JP2008130988A - 研磨用組成物及び研磨方法 - Google Patents

研磨用組成物及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008130988A
JP2008130988A JP2006317380A JP2006317380A JP2008130988A JP 2008130988 A JP2008130988 A JP 2008130988A JP 2006317380 A JP2006317380 A JP 2006317380A JP 2006317380 A JP2006317380 A JP 2006317380A JP 2008130988 A JP2008130988 A JP 2008130988A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing composition
modified silicone
silicone oil
abrasive grains
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006317380A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikikazu Shimizu
幹和 清水
Takehiko Nakajima
武彦 中島
Takashi Ito
伊藤  隆
Ai Hiramitsu
亜衣 平光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Priority to JP2006317380A priority Critical patent/JP2008130988A/ja
Priority to TW096143443A priority patent/TW200902693A/zh
Priority to US11/943,159 priority patent/US20080125017A1/en
Priority to EP07254537A priority patent/EP1925647A3/en
Priority to SG200717933-6A priority patent/SG143186A1/en
Priority to KR1020070120041A priority patent/KR20080047291A/ko
Priority to CNA2007101940122A priority patent/CN101186711A/zh
Publication of JP2008130988A publication Critical patent/JP2008130988A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31051Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

【課題】ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリカ及びセリアから選ばれる砥粒と、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、エポキシ/ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ/ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる有機変性シリコーンオイルとを含有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、シリコン酸化膜を研磨する用途、特にポリシリコン膜上に設けられたシリコン酸化膜を研磨する用途で主に使用される研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
半導体素子分離技術の一種であるSTI(Shallow Trench Isolation)では、シリコン基板上に設けられたシリコン酸化膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化することが行われている。このSTI用のCMPスラリーには当然、シリコン酸化膜の研磨速度が高いことが望まれるが、それ以外にも例えば素子領域に設けられているポリシリコン膜がCMPで除去されるのを防ぐべく、ポリシリコン膜の研磨速度が低いことも望まれる。すなわち、ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能であることが望まれる。
本発明に関連する先行技術文献としては以下の特許文献1,2を挙げることができる。
国際公開第00/39843号パンフレット 特表2001−501369号公報
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、シリカ及びセリアから選ばれる砥粒と、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、エポキシ/ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ/ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる有機変性シリコーンオイルとを含有する研磨用組成物を提供する。
請求項2に記載の発明は、前記砥粒がシリカである請求項1に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の研磨用組成物を用いて、ポリシリコン膜上に設けられたシリコン酸化膜を研磨する研磨方法を提供する。
請求項4に記載の発明は、請求項2に記載の研磨用組成物を用いて、ポリシリコン膜上に設けられたシリコン窒化膜を研磨する研磨方法を提供する。
本発明によれば、ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨可能な研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、砥粒、アルカリ及び有機変性シリコーンオイルを水に混合することにより製造される。従って、研磨用組成物は、砥粒、アルカリ及び有機変性シリコーンオイル及び水からなる。この研磨用組成物は、シリコン酸化膜を研磨する用途、特にポリシリコン膜上に設けられたシリコン酸化膜を研磨する用途に使用される。
前記砥粒は、シリコン酸化膜を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を向上させる働きをする。
研磨用組成物に含まれる砥粒は、シリカ及びセリアから選ばれ、好ましくはシリカ、より好ましくはフュームドシリカ又はコロイダルシリカ、さらに好ましくはフュームドシリカである。研磨用組成物に含まれる砥粒がシリカである場合には、アルカリ領域での砥粒の分散性を向上させることができる。また、フュームドシリカ又はコロイダルシリカの場合にはさらに研磨用組成物による研磨後の面の欠陥を低減することができ、フュームドシリカの場合にはさらに研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を特に大きく向上させることができる。
研磨用組成物中の砥粒の含有量は、砥粒がシリカの場合には4質量%以上であることが好ましく、砥粒がセリアの場合には0.1質量%以上であることが好ましい。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中のシリカの含有量が4質量%以上あるいは研磨用組成物中のセリアの含有量が0.1質量%以上であれば、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、砥粒がシリカの場合には25質量%以下であることが好ましく、砥粒がセリアの場合には10質量%以下であることが好ましい。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、砥粒の分散性が向上し、研磨用組成物中に沈殿が生じにくくなる。この点、研磨用組成物中のシリカの含有量が25質量%以下あるいは研磨用組成物中のセリアの含有量が10質量%以下であれば、研磨用組成物中の砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物に含まれる砥粒の平均粒子径は、砥粒がシリカ及びセリアのいずれの場合も、20nm以上であることが好ましく、より好ましくは25nm以上である。砥粒の平均粒子径が大きくなるにつれて、シリコン酸化膜を機械的に研磨する砥粒の作用が強まるため、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、砥粒の平均粒子径が20nm以上、さらに言えば25nm以上であれば、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物に含まれる砥粒の平均粒子径はまた、砥粒がシリカの場合には、100nm以下であることが好ましく、より好ましくは75nm以下であり、砥粒がセリアの場合には、200nm以下であることが好ましく、より好ましくは100nm以下である。砥粒の平均粒子径が小さくなるにつれて、砥粒の分散性が向上し、研磨用組成物中に沈殿が生じにくくなる。この点、シリカの平均粒子径が100nm以下、さらに言えば75nm以下であれば、研磨用組成物中の砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。また、セリアの平均粒子径が200nm以下、さらに言えば100nm以下の場合も同様に、研磨用組成物中の砥粒の分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。なお、上記平均粒子径の値は、BET法で測定される砥粒の比表面積と、砥粒の粒子密度とに基づいて算出されるものである。
前記アルカリは、シリコン酸化膜を化学的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を向上させる働きをする。
研磨用組成物に含まれるアルカリは、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれ、好ましくはアルカリ金属水酸化物である。研磨用組成物に含まれるアルカリがアルカリ金属水酸化物である場合には、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を特に大きく向上させることができる。アンモニウム塩は、例えば炭酸アンモニウムであってもよく、アルカリ金属塩は、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム又は炭酸リチウムであってもよく、アルカリ金属水酸化物は、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム又は水酸化リチウムであってもよい。なお、研磨用組成物に含まれるアルカリが水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)のようなアンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物以外の化合物であると、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度はあまり向上しない。
研磨用組成物中のアルカリの含有量は0.01質量%以上であることが好ましく、より好ましくは0.1質量%以上である。アルカリの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中のアルカリの含有量が0.01質量%以上、さらに言えば0.1質量%以上であれば、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物中のアルカリの含有量はまた10質量%以下であることが好ましく、より好ましくは2質量%以下である。アルカリの含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物中の砥粒の安定性が向上する。この点、研磨用組成物中のアルカリの含有量が10質量%以下、さらに言えば2質量%以下であれば、研磨用組成物中の砥粒の安定性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
前記有機変性シリコーンオイルは、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨を抑制する働きをする。これは主に、有機変性シリコーンオイルがポリシリコン膜の表面に保護膜を形成し、この保護膜が研磨用組成物中のアルカリによるポリシリコン膜のエッチングを抑制するためと考えられる。
研磨用組成物に含まれる有機変性シリコーンオイルは、ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、エポキシ/ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ/ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる。すなわち、有機変性シリコーンオイルは、ポリシロキサンのメチル基の一部、より具体的には、ポリシロキサンの両末端又は片末端のメチル基、若しくは側鎖の一部のメチル基、若しくは側鎖の一部と両末端又は片末端のメチル基がポリオキシエチレン基、あるいはポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)基、あるいはエポキシ基及びポリエーテル基、あるいはアミノ基及びポリエーテル基で置換されたものである。
研磨用組成物中の有機変性シリコーンオイルの含有量は0.005質量%以上であることが好ましく、より好ましくは0.01質量%以上である。有機変性シリコーンオイルの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨はより強く抑制される。この点、研磨用組成物中の有機変性シリコーンオイルの含有量が0.005質量%以上、さらに言えば0.01質量%以上であれば、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで低減させることができる。
研磨用組成物中の有機変性シリコーンオイルの含有量はまた10質量%以下であることが好ましく、より好ましくは5質量%以下、さらに好ましくは3質量%以下である。有機変性シリコーンオイルの含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中の有機変性シリコーンオイルの含有量が10質量%以上、さらに言えば5質量%以上、もっと言えば3質量%以上であれば、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
研磨用組成物に含まれる有機変性シリコーンオイルのHLB(親水親油バランス)値は2以上であることが好ましく、より好ましくは6以上、さらに好ましくは7以上である。有機変性シリコーンオイルのHLB値が大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨後の面に異物として残る有機物残渣が低減する。この点、有機変性シリコーンオイルのHLB値が2以上、さらに言えば6以上、もっと言えば7以上であれば、研磨用組成物による研磨後の面に残る有機物残鎖を実用上特に好適なレベルにまで低減することができる。
研磨用組成物に含まれる有機変性シリコーンオイルのHLB値はまた15以下であることが好ましく、より好ましくは12以下である。有機変性シリコーンオイルのHLB値が小さくなるにつれて、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨はより強く抑制される。この点、有機変性シリコーンオイルのHLB値が15以下、さらに言えば12以下であれば、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで低減させることができる。
研磨用組成物に含まれる有機変性シリコーンオイルの平均分子量は、200〜20,000であることが好ましく、より好ましくは200〜10,000である。平均分子量が200〜20,000、さらに言えば200〜10,000の有機変性シリコーンオイルは、研磨用組成物によるポリシリコン膜の研磨を特に効果的に抑制することができる。
本実施形態によれば以下の利点が得られる。
・ 本実施形態の研磨用組成物は、所定の砥粒、所定のアルカリ及び所定の有機変性シリコーンオイルを含有しているため、シリコン酸化膜の研磨速度が高い一方で、ポリシリコン膜の研磨速度が低い。従って、この研磨用組成物によれば、ポリシリコン膜に対してシリコン酸化膜を選択的に研磨することができる。よって、この研磨用組成物は、シリコン酸化膜を研磨する用途、特にポリシリコン膜上に設けられたシリコン酸化膜を研磨する用途に適する。
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、シリコン酸化膜以外の研磨対象物を研磨する用途で使用されてもよい。具体的には、シリコン窒化膜を研磨する用途、特にポリシリコン膜上に設けられたシリコン窒化膜を研磨する用途で使用されてもよい。ただし、この場合、砥粒はセリアではなくシリカであることが好ましい。シリカは、シリコン酸化膜を機械的に研磨する作用に加えて、シリコン窒化膜を機械的に研磨する作用も有している。そのため、砥粒がシリカである研磨用組成物によれば、ポリシリコン膜に対してシリコン窒化膜を選択的に研磨することができる。よって、砥粒がシリカである研磨用組成物は、シリコン窒化膜を研磨する用途、特にポリシリコン膜上に設けられたシリコン窒化膜を研磨する用途にも適する。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には二種類以上の砥粒が含有されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には二種類以上のアルカリが含有されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には二種類以上の有機変性シリコーンオイルが含有されてもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物には必要に応じて防黴剤、防食剤、消泡剤、キレート剤等を添加してもよい。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
砥粒、アルカリ及び有機変性シリコーンオイルを適宜に水と混合することにより実施例1〜40の研磨用組成物を調製した。砥粒、アルカリ又は酸、及び有機変性シリコーンオイル又はそれに代わる化合物を適宜に水と混合することにより比較例1〜18の研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中の砥粒、アルカリ又は酸、及び有機変性シリコーンオイル又はそれに代わる化合物の詳細は表1に示すとおりである。
表1,2の“研磨速度”欄には、実施例1〜40及び比較例1〜18の各研磨用組成物を用いて、シリコン酸化膜(TEOS膜)付きウエハ、シリコン窒化膜付きウエハ及びポリシリコン膜付きウエハを表3に示す研磨条件で研磨したときにシリコン酸化膜の研磨速度、シリコン窒化膜の研磨速度及びポリシリコン膜の研磨速度を測定した結果を示す。研磨速度は、研磨前後の各ウエハの厚さの差を研磨時間で除することにより求めた。ウエハの厚さの測定には、大日本スクリーン製造株式会社の薄膜測定装置“VM2030”を使用した。
表1,2の“選択比”欄には、上記にようにして求められるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜の研磨速度からポリシリコン膜の研磨速度に対するシリコン酸化膜の研磨速度の比率(SiO2/Poly-Si)及びポリシリコン膜の研磨速度に対するシリコン窒化膜の研磨速度の比率(Si3N4/Poly-Si)を計算した結果を示す。
Figure 2008130988
Figure 2008130988
表1,2の“砥粒”欄中、“フュームドシリカ”は平均粒子径が30nmのフュームドシリカ、“フュームドシリカ”は平均粒子径が50nmのフュームドシリカ、“コロイダルシリカ”は平均粒子径が90nmのコロイダルシリカ、“セリア”は平均粒子径が60nmのセリア、“アルミナ”は平均粒子径が100nmのアルミナを表す。
表1,2の“アルカリ又は酸”欄中、“KOH”は水酸化カリウム、“NH”はアンモニア、“TMAH”は水酸化テトラメチルアンモニウム、“(CHNH”はジメチルアミンを表す。
表1,2の“有機変性シリコーンオイル又はそれに代わる化合物”欄中、“A1”はHLB値が2の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A2”はHLB値が3の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A3”はHLB値が5の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A4”はHLB値が7の側鎖型ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、“A5”はHLB値が8の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A6”はHLB値が10の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A7”はHLB値が12の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A8”はHLB値が13の側鎖型ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、“A9”はHLB値が11の側鎖型エポキシ/ポリエーテル変性シリコーンオイル、“A10”はHLB値が12の側鎖型アミノ/ポリエーテル変性シリコーンオイル、“A11” はHLB値が7の両末端型ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、“B1”は平均分子量が1,200,000のヒドロキシエチルセルロース、“B2”は重合度が200でケン化度が98%以上のポリビニルアルコール、“B3”はHLB値が12.9のポリオキシエチレンラウリルエーテル、“B4”は平均分子量が9,000のポリビニルピロリドン、“B5”はHLB値が9.8のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、“B6”はHLB値が10.5のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、“B7”はHLB値が10.5のポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸、“B8”は平均分子量が2,000のポリエチレングリコールを表す。
Figure 2008130988
表1,2に示すように、実施例1〜40の研磨用組成物では、シリコン酸化膜の研磨速度に関して実用上十分なレベルの高い数値が得られ、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜の間の選択比に関しても実用上十分なレベルの高い数値が得られた。中でも砥粒としてシリカを含有する実施例1〜40の研磨用組成物では、シリコン酸化膜の研磨速度に加えて、シリコン窒化膜の研磨速度に関しても実用上十分なレベルの高い数値が得られ、ポリシリコン膜とシリコン窒化膜の間の選択比に関しても実用上十分なレベルの高い数値が得られた。
それに対し、比較例1〜18の研磨用組成物では、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の研磨速度に関して実用上十分なレベルの高い数値が得られないか、あるいはポリシリコン膜の研磨速度に関して実用上十分なレベルの低い数値が得られず、ポリシリコン膜とシリコン酸化膜の間の選択比及びポリシリコン膜とシリコン窒化膜の間の選択比のいずれも実用上十分なレベルの高い数値が得られなかった。

Claims (4)

  1. シリカ及びセリアから選ばれる砥粒と、
    アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物から選ばれるアルカリと、
    ポリオキシエチレン変性シリコーンオイル、ポリ(オキシエチレンオキシプロピレン)変性シリコーンオイル、エポキシ/ポリエーテル変性シリコーンオイル及びアミノ/ポリエーテル変性シリコーンオイルから選ばれる有機変性シリコーンオイルと
    を含有することを特徴とする研磨用組成物。
  2. 前記砥粒がシリカであることを特徴とする請求項1に記載の研磨用組成物。
  3. 請求項1又は2に記載の研磨用組成物を用いて、ポリシリコン膜上に設けられたシリコン酸化膜を研磨することを特徴とする研磨方法。
  4. 請求項2に記載の研磨用組成物を用いて、ポリシリコン膜上に設けられたシリコン窒化膜を研磨することを特徴とする研磨方法。
JP2006317380A 2006-11-24 2006-11-24 研磨用組成物及び研磨方法 Pending JP2008130988A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006317380A JP2008130988A (ja) 2006-11-24 2006-11-24 研磨用組成物及び研磨方法
TW096143443A TW200902693A (en) 2006-11-24 2007-11-16 Polishing composition and polishing process
US11/943,159 US20080125017A1 (en) 2006-11-24 2007-11-20 Polishing composition and polishing method
EP07254537A EP1925647A3 (en) 2006-11-24 2007-11-21 Polishing composition and polishing method
SG200717933-6A SG143186A1 (en) 2006-11-24 2007-11-21 Polishing composition and polishing method
KR1020070120041A KR20080047291A (ko) 2006-11-24 2007-11-23 연마용 조성물 및 연마 방법
CNA2007101940122A CN101186711A (zh) 2006-11-24 2007-11-26 研磨用组合物和研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006317380A JP2008130988A (ja) 2006-11-24 2006-11-24 研磨用組成物及び研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008130988A true JP2008130988A (ja) 2008-06-05

Family

ID=39111818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006317380A Pending JP2008130988A (ja) 2006-11-24 2006-11-24 研磨用組成物及び研磨方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080125017A1 (ja)
EP (1) EP1925647A3 (ja)
JP (1) JP2008130988A (ja)
KR (1) KR20080047291A (ja)
CN (1) CN101186711A (ja)
SG (1) SG143186A1 (ja)
TW (1) TW200902693A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9506871B1 (en) 2014-05-25 2016-11-29 Kla-Tencor Corporation Pulsed laser induced plasma light source
JP2019160875A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法
US11518911B2 (en) 2018-03-23 2022-12-06 Fujimi Incorporated Polishing composition, manufacturing method of polishing composition, polishing method, and manufacturing method of semiconductor substrate

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101928524A (zh) * 2009-06-23 2010-12-29 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液
JP5695367B2 (ja) 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
KR101340551B1 (ko) * 2010-12-31 2013-12-11 제일모직주식회사 질화규소를 선택적으로 연마하는 cmp 슬러리 조성물
JP2013138053A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN104130717B (zh) * 2014-08-07 2016-06-08 佳明新材料科技有限公司 一种太阳能硅片研磨液配方
EP3326755A1 (de) * 2016-11-23 2018-05-30 Menzerna Polishing Compounds GmbH & Co. KG Verfahren zur oberflächenbearbeitung, verwendung eines additivs und oberflächenbearbeitungsmittel

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3514908B2 (ja) * 1995-11-13 2004-04-05 株式会社東芝 研磨剤
JP3230986B2 (ja) * 1995-11-13 2001-11-19 株式会社東芝 ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
US6420269B2 (en) * 1996-02-07 2002-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Cerium oxide abrasive for polishing insulating films formed on substrate and methods for using the same
US5738800A (en) 1996-09-27 1998-04-14 Rodel, Inc. Composition and method for polishing a composite of silica and silicon nitride
CN1245471C (zh) * 1996-09-30 2006-03-15 日立化成工业株式会社 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
US5968239A (en) * 1996-11-12 1999-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing slurry
WO1999043761A1 (fr) * 1998-02-24 1999-09-02 Showa Denko K.K. Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent
US6299659B1 (en) * 1998-08-05 2001-10-09 Showa Denko K.K. Polishing material composition and polishing method for polishing LSI devices
EP1566421B1 (en) * 1998-12-25 2014-12-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate.
US6733553B2 (en) * 2000-04-13 2004-05-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
JP2004247605A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Toshiba Corp Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法
JP2006317380A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Bridgestone Corp タイヤ用電気抵抗測定装置及びその方法
US7456107B2 (en) * 2006-11-09 2008-11-25 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of low-k-dielectric materials

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9506871B1 (en) 2014-05-25 2016-11-29 Kla-Tencor Corporation Pulsed laser induced plasma light source
JP2019160875A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法
JP7330668B2 (ja) 2018-03-08 2023-08-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法
US11518911B2 (en) 2018-03-23 2022-12-06 Fujimi Incorporated Polishing composition, manufacturing method of polishing composition, polishing method, and manufacturing method of semiconductor substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW200902693A (en) 2009-01-16
EP1925647A3 (en) 2009-03-04
CN101186711A (zh) 2008-05-28
EP1925647A2 (en) 2008-05-28
SG143186A1 (en) 2008-06-27
US20080125017A1 (en) 2008-05-29
KR20080047291A (ko) 2008-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008130988A (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
JP4593064B2 (ja) 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP4668528B2 (ja) 研磨用組成物
JP5891174B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP6246263B2 (ja) 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法
JP2007103515A (ja) 研磨方法
JP6185432B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
JP6279593B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法
EP3584298B1 (en) Polishing method using a polishing composition
JP2013074036A (ja) Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法
JP2007103514A (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
JP2007234784A (ja) 研磨用組成物
JP2017183359A (ja) シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット
JP2004153158A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
TWI397577B (zh) 研磨用組成物
TW201737334A (zh) 矽基板之研磨方法及研磨用組成物套組
JP5220428B2 (ja) 研磨用組成物を用いた研磨方法
JP2011205097A (ja) 酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種とポリシリコンとを含む基体を研磨する方法
JP2009187984A (ja) 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP5859055B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
KR102508181B1 (ko) 연마용 조성물 및 연마 방법
JP6348927B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用組成物
JP2002114967A (ja) 研磨液組成物
JP7074525B2 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
JP2002118082A (ja) 研磨液組成物