JP2014116557A - 研磨用組成物およびその利用 - Google Patents

Abstract

【課題】ヘイズを低減する性能に優れ、かつ洗浄性の良い研磨用組成物を提供する。
【解決手段】砥粒とアルキレンオキサイドランダム共重合体とを含有する研磨用組成物が提供される。上記アルキレンオキサイドランダム共重合体は、エチレンオキサイド単位と炭素原子数３〜６のアルキレンオキサイド単位とを含むランダム共重合体である。上記アルキレンオキサイドランダム共重合体の重量平均分子量は２×１０^４以上１２０×１０^４以下である。
【選択図】なし

Description

本発明は、被研磨物の研磨に用いられる研磨用組成物（polishing composition）に関する。詳しくは、主にシリコンウエハ等の半導体基板その他の基板の研磨に用いられる研磨用組成物に関する。

半導体装置の構成要素等として用いられるシリコンウエハの表面は、一般に、ラッピング工程（粗研磨工程）とポリシング工程（精密研磨工程）とを経て、高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、１次ポリシング工程（１次研磨工程）とファイナルポリシング工程（最終研磨工程）とを含む。シリコンウエハ等の半導体基板を研磨する用途で主に使用される研磨用組成物に関する技術文献として、特許文献１が挙げられる。研磨用組成物に関連する他の技術文献として特許文献２〜８が挙げられる。

特開２０１１−１８１７６５号公報 特表２０１１−５１５０２３号公報 特表２０１１−５０２３６２号公報 特表２０１０−５１９７７９号公報 特開２０１０−１３５７９２号公報 特開２００３−１２４１５９号公報 特開２００３−８２３３６号公報 特開２００２−１１４９７０号公報

近年、シリコンウエハ等の半導体基板その他の基板について、より高品位の表面が要求されるようになってきている。このため、よりヘイズの低い基板表面を実現可能な研磨用組成物が求められている。また、研磨後に洗浄された基板上に残留物を残しにくい研磨用組成物、すなわち洗浄性の良い研磨用組成物が求められている。

そこで本発明は、被研磨物表面のヘイズを低減する性能に優れ、かつ洗浄性の良い研磨用組成物を提供することを目的とする。関連する他の目的は、ヘイズが低くかつ残留物の少ない表面を備えた基板を製造する方法を提供することである。

この明細書によると、砥粒とアルキレンオキサイドランダム共重合体とを含有する研磨用組成物が提供される。上記アルキレンオキサイドランダム共重合体は、エチレンオキサイド単位と、炭素原子数３〜６のアルキレンオキサイド単位とを含むランダム共重合体である。上記アルキレンオキサイドランダム共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は２×１０^４以上であり、典型的には２×１０^４以上１２０×１０^４以下である。かかる研磨用組成物によると、ヘイズを低減する性能と洗浄性とを高レベルで両立させることができる。
なお、以下において、エチレンオキサイドを「ＥＯ」、炭素原子数３〜６のアルキレンオキサイドを「Ｃ_３−６Ｏ」と表記することがある。また、ＥＯ単位とＣ_３−６Ｏ単位とを含むアルキレンオキサイドランダム共重合体を、単に「アルキレンオキサイドランダム共重合体」ということがある。

ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記アルキレンオキサイドランダム共重合体に含まれるＥＯ単位のモル数Ｎ_ＥとＣ_３−６Ｏ単位のモル数Ｎ_Ａとの関係が、次式：１＜（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦２５；を満たす。すなわち、上記アルキレンオキサイドランダム共重合体に含まれるＥＯ単位の数が、Ｃ_３−６Ｏ単位の１倍よりも多く、２５倍以下である。このようなアルキレンオキサイドランダム共重合体を含む研磨用組成物によると、ヘイズを低減する性能と洗浄性とがより高レベルで両立され得る。

ここに開示される研磨用組成物において、上記砥粒１００質量部に対する上記アルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、０．０１質量部以上４０質量部以下であることが好ましい。かかる態様によると、ヘイズを低減する性能と洗浄性とがより高レベルで両立され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、上記砥粒の平均一次粒子径が１０ｎｍ〜５０ｎｍである態様で好ましく実施され得る。かかる砥粒を含む研磨用組成物は、例えば、シリコンウエハその他の基板を目的の表面精度に仕上げるための研磨用組成物（典型的には、上述したファイナルポリシング工程に用いられる研磨用組成物）として好適である。

ここに開示される研磨用組成物は、シリコンウエハの研磨、例えばラッピングを経たシリコンウエハのポリシングに好ましく用いることができる。上記研磨用組成物によると、ヘイズが低くかつ残留物の少ない表面を備えたシリコンウエハが提供され得る。特に、シリコンウエハのファイナルポリシング用の研磨用組成物として好適である。

この明細書によると、また、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いて基板を製造する方法が提供される。その製造方法は、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ここで「液」とは、スラリーを含む意味である。）を用意することを含む。また、研磨対象たる基板（被研磨基板）に上記研磨液を供給することを含む。また、上記被研磨基板の表面を上記研磨液で研磨することを含む。かかる製造方法によると、ヘイズが低くかつ残留物の少ない表面を備えた基板が製造され得る。

ここに開示される基板製造方法は、上記被研磨基板がシリコンウエハである態様で好ましく実施され得る。すなわち、この明細書によると、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を用いてシリコンウエハを研磨する工程（典型的には、該シリコンウエハをファイナルポリシングする工程）を含む基板製造方法が提供される。かかる製造方法によると、ヘイズが低くかつ残留物の少ない表面を備えたシリコンウエハが製造され得る。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜砥粒＞
ここに開示される研磨用組成物に含まれる砥粒の材質や性状は特に制限されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。このような砥粒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記砥粒としては、無機粒子が好ましく、なかでも金属または半金属の酸化物からなる粒子が好ましい。特に好ましい砥粒としてシリカ粒子が挙げられる。シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。被研磨物表面にスクラッチを生じにくく、よりヘイズの低い表面を実現し得るという観点から、好ましいシリカ粒子としてコロイダルシリカおよびフュームドシリカが挙げられる。なかでもコロイダルシリカが好ましい。例えば、シリコンウエハのポリシング（特に、ファイナルポリシング）に用いられる研磨用組成物の砥粒として、コロイダルシリカを好ましく採用し得る。

シリカ粒子を構成するシリカの真比重は、１．５以上であることが好ましく、より好ましくは１．６以上、さらに好ましくは１．７以上である。シリカの真比重の増大によって、被研磨物（例えばシリコンウエハ）を研磨する際に、研磨速度（単位時間当たりに被研磨物の表面を除去する量）が向上し得る。被研磨物の表面（研磨面）に生じるスクラッチを低減する観点からは、真比重が２．２以下のシリカ粒子が好ましい。シリカの真比重としては、置換液としてエタノールを用いた液体置換法による測定値を採用し得る。

ここに開示される技術において、研磨用組成物中に含まれる砥粒は、一次粒子の形態であってもよく、複数の一次粒子が凝集した二次粒子の形態であってもよい。その際の凝集の要因としては、砥粒間に介在する水溶性高分子や界面活性剤等の有機物によるもの、砥粒間の物理的・化学的な力によるもの等が挙げられる。また、一次粒子の形態の砥粒と二次粒子の形態の砥粒とが混在していてもよい。好ましい一態様では、少なくとも一部の砥粒が二次粒子の形態で研磨用組成物中に含まれている。

砥粒の平均一次粒子径は、好ましくは５ｎｍ以上であり、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。砥粒の平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、砥粒の平均一次粒子径は、より平滑性の高い表面を得るという観点から、好ましくは１００ｎｍ以下であり、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。
砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法により測定される比表面積から算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

砥粒の平均二次粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上であり、より好ましくは２０ｎｍ以上である。砥粒の平均二次粒子径の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、砥粒の平均二次粒子径は、より平滑性の高い表面を得るという観点から、好ましくは２００ｎｍ以下であり、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。
砥粒の平均二次粒子径は、例えば、大塚電子社製の型式「ＦＰＡＲ−１０００」を用いた動的光散乱法により測定することができる。この方法によると、測定サンプル中に分散している粒子の平均粒子径が測定される。したがって、ここでいう砥粒の平均二次粒子径とは、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨用組成物中において粒子として分散している砥粒の平均粒子径を指す。

砥粒の長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、好ましくは１．０以上であり、より好ましくは１．０５以上、さらに好ましくは１．１以上である。砥粒の平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。また、砥粒の平均アスペクト比は、スクラッチ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。

上記平均アスペクト比は、砥粒の一次粒子の形状を示す値であって、例えば、電子顕微鏡観察により求めることができる。具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、独立した粒子の形状を認識できる所定個数（例えば２００個）の砥粒粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。

＜アルキレンオキサイドランダム共重合体＞
ここに開示される研磨用組成物は、ＥＯ単位とＣ_３−６Ｏ単位とを含むアルキレンオキサイドランダム共重合体を含有する。上記アルキレンオキサイドランダム共重合体のＭｗは２×１０^４以上である。

ここに開示される技術を実施するにあたり、かかるアルキレンオキサイドランダム共重合体を含有する研磨用組成物によりヘイズ低減効果と洗浄性とが高レベルで両立される理由を明らかにする必要はないが、例えば以下のことが考えられる。
すなわち、上記アルキレンオキサイドランダム共重合体は、ある程度高分子量のアルキレンオキサイドであって、かつ被研磨物表面への吸着性と砥粒への吸着性とをバランス良く発揮することによって、ヘイズの低減に効果的に寄与し得るものと考えられる。被研磨物表面への吸着性と砥粒への吸着性とのバランスは、アルキレンオキサイドランダム共重合体の親水性の程度（親水性と疎水性とのバランス）に依存し得る。親水性の程度は、Ｃ_３−６Ｏ単位の種類や含有割合等によって的確に調節することができる。
一方、界面活性剤やブロック共重合体は、分子内で、相対的に親水性の高い部分（親水部）と低い部分（疎水部）とが明確に分かれている。分子量が高くなるにつれて、親水部および／または疎水部の分子量も大きくなる。このため、高分子量の界面活性剤やブロック共重合体では、親水性の程度を分子全体で均一に調整することは困難である。また、高分子量の疎水部の存在は、研磨用組成物の洗浄性を低下させる要因ともなり得る。
ここに開示される技術において用いられるアルキレンオキサイドランダム共重合体は、ブロック共重合体とは異なり、ＥＯ単位とＣ_３−６Ｏ単位とがランダムに配置した分子構造を有する。このことによって、高分子量（例えばＭｗ２×１０^４以上）であっても、分子全体として親水性と疎水性とのバランスをより均一に調整することができる。分子内で親水性の程度に著しい偏りがないことは、洗浄性の観点からも有利である。これらの性質が相俟って、上記アルキレンオキサイドランダム共重合体を含有する研磨用組成物によると、ヘイズ低減効果と洗浄性とが高レベルで両立されるものと考えられる。

アルキレンオキサイドランダム共重合体は、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−で表される構造部分（ＥＯ単位）と、−Ｒ^１Ｏ−で表される構造部分（Ｃ_３−６Ｏ単位）とがランダムに配置した共重合体として把握され得る。ここで、Ｒ^１は炭素原子数３〜６のアルキレン基であり、例えば、直鎖状または分岐状のプロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基であり得る。Ｃ_３−６Ｏ単位の典型的な構造は、−ＣＨ_２ＣＨ（Ｒ^２）Ｏ−で表される。ここで、Ｒ^２は炭素原子数１〜４のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等であり得る。なかでも好ましいＲ^２はメチル基である。

アルキレンオキサイドランダム共重合体全体に含まれるＣ_３−６Ｏ単位の種類は、１種類であってもよく、構造または炭素原子数の異なる２種類以上であってもよい。２種類以上のＣ_３−６Ｏ単位を含む場合、それらのＣ_３−６Ｏ単位の含有比は特に限定されない。
ここに開示される技術におけるアルキレンオキサイドランダム共重合体としては、上記Ｃ_３−６Ｏ単位が少なくともプロピレンオキサイド単位（−ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）Ｏ−；以下「ＰＯ単位」ともいう。）を含むものを好ましく採用し得る。かかるアルキレンオキサイドランダム共重合体によると、ＥＯ単位とＰＯ単位との比（例えばモル比）に応じて親水性を精度よく調節することができる。Ｃ_３−６Ｏ単位のうちＰＯ単位が占める割合は特に制限されず、好ましくは５０モル％以上、より好ましくは７０モル％以上である。好ましい一態様では、Ｃ_３−６Ｏ単位の１００モル％がＰＯ単位である。

アルキレンオキサイドランダム共重合体の分子構造は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。研磨用組成物の粘度や濾過性等の観点から、直鎖状のアルキレンオキサイドランダム共重合体を好ましく採用し得る。アルキレンオキサイドランダム共重合体の末端は、いずれも水酸基であってもよく、一部または全部が変性（エーテル化、エステル化等）されていてもよい。洗浄性等の観点から、通常は、末端がいずれも水酸基であるものを好ましく採用し得る。

アルキレンオキサイドランダム共重合体におけるＥＯ単位とＣ_３−６Ｏ単位との合計含有量は、該共重合体の７０質量％よりも多いことが好ましい。ヘイズ低減効果および洗浄性の観点から、通常は、上記合計含有量が８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上（例えば９９質量％以上）がさらに好ましい。好ましい一態様において、ＥＯ単位およびＣ_３−６Ｏ単位の合計含有量が実質的に１００質量％であるアルキレンオキサイドランダム共重合体を採用することができる。

ここに開示される技術の好ましい一態様では、アルキレンオキサイドランダム共重合体として、ＥＯ単位のモル数Ｎ_ＥとＣ_３−６Ｏ単位のモル数Ｎ_Ａとの関係が次式：１＜（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦２５；を満たすものを使用する。例えば、Ｎ_ＥとＮ_Ａとの関係が２≦（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦２０（より好ましくは３＜（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦１５、さらに好ましくは５≦（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）＜１５）を満たすアルキレンオキサイドランダム共重合体が好ましい。他の好適例として、７≦（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦１４（例えば１０≦（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦１４）を満たすアルキレンオキサイドランダム共重合体が挙げられる。

アルキレンオキサイドランダム共重合体としては、該共重合体におけるＥＯ単位の含有量が５０質量％以上であるものを好適に使用し得る。洗浄性等の観点から、アルキレンオキサイドランダム共重合体におけるＥＯ単位含有量は、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上（例えば８５質量％以上）である。また、上記ＥＯ単位の含有量は、ヘイズ低減効果等の観点から、好ましくは９８質量％以下であり、より好ましくは９７質量％以下、さらに好ましくは９５質量％以下（例えば９２質量％以下）である。

また、アルキレンオキサイドランダム共重合体におけるＣ_３−６Ｏ単位の含有量は、典型的には５０質量％以下である。洗浄性等の観点から、上記Ｃ_３−６Ｏ単位の含有量は、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、例えば１５質量％以下である。また、上記Ｃ_３−６Ｏ単位の含有量は、ヘイズ低減効果等の観点から、好ましくは２質量％以上であり、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、例えば８質量％以上である。

アルキレンオキサイドランダム共重合体のＭｗは、ヘイズ低減効果等の観点から、好ましくは３×１０^４以上、より好ましくは５×１０^４以上、さらに好ましくは６×１０^４以上（例えば８×１０^４以上）である。Ｍｗの上限は特に限定されないが、通常は１２０×１０^４以下、典型的には１００×１０^４以下である。アルキレンオキサイドランダム共重合体のＭｗは、研磨用組成物の取扱性（例えば、後述する濾過性等）の観点から、好ましくは７０×１０^４以下であり、より好ましくは５０×１０^４以下、さらに好ましくは３０×１０^４以下（例えば２０×１０^４以下）である。

ここに開示される技術におけるアルキレンオキサイドランダム共重合体として、例えば、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との関係が次式：Ｍｗ／Ｍｎ≦５；を満たすものを好ましく用いることができる。アルキレンオキサイドランダム共重合体のＭｗ／Ｍｎは、研磨用組成物の性能安定性等の観点から、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましい。できるだけ分子量分布の狭いアルキレンオキサイドランダム共重合体を好ましく採用し得る。なお、原理上、Ｍｗ／Ｍｎは１．０以上である。アルキレンオキサイドランダム共重合体のＭｗおよびＭｎとしては、ＧＰＣ（水系：ポリエチレンオキシド換算）に基づく値を採用することができる。

ここに開示される技術に好ましく使用し得るアルキレンオキサイドランダム共重合体として、Ｍｗが約１００×１０^４であり、ＥＯ：ＰＯの質量比が９０：１０であるアルキレンオキサイドランダム共重合体；Ｍｗが約８０×１０^４であり、ＥＯ：ＰＯの質量比が８０：２０であるアルキレンオキサイドランダム共重合体；Ｍｗが約１０×１０^４であり、ＥＯ：ＰＯの質量比が９０：１０であるアルキレンオキサイドランダム共重合体；等が例示される。あるいは、所望の組成および構造を有するアルキレンオキサイドランダム共重合体を公知の方法により合成してもよい。

アルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、砥粒１００質量部に対して、例えば０．０１質量部以上とすることができる。ヘイズ低減効果をよりよく発揮し得るという観点から、通常は、上記含有量は０．０５質量部以上が適当であり、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．２質量部以上（例えば０．４質量部以上）である。また、砥粒１００質量部に対するアルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、例えば４０質量部以下とすることができる。洗浄性や研磨速度等の観点から、通常は、上記含有量は２０質量部以下が適当であり、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは６質量部以下である。ここに開示される技術の好ましい一態様によると、アルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量が砥粒１００質量部に対して３質量部以下（さらには２質量部以下、例えば１．５質量部以下）であっても、優れたヘイズ低減効果が実現され得る。

＜水溶性有機化合物＞
ここに開示される研磨用組成物は、砥粒およびアルキレンオキサイドランダム共重合体の他に、任意成分として、アルキレンオキサイドランダム共重合体以外の水溶性有機化合物を含有し得る。このような水溶性有機化合物は、アルキレンオキサイドランダム共重合体と併用されて、さらなるヘイズの低減に寄与し得る。また、砥粒の分散安定性の向上や、後述する濾過性の向上にも役立ち得る。
水溶性有機化合物としては、各種の界面活性剤、アルキレンオキサイドブロック共重合体、セルロース誘導体、プルラン、その他の水溶性ポリマー等が例示される。これらの水溶性有機化合物は、１種を単独で、あるいは２種以上を適宜組み合わせて使用し得る。

界面活性剤としては、ノニオン性のものを好ましく用いることができる。ノニオン性界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリオキシアルキレンモノアルキルエーテル；ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンナフチルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル；ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル等のポリオキシアルキレンモノアルキルフェニルエーテル；ポリオキシエチレンオレイン酸エステル、ポリオキシエチレンラウリン酸エステル等のポリオキシアルキレンモノエステル；等が挙げられる。

アルキレンオキサイドブロック共重合体の代表例としては、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体が挙げられる。具体例としては、ポリプロピレンオキサイド（ＰＰＯ）ブロックの両側にポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）ブロックを有するトリブロック体（ＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体）、ＰＥＯブロックの両側にＰＰＯブロックを有するトリブロック体（ＰＰＯ−ＰＥＯ−ＰＰＯブロック共重合体）等のトリブロック体が挙げられる。なかでもＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体が好ましい。

セルロース誘導体の例としては、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。
その他の水溶性ポリマーとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ＰＶＡグラフトＰＶＰ、ポリエチレンオキサイド等が挙げられる。

上記水溶性有機化合物の分子量は、洗浄性や濾過性等の観点から、好ましくは１０×１０^４未満であり、より好ましくは５×１０^４未満、さらに好ましくは２×１０^４未満（例えば１×１０^４以下）である。また、ヘイズ低減効果等の観点からは、分子量が２００以上の水溶性有機化合物が好ましく、２５０以上（例えば３００以上）のものがより好ましい。例えば、分子量が２×１０^４未満（典型的には２００以上２×１０^４未満、好ましくは２５０以上１．５×１０^４以下、例えば３００以上１×１０^４以下）のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体やポリオキシエチレンモノアルキルエーテル等を、水溶性有機化合物として好ましく採用することができる。また、本発明の効果を阻害しない範囲で、水溶性有機化合物として、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体であって分子量が２×１０^４未満のものを含んでもよい。
なお、上記水溶性有機化合物の分子量としては、ＧＰＣにより求められる重量平均分子量（Ｍｗ）、または化学式から算出される分子量を採用することができる。

水溶性有機化合物を使用する場合、その含有量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば特に制限はない。通常は、洗浄性等の観点から、アルキレンオキサイドランダム共重合体１００質量部に対する他の水溶性有機化合物の合計含有量を１００質量部未満とすることが適当であり、好ましくは７５質量部以下、より好ましくは６０質量部以下（例えば５０質量部以下）である。上記水溶性有機化合物の効果をよりよく発揮させるという観点からは、上記含有量は、０．１質量部以上であることが適当であり、好ましくは１質量部以上（例えば２質量部以上）である。
砥粒１００質量部に対する上記水溶性有機化合物の含有量は、洗浄性等の観点から、５質量部以下が適当であり、３質量部以下が好ましく、１質量部以下がさらに好ましい。上記水溶性有機化合物の効果をよりよく発揮させるという観点から、砥粒１００質量部に対する該水溶性有機化合物の含有量は、０．００１質量部以上であることが適当であり、好ましくは０．００５質量部以上（例えば０．０１質量部以上）である。

ここに開示される研磨用組成物は、アルキレンオキサイドランダム共重合体の他にはＭｗが１０×１０^４以上の水溶性有機化合物を実質的に含有しない態様で好ましく実施され得る。より好ましい態様として、アルキレンオキサイドランダム共重合体の他にはＭｗが２×１０^４以上の水溶性有機化合物を実質的に含有しない態様が例示される。ここで、Ｍｗが２×１０^４以上の水溶性有機化合物を実質的に含有しないとは、その含有量が研磨用組成物の固形分の１×１０^−５質量％未満（典型的には０〜１×１０^−５質量％）、例えば０〜１×１０^−６質量％であることをいう。ここに開示される研磨用組成物は、アルキレンオキサイドランダム共重合体以外には高分子量の水溶性有機化合物を実質的に使用しないか、あるいはその使用量を極めて低く抑えた態様であっても、研磨後の表面において充分に低いヘイズを実現し得る。このことは、ヘイズ低減と洗浄性とを高レベルで両立させるという観点から有利である。

＜塩基性化合物＞
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、砥粒およびアルキレンオキサイドランダム共重合体の他に、塩基性化合物を含有する。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。

塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩等を用いることができる。例えば、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン等が挙げられる。このような塩基性化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を適宜組み合わせて用いてもよい。

研磨速度向上等の観点から好ましい塩基性化合物として、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸ナトリウムが挙げられる。なかでも好ましいものとして、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化テトラエチルアンモニウムが例示される。特に好ましい塩基性化合物としてアンモニアが挙げられる。

＜水系溶媒＞
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、砥粒およびアルキレンオキサイドランダム共重合体の他に、水系溶媒を含有する。ここで水系溶媒とは、水と、水を主成分とする混合溶媒とを包含する概念である。水を主成分とする混合溶媒とは、典型的には、水の含有量が５０体積％を超える混合溶媒を指す。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水等を用いることができる。上記混合溶媒を構成する水以外の溶媒としては、水と均一に混合し得る有機溶剤（低級アルコール、低級ケトン等）の１種または２種以上を用いることができる。通常は、水系溶媒の８０体積％以上（より好ましくは９０体積％以上、さらに好ましくは９５体積％以上）が水である水系溶媒の使用が好ましい。特に好ましい例として、実質的に水からなる水系溶媒（例えば、９９．５〜１００体積％が水である水系溶媒）が挙げられる。

ここに開示される研磨用組成物（典型的にはスラリー状の組成物）は、例えば、その固形分含量（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ ｃｏｎｔｅｎｔ；ＮＶ）が０．０１質量％〜５０質量％であり、残部が水系溶媒である形態、または残部が水系溶媒および揮発性化合物（例えばアンモニア）である形態で好ましく実施され得る。上記ＮＶが０．１質量〜４０質量％である形態がより好ましい。なお、上記固形分含量（ＮＶ）とは、研磨用組成物を１０５℃で２４時間乾燥させた後における残留物が上記研磨用組成物に占める質量の割合を指す。

＜その他の成分＞
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、ｐＨ調整剤、防腐剤等の、研磨用組成物（典型的には、シリコンウエハのファイナルポリシングに用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。

＜用途＞
ここに開示される研磨用組成物は、種々の材質および形状を有する被研磨物の研磨に適用され得る。被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された被研磨物であってもよい。なかでも、シリコンからなる表面を備えた被研磨物の研磨に好適である。
被研磨物の形状は特に制限されない。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、板状や多面体状等の、平面を有する被研磨物の研磨に好ましく適用され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、シリコンウエハの研磨に特に好ましく使用され得る。なかでも、シリコンウエハのファイナルポリシングに用いられる研磨用組成物として特に好適である。例えば、上流の工程によって表面粗さ０．０１ｎｍ〜１００ｎｍの表面状態に調製されたシリコンウエハのファイナルポリシングへの適用が効果的である。

＜研磨液＞
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で被研磨物に供給されて、その被研磨物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨液と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。ここに開示される研磨用組成物を含む研磨液の他の例として、該組成物のｐＨを調整してなる研磨液が挙げられる。

研磨液における砥粒の含有量は、典型的には０．０１質量％以上であり、０．０５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上である。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。よりヘイズの低い表面を実現する観点から、通常は、上記含有量を１０質量％以下とすることが適当であり、好ましくは７質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、例えば１質量％以下である。

研磨液におけるアルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、例えば１×１０^−４質量％以上とすることができる。ヘイズ低減効果の観点から、好ましい含有量は５×１０^−４質量％以上であり、より好ましくは１×１０^−３質量％以上、例えば２×１０^−３質量％以上である。また、洗浄性や研磨速度等の観点から、上記含有量を０．１質量％以下とすることが好ましく、より好ましくは０．０５質量％以下、例えば０．０３質量％以下である。ここに開示される技術の好適な一態様によると、研磨液におけるアルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量が０．０１５質量％以下（さらには０．０１質量％以下）であっても、優れたヘイズ低減効果が実現され得る。かかる態様によると、ヘイズ低減効果と洗浄性とがより高いレベルで両立され得る。

アルキレンオキサイドランダム共重合体以外の水溶性有機化合物を使用する場合、その含有量は、研磨液の例えば０．３質量％以下であり得、０．１質量％以下が好ましい。洗浄性等の観点から、通常は、上記含有量が０．０５質量％以下（例えば０．０１質量％以下）であることが好ましい。上記含有量の下限は特に限定されないが、水溶性有機化合物の効果をよりよく発揮させるという観点からは、１×１０^−５質量％以上が適当であり、１×１０^−４質量％以上が好ましい。

塩基性化合物を使用する場合、研磨速度向上等の観点から、通常は、その含有量を研磨液の０．００１質量％以上とすることが好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上である。また、ヘイズ低減等の観点から、上記含有量を０．４質量％未満とすることが好ましく、より好ましくは０．２５質量％未満である。
研磨液のｐＨとしては、８．０〜１２．０が好ましく、９．０〜１１．０がより好ましい。かかるｐＨの研磨液となるように塩基性化合物を含有させることが好ましい。上記ｐＨは、例えば、シリコンウエハの研磨に用いられる研磨液（特に、ファイナルポリシング用の研磨液）に好ましく適用され得る。

＜研磨＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、被研磨物の研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて被研磨物を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（典型的にはスラリー状の研磨液であり、研磨スラリーと称されることもある。）を用意する。上記研磨液を用意することには、上述のように、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）、ｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

次いで、その研磨液を被研磨物に供給し、常法により研磨する。例えば、シリコンウエハのファイナルポリシングを行う場合には、ラッピング工程および１次ポリシング工程を経たシリコンウエハを一般的な研磨装置にセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記シリコンウエハの表面（被研磨面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、シリコンウエハの表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て被研磨物の研磨が完了する。

上述のような研磨工程は、基板（例えばシリコンウエハ）の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む基板の製造方法（好適には、シリコンウエハの製造方法）が提供される。

ここに開示される研磨用組成物は、被研磨物のファイナルポリシングに好ましく使用され得る。したがって、この明細書によると、上記研磨用組成物を用いたファイナルポリシング工程を含む基板の製造方法（例えば、シリコンウエハの製造方法）が提供される。なお、ファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。

＜洗浄＞
ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨された被研磨物は、典型的には、研磨後に洗浄される。この洗浄は、適当な洗浄液を用いて行うことができる。使用する洗浄液は特に限定されず、例えば、半導体等の分野において一般的なＳＣ−１洗浄液（水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水（Ｈ_２Ｏ）との混合液。以下、ＳＣ−１洗浄液を用いて洗浄することを「ＳＣ−１洗浄」という。）、ＳＣ−２洗浄液（ＨＣｌとＨ_２Ｏ_２とＨ_２Ｏとの混合液。）等を用いることができる。洗浄液の温度は、例えば常温〜９０℃程度とすることができる。洗浄効果を向上させる観点から、５０℃〜８５℃程度の洗浄液を好ましく使用し得る。

洗浄後の基板における残留物を低減するためには、より厳しい洗浄条件（例えば、より高ｐＨのＳＣ−１洗浄液を使用する、洗浄液の温度を高くする、洗浄時間を長くする等）を適用することが有利である。しかし、洗浄条件を過度に厳しくすると、該洗浄によって被研磨物の表面が荒れてヘイズが上昇してしまうことがあり得る。したがって、より高品位の表面を実現するためには、高いヘイズ低減効果と良好な洗浄性とを兼ね備えた研磨用組成物であることが重要である。
ここに開示される研磨用組成物は、良好な洗浄性を示すことから、洗浄条件を過度に厳しくしなくても、研磨用組成物または該組成物に由来する成分を被研磨物の表面から充分に除去することができる。したがって、ここに開示される研磨用組成物によると、研磨後の洗浄によるヘイズの上昇を抑制し、かつ残留物の少ない表面を得ることができる。

ここに開示される研磨用組成物または該組成物を用いた研磨によると、高いヘイズ低減効果と優れた洗浄性とが相俟って、より高品位の表面が実現され得る。例えば、低欠陥かつ高平滑の表面を備えたシリコンウエハが実現され得る。したがって、ここに開示される研磨用組成物は、シリコンウエハ等の半導体基板その他の基板の研磨工程に好ましく適用され得る。また、上記研磨工程を含む製造工程（例えば、シリコンウエハその他の半導体基板の製造工程）に好ましく適用され得る。

＜濃縮液＞
ここに開示される研磨用組成物は、被研磨物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば２倍〜１００倍程度とすることができ、通常は５倍〜５０倍程度が適当である。好ましい一態様に係る研磨用組成物の濃縮倍率は１０倍〜３０倍であり、例えば１５倍〜２５倍である。

このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を被研磨物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、典型的には、上記濃縮液に前述の水系溶媒を加えて混合することにより行うことができる。また、上記水系溶媒が混合溶媒である場合、該水系溶媒の構成成分のうち一部の成分のみを加えてもよく、それらの構成成分を上記水系溶媒とは異なる量比で含む混合溶媒を加えて希釈してもよい。

上記濃縮液のＮＶは、例えば５０質量％以下とすることができる。研磨用組成物の安定性（例えば、砥粒の分散安定性）や濾過性等の観点から、通常、濃縮液のＮＶは、４０質量％以下とすることが適当であり、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、例えば１５質量％以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、濃縮液のＮＶは、１質量％以上とすることが適当であり、好ましくは２質量％以上、より好ましくは３質量％以上、例えば５質量％以上である。

上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５０質量％以下とすることができる。研磨用組成物の安定性（例えば、砥粒の分散安定性）や濾過性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは４５質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以下である。好ましい一態様において、砥粒の含有量を３０質量％以下としてもよく、２０質量％以下（例えば１５質量％以下）としてもよい。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、砥粒の含有量は、例えば１質量％以上とすることができ、好ましくは２質量％以上、より好ましくは３質量％以上（例えば５質量％以上）である。

上記濃縮液におけるアルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、例えば３質量％以下とすることができる。研磨用組成物の濾過性や洗浄性等の観点から、通常、上記含有量は、好ましくは１質量％以下であり、より好ましくは０．５質量％以下である。また、上記含有量は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、通常は１×１０^−３質量％以上であることが適当であり、好ましくは５×１０^−３質量％以上、より好ましくは１×１０^−２質量％以上である。

好ましい一態様に係る研磨用組成物は、砥粒の含有量が１０質量％である濃度（典型的には濃縮液の形態）とした場合に、以下の条件で実施される濾過試験において２５ｍＬ以上が濾過され得る（すなわち、フィルタを交換することなく該フィルタを通過する）レベルの濾過性を有する。
［濾過試験条件］
試験温度：２５℃
濾過差圧：５０ｋＰａ（吸引濾過）
使用フィルタ：日本ポール社製のディスクフィルタ、商品名「ウルチポア（登録商標）Ｎ６６」（直径４７ｍｍ、定格濾過精度０．２μｍ）

このように良好な濾過性を示す研磨用組成物は、例えば、砥粒含有量が比較的高い濃縮液の形態で製造、流通または保存する態様での使用に適している。
なお、上記濾過試験の際の砥粒の含有量を１０質量％としているのは、研磨用組成物の濾過性を評価しやすくするためであって、ここに開示される研磨用組成物における砥粒の含有量を１０質量％に限定する意図ではない。

ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分（典型的には、水系溶媒以外の成分）のうち一部の成分を含むＡ液と、残りの成分を含むＢ液とが混合されて被研磨物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。ここに開示される技術は、例えば、一剤型の研磨用組成物の形態で好ましく実施され得る。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「部」および「％」は、特に断りがない限り質量基準である。

＜研磨用組成物の調製＞
（例１）
砥粒、アルキレンオキサイドランダム共重合体、アンモニア水および脱イオン水を混合して、研磨用組成物の濃縮液を得た。この濃縮液を脱イオン水で２０倍に希釈して、例１に係る研磨液を調製した。
砥粒としては、平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍのコロイダルシリカを使用した。上記コロイダルシリカの平均一次粒子径は、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を使って測定されたものである。砥粒およびアンモニア水の使用量は、研磨液中における砥粒の含有量が０．５％となり、アンモニアの含有量（濃度）が０．０１％となる量とした。この研磨液のｐＨは１０．２であった。
アルキレンオキサイドランダム共重合体としては、Ｍｗが１０×１０^４であり、ＥＯ単位のモル数Ｎ_ＥとＰＯ単位のモル数Ｎ_Ｐとの比（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐ）が１２であるものを使用した。以下、このアルキレンオキサイドランダム共重合体を「ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１」と表記することがある。ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１の使用量は、研磨液中の含有量が０．００５％（すなわち、砥粒１００部に対して１部）となる量とした。

（例２）
例１において、研磨液中の含有量が０．００２％（砥粒１００部に対して０．４部）となる量のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体（Ｍｗ０．９×１０^４；以下「ＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯ」と表記することがある。）をさらに使用した。このＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯに含まれるＥＯ単位のモル数Ｎ_ＥとＰＯ単位のモル数Ｎ_Ｐとの比（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐ）は１６／３である。その他の点は例１と同様にして、例２に係る研磨液を調製した。

（例３）
例１において、ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１の使用量を、研磨液中の含有量が０．０１０％（砥粒１００部に対して２部）となる量とした。その他の点は例１と同様にして、例３に係る研磨液を調製した。

（例４）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、Ｍｗが８０×１０^４であり、Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐが６であるアルキレンオキサイドランダム共重合体（以下、「ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ２」と表記することがある。）を、研磨液中の含有量が０．００２％（砥粒１００部に対して０．４部）となる割合で使用した。その他の点は例１と同様にして、例４に係る研磨液を調製した。

（例５）
例４において、ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ２の使用量を、研磨液中の含有量が０．００４％（砥粒１００部に対して０．８部）となる量とした。また、研磨液中の含有量が０．０００１％（砥粒１００部に対して０．０２部）となる量のポリオキシエチレンデシルエーテルをさらに使用した。このポリオキシエチレンデシルエーテルにおけるオキシエチレン単位の平均繰返し数は約５である。その他の点は例４と同様にして、例５に係る研磨液を調製した。

（例６）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、Ｍｗが１００×１０^４であり、Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐが１２であるアルキレンオキサイドランダム共重合体（以下、「ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ３」と表記することがある。）を、研磨液中の含有量が０．００２％（砥粒１００部に対して０．４部）となる割合で使用した。その他の点は例１と同様にして、例６に係る研磨液を調製した。

（例７）
例６において、ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ３の使用量を、研磨液中の含有量が０．００４％（砥粒１００部に対して０．８部）となる量とした。また、研磨液中の含有量が０．００２％（砥粒１００部に対して０．４部）となる量のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯ（Ｍｗ０．９×１０^４、Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐ＝１６／３）をさらに使用した。その他の点は例６と同様にして、例７に係る研磨液を調製した。

（例８）
アルキレンオキサイドランダム共重合体Ｃ１を使用しない点以外は例１と同様にして、例８に係る研磨液を調製した。

（例９）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、Ｍｗが１．３×１０^４であり、Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐが３であるアルキレンオキサイドランダム共重合体（以下、「ＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ４」と表記することがある。）を、研磨液中の含有量が０．０１７％（砥粒１００部に対して３．４部）となる割合で使用した。その他の点は例１と同様にして、例９に係る研磨液を調製した。

（例１０）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、研磨液中の含有量が０．０１７％（砥粒１００部に対して３．４部）となる量のヒドロキシエチルセルロース（Ｍｗ２５×１０^４）を使用した。その他の点は例１と同様にして、例１０に係る研磨液を調製した。

（例１１）
例１におけるＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、研磨液中の含有量が０．０１７％（砥粒１００部に対して３．４部）となる量のポリビニルアルコール（Ｍｗ７×１０^４）を使用した。その他の点は例１と同様にして、例１１に係る研磨液を調製した。

（例１２）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、研磨液中の含有量が０．００９％（砥粒１００部に対して１．８部）となる量のポリビニルピロリドン（Ｍｗ４．５×１０^４）を使用した。その他の点は例１と同様にして、例１２に係る研磨液を調製した。

（例１３）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、ポリビニルアルコールにポリビニルピロリドンがグラフトしたグラフトコポリマー（Ｍｗ１７×１０^４。以下「ＰＶＡ−ｇ−ＰＶＰ」と表記することがある。）を、研磨液中の含有量が０．０１９％（砥粒１００部に対して３．８部）となる割合で使用した。その他の点は例１と同様にして、例１３に係る研磨液を調製した。

（例１４）
例１のＥＯＰＯランダム共重合体Ｃ１に代えて、研磨液中の含有量が０．０１７％（砥粒１００部に対して３．４部）となる量のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯ（Ｍｗ０．９×１０^４、Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ｐ＝１６／３）を使用した。その他の点は例１と同様にして、例１４に係る研磨液を調製した。

＜シリコンウエハの研磨＞
各例に係る研磨液を用いて、シリコンウエハの表面を下記の条件で研磨した。シリコンウエハとしては、直径が２００ｍｍ、伝導型がＰ型、結晶方位が＜１００＞、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満であるものを、研磨スラリー（株式会社フジミインコーポレーテッド製、商品名「ＧＬＡＮＺＯＸ ２１００」）を用いて予備研磨を行うことにより表面粗さ０．１ｎｍ〜１０ｎｍに調整して使用した。

［研磨条件］
研磨機：株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨機、型式「ＰＮＸ−３２２」
研磨荷重：１５ｋＰａ
定盤回転数：３０ｒｐｍ
ヘッド回転数：３０ｒｐｍ
研磨時間：４分
研磨液の温度：２０℃
研磨液の供給速度：０．５リットル／分（掛け流し使用）

＜洗浄性評価＞
研磨後のシリコンウエハをアンロードしたときのウエハ表面の親水度から、研磨液の洗浄性を評価した。研磨後のウエハ表面の親水度が低いことは、研磨後のウエハ表面に残留している水溶性有機化合物が少ないことを示す。この親水度は、ウエハ表面の撥水距離により把握することができる。本評価では、研磨後のウエハ表面の撥水距離、すなわち上記アンロードしたウエハの表面において、濡れている領域の外縁から該ウエハの外周端までの径方向における最長距離を目視で観察し、その距離によって以下の３水準で洗浄性を評価した。得られた結果を表１の「洗浄性」の欄に示した。
Ａ：撥水距離が８０ｍｍ以上。
Ｂ：撥水距離が４０ｍｍ以上８０ｍｍ未満。
Ｃ：撥水距離が４０ｍｍ未満。

＜ヘイズ評価＞
研磨後のシリコンウエハをＳＣ−１洗浄（ＮＨ_４ＯＨ（２９％）：Ｈ_２Ｏ_２（３１％）：脱イオン水（ＤＩＷ）＝１：２：１４（体積比）、８０℃、５分×２層）した後、ケーエルエー・テンコール社製のウエハ検査装置、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ２」を用いて、ＤＷＯモードでヘイズ評価を行なった。評価結果は表１に示すとおりであった。

＜濾過性評価＞
研磨用組成物の濾過性を次のように評価した。すなわち、例１〜１４に係る研磨用組成物（すなわち、研磨液に対する濃縮倍率が２０倍であり、砥粒の含有量が１０％である研磨用組成物）を、温度２５℃、濾過差圧５０ｋＰａの条件で吸引濾過した。フィルタとしては、日本ポール社製のディスクフィルタ、商品名「ウルチポア（登録商標）Ｎ６６」（直径４７ｍｍ、定格濾過精度０．２μｍ）を使用した。上記フィルタを通過する研磨用組成物の流れが止まるまでに該フィルタを通過した研磨用組成物の体積から、以下の２水準で濾過性を評価した。得られた結果を表１の「濾過性」の欄に示した。
Ａ：フィルタを通過した研磨用組成物の体積が２５ｍＬ以上。
Ｃ：フィルタを通過した研磨用組成物の体積が２５ｍＬ未満。

表１に示されるように、Ｍｗが２×１０^４〜１２０×１０^４（より具体的には１０×１０^４〜１００×１０^４）のアルキレンオキサイドランダム共重合体を含む例１〜７の研磨液は、いずれも、優れたヘイズ低減効果および洗浄性を示した。なかでも、Ｍｗが７０×１０^４以下（より具体的には３０×１０^４以下）のアルキレンオキサイドランダム共重合体を含む例１〜３の研磨液は、ヘイズ低減効果および洗浄性に加えて、研磨用組成物（２０倍濃縮液）の濾過性も良好であった。また、例１と例２との比較からわかるように、Ｍｗが２×１０^４以上のアルキレンオキサイドランダム共重合体に加えてＭｗが２×１０^４未満の水溶性有機化合物（ここでは、Ｍｗが１×１０^４未満のＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体）を含む研磨液によると、さらに高いヘイズ低減効果が得られた。

これに対して、例９〜１４に係る研磨液は、いずれも、水溶性有機化合物を含まない研磨液を用いた例８よりはヘイズが低減したものの、例１〜７に匹敵するヘイズ低減性能と洗浄性とをバランスよく実現するものではなかった。より具体的には、Ｍｗが２×１０^４未満のアルキレンオキサイドランダム共重合体を用いた例９およびＰＥＯ−ＰＰＯ−ＰＥＯブロック共重合体を用いた例１４は、いずれもヘイズ低減性能が不足していた。例１１〜１３に係る研磨液は、例１〜７の研磨液に比べて明らかにヘイズ低減効果が少なく、かつ洗浄性も低かった。また、例１０の研磨液は、ヘイズ低減効果は高いが洗浄性が低く、両性能のバランスに欠けるものであった。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (7)

1. 砥粒とアルキレンオキサイドランダム共重合体とを含有し、
   前記アルキレンオキサイドランダム共重合体は、エチレンオキサイド単位と炭素原子数３〜６のアルキレンオキサイド単位とを含むランダム共重合体であり、
   前記アルキレンオキサイドランダム共重合体の重量平均分子量が２×１０^４以上１２０×１０^４以下である、研磨用組成物。
2. 前記アルキレンオキサイドランダム共重合体に含まれる前記エチレンオキサイド単位のモル数Ｎ_Ｅと前記炭素原子数３〜６のアルキレンオキサイド単位のモル数Ｎ_Ａとの関係が、次式：１＜（Ｎ_Ｅ／Ｎ_Ａ）≦２５；を満たす、請求項１に記載の研磨用組成物。
3. 前記アルキレンオキサイドランダム共重合体の含有量は、前記砥粒１００質量部に対して０．０１質量部以上４０質量以下である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
4. 前記砥粒の平均一次粒子径が１０ｎｍ〜５０ｎｍである、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
5. シリコンウエハの研磨に用いられる、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物を含む研磨液を用意すること；
   前記研磨液を被研磨基板に供給すること；および、
   前記被研磨基板の表面を前記研磨液で研磨すること；
   を包含する、基板製造方法。
7. 前記被研磨基板はシリコンウエハである、請求項６に記載の基板製造方法。