 관해서 실용상 충분한 수준의 낮은 수치가 얻어지지 않고, 폴리실리콘막과 실리콘 산화막 사이의 선택비 및 폴리실리콘막과 실리콘 질화막 사이의 선택비 모두 실용상 충분한 수준의 높은 수치가 얻어지지 않았다.

Claims (4)

  1. 실리카 및 세리아로부터 선택되는 지립과,
    암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속염 및 알칼리 금속 수산화물로부터 선택되는 알칼리와,
    폴리옥시에틸렌 변성 실리콘 오일, 폴리(옥시에틸렌옥시프로필렌) 변성 실리콘 오일, 에폭시/폴리에테르 변성 실리콘 오일 및 아미노/폴리에테르 변성 실리콘 오일로부터 선택되는 유기 변성 실리콘 오일을 함유하는 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지립이 실리카인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 산화막을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  4. 제2항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여, 폴리실리콘막 상에 설치된 실리콘 질화막을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
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