KR20090084723A - 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 31
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
폴리실리콘을 연마하는 용도로 보다 적합하게 사용 가능한 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법을 제공한다.
본 발명의 연마용 조성물은 질소 함유 비이온 계면 활성제 및 지립을 함유하고, pH가 9 내지 12이다. 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량은 20 내지 500ppm인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 포함되는 지립은 콜로이드 실리카인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은 10 내지 90㎚인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 1.0 내지 5.0 질량％인 것이 바람직하다.
연마용 조성물, 질소 함유 비이온 계면 활성제, 지립, 콜로이드 실리카, pH
Description
본 발명은, 폴리실리콘을 연마하는 용도에 있어서 주로 사용되는 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 장치 제조 공정에 있어서, 기판 위에 형성된 폴리실리콘막의 일부를 제거하기 위한 연마가 행해지는 일이 있다. 이러한 연마에서는 폴리실리콘 제거 속도가 큰 것이 바람직한 것은 물론이나, 연마 후의 폴리실리콘막 표면의 평탄성을 저하시키는 디싱을 가능한 한 발생시키지 않는 것도 중요하다. 디싱이란, 제거되지 않아야 될 폴리실리콘막의 부분이 연마 제거됨으로써 연마 후의 폴리실리콘막 표면에 오목부가 발생하는 현상을 말한다. 종래 알려져 있는 연마용 조성물의 대부분은 폴리실리콘 제거 속도 및 디싱에 관한 요구 성능을 충분히 만족하지 못하여 실용적인 것이 아니다.
본 발명에 관련되는 선행 기술 문헌으로서는 이하의 특허 문헌 1, 2를 들 수 있다.
<특허 문헌1> 일본 특허 출원 공개2002-190458호 공보
<특허 문헌2> 일본 특허 출원 공개2005-175498호 공보
따라서, 본 발명의 목적은 폴리실리콘을 연마하는 용도로 보다 적합하게 사용 가능한 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법을 제공하는 것에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에서는 질소 함유 비이온 계면 활성제 및 지립을 함유하고, pH가 9 내지 12인 연마용 조성물이 제공된다. 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량은 20 내지 500ppm인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 포함되는 지립은 콜로이드 실리카인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은 10 내지 90㎚인 것이 바람직하다. 연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 1.0 내지 5.0 질량％인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 형태에서는 상기한 연마용 조성물을 사용하여 폴리실리콘을 연마하는 연마 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 폴리실리콘을 연마하는 용도로 보다 적합하게 사용 가능한 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 질소 함유 비이온 계면 활성제 및 지립을 필요에 따라 pH 조정제와 함께 물에 혼합함으로써 pH가 9 내지 12의 범위 내가 되도록 하여 제조된다. 따라서, 연마용 조성물은 질소 함유 비이온 계면 활성제, 지립 및 물을 함유하고, 필요에 따라 pH 조정제를 더 함유한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은 폴리실리콘을 연마하는 용도에 의한 사용, 더 구체적으로는, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 등의 기판 위에 형성된 폴리실리콘막의 일부를 제거하기 위한 연마에서의 사용을 주로 상정한 것이다.
연마용 조성물 중에 포함되는 상기 질소 함유 비이온 계면 활성제로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌알킬아미노에테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 아미드를 들 수 있다.
연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량은 20ppm 이상인 것이 바람직하다. 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량이 많아짐에 따라 연마용 조성물을 사용하여 연마된 후의 폴리실리콘막 표면의 디싱의 발생은 억제된다. 이 점, 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량이 20ppm 이상이면 연마 후의 폴리실리콘막 표면의 디싱의 발생을 실용상 특히 적합한 레벨로까지 억제할 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량은 500ppm이하인 것이 바람직하다. 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량이 적어짐에 따라 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도는 증대된다. 이 점, 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량이 500ppm 이하이면 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도에 관하여 실용상 특히 적합한 레벨을 얻을 수 있다.
연마용 조성물 중에 포함되는 상기 지립으로서는, 예를 들어 콜로이드 실리카, 흄드 실리카 및 소성 분쇄 실리카를 들 수 있으나, 그 중에서도 콜로이드 실리카가 바람직하다. 콜로이드 실리카를 이용한 경우에는 다른 지립을 사용한 경우에 비해 연마용 조성물을 사용하여 연마된 후의 폴리실리콘막 표면의 디싱의 발생이 크게 억제된다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 0.1 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.3 질량％ 이상, 더 바람직하게는 1.0 질량％ 이상이다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도는 증대된다. 이 점, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량이 0.1 질량％ 이상, 더 자세히는 0.3 질량％ 이상, 더 자세히는 1.0 질량％ 이상이면 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도를 실용상 특히 적합한 레벨로까지 향상시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 15 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 10 질량％ 이하, 더 바람직하게는 5.0 질량％ 이하이다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라 연마용 조성물 중에서의 지립의 분산성은 향상된다. 이 점, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량이 15 질량％ 이하, 더 자세히는 10 질량％ 이하, 더 자세히는 5.0 질량％ 이하이면 연마용 조성물 중에서의 지립의 분산성을 실용상 특히 적합한 레벨로까지 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물 중에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은 3㎚ 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 5㎚ 이상, 더 바람직하게는 10㎚ 이상이다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 커짐에 따라 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도는 증대된다. 이 점, 지립의 평균 1차 입자 직경이 3㎚ 이상, 더 자세히는 5㎚ 이상, 더 자세히는 10㎚ 이상이면 연마용 조성물에 의한 폴리실리콘 제거 속도를 실용상 특히 적합한 레벨로까지 향상시킬 수 있다.
또한, 연마용 조성물 중에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 150㎚ 이하, 더 바람직하게는 90㎚ 이하이다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 작아짐에 따라, 연마용 조성물 중에서의 지립의 분산성은 향상된다. 이 점, 지립의 평균 1차 입자 직경이 200㎚ 이하, 더 자세히는 150㎚ 이하, 더 자세히는 90㎚ 이하이면 연마용 조성물 중에서의 지립의 분산성을 실용상 특히 적합한 레벨로까지 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물 중에 필요에 따라 포함되는 상기 pH 조정제는 특별히 한정되는 것이 아니라, 연마용 조성물의 pH를 9 내지 12 사이의 원하는 값으로 하기 위하여 적절한 양의 어느 한쪽의 알칼리를 사용하는 것도 가능하다. pH 조정제로서 사용 가능한 알칼리의 구체예로서는, 예를 들어 수산화 테트라메틸암모늄, 에틸아민 및 에탄올아민을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따르면 이하의 작용 효과를 얻을 수 있다.
본 실시 형태의 연마용 조성물을 사용하여 폴리실리콘막을 연마한 경우, 높은 폴리실리콘 제거 속도를 얻을 수 있는 동시에, 연마 후의 폴리실리콘막 표면의 디싱의 발생을 강하게 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은 폴리실리콘을 연마하는 용도, 특히 기판 위에 형성된 폴리실리콘막의 일부를 제거하기 위한 연마에 적절하게 사용할 수 있다. 본 실시 형태의 연마용 조성물을 사 용함으로써 상기한 바와 같은 이점을 얻을 수 있는 이유는 상세 불명하나, 연마용 조성물 중에 포함되는 질소 함유 비이온 계면 활성제에 의해 폴리실리콘막 표면이 개질됨으로써 초래되는 것으로 추찰된다.
상기 실시 형태는 다음과 같이 하여 변경되어도 된다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 2종류 이상의 질소 함유 비이온 계면 활성제를 함유해도 된다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 2종류 이상의 지립을 함유해도 된다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 필요에 따라 킬레이트제나 수용성 고분자, 질소 함유 비이온 계면 활성제 이외의 계면 활성제, 방부제, 곰팡이 방지제, 방청제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 연마용 조성물의 원액을 물로 희석함으로써 조제되어도 된다.
다음에, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명을 더 구체적으로 설명한다.
제1 실시예 내지 제23 실시예 및 제1 비교예, 제2 비교예에서는 지립에 pH 조정제 및 물을 첨가하고, 질소 함유 비이온 계면 활성제를 더 첨가하여 연마용 조성물을 조제했다. 제3 비교예 내지 제5 비교예에서는 지립에 pH 조정제 및 물을 첨가하고, 질소 함유 비이온 계면 활성제를 대신하는 화합물을 더 첨가하여 연마용 조성물을 조제했다. 각 예의 연마용 조성물 중의 질소 함유 비이온 계면 활성제 또는 그것을 대신하는 화합물과 지립의 상세, 및 각 예의 연마용 조성물의 pH를 측정한 결과를 표1에 나타낸다. 또한, 각 예에 있어서 사용한 pH 조정제는 수산화 테트라메틸암모늄이다.
표1 중,
A1은 평균 1차 입자 직경이 10㎚인 콜로이드 실리카,
A2는 평균 1차 입자 직경이 30㎚인 콜로이드 실리카,
A3은 평균 1차 입자 직경이 70㎚인 콜로이드 실리카,
A4는 평균 1차 입자 직경이 90㎚인 콜로이드 실리카,
A5는 평균 1차 입자 직경이 130㎚인 콜로이드 실리카,
B1은 하기의 구조식 1로 표현되는 폴리옥시에틸렌알킬아미노에테르(m=5),
B2는 하기의 구조식 2로 표현되는 폴리옥시에틸렌 지방산 아미드(m=5),
B3은 하기의 구조식 3으로 표현되는 평균 분자량 약 120만의 히드록시에틸셀룰로오스(m=2 내지 3),
B4는 하기의 구조식 4로 표현되는 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜(m1+m2=25, n=30),
B5는 하기의 구조식 5로 표현되는 폴리옥시에틸렌알킬에테르(m=10)를 의미한다.
[구조식1]
[구조식2]
[구조식3]
[구조식4]
[구조식5]
표1의 "폴리실리콘 제거 속도"란에는, 각 예의 연마용 조성물을 사용하여 직경 200mm의 폴리실리콘막 블랭킷 웨이퍼의 표면을 표2에 나타내는 조건으로 연마했을 때의 폴리실리콘 제거 속도를 나타낸다. 폴리실리콘 제거 속도의 값은, 다이니폰스크린 제조 주식회사의 광 간섭식 막 두께 측정 장치 "람다에이스 ＶＭ-2030"을 사용하여 측정되는 연마 전후의 각 기판 두께의 차를 연마 시간(60초)으로 나눔으로써 구했다.
표1의 "디싱량"란에는 각 예의 연마용 조성물을 사용하여 직경 200mm의 폴리실리콘막 패턴 웨이퍼의 표면을 표2에 나타내는 조건으로 연마한 후에 측정되는 디싱량(디싱에 의한 움푹 패인 부분의 깊이)을 나타낸다. 폴리실리콘막 패턴 웨이퍼의 연마는 엔드 포인트 시그널이 검출된 후, 엔드 포인트 시그널이 검출될 때까지의 연마 시간의 40％의 시간에 상당하는 시간만큼 더 계속한 후에 종료시켰다.
| 연마기 : 어플라이드마테리얼사 제품 "Mirra" 정반 직경 380㎚ 연마 패드 : 롬 앤드 하스사 제품 "IC-1010 M 그루브" 연마 압력 : 약 14kPa(=2.0psi) 정반 회전수 : 63rpm 헤드 회전수 : 57rpm 연마용 조성물의 공급 속도 : 200㎖/min. 드레싱 : In-Situ(#100 다이아몬드 드레서를 사용) |
표1에 나타낸 바와 같이, 제1 실시예 내지 제23 실시예의 연마용 조성물에 따르면, 폴리실리콘 제거 속도에 관하여 500Å/분 이상이라는 실용에 충분한 레벨의 값을 얻을 수 있고, 디싱량에 관해서도 700Å 이하라는 실용에 충분한 레벨의 값을 얻을 수 있었다. 이에 대해, pH가 9 내지 12의 범위로부터 벗어나는 제1 비교예, 제2 비교예의 연마용 조성물에서는 폴리실리콘 제거 속도에 관하여 500Å/분 미만으로 실용에 충분한 레벨의 값을 얻을 수 없었다. 또한, 질소 함유 비이온 계면 활성제를 함유하지 않는 제3 비교예 내지 제5 비교예의 연마용 조성물에서는 디싱량에 관하여 700Å초과로 실용에 충분한 레벨의 값을 얻을 수 없었다.
Claims (6)
- 질소 함유 비이온 계면 활성제 및 지립을 함유하고, pH가 ９ 내지 12인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
- 제1항에 있어서, 연마용 조성물 중의 상기 질소 함유 비이온 계면 활성제의 함유량은 20 내지 500ppm인 연마용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지립은 콜로이드 실리카인 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립의 평균 1차 입자 직경은 10 내지 90㎚인 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 연마용 조성물 중 상기 지립의 함유량은 1.0 내지 5.0 질량％인 연마용 조성물.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 사용하여 폴리실리콘을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008023227A JP5220428B2 (ja) | 2008-02-01 | 2008-02-01 | 研磨用組成物を用いた研磨方法 |
| JPJP-P-2008-023227 | 2008-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090084723A true KR20090084723A (ko) | 2009-08-05 |
| KR101534858B1 KR101534858B1 (ko) | 2015-07-07 |
Family
ID=40932107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090007205A KR101534858B1 (ko) | 2008-02-01 | 2009-01-30 | 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20090197414A1 (ko) |
| JP (1) | JP5220428B2 (ko) |
| KR (1) | KR101534858B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019124740A1 (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
| WO2019124741A1 (ko) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP2722872A4 (en) * | 2011-06-14 | 2015-04-29 | Fujimi Inc | POLISHING COMPOSITION |
| JP5580441B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2014-08-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US10822524B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-11-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I | Aqueous compositions of low dishing silica particles for polysilicon polishing |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2008
- 2008-02-01 JP JP2008023227A patent/JP5220428B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-30 US US12/363,004 patent/US20090197414A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-30 KR KR1020090007205A patent/KR101534858B1/ko active IP Right Grant
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2013
- 2013-06-21 US US13/923,477 patent/US9434046B2/en active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11384255B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-07-12 | Kctech Co., Ltd. | Polishing slurry composition for STI process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090197414A1 (en) | 2009-08-06 |
| JP2009187985A (ja) | 2009-08-20 |
| JP5220428B2 (ja) | 2013-06-26 |
| KR101534858B1 (ko) | 2015-07-07 |
| US20130288573A1 (en) | 2013-10-31 |
| US9434046B2 (en) | 2016-09-06 |
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