WO2012091330A3 - 실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법 - Google Patents

실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2012091330A3
WO2012091330A3 PCT/KR2011/009664 KR2011009664W WO2012091330A3 WO 2012091330 A3 WO2012091330 A3 WO 2012091330A3 KR 2011009664 W KR2011009664 W KR 2011009664W WO 2012091330 A3 WO2012091330 A3 WO 2012091330A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon nitride
nitride layer
polishing
slurry composition
cmp slurry
Prior art date
Application number
PCT/KR2011/009664
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2012091330A2 (ko
Inventor
임건자
전종선
김기욱
홍창기
Original Assignee
제일모직 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직 주식회사 filed Critical 제일모직 주식회사
Publication of WO2012091330A2 publication Critical patent/WO2012091330A2/ko
Publication of WO2012091330A3 publication Critical patent/WO2012091330A3/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31051Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 (메타)아크릴레이트계 공중합체와 피리딘계 화합물을 함께 포함하여, 실리콘 산화막 및/또는 폴리실리콘 대비 실리콘 질화막의 연마 속도를 높임으로써, 실리콘 질화막을 선택적으로 연마할 수 있는 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법을 제공하였다.
PCT/KR2011/009664 2010-12-31 2011-12-15 실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법 WO2012091330A2 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100140041A KR101340551B1 (ko) 2010-12-31 2010-12-31 질화규소를 선택적으로 연마하는 cmp 슬러리 조성물
KR10-2010-0140041 2010-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2012091330A2 WO2012091330A2 (ko) 2012-07-05
WO2012091330A3 true WO2012091330A3 (ko) 2012-09-13

Family

ID=46383630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2011/009664 WO2012091330A2 (ko) 2010-12-31 2011-12-15 실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101340551B1 (ko)
WO (1) WO2012091330A2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633863B2 (en) * 2012-07-11 2017-04-25 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials
KR101388106B1 (ko) * 2012-12-03 2014-04-28 주식회사 케이씨텍 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
KR101861894B1 (ko) * 2015-05-15 2018-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기막 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
WO2019069370A1 (ja) * 2017-10-03 2019-04-11 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット、研磨方法及び欠陥抑制方法
KR102290191B1 (ko) * 2019-12-06 2021-08-19 주식회사 케이씨텍 Sti cmp 공정용 연마 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
WO2023171290A1 (ja) * 2022-03-08 2023-09-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080047291A (ko) * 2006-11-24 2008-05-28 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 연마 방법
WO2008117592A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体、および半導体装置の化学機械研磨方法
KR20090003985A (ko) * 2007-07-06 2009-01-12 삼성전자주식회사 실리콘 질화물 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 실리콘질화막의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20090035063A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 테크노세미켐 주식회사 실리콘질화막의 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
KR20100071392A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 제일모직주식회사 금속 배선 연마용 cmp 슬러리 조성물
KR20110084903A (ko) * 2008-10-20 2011-07-26 니타 하스 인코포레이티드 질화 규소 연마용 조성물 및 이것을 이용한 선택비의 제어 방법
KR20110104443A (ko) * 2010-03-16 2011-09-22 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판의 연마 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080047291A (ko) * 2006-11-24 2008-05-28 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 연마 방법
WO2008117592A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体、および半導体装置の化学機械研磨方法
KR20090003985A (ko) * 2007-07-06 2009-01-12 삼성전자주식회사 실리콘 질화물 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 실리콘질화막의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20090035063A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 테크노세미켐 주식회사 실리콘질화막의 화학기계적 연마용 슬러리 조성물
KR20110084903A (ko) * 2008-10-20 2011-07-26 니타 하스 인코포레이티드 질화 규소 연마용 조성물 및 이것을 이용한 선택비의 제어 방법
KR20100071392A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 제일모직주식회사 금속 배선 연마용 cmp 슬러리 조성물
KR20110104443A (ko) * 2010-03-16 2011-09-22 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판의 연마 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012091330A2 (ko) 2012-07-05
KR101340551B1 (ko) 2013-12-11
KR20120077911A (ko) 2012-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012091330A3 (ko) 실리콘 질화막의 선택적 연마를 위한 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막의 연마 방법
WO2010036358A8 (en) Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
WO2009037903A1 (ja) シリコン膜研磨用cmpスラリー及び研磨方法
WO2011049318A3 (ko) Cmp용 슬러리 조성물 및 연마방법
WO2006052433A3 (en) Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
TW200731383A (en) Method for controlling polysilicon removal
WO2010011080A3 (ko) 폴리실리콘 연마정지제를 함유하는 화학 기계적 연마 조성물
WO2011034808A3 (en) Composition and method for polishing bulk silicon
EP3025368A4 (en) Compositions and methods for cmp of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials
WO2011130397A3 (en) Improved silicon nitride films and methods
MY148323A (en) Stable, high rate silicon slurry
EP2100325A4 (en) WATER-BASED POLISHING PELLET FOR POLISHING A SILICON CARBIDE MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE, AND POLISHING METHOD THEREOF
WO2011005456A3 (en) Cmp compositions and methods for suppressing polysilicon removal rates
WO2010129207A3 (en) Polishing silicon carbide
IL207886A0 (en) Silicon carbide polishing methods utilizing water-soluble oxidizers
EP2444996A4 (en) LIQUID POLISHING COMPOSITION FOR SILICON SLICES
WO2012142374A3 (en) Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials
IL195698A0 (en) Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
WO2011133793A3 (en) Method of simultaneously cleaning and whitening teeth
EP1994112A4 (en) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PASTE AND METHOD OF POLISHING A SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME
WO2012044683A3 (en) Polishing pad for eddy current end-point detection
EP2343732A4 (en) COMPOSITION FOR CLEANING SILICON NITRIDE AND METHOD FOR SELECTIVITY CONTROL THEREWITH
WO2007111813A3 (en) Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods
WO2012082702A3 (en) Chemical mechanical planarization (cmp) pad conditioner and method of making
EP2592650A4 (en) SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SOI-WAFER

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11853626

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11853626

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2