JP2014125628A - 電子材料用研磨液 - Google Patents

Abstract

【課題】
電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の強酸性の研磨液と比較して弱酸性〜アルカリ性領域の研磨液とし、装置腐食が少なく、また続く洗浄工程において、研磨で発生した研磨屑を容易に除去でき、さらに、研磨工程での研磨速度を持続できる電子材料用研磨液、この電子材料用研磨スラリーを用いて電子材料中間体を研磨する研磨方法、及び、この研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、アルカノールアミン及びアルキルアミンからなる群から選ばれる１種以上の有機アミン（Ｄ）及び研磨粒子（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨ４〜１１である電子材料用研磨液である。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子材料用研磨液、およびこの研磨液を用いた電子材料の製造方法に関する。
さらに詳しくは、電子材料製造工程中の研磨工程において、従来と比較して装置腐食の少ない電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法に関する。

電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドと磁気ディスク基板間の距離がますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造での研磨工程直後の洗浄工程で、研磨に使用した研磨粒子や発生した研磨屑等のパーティクルの残留が極力発生しない基板が求められている。また、近年はスクラッチやピット、表面うねり、ダレ等の表面欠陥の低減が求められるようになってきている。

磁気ディスク製造工程は、基板用の板を面取り加工する工程であるラッピング工程と、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート製造工程と、磁性層をこの基板上に形成する工程であるメディア工程とを含む。
これらのうち、ラッピング工程では、基板を粗く面取りするためにダイヤモンド等の砥石を樹脂で固定した研磨パッドと研磨液を用いて、基板の主表面や端面の研磨をおこない、それに続く洗浄工程で基板の主表面や端面の研磨屑を除去した後、乾燥工程を経て、加工された基板はサブストレート製造工程に輸送される。
また、サブストレート製造工程では、基板の平坦化のために研磨パッドと、コロイダルシリカ、酸化セリウム等の研磨粒子を含む研磨液による研磨を行い、それに続く洗浄工程で基板表面の研磨粒子や発生した研磨屑等のパーティクルを除去した後、乾燥工程を経て、加工された基板は所定の容器に梱包されメディア工程に輸送される。
近年の旺盛な需要に対応するために、前述した基板の品質のみならず、生産の効率化が一層求められており、具体的に平坦性を維持しつつ、研磨速度を高めることができる研磨液が強く求められている。従来から、被研磨物に対する高い平坦性と研磨速度の向上を目的にイタコン酸（塩）を含む単量体の（共）重合体を含有する研磨用組成物が提案されている（例えば特許文献１）。
また、研磨後の基板表面のスクラッチ等の欠陥を低減するために、酸と複素環芳香族化合物を含む研磨液組成物が提案されている（例えば特許文献２）

特開２００１−６４６３２号公報 特開２０１０−１８８５１４号公報

しかしながら、特許文献１〜２に代表されるような従来の研磨液では研磨中の表面欠陥やパーティクルの付着等を抑える効果が充分でなく、高容量化を実現するために許容される基板品質に対応できるものではない。また、研磨速度を向上させるために、いずれの研磨スラリーも強酸性であるため、製造工程で使用する研磨装置（ＳＵＳ製）が腐食される。その結果、溶出した鉄イオンが何らかの要因で析出し、スクラッチの発生等基板の品質低下が生じ、満足できるものが得られていない。
そこで、電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の強酸性の研磨液と比較して弱酸性〜アルカリ性領域の研磨液とし、装置腐食が少なく、また続く洗浄工程において、研磨で発生した研磨屑を容易に除去でき、さらに、研磨工程での研磨速度を持続できる電子材料用研磨液、この電子材料用研磨スラリーを用いて電子材料中間体を研磨する研磨方法、及び、この研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、アルカノールアミン及びアルキルアミンからなる群から選ばれる１種以上の有機アミン（Ｄ）及び研磨粒子（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨ４〜１１である電子材料用研磨液；この電子材料用研磨液を用いて電子材料中間体を研磨する研磨方法；この研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。

本発明の電子材料用研磨液は、従来の研磨液と比較して、酸性度が低いため、装置腐食が少なく、かつ装置からの金属イオンの溶出を抑制することができるとともに、研磨後の基板は平坦性に優れる。また、研磨中のパーティクルの付着を低減して、その後に続く洗浄工程において上記パーティクルを基板から除去しやすくする効果を有する。
そのため平坦性に優れ、パーティクルの残留が少ない電子材料を製造することができる。

本発明の電子材料用研磨液は、アルカノールアミン及びアルキルアミンからなる群から選ばれる１種以上の有機アミン（Ｄ）並びに研磨粒子（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨ４〜１１である電子材料用研磨液であることを特徴とする。

本発明における電子材料とは、製造工程中に研磨パッドを用いて研磨する工程を含む工程により製造される電子材料であれば特に限定するものではない。例えば、（１）ハードディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされたハードディスク用アルミ基板等の磁気ディスク用基板、（２）半導体素子又はシリコンウェハ等の半導体基板、（３）ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＡｌＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板、（４）ＬＥＤ用等のサファイヤ基板等が挙げられる。

これらのうち、生産効率向上の観点で好ましくは磁気ディスク用基板であり、具体的にハードディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキされたハードディスク用アルミ基板である。

本発明の必須成分である有機アミン（Ｄ）としては、アルカノールアミン、アルキルアミン等が挙げられる。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、イソプロパノールアミン、アミノエチルエタノールアミン等が挙げられ、アルキルアミンの具体例としては、トリエチルアミン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン等が挙げられる。
これらのうち、好ましくはモノエタノールアミン、イソプロパノールアミンである。

電子材料用研磨液中の有機アミン（Ｄ）は、研磨液の重量に基づいて、０．１〜１０重量％であり、好ましくは０．１〜５重量％である。

本発明の必須成分である研磨粒子（Ｃ）は、電子材料研磨用の市販の研磨粒子が使用でき、特に限定するものではない。研磨粒子（Ｃ）の材質としては、コロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ、酸化ジルコニウム、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化チタン、炭化ケイ素、窒化ホウ素等が挙げられ、スクラッチ低減の効果の観点から、好ましくはコロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ又はダイヤモンドである。

研磨粒子（Ｃ）の平均粒子径は、使用される研磨粒子によって異なり、コロイダルシリカの場合、通常５ｎｍ〜１００ｎｍであり、酸化セリウムの場合、０．１μｍ〜３．０μｍであることが電子材料用基板の生産性の観点で好ましい。

電子材料用研磨液中の研磨粒子（Ｃ）は、研磨液中の重量に基づいて、０．１〜２０重量％であり、好ましくは０．５〜２０重量％である。

本発明における研磨液のｐＨは、通常４〜１１であり、好ましくは４〜１０、更に好ましくは４〜９である。ｐＨがこの範囲であると平坦性に加えて装置腐食性も良好である。

本発明の電子材料用研磨液は、上記の有機アミン（Ｄ）、研磨粒子（Ｃ）以外に中和塩（ＡＢ）、キレート剤（Ｅ）、キレート剤（Ｅ）以外の酸成分（Ｆ）および酸化剤（G）を適宜含んでもよい。

本発明における重量平均分子量が１，０００〜２００，０００である中和塩（ＡＢ）は、酸性化合物であるポリマー（Ａ）と化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ）からなることを特徴とする。中和塩（ＡＢ）は、分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ）を有する酸性化合物であるポリマー（Ａ）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである化合物（Ｂ）との中和塩である。

ポリマー（Ａ）は、分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ）を有し、酸基（Ｘ）は酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである。酸基（Ｘ）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）とは、下記式（１）に示す酸（ＨＸ）の酸解離反応におけるＨＸの生成熱とＸ⁻との生成熱との差を意味する。
ＨＸ→Ｈ^＋＋Ｘ⁻ （１）
なお、酸基（Ｘ）の酸解離反応における生成熱変化は、酸基（Ｘ）が結合しているポリマー鎖を水素原子と仮定した値である。
例えば、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）の場合、Ｈ−ＳＯ_３Ｈとして計算した値；硫酸基（−ＯＳＯ_３Ｈ）の場合、Ｈ−ＯＳＯ_３Ｈとして計算した値；カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）の場合、Ｈ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値；（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）の場合、Ｈ−ＮＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨとして計算した値である。なお、Ｒは水素原子又は炭素数１〜２４のアルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシルなど）を表す。

すなわち、生成熱変化（Ｑ１）は下記式（２）で表される。
Ｑ１＝Δ_ｆＨ^ｏ _ＨＸ−Δ_ｆＨ^ｏ _Ｘ− （２）
［式中、Δ_ｆＨ^ｏ _ＨＸ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｘ−は、それぞれ順に、ＨＸ、Ｘ⁻についての真空中における生成熱を表す。］

ここで、生成熱（Δ_ｆＨ^ｏ）の値は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．２，ｐ．９２３（１９９５）に記載の半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
この生成熱の値は、たとえば、富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて真空中における生成熱（２５℃）として計算できる。すなわち、この生成熱の値は、計算したい分子構造を「Ｗｏｒｋ Ｓｐａｃｅ」上で書き、分子力場法である「ＭＭ２ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で構造最適化した後、半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」で計算することにより得られる。

また、酸基（Ｘ）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、３〜２００であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは１０〜１５０、次に好ましくは１５〜１００、次に好ましくは２０〜８０、特に好ましくは２０〜６５である。

酸基（Ｘ）としては、スルホン酸基（−ＳＯ_３Ｈ）（Ｑ１＝３２ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、硫酸基（−ＯＳＯ_３Ｈ）（Ｑ１＝４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２１ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシメチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝１９ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、カルボキシエチルオキシ基（−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシメチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）（Ｑ１＝２６ｋｃａｌ／ｍｏｌ）、（ジ）カルボキシエチルアミノ基（−ＮＲＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ又は−Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＨ）_２）（Ｑ１＝２０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）などが挙げられる。
これらの酸基のうち、パーティクルの再付着防止性及び工業的に生産しやすい観点等から、スルホン酸基、硫酸基又はカルボキシル基が好ましく、中和塩（ＡＢ）の加水分解の防止の観点等から、さらに好ましくはスルホン酸基又はカルボキシル基である。

酸基（Ｘ）を少なくとも１つ有するポリマー（Ａ）としては、パーティクルの再付着防止性の観点等から、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ−１）、硫酸基を有するポリマー（Ａ−２）又はカルボキシル基を有するポリマー（Ａ−３）が好ましく、さらに好ましくはスルホン酸基を有するポリマー（Ａ−１）又はカルボキシル基を有するポリマー（Ａ−３）である。

スルホン酸基を有するポリマー（Ａ−１）としては、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ−１−１）、分子内にスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）を用いてホルムアルデヒドとの重縮合反応によって得られるポリマー（Ａ−１−２）などが挙げられる。

硫酸基を有するポリマー（Ａ−２）としては、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ−２−１）などが挙げられる。

カルボキシル基を有するポリマー（Ａ−３）としては、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）を用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ−３−１）などが挙げられる。

ポリマー（Ａ）の内で、パーティクル再付着防止性の観点等から、カルボキシル基を有するポリマー（Ａ−３）、スルホン酸基を有するポリマー（Ａ−１）が好ましく、さらに好ましくは（Ａ−３−１）、（Ａ−１−１）又は（Ａ−１−２）である。
本発明に用いるポリマー（Ａ）は、単独で用いても良いが、２種以上の混合物として用いることもできる。

スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）としては、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸（ビニルスルホン酸、（メタ）アリルスルホン酸など）、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸（スチレンスルホン酸、ｐ−ノニルスチレンスルホン酸など）、スルホン酸基含有（メタ）アクリレート｛２−（メタ）アクリロイルオキシエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、４−（メタ）アクリロイルオキシブタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、ｐ−（メタ）アクリロイルオキシメチルベンゼンスルホン酸など｝、スルホン酸基含有（メタ）アクリルアミド｛２−（メタ）アクリロイルアミノエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸、など｝などが挙げられる。
これらの内、重合性及び水中における耐加水分解性の観点等から、炭素数２〜２０の脂肪族不飽和スルホン酸、炭素数６〜２４の芳香族不飽和スルホン酸又はスルホン酸基含有（メタ）アクリルアミドが好ましく、さらに好ましくはビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸又は２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸である。

硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）としては、水酸基含有モノマーの硫酸エステルなどが挙げられる。
これらの内、重合性の観点等から、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステルの硫酸エステルが好ましく、さらに好ましくは２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート又は２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートの硫酸エステルである。

カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）としては、不飽和モノカルボン酸｛（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、アリル酢酸、（イソ）クロトン酸、シンナミック酸及びアクリル酸２−カルボキシエチルなど｝、不飽和ジカルボン酸又は不飽和ジカルボン酸の無水物｛（無水）マレイン酸、フマル酸、（無水）イタコン酸、（無水）シトラコン酸、メサコン酸など｝が挙げられる。
これらの内、重合性及び水中における耐加水分解性の観点等から、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸又は不飽和ジカルボン酸の無水物が好ましく、さらに好ましくは（メタ）アクリル酸、（無水）マレイン酸、フマル酸又は（無水）イタコン酸である。

不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ−１−１）〜（Ａ−３−１）には、スルホン酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−１）、硫酸基を有する不飽和モノマー（ａＸ−２）、カルボキシル基を有する不飽和モノマー（ａＸ−３）以外のラジカル重合性不飽和モノマーを共重合させることができる。

モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−３）は、それぞれ、単独で用いてもよいし、２種以上の混合物として用いてもよい。共重合体の場合は、ランダム共重合体、ブロック共重合体のいずれの構造であってもよい。

ポリマー（Ａ−１−１）の具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、又は、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ−２−１）の具体例としては、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体などが挙げられる。

ポリマー（Ａ−３−１）の具体例としては、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体などが挙げられる。

不飽和モノマーを用いてラジカル重合により得られるポリマー（Ａ−１−１）〜（Ａ−３−１）の合成方法としては、公知のラジカル重合法が利用できる。例えば、モノマー（ａＸ−１）〜（ａＸ−３）と必要によりその他のラジカル重合性不飽和モノマーからなるモノマーを、ラジカル開始剤（過硫酸塩、アゾビスアミジノプロパン塩、アゾビスイソブチルニトリルなど）をモノマーに対して０．１〜３０重量％用い、水又はアルコール系溶剤などの溶媒中で３０〜１５０℃の温度にて重合する。必要であれば、メルカプタンなどの連鎖移動剤を用いてもよい。

ポリマー（Ａ−１−２）を合成する際に用いるスルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）としては、アリールスルホン酸（ベンゼンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸（トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、モノブチルビフェニルスルホン酸など）、多環芳香族スルホン酸（ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸、ヒドロキシナフタレンスルホン酸、ヒドロキシアントラセンスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸｛アルキル（炭素数１〜２４）ナフタレンスルホン酸（メチルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸、イソプロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ラウリルナフタレンスルホン酸、エイコシルナフタレンスルホン酸など）、メチルアントラセンスルホン酸、ラウリルアントラセンスルホン酸、エイコシルアントラセンスルホン酸など｝、フェノールスルホン酸（フェノールスルホン酸、モノブチルフェニルフェノールモノスルホン酸、ジブチルフェニルフェノールジスルホン酸など）、アルキル（炭素数１〜２４）フェノールスルホン酸（クレゾールスルホン酸、ノニルフェノールスルホン酸、エイコシルフェノールスルホン酸など）、芳香族アミノスルホン酸（アニリンスルホン酸など）、リグニンスルホン酸（リグニンスルホン酸塩、変性リグニンスルホン酸など）、トリアジン環を有するスルホン酸基含有化合物（メラミンスルホン酸など）などが挙げられる。
これらの内で再付着防止性の観点等から、アルキル（炭素数１〜２４）アリールスルホン酸、多環芳香族スルホン酸、アルキル（炭素数１〜２４）置換多環芳香族スルホン酸が好ましく、さらに好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンスルホン酸である。

ポリマー（Ａ−１−２）には、スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）以外に、必要によりその他の芳香族化合物（ａＯ）や尿素等を構成成分とすることができる。
その他の芳香族化合物（ａＯ）としては、ベンゼン、アルキルベンゼン（アルキル基の炭素数１〜２０）、ナフタレン、アルキルナフタレン（アルキル基の炭素数１〜２０）、フェノール、クレゾール、ヒドロキシナフタレン、アニリンなどが挙げられる。

ポリマー（Ａ−１−２）の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−メチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ヒドロキシナフタレンスルホン酸−クレゾールスルホン酸−ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物などが挙げられる。

ポリマー（Ａ−１−２）の合成方法としては、公知の方法が利用できる。例えば、上記スルホン酸基を有する芳香族化合物（ａＹ−１）と、必要によりその他の化合物（ａＯ）や尿素、触媒として用いる酸（硫酸など）又はアルカリ（水酸化ナトリウムなど）を反応容器に仕込み、７０〜９０℃の撹拌下で所定量のホルムアルデヒド水溶液（例えば３７重量％水溶液）を１〜４時間かけて滴下し、滴下後、還流下で３〜３０時間撹拌して冷却する方法が挙げられる。
また化合物（ａＹ−１）としては、予め一部又は全部のスルホン酸基を化合物（Ｂ）で中和したものを用いて、ポリマー（Ａ−１−２）を合成すると同時に直接中和塩（ＡＢ）を得てもよい。
その他の化合物（ａＯ）を用いる場合、（ａＹ−１）と（ａＯ）とのモル比｛（ａＹ−１）／（ａＯ）｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。

尿素を用いる場合、（ａＹ−１）と尿素とのモル比｛（ａＹ−１）／尿素｝は、１〜９９／９９〜１が好ましく、さらに好ましくは１０〜９０／９０〜１０、特に好ましくは３０〜８５／７０〜１５、最も好ましくは５０〜８０／５０〜２０である。

また、（ａＹ−１）又は（ａＯ）は２種以上の混合物として用いてもよい。
ポリマー（Ａ）のｐＫａは、８．０以下が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは７．０以下、特に好ましくは５．５以下、最も好ましくは３．０以下である。ｐＫａは、前記の方法により求めることができる。

ポリマー（Ａ）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記。）は、スクラッチ低減等の表面品質向上及び低泡性の観点等から、好ましくは１，０００〜２００，０００である。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記。）によって、ポリエチレンオキサイドを標準物質として４０℃で測定される値である。たとえば、装置本体：東ソー（株）製ＨＬＣ−８１２０、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．２Ｍ無水硫酸ナトリウム、１０％アセトニトリル緩衝液、溶離液流量：０．８ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：１．０重量％の溶離液溶液、注入量：１００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＳＥ−３０、ＳＥ−１５、ＳＥ−８、ＳＥ−５の条件により測定することができる。

次に、中和塩（ＡＢ）を構成する化合物（Ｂ）について説明する。
本発明では、化合物（Ｂ）として、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌであるものを用いる。
本発明において、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）とは、下記式（４）に示す化合物（Ｂ）のプロトン付加反応におけるＢの生成熱とＨ^＋Ｂの生成熱との差を意味する。
Ｂ＋Ｈ^＋→Ｈ^＋Ｂ （４）

すなわち、Ｑ２は下記式（５）で表される。
Ｑ２＝Δ_ｆＨ^ｏ _Ｈ＋Ｂ−Δ_ｆＨ^ｏ _Ｂ （５）
［式中、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｈ＋Ｂ、Δ_ｆＨ^ｏ _Ｂは、それぞれ順に、Ｈ^＋Ｂ、Ｂについての真空中における生成熱を表す。］

生成熱（Δ_ｆＨ^ｏ）の値は、上述したように、半経験的分子軌道法（ＭＯＰＡＣ ＰＭ３法）を用いて計算することができる。
なお、Ｈ^＋Ｂの生成熱を計算する際のＨ^＋を付加させる位置は、化合物（Ｂ）に含まれる窒素原子上である。また窒素原子が複数個存在する場合、各窒素原子ごとに生成熱を計算し、Ｂの生成熱とＨ^＋Ｂの生成熱の差が最小になる時の値を生成熱変化（Ｑ２）とする。

化合物（Ｂ）のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）（ｋｃａｌ／ｍｏｌ、２５℃）は、１０〜１５２であり、ゼータ電位を下げるという観点等から、好ましくは３０〜１４８、さらに好ましくは４０〜１４５、特に好ましくは５０〜１４３、最も好ましくは１００〜１４１である。

化合物（Ｂ）は、上記のプロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌの範囲にあれば制限なく、例えば、分子内に少なくとも１つのグアニジン骨格を有する化合物（Ｂ−１）、分子内に少なくとも１つのアミジン骨格を有する化合物（Ｂ−２）などが含まれる。

化合物（Ｂ）の分子体積（ｎｍ^３）は、０．０２５〜０．７が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは０．０５０〜０．５、特に好ましくは０．１２〜０．３６である。
ここで分子体積とは、分子の等電子密度面でできる空間の体積を指し、分子力場法であるＭＭ２（Ａｌｌｉｎｇｅｒ，Ｎ．Ｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９９，８１２７（１９７７））及び半経験的分子軌道法であるＰＭ３（Ｓｔｅｗａｒｔ，Ｊ．Ｊ．Ｐ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０，２２１（１９８９））を用いて計算した最適化構造から得ることができる。たとえば、上記の富士通株式会社製「ＣＡＣｈｅ Ｗｏｒｋｓｙｓｔｅｍ６．０１」を用いて、同様に構造最適化した後、「Ｐｒｏｊｅｃｔ Ｌｅａｄｅｒ」上で半経験的分子軌道法である「ＰＭ３ ｇｅｏｍｅｔｒｙ」により、計算することができる。なお、計算の結果、分子体積の値が複数個得られた場合については、最大値を用いる。

化合物（Ｂ−１）の具体例としては、グアニジン｛グアニジン（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６２ｎｍ^３）、メチルグアニジン（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８４ｎｍ^３）、テトラメチルグアニジン（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４７ｎｍ^３）、エチルグアニジン（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１０４ｎｍ^３）、フェニルグアニジン（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１３９ｎｍ^３）など｝、単環式グアニジン［２−アミノ−イミダゾール｛２−アミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０８０ｎｍ^３）、２−ジメチルアミノ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１３８ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）など｝］、多環式グアニジン｛１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１５９ｎｍ^３）、１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−１−メチル−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン（以下ＭＴＢＤと略記）（Ｑ２＝１３９ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８０ｎｍ^３）など｝などが挙げられる。

化合物（Ｂ−２）の具体例としては、イミダゾール｛１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．０６７ｎｍ^３）、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４４ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１３ｎｍ^３）、２−エチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール（Ｑ２＝１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１１９ｎｍ^３）など｝、下記一般式（６）で表される２環式アミジンなどが挙げられる。

［式中、Ｒ^７及びＲ^８は、互いに独立した水素原子、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数２〜２４のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は、炭素数７〜３０のアリールアルキル基を表し、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はアリールアルキル基中の水素原子の一部又は全部が水酸基、アミノ基、（ジ）アルキル（炭素数１〜２４）アミノ基、（ジ）ヒドロキシアルキル（炭素数２〜４）アミノ基、メルカプト基又はハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）によってさらに置換されていてもよい。また２つのＲ^７及び２つのＲ^８は、同一であってもよいし異なっていてもよく、互いに結合（炭素−炭素結合、エーテル結合等）して炭素数４〜１２の環を形成してもよい。ｍ及びｎは互いに独立して１〜１２の整数を表す。］

炭素数１〜２４のアルキル基又は炭素数２〜２４のアルケニル基としては、疎水基（Ｙ）で例示したアルキル基又はアルケニル基の内、炭素数１〜２４のものが挙げられる。
炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖状及び分岐状のいずれでもよく、エチニル、１−プロピニル、２−プロピニル、１−又は２−ドデシニル、１−又は２−トリデシニル、１−又は２−テトラデシニル、１−又は２−ヘキサデシニル、１−又は２−ステアリニル、１−又は２−ノナデシニル、１−又は２−エイコシニル、１−又は２−テトラコシニルなどが挙げられる。

炭素数６〜３０のアリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル又はメチルナフチルなどが挙げられる。
炭素数７〜３０のアリールアルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル、ナフチルエチルなどが挙げられる。

２つのＲ^７又は２つのＲ^８が互いに結合して炭素数４〜１２の環を形成する場合、２つのＲ^７又は２つのＲ^８は、２価の有機基（炭素数４〜１２のアルキレン基等）を形成する。
炭素数４〜１２のアルキレン基としては、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、デシレン、ドデシレンなどが挙げられ、これらのアルキレン基はエーテル結合等で結合されていてもよい。

一般式（６）で表される化合物の具体例としては、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（以下ＤＢＵと略記。なお、ＤＢＵはサンアプロ社の登録商標である。）（Ｑ２＝１３７ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１８５ｎｍ^３）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（以下ＤＢＮと略記）（Ｑ２＝１４１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１４６ｎｍ^３）、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］デセン−７（Ｑ２＝１４２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１６６ｎｍ^３）、１，４−ジアザビシクロ［３．３．０］オクテン−４（Ｑ２＝１４６ｋｃａｌ／ｍｏｌ、分子体積＝０．１２６ｎｍ^３）などが挙げられる。

化合物（Ｂ）として好ましいものは、ゼータ電位の観点等から、（Ｂ−１）の内、グアニジン、メチルグアニジン、エチルグアニジン、（Ｂ−２）の内、ＤＢＵ、ＤＢＮであり、さらに好ましくはＤＢＵ又はＤＢＮである。
化合物（Ｂ）は、単独で用いてもよく、２種以上の混合物として用いてもよい。

また化合物（Ｂ）のｐＫａは、１１〜４０が好ましく、ゼータ電位を下げるという観点等から、さらに好ましくは１１．５〜３０、特に好ましくは１２〜２５である。
なお、化合物（Ｂ）のｐＫａは、公知の方法｛例えば、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．６５，６２６（１９８７）｝等により得られる。

本発明において、ポリマー（Ａ）と化合物（Ｂ）との中和塩（ＡＢ）は、酸基（Ｘ）の一部又は全部が（Ｂ）で中和されていればよい。

中和塩（ＡＢ）の具体例としては、以下の化合物等が含まれる。
ポリアクリル酸塩（ポリアクリル酸ＤＢＵ塩、ポリアクリル酸ＤＢＮ塩など）、ポリスチレンスルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸グアニジン塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＵ塩、ポリスチレンスルホン酸ＤＢＮ塩など）、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）、アルキルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩（メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＴＢＤ塩、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＭＴＢＤ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、オクチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）、ナフタレンスルホン酸−アルキルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物の塩（ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物グアニジン塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩、ナフタレンスルホン酸−オクチルナフタレン−ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＮ塩など）等が挙げられる。（ＡＢ１）及び（ＡＢ２）は、単独又は２種以上の混合物であってもよい。

中和塩（ＡＢ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、スクラッチ低減等の表面品質向上及び低泡性の観点等から、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、さらに好ましくは１，０００〜２００，０００、特に好ましくは３，０００〜１００，０００である。なお、中和塩（ＡＢ）のＭｗは、ポリマー（Ａ）と同様にＧＰＣにより得られる値である。

中和塩（ＡＢ）は、ポリマー（Ａ）と窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との中和反応により得ることができる。例えば、温調、撹拌が可能な反応容器に（Ａ）の水溶液を仕込み、撹拌しながら室温（約２５℃）で（Ｂ）（必要により水溶液）を投入して均一混合することができる。また、例えば、予め水を仕込んだ反応容器に、撹拌しながら（Ａ）並びに（Ｂ）を同時又は別々に投入して均一混合することにより得ることができる。中和反応時の濃度は、目的により適宜選択することができる。

本発明の電子材料用研磨液は、中和塩（ＡＢ）の酸基（Ｘ）の解離度が大きいため、パーティクル及び基板のゼータ電位を効果的に下げることができ、パーティクルの再付着を防止することができる。

電子材料用研磨液中の中和塩（ＡＢ）の濃度は、研磨液の重量に基づいて０．０１〜５．０重量％であり、好ましくは０．１〜２．０重量％である。

本発明におけるキレート剤（Ｅ）としては、有機キレート剤であって、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ１）、ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ２）及びその他のキレート剤（Ｅ３）が挙げられる。
カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ１）としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｅ１１）と水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｅ１２）がある。ヒドロキシカルボン酸及び／又はその塩（Ｅ１１）としては、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）、酒石酸モノサクシネート等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び／又はその塩（Ｅ１２）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、１，２−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸（ＤＣＴＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸ジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）、マロン酸（塩）、コハク酸（塩）、グルタル酸（塩）、アジピン酸（塩）等が挙げられる。

ホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）（ＨＥＤＰ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（塩）（ＮＴＭＰ）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ピロリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等

その他のキレート剤（Ｅ３）としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，２−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，３−プロパンジアミン及びＮ，Ｎ’−ビス（サリチリデン）−１，４−ブタンジアミン等が挙げられる。

キレート剤（Ｅ）が塩を形成する場合、その塩としては、特に限定は無い。
例えば、上記に例示した酸の１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩；２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩；３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等｝塩；アミジン｛１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−イミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩、アルカリ金属（ナトリウムカチオン及びカリウムカチオン等）塩、アンモニウム塩及び第４級アンモニウム（テトラアルキルアンモニウム等）塩が挙げられる。
また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

キレート剤（Ｅ）のうちで、設備由来の金属イオンの析出防止の観点から好ましいのは、カルボキシル基及び／又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ１）及びホスホン酸（塩）基又はリン酸（塩）基を分子内に含有するキレート剤（Ｅ２）であり、更に好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、ピロリン酸及びこれらの塩である。特に好ましいのは、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）、ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）及びこれらの塩である。

本発明において、使用時の研磨液中のキレート剤（Ｅ）の含有量は研磨液の重量に基づき、鉄イオンの析出防止の観点で０．０１〜１０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１〜２重量％である。

また、中和塩（ＡＢ）とキレート剤（Ｅ）の重量比［（Ｅ）／（ＡＢ）］は、パーティクルの付着低減の観点で０．０１〜１００が好ましい。

本発明において酸成分（Ｆ）は、前述したキレート剤（Ｅ）以外の酸であり、金属イオンとのキレート錯体を形成しない酸を表す。例えば、無機酸（硫酸、塩酸、リン酸、硝酸等）および有機酸（スルファミン酸等）が挙げられ、酸成分（Ｆ）の含有量に制限はない。

本発明において酸化剤（G）は、例えば過酸化物、硝酸塩等が挙げられ、過酸化物を用いることがより好ましい。過酸化物としては過酸化水素、過ホウ素酸塩、過硫酸塩等が挙げられ、過酸化水素を用いることが特に好ましい。酸化剤（G）の含有量に制限はない。

本発明において、上記中和塩（ＡＢ）以外の界面活性剤（高級アルコールエチレンオキサイド付加物、脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物等の非イオン性界面活性剤、アルキル硫酸エステルＮａ等のアニオン性界面活性剤）、還元剤（アスコルビン酸、没食子酸等の有機還元剤、亜硝酸カリウム等の無機還元剤）、防腐剤、安定化剤（パラトルエンスルホン酸塩、安息香酸塩等）、防錆剤（ベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール等）を適宜含んでもよい。

本発明の電子材料用研磨液で使用される水は、清浄度の観点から電気抵抗率が１８ＭΩ・ｃｍ以上の純水が好ましく、超純水、イオン交換水、逆浸透水（ＲＯ水）、蒸留水などが挙げられる。

本発明の研磨方法は、電子材料の製造工程において、本発明の電子材料用研磨液を用いて電子材料中間体を研磨する研磨方法である。

研磨装置は市販の研磨装置が使用でき、卓上サイズ（４Ｂ型等）であっても実生産サイズ（１６Ｂ型〜２２Ｂ型等）等を限定するものではない。また、研磨面は片面であっても両面であってもよい。

研磨条件は、通常の基板を研磨する条件（荷重、回転数等）が使用でき、特に限定するものではない。

本発明の電子材料の製造方法は、前述した研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。

電子材料中間体とは、電子材料になる前の状態の被研磨物のことを指し、例えばハードディスク用ガラス基板の場合、ラッピングされる前のガラス基板や、酸化セリウム等で粗研磨される前のガラス基板や、コロイダルシリカ等で精密研磨される前のガラス基板等のことを指し、研磨加工前の電子材料は全て電子材料中間体に含まれる。

本発明における研磨工程とは、材料を砥石や研磨粒子を用いて平坦に加工する工程のことを指し、例えば砥石が固定された研磨パッドを用いて粗く面取りするラッピング工程や、研磨粒子を用いて精密に平坦化する研磨工程を含む。

研磨パッドとは、ポリウレタン樹脂製やポリエステル樹脂製のパッドであり、表面にダイヤモンド等の砥石が固定されているパッドを含む。また、発泡タイプであってもスエードタイプであっても良く、様々な硬さのものが使用できる。これら研磨パッドは特に限定するものではなく、市販されている研磨パッドを使用することができる。研磨テープも研磨パッドと同様である。

本発明の研磨液を用いた電子材料の製造工程（一部）の一例として、ハードディスクガラス基板の研磨工程を例にとり、以下に述べる。
（１）ガラス基板を研磨装置のキャリアにセットし、ポリウレタン製の研磨パッドが貼られた定盤でガラス基板を挟む。
（２）酸化セリウムを含む本発明の研磨液を供給しながら荷重をかけ、定盤及びキャリアを回転させる。
（３）一定膜厚が研磨できたことを確認し、回転を止める。
（４）ガラス基板を流水リンスし、キャリアから取り出し、洗浄剤で浸漬洗浄もしくはスクラブ洗浄する。
（５）流水リンスしたガラス基板を研磨装置のキャリアにセットし、コロイダルシリカを含む本発明の研磨液を用いて上記と同様に研磨する。
（６）研磨後の基板を流水リンス、洗浄し、再び流水リンスする。
（７）乾燥、梱包する。

以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。

製造例１ （ポリアクリル酸ＤＢＵ塩の製造）
温調及び撹拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部及び超純水１００部を仕込み、反応容器内を窒素で置換後、７５℃に昇温した。３０ｒｐｍで撹拌下、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけてそれぞれ同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ４５０部でｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、ポリアクリル酸ＤＢＵ塩（ＡＢ−１）の４０％水溶液を得た。なお、ポリアクリル酸ＤＢＵ塩のＭｗは１０，０００であった。

製造例２ （ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩の製造）
撹拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８部を３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物ＤＢＵ塩（ＡＢ−２）の４０％水溶液を得た。尚、（ＡＢ−２）のＤＢＵ塩のＭｗは、５，０００であった。

比較製造例１ （イタコン酸重合体アンモニウム塩の製造）
２０％濃度のイタコン酸水溶液５００ｇ、３５％過酸化水素水９ｇを溶解したものを、水１０００ｇを仕込んだ内容積２リットルの容器中に、還流下で撹拌しながら１０時間かけて均等に滴下した。滴下終了後、２時間還流下で保ったのち、アンモニア水溶液で中和してイタコン酸重合体のアンモニウム塩を得た。イタコン酸重合体アンモニウム塩のＭｗは、５，０００であった。

比較製造例２ （ポリアクリル酸Ｎａ塩の製造）
温調及び撹拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部及び超純水１００部を仕込み、反応容器内を窒素で置換後、７５℃に昇温した。３０ｒｐｍで撹拌下、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけてそれぞれ同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液を水酸化ナトリウム７０部でｐＨが７．０になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、ポリアクリル酸Ｎａ塩（ＡＢ’−１）の４０％水溶液を得た。なお、ポリアクリル酸Ｎａ塩のＭｗは１０，０００であった。

実施例１〜２０、及び、比較例１〜８
表１〜２に記載の組成で、合計１００部となるように、各成分を配合し、２５℃、マグネチックスターラーで４０ｒｐｍ、２０分間撹拌して、本発明の研磨液及び比較のための研磨液を得た。なお、表中の研磨粒子は以下のものを使用した。
コロイダルシリカスラリー：株式会社フジミインコーポレーテッド製「ＣＯＭＰＯＬ８０」（平均粒径８０ｎｍ、有効成分濃度４０重量％）
また、表中、ＨＥＤＰは１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸を表し、試薬を用いた。

研磨液の性能評価として、研磨速度持続性能、設備腐食防止性能、パーティクル付着低減性能の評価試験は下記の方法で行った。なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。

［評価１ コロイダルシリカを配合した研磨液でガラス基板を研磨する場合］
＜研磨速度持続性能の評価＞
（１）重量を測定した２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板及びポリウレタン樹脂製の研磨パッド（フジボウ株式会社製、「Ｈ９９００Ｓ」）を研磨装置（株式会社ナノファクター製、「ＦＡＣＴ−２００」）にセットした。
（２）回転数を３０ｒｐｍ、揺動回数を６０回／分、押し付け圧を５０ｇ重／ｃｍ^２に設定し、実施例１〜１０、比較例１〜４の試験液を１ｍＬ／秒の速度で基板に注ぎながら３０分間研磨した。
（３）上記の研磨したガラス基板を研磨装置から取り出し、１分間流水ですすいでリンスした後、窒素ブローで乾燥させ、重量測定を行った。

（１）〜（３）を１０回繰り返し、１回目と１０回目の重量変化量を比較することで、下記の判断基準に従い、研磨速度持続性能の評価を判定した。（１０回目の重量変化量／１回目の重量変化量×１００）
結果を表１に示す。
５：８０％以上
４：６０％以上８０％未満
３：４０％以上６０％未満
２：２０％以上４０％未満
１：２０％未満

＜基板の平坦性評価＞
前述した研磨速度の持続性評価において、（３）の窒素ブローで乾燥させたガラス基板を原子間力顕微鏡（エスアイアイナノテクノロジー製、Ｅ−ＳＷＥＥＰ）で表面粗さを測定した。

平坦性評価は、表面粗さＲａを５点測定し、最大の表面粗さＲａ_ＭＡＸと最小の表面粗さＲａ_ＭＩＮの差を比較することで、下記の基準に従い判定した。
結果を表１に示す。
○：Ｒａ_ＭＡＸとＲａ_ＭＩＮの差が０．３Å未満
×：Ｒａ_ＭＡＸとＲａ_ＭＩＮの差が０．３Å以上

＜設備腐食防止の評価＞
実施例１〜１０、比較例１〜４の研磨液１００ｇを密栓可能なポリ容器に入れ、その中にあらかじめ計量したＳＵＳの試験片（ＳＵＳ３０４）３片を浸漬した。密栓した後、４０℃の恒温槽にて７２時間放置した。放置後、試験片を取り出し、イオン交換水で洗浄した。洗浄した試験片を乾燥した後、計量し、放置前後の重量変化を算出した。３片の試験片の重量変化の平均値を装置腐食性試験における重量変化とする。重量変化が起きない研磨液は腐食防止性に優れることを意味し、以下の判断基準に従い装置腐食性を評価した。
○：放置前後で重量変化なし
×：放置前後で減量する

＜パーティクル付着低減性能の評価＞
（１）２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板及びポリウレタン製の研磨パッド（フジボウ株式会社製、「Ｈ９９００Ｓ」）を研磨装置（株式会社ナノファクター製、「ＦＡＣＴ−２００」）にセットした。
（２）回転数を３０ｒｐｍ、揺動回数を６０回／分、押し付け圧を５０ｇ重／ｃｍ^２に設定し、実施例１〜１０、比較例１〜４の試験液を１ｍＬ／秒の速度で基板に注ぎながら５分間研磨した。
（３）上記の研磨したガラス基板を研磨装置から取り出し、１分間流水ですすいでリンスした後、研磨装置から基板を取り外して窒素ブローで乾燥させ、評価用基板を作成した。
（４）光を評価用基板に当て、発生する微弱な散乱光を集光、増幅させることで表面の微細なパーティクルを強調し、検査することができる表面検査装置（ビジョンサイテック社製、「ＭｉｃｒｏＭａｘ ＶＭＸ−６１００ＳＫ」）を使って、評価用基板表面を任意に５箇所（１０ｍｍ×１０ｍｍ角）選んでその範囲内のパーティクル数を数え、５箇所の平均値を算出した。なお、比較例１（ブランク）の基板上パーティクル数は１８００個であった。

それぞれの基板上のパーティクル数を比較例１の基板上パーティクル数と比較し、下記の判断基準に従い、研磨工程でのパーティクルの付着を低減する効果を評価し、判定した。結果を表１に示す。
５：ブランク（１８００個）の２０％未満
４：２０％以上４０％未満
３：４０％以上６０％未満
２：６０％以上８０％未満
１：８０％以上

［評価２ コロイダルシリカを配合した研磨液でニッケルリンめっきしたアルミ基板を研磨する場合］
＜研磨速度持続性能の評価＞
（１）重量を測定した３．５インチの磁気ディスク用ニッケルリンめっきされたアルミ基板及びポリウレタン樹脂製の研磨パッド（フジボウ株式会社製、「Ｈ９９００Ｓ」）を研磨装置（株式会社ナノファクター製、「ＦＡＣＴ−２００」）にセットした。
（２）回転数を３０ｒｐｍ、揺動回数を６０回／分、押し付け圧を５０ｇ重／ｃｍ^２に設定し、実施例１１〜２０、比較例５〜８の試験液を１ｍＬ／秒の速度で基板に注ぎながら３０分間研磨した。
（３）上記の研磨したアルミ基板を研磨装置から取り出し、１分間流水ですすいでリンスした後、窒素ブローで乾燥させ、重量測定を行った。

（１）〜（３）を１０回繰り返し、１回目と１０回目の重量変化量を比較することで、下記の判断基準に従い、研磨速度持続性能の評価を判定した。（１０回目の重量変化量／１回目の重量変化量×１００）
結果を表２に示す。
５：８０％以上
４：６０％以上８０％未満
３：４０％以上６０％未満
２：２０％以上４０％未満
１：２０％未満

＜基板の平坦性評価＞
前述した研磨速度の持続性評価において、（３）の窒素ブローで乾燥させたガラス基板を原子間力顕微鏡（エスアイアイナノテクノロジー製、Ｅ−ＳＷＥＥＰ）で表面粗さを測定した。

平坦性評価は、表面粗さＲａを５点測定し、最大の表面粗さＲａ_ＭＡＸと最小の表面粗さＲａ_ＭＩＮの差を比較することで、下記の基準に従い判定した。
結果を表２に示す。
○：Ｒａ_ＭＡＸとＲａ_ＭＩＮの差が０．３Å未満
×：Ｒａ_ＭＡＸとＲａ_ＭＩＮの差が０．３Å以上

＜設備腐食防止の評価＞
実施例１１〜２０、比較例５〜８の研磨液１００ｇを密栓可能なポリ容器に入れ、その中にあらかじめ計量したＳＵＳの試験片（ＳＵＳ３０４）３片を浸漬した。密栓した後、４０℃の恒温槽にて７２時間放置した。放置後、試験片を取り出し、イオン交換水で洗浄した。洗浄した試験片を乾燥した後、計量し、放置前後の重量変化を算出した。３片の試験片の重量変化の平均値を装置腐食性試験における重量変化とする。重量変化が起きない研磨液は腐食防止性に優れることを意味し、以下の判断基準に従い装置腐食性を評価した。
○：放置前後で重量変化なし
×：放置前後で減量する

＜パーティクル付着低減性能の評価＞
（１）３．５インチの磁気ディスク用ニッケルリンめっきされたアルミ基板及びポリウレタン製の研磨パッド（フジボウ株式会社製、「Ｈ９９００Ｓ」）を研磨装置（株式会社ナノファクター製、「ＦＡＣＴ−２００」）にセットした。
（２）回転数を３０ｒｐｍ、揺動回数を６０回／分、押し付け圧を５０ｇ重／ｃｍ^２に設定し、実施例１１〜２０、比較例５〜８の試験液を１ｍＬ／秒の速度で基板に注ぎながら５分間研磨した。
（３）上記の研磨したアルミ基板を研磨装置から取り出し、１分間流水ですすいでリンスした後、研磨装置から基板を取り外して窒素ブローで乾燥させ、評価用基板を作成した。
（４）光を評価用基板に当て、発生する微弱な散乱光を集光、増幅させることで表面の微細なパーティクルを強調し、検査することができる表面検査装置（ビジョンサイテック社製、「ＭｉｃｒｏＭａｘ ＶＭＸ−６１００ＳＫ」）を使って、評価用基板表面を任意に５箇所（１０ｍｍ×１０ｍｍ角）選んでその範囲内のパーティクル数を数え、５箇所の平均値を算出した。なお、比較例１（ブランク）の基板上パーティクル数は１２００個であった。

それぞれの基板上のパーティクル数を比較例４の基板上パーティクル数と比較し、下記の判断基準に従い、研磨工程でのパーティクルの付着を低減する効果を評価し、判定した。結果を表２に示す。
５：ブランク（１２００個）の２０％未満
４：２０％以上４０％未満
３：４０％以上６０％未満
２：６０％以上８０％未満
１：８０％以上

本発明の電子材料用研磨液は、研磨工程中の表面欠陥を低減する効果に優れ、また、研磨でのパーティクル付着低減効果にも優れている。また、設備腐食が少ないため、製造工程に研磨工程を含む電子材料用研磨液、例えば磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板、半導体用シリコン基板、ＬＥＤ用サファイヤ基板製造用の研磨液として有用である。
また、本発明の研磨液を用いて研磨する工程を含む電子材料の製造方法は、研磨中の表面欠陥が非常に少なく、また、研磨でのパーティクル付着が少ない製造方法であるので、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク用Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミ基板、半導体用シリコン基板、ＬＥＤ用サファイヤ基板等の製造方法として利用できる。

Claims (10)

1. アルカノールアミン及びアルキルアミンからなる群から選ばれる１種以上の有機アミン（Ｄ）及び研磨粒子（Ｃ）を必須成分として含有するｐＨ４〜１１である電子材料用研磨液。
2. 有機アミンがアルカノールアミンである請求項１記載の電子材料用研磨液。
3. 有機アミンがモノエタノールアミン及び／又はイソプロパノールアミンである請求項１又は２に記載の電子材料用研磨液。
4. 研磨粒子（Ｃ）がコロイダルシリカ、酸化セリウム、アルミナ及びダイヤモンドからなる群から選ばれる１種以上である請求項１〜３のいずれかに記載の電子材料用研磨液。
5. さらに重量平均分子量が１，０００〜２００，０００である中和塩（ＡＢ）を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の電子材料用研磨液。
   中和塩（ＡＢ）：分子内に少なくとも１つの酸基（Ｘ）を有する酸性化合物（Ａ）と、プロトン付加反応における生成熱変化（Ｑ２）が１０〜１５２ｋｃａｌ／ｍｏｌである窒素含有塩基性化合物（Ｂ）との塩であって、前記酸基（Ｘ）の酸解離反応における生成熱変化（Ｑ１）が３〜２００ｋｃａｌ／ｍｏｌである中和塩。
6. 中和塩（ＡＢ）がポリアクリル酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩及びナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩からなる群から選ばれる少なくとも１種の中和塩（ＡＢ２）である請求項５記載の電子材料用研磨液。
7. 窒素含有塩基性化合物（Ｂ）が１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７である請求項５又は６に記載の電子材料用研磨液。
8. 電子材料がハードディスク用ガラス基板または表面がニッケル−リンメッキされたハードディスク用アルミ基板である請求項１〜７のいずれかに記載の電子材料用研磨液。
9. 電子材料の製造工程において、請求項１〜８のいずれかに記載の電子材料用研磨液を用いて電子材料中間体を研磨する研磨方法。
10. 製造工程中に研磨工程を含む電子材料の製造方法であって、請求項９に記載の研磨方法で電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法。