JP2011187714A - 切削物用洗浄剤組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 63
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 24
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 21
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- -1 alkali metal salts Chemical class 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 6
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100039339 Atrial natriuretic peptide receptor 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710102163 Atrial natriuretic peptide receptor 1 Proteins 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N D-arabinitol Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 description 1
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 description 1
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N galactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000007903 penetration ability Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M potassium;2-oxo-3-(3-oxo-1-phenylbutyl)chromen-4-olate Chemical compound [K+].[O-]C=1C2=CC=CC=C2OC(=O)C=1C(CC(=O)C)C1=CC=CC=C1 WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 description 1
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 description 1
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 239000002349 well water Substances 0.000 description 1
- 235000020681 well water Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
【課題】シリコンウェハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、洗浄後の洗浄対象物表面の金属残留物を低減し、また、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部及び(b)糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸及びその塩、ポリカルボン酸及びその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤(キレート剤)、0.005〜1重量部および(c)水((a)と(b)の合計量100重量部中残部)からなるものとする;
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式(1)で表される(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部及び(b)糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸及びその塩、ポリカルボン酸及びその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤(キレート剤)、0.005〜1重量部および(c)水((a)と(b)の合計量100重量部中残部)からなるものとする;
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
【選択図】なし
Description
本発明は、切削物用洗浄剤組成物に関し、詳しくはシリコン、ガラス等のウェハ又は板状物をインゴット又は柱状物からスライス(切削)して製造する工程で必要とされる洗浄剤組成物に関するものである。
例えば太陽光発電装置(太陽電池)等で用いられるシリコンウェハは、インゴットと呼ばれる珪素の単結晶の塊を砥粒の配合された油性もしくは水性の切削液で切削・研磨され製造される。上記切削工程後、シリコン表面上に切削液中の砥粒や切削液の水性成分または油性成分等が残り、次工程での障害となるため、これらを除去する洗浄工程が必要となる。
上記シリコンウェハ製造工程ではシリコンインゴットをワイヤーソー方式と呼ばれる方法で切断している。本方式は、インゴットをスライスベースと呼ばれる固定台に接着剤を用いて固定し、180μm程度のワイヤーに平均粒径20μm程度の炭化珪素等の微粒子(砥粒)を高粘度の切削液によって絡ませて、それをインゴットにこすりつけることによって切断するものである。切断したインゴットの切りしろは約200μmと非常に狭く、また、その隙間には、切削液、砥粒、切削粉が詰まった状態であるため、極めて洗浄の困難な状態となっている。
また、上記シリコンウェハは太陽電池に使用された場合、シリコンウェハの清浄性が太陽電池のエネルギー変換効率に著しく影響を与えることが知られている。すなわちシリコンウェハ上に残留した鉄、銅などの金属成分が多い場合に太陽電池の性能不良を引き起こすため、シリコンウェハの洗浄においては、上記、切削液、砥粒、切削粉が目視レベルで除去できているだけでなく、表面の残留金属分も可能な限り低減する必要がある。
そのような切削物の洗浄には、炭化水素系溶剤、あるいはグリコールエーテル系溶剤、あるいは無機アルカリ剤とエーテル型非イオン界面活性剤を含有した水系洗浄剤などが使用されてきた。
上記シリコンウェハ製造工程ではシリコンインゴットをワイヤーソー方式と呼ばれる方法で切断している。本方式は、インゴットをスライスベースと呼ばれる固定台に接着剤を用いて固定し、180μm程度のワイヤーに平均粒径20μm程度の炭化珪素等の微粒子(砥粒)を高粘度の切削液によって絡ませて、それをインゴットにこすりつけることによって切断するものである。切断したインゴットの切りしろは約200μmと非常に狭く、また、その隙間には、切削液、砥粒、切削粉が詰まった状態であるため、極めて洗浄の困難な状態となっている。
また、上記シリコンウェハは太陽電池に使用された場合、シリコンウェハの清浄性が太陽電池のエネルギー変換効率に著しく影響を与えることが知られている。すなわちシリコンウェハ上に残留した鉄、銅などの金属成分が多い場合に太陽電池の性能不良を引き起こすため、シリコンウェハの洗浄においては、上記、切削液、砥粒、切削粉が目視レベルで除去できているだけでなく、表面の残留金属分も可能な限り低減する必要がある。
そのような切削物の洗浄には、炭化水素系溶剤、あるいはグリコールエーテル系溶剤、あるいは無機アルカリ剤とエーテル型非イオン界面活性剤を含有した水系洗浄剤などが使用されてきた。
例えば、下記特許文献1では、炭化水素系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、非イオン界面活性剤、水を含有した洗浄剤組成物が提案され、特許文献2では、特定のグリコールエーテル系溶剤、界面活性剤、水を含有した洗浄剤組成物が提案され、また、特許文献3では、非イオン界面活性剤を含有する無機アルカリ系洗浄剤が提案されている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の炭化水素系溶剤を含有した洗浄剤は、水分が蒸発すると引火性を持つことや、すすぎ後水はじきによりシミ状の残存物が残るという問題点がある。特許文献2に記載のグリコールエーテル系溶剤を含有している洗浄剤は、使用時に水とともにグリコールエーテル系溶剤が揮発するため、洗浄剤の濃度管理が難しい、作業者や環境への負荷が懸念される等の問題があり、アルカリを含有していないという点から、十分な洗浄力が得られないという問題もある。また、特許文献3に記載の洗浄剤は、無機アルカリと非イオン界面活性剤の性能により、本発明で対象になる切削物の洗浄において比較的良好な結果を示すものの、アルカリという性質上、エッチングによる表面への影響、使用環境における安全性に対する懸念は避けられない。また、洗浄効果を高めるために金属イオン封鎖剤を使用する場合が多いが、除去対象汚れが非常に狭い隙間に存在する場合に洗浄効果を阻害する場合があり、十分とはいえないものであった。
しかしながら、上記特許文献1に記載の炭化水素系溶剤を含有した洗浄剤は、水分が蒸発すると引火性を持つことや、すすぎ後水はじきによりシミ状の残存物が残るという問題点がある。特許文献2に記載のグリコールエーテル系溶剤を含有している洗浄剤は、使用時に水とともにグリコールエーテル系溶剤が揮発するため、洗浄剤の濃度管理が難しい、作業者や環境への負荷が懸念される等の問題があり、アルカリを含有していないという点から、十分な洗浄力が得られないという問題もある。また、特許文献3に記載の洗浄剤は、無機アルカリと非イオン界面活性剤の性能により、本発明で対象になる切削物の洗浄において比較的良好な結果を示すものの、アルカリという性質上、エッチングによる表面への影響、使用環境における安全性に対する懸念は避けられない。また、洗浄効果を高めるために金属イオン封鎖剤を使用する場合が多いが、除去対象汚れが非常に狭い隙間に存在する場合に洗浄効果を阻害する場合があり、十分とはいえないものであった。
本発明は、以上のような問題点を解決すべくなされたものであり、洗浄性に優れ、上記のようにシリコンウェハのような非常に狭い隙間の汚れを効果的に洗浄可能で、かつ洗浄後の洗浄対象物表面の残留金属成分を低減することが可能となる切削物用の中性洗浄剤組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、エーテル型非イオン界面活性剤と水とを特定の比率で組み合わせ、かつ特定の金属イオン封鎖剤(キレート剤)を含有することによって、非イオン界面活性剤の非常に狭い隙間への浸透力を阻害することなく、対象汚れを効果的に除去し、かつ洗浄後の洗浄対象物表面における残留金属分を低減する中性洗浄剤組成物を発明するに至った。
すなわち、本発明の切削物用洗浄剤組成物は、
(a)下記一般式(1)で表されるエーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部
R-O-(AO)n-H ・・・(1)
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
(b)糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸若しくはその塩、及びポリカルボン酸若しくはその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤0.005〜1重量部
(c)水 成分(a)と(b)の合計量100重量部中の残部
とからなるものとする。
上記において、(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8〜24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤を含有することが望ましい。
R1-CH(R2)-CH2O(AO)nH・・・(2)
但し、式(2)中、R1は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
本発明の切削物用洗浄剤組成物は、素材がシリコン、水晶、石英、ガラス、又はセラミックのいずれかであり、かつ砥粒及び/または潤滑成分が付着している洗浄対象物に好適に使用することができる。
なお、本発明において「切削物」とは、インゴット又は柱状物からスライスして製造されるウェハ又は板状物をさすものとする。
すなわち、本発明の切削物用洗浄剤組成物は、
(a)下記一般式(1)で表されるエーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部
R-O-(AO)n-H ・・・(1)
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
(b)糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸若しくはその塩、及びポリカルボン酸若しくはその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤0.005〜1重量部
(c)水 成分(a)と(b)の合計量100重量部中の残部
とからなるものとする。
上記において、(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8〜24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤を含有することが望ましい。
R1-CH(R2)-CH2O(AO)nH・・・(2)
但し、式(2)中、R1は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
本発明の切削物用洗浄剤組成物は、素材がシリコン、水晶、石英、ガラス、又はセラミックのいずれかであり、かつ砥粒及び/または潤滑成分が付着している洗浄対象物に好適に使用することができる。
なお、本発明において「切削物」とは、インゴット又は柱状物からスライスして製造されるウェハ又は板状物をさすものとする。
本発明の切削物用洗浄剤組成物(以下、単に本洗浄剤組成物ということがある)は、切削物製造工程での洗浄工程において、除去対象汚れがシリコンウェハのような非常に狭い隙間に存在する場合に、非常に高い浸透作用により良好な洗浄性が得られ、洗浄後の洗浄対象物表面上の残留金属成分を低減することができる。例えばシリコンウェハ表面上の鉄、銅などの残留金属成分を低減し、太陽電池用部品として使用された場合にこれら金属成分が問題となることを防ぐことができる。
特に、洗浄対象物の素材がシリコン、水晶、石英、ガラス、又はセラミックのいずれかであり、洗浄対象物に砥粒及び/又は潤滑成分が付着している場合に高い洗浄効果が得られる。さらに、被洗浄物の洗浄槽への持込による液の劣化を遅延させるので、ランニングコストの低減にも寄与できる。
また、本洗浄剤組成物は中性であり、既存のアルカリ系洗浄剤では懸念された洗浄物材質への悪影響の懸念がなく、かつ人体や環境への影響も少ないという特徴を持つ。さらに、引火点がなく、作業環境における危険性が少なく、管理・保管の際の煩わしさもない。
本洗浄剤組成物を構成する非イオン界面活性剤は非常に高い浸透力で、例えばシリコンウェハのような非常に狭い隙間における汚れを効果的に除去する。残留金属成分が問題となるような洗浄対象物の場合、金属イオン封鎖剤(キレート剤)を配合することが望ましいものの、キレート剤の種類によっては浸透力に影響を及ぼし洗浄性が低下する。しかしながら、本洗浄剤組成物を構成する金属イオン封鎖剤(キレート剤)は非イオン界面活性剤の浸透力を阻害することなく、非常に狭い隙間の汚れを除去し、かつ洗浄対象物の残留金属成分を低減することが可能である。
特に、洗浄対象物の素材がシリコン、水晶、石英、ガラス、又はセラミックのいずれかであり、洗浄対象物に砥粒及び/又は潤滑成分が付着している場合に高い洗浄効果が得られる。さらに、被洗浄物の洗浄槽への持込による液の劣化を遅延させるので、ランニングコストの低減にも寄与できる。
また、本洗浄剤組成物は中性であり、既存のアルカリ系洗浄剤では懸念された洗浄物材質への悪影響の懸念がなく、かつ人体や環境への影響も少ないという特徴を持つ。さらに、引火点がなく、作業環境における危険性が少なく、管理・保管の際の煩わしさもない。
本洗浄剤組成物を構成する非イオン界面活性剤は非常に高い浸透力で、例えばシリコンウェハのような非常に狭い隙間における汚れを効果的に除去する。残留金属成分が問題となるような洗浄対象物の場合、金属イオン封鎖剤(キレート剤)を配合することが望ましいものの、キレート剤の種類によっては浸透力に影響を及ぼし洗浄性が低下する。しかしながら、本洗浄剤組成物を構成する金属イオン封鎖剤(キレート剤)は非イオン界面活性剤の浸透力を阻害することなく、非常に狭い隙間の汚れを除去し、かつ洗浄対象物の残留金属成分を低減することが可能である。
本洗浄剤組成物に含有する(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤は次の一般式(1)で示される。
R−O−(AO)n−H …(1)
式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の炭化水素基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
上記エーテル型非イオン界面活性剤の疎水基に相当する炭化水素基Rは、上記のとおり、炭素数8〜24の直鎖または分岐の炭化水素基であるが、炭素数8〜11であることが好ましく、洗浄性を考慮すると炭素数10が特に好ましい。
上記において、(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8〜24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤を含有することが洗浄性を考慮すると特に好ましい。
R1−CH(R2)−CH2O(AO)nH …(2)
一般式(2)においてR1は炭素数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基、R2は炭素数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基であるが、洗浄性の点から、R1は炭素数3〜8が好ましく、3〜7がより好ましく、R2は炭素数1〜8が好ましく、1〜5がより好ましい。
洗浄性を考慮した場合、一般式(2)で表される非イオン界面活性剤の含有量は一般式(1)で表される界面活性剤中20重量%以上が好ましく、50重量%以上がより好ましい。
一般式(1)及び(2)中のAOは、ランダム付加でもブロック付加でも、又はその混合でも良い。ブロック付加体(式―( XO )n―( YO )m―で表す)の場合は、原料アルコールに対しアルキレンオキサイド( XO )の所定モルを先に付加重合させ、次いで、アルキレンオキサイド( YO )の所定モルを付加重合させることにより得られる。ランダム付加体(式―(XO)n/(YO)m―で表す)は、原料アルコールに対しアルキレンオキサイド( XO )の所定モルとアルキレンオキサイド( YO )の所定モルを混合して付加重合させることにより得られる。これらを組み合わせることにより、ランダム付加とブロック付加との混合状態の化合物も得られる。
R−O−(AO)n−H …(1)
式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の炭化水素基であり、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
上記エーテル型非イオン界面活性剤の疎水基に相当する炭化水素基Rは、上記のとおり、炭素数8〜24の直鎖または分岐の炭化水素基であるが、炭素数8〜11であることが好ましく、洗浄性を考慮すると炭素数10が特に好ましい。
上記において、(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤は、炭素数8〜24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤を含有することが洗浄性を考慮すると特に好ましい。
R1−CH(R2)−CH2O(AO)nH …(2)
一般式(2)においてR1は炭素数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基、R2は炭素数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基又はアルケニル基であるが、洗浄性の点から、R1は炭素数3〜8が好ましく、3〜7がより好ましく、R2は炭素数1〜8が好ましく、1〜5がより好ましい。
洗浄性を考慮した場合、一般式(2)で表される非イオン界面活性剤の含有量は一般式(1)で表される界面活性剤中20重量%以上が好ましく、50重量%以上がより好ましい。
一般式(1)及び(2)中のAOは、ランダム付加でもブロック付加でも、又はその混合でも良い。ブロック付加体(式―( XO )n―( YO )m―で表す)の場合は、原料アルコールに対しアルキレンオキサイド( XO )の所定モルを先に付加重合させ、次いで、アルキレンオキサイド( YO )の所定モルを付加重合させることにより得られる。ランダム付加体(式―(XO)n/(YO)m―で表す)は、原料アルコールに対しアルキレンオキサイド( XO )の所定モルとアルキレンオキサイド( YO )の所定モルを混合して付加重合させることにより得られる。これらを組み合わせることにより、ランダム付加とブロック付加との混合状態の化合物も得られる。
本発明の洗浄剤組成物に含有する(b)成分の金属イオン封鎖剤(キレート剤)は、糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸及びその塩、ポリカルボン酸及びその塩の群から選ばれた少なくとも1種からなる。
糖アルコールの例としては、エリトリトール、アラビトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトールなどの炭素数4以上のものが好ましく用いられ、1種を単独で用いても、2種以上の混合物を用いても良い。
上記糖アルコールの中で、より好ましくはソルビトールである。
上記糖アルコールの中で、より好ましくはソルビトールである。
脂肪族オキシカルボン酸及びその塩としては、分子中にカルボキシル基とヒドロキシル基をもつ化合物又はその塩であればよく、例えば、グルコン酸、グルコヘプトン酸、クエン酸、酒石酸及びこれらの塩が挙げられる。
脂肪族オキシカルボン酸の塩としては、そのナトリウム塩やカリウム塩などアルカリ金属塩、カルシウム塩などのアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などのオニウム塩が挙げられる。上記の中でもグルコン酸ナトリウムの使用が好適である。
脂肪族オキシカルボン酸の塩としては、そのナトリウム塩やカリウム塩などアルカリ金属塩、カルシウム塩などのアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などのオニウム塩が挙げられる。上記の中でもグルコン酸ナトリウムの使用が好適である。
ポリカルボン酸及びその塩としては、アクリル酸、マレイン酸、メタクリル酸のホモポリマーあるいはコポリマー、またはこれらとエチレン、プロピレン、スチレン、メタアクリル酸エステル、マレイン酸モノエステル、マレイン酸ジエステル、酢酸ビニル等とのコポリマー、および/またはそのアルカリ金属塩、および/またはオニウム塩である。また、塩の種類としては、ナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などのアルカリ金属塩、カルシウム塩などのアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などのオニウム塩、および酸型(水素原子など)が挙げられる。好ましくは、ナトリウム、カリウム、アンモニア、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンの塩である。特に好適なポリカルボン酸系高分子化合物はポリアクリル酸ナトリウムである。ポリカルボン酸系高分子化合物の重量平均分子量は特に限定されるものではないが1,000〜200,000が好ましい。
本発明の洗浄剤組成物は上記(a)成分と( b )成分および(c)水とによって構成される。洗浄剤組成物100重量部中に上記(a)成分が0.3〜3重量部の範囲内で含有され、(b)成分が0.005〜1重量部の範囲で含有され、残部(99.695〜96重量部)を(c)水とする。(a)成分の含有量が0.3重量部未満では洗浄効果が充分に得られない。3重量部を超えると洗浄効果がそれ以上は向上しないため、経済的に不利となる。(b)成分の含有量が0.005重量部未満ではキレート効果が充分に得られず、1重量部を超えるとキレート効果がそれ以上向上しないため、経済的に不利となる。
上記(a)成分は1種を単独で用いても良いが、上記含有量の範囲内において、疎水基あるいは親水基(アルキレンオキサイドの付加形態)の異なるエーテル型非イオン界面活性剤を2種類以上配合し、混合して使用することにより、相乗効果が得られる場合があり、好ましい。配合する非イオン界面活性剤の種類、量は、洗浄剤組成物中0.3〜3重量部になる範囲で任意である。
上記(b)成分は1種を単独で用いても良いが、上記含有量の範囲内において、2種類以上配合し、混合して使用しても良い。異なる種類のキレート剤を使用することにより、複数の金属成分に対して、金属イオンを封鎖するのに一層良好な洗浄剤組成物を構成することが可能となる。したがって、キレート効果によって洗浄液中に金属イオンを安定に保持し、結果として洗浄対象物表面に金属成分が残留することを防ぐことができる。配合するキレート剤の種類、量は、洗浄剤組成物中0.005〜1重量部になる範囲で任意である。
本発明に使用される(c)成分である水としては、市水、井水、純水(イオン交換樹脂などによって脱塩処理を行った水)、超純水(無機イオンのみでなく、有機物、生菌、微粒子、溶存気体等を除去した水)、近年提案されている各種機能水等が挙げられるが、電子制御部に悪影響を与える金属イオン分の含有が少ないという点から、純水や超純水が好ましい。
本発明の切削物用洗浄剤組成物には、本発明の目的から外れない範囲内で、公知の消泡剤、防腐剤、防錆剤、酸化防止剤、pH調整剤等を添加して使用してもよ い。
消泡剤としては、シリコーン系、高級アルコール系、ポリグリコール系、鉱物油系等、種々の公知のものを使用することができる。
本発明の目的から外れない範囲内であれば、公知の陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤を併用することもできる。
また、必要に応じてNaOH等のアルカリ剤を単独で又は複数組み合わせて添加しても良いが、本発明は洗浄剤の液性を中性に保つことを目的とするものであるため、添加量はごく微量とする。
消泡剤としては、シリコーン系、高級アルコール系、ポリグリコール系、鉱物油系等、種々の公知のものを使用することができる。
本発明の目的から外れない範囲内であれば、公知の陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤を併用することもできる。
また、必要に応じてNaOH等のアルカリ剤を単独で又は複数組み合わせて添加しても良いが、本発明は洗浄剤の液性を中性に保つことを目的とするものであるため、添加量はごく微量とする。
本発明の洗浄剤組成物は洗浄剤組成物が濃縮した状態で使用者に供給され、使用時に希釈して用いられる濃縮タイプも含み、その場合、製品のハンドリング性や製品の安定性の観点から(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤の含有量は10〜40重量%、(b)成分のキレート剤の含有量は0.2〜10重量%が好ましい。
本発明の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程においては、例えば、浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプレー法、手拭き法等各種の洗浄方法を特に限定なく単独、又は組み合わせて用いることが可能である。
本発明の洗浄剤組成物を用いる洗浄工程においては、例えば、浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプレー法、手拭き法等各種の洗浄方法を特に限定なく単独、又は組み合わせて用いることが可能である。
洗浄対象物としては、シリコン、ガリウム、砒素、ガリウム・燐等の半導体・結晶材料、水晶、石英、ガラス、圧電材料等の電子部品関連材料、フェライト、サマリウム・コバルト等の磁性材料、磁気ヘッド等の磁気材料、セラミックス等が挙げられる。
シリコンウェハ等の製造工程における砥粒や潤滑成分を除去する洗浄工程において本発明の洗浄剤組成物を用いることにより、除去対象汚れが非常に狭い隙間に存在する場合にも界面活性剤の高い浸透性能により良好な洗浄性が得られる。
また、併用して用いられるキレート剤は、界面活性剤の性能を阻害することなく、洗浄後の洗浄対象物表面の残留金属成分を効果的に除去し、洗浄対象物がその後の工程で問題となることを防ぐことができる。また、本発明の洗浄剤は洗浄力が優れるだけでなく、被洗浄物の洗浄槽への持込による液の劣化も少なく、洗浄液を長く使用できるため、洗浄剤にかける経済的負担も軽減できる。
シリコンウェハ等の製造工程における砥粒や潤滑成分を除去する洗浄工程において本発明の洗浄剤組成物を用いることにより、除去対象汚れが非常に狭い隙間に存在する場合にも界面活性剤の高い浸透性能により良好な洗浄性が得られる。
また、併用して用いられるキレート剤は、界面活性剤の性能を阻害することなく、洗浄後の洗浄対象物表面の残留金属成分を効果的に除去し、洗浄対象物がその後の工程で問題となることを防ぐことができる。また、本発明の洗浄剤は洗浄力が優れるだけでなく、被洗浄物の洗浄槽への持込による液の劣化も少なく、洗浄液を長く使用できるため、洗浄剤にかける経済的負担も軽減できる。
以下、実施例を用いて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
下記表1に示した構造を有する界面活性剤、キレート剤を用いて、下記表2〜5に示す配合割合で、キレート剤、純水と混合して洗浄剤組成物を調製した。配合割合は100重量部あたりの含有量(重量部)であり、残部は水である。
試験A.新液洗浄性
シリコンウェハ(8インチ) 2枚に、砥粒及び水溶性洗浄対象物のモデルとして、ワイヤーソーオイル:PS−N−13(パレス化学株式会社製)と緑色炭化珪素研磨材:GC#600(株式会社フジミインコーポレーテッド製)を重量比50:50で混合したものを200μm間隔でセットし、テストピースとした。表2に記載されている洗浄剤組成物を40℃に調温して上記テストピースを浸漬し、28kHz、600Wにて10分間超音波を印加した。その後、イオン交換水を用い、25℃、10分間浸漬超音波洗浄した。上記処理後、2枚のウェハを開け、それぞれウェハ表面の砥粒及び水溶性洗浄対象物の除去面積率(%)を目視にて判定し、その平均値を新液洗浄性(%)とした。
試験B.劣化液洗浄性
上記試験Aと同条件にてテストピースを作製した。表2に記載されている洗浄剤組成物100部あたりに上記砥粒及び水溶性洗浄対象物モデル液5部を添加して劣化洗浄液とした。本劣化洗浄液に対し、試験Aと同条件にて洗浄を行い、ウェハ上の洗浄対象物の除去面積率(%)を目視にて判定し、その平均値を劣化液洗浄性(%)とした。
試験C.残留金属成分除去性
上記試験Aにおいて洗浄したウェハ2枚を5mm〜10mm角に粉砕し、これを50mLの王水に浸漬し、250℃のホットプレート上で15分間煮沸してウェハ表面上の残留金属成分を抽出した。抽出液を純水で100mLにメスアップし、ICP(誘導結合プラズマ)分析を行った。ICP測定溶液中の金属成分量から、ウェハ単位重量あたりの金属成分量を算出した。結果は、表10中の比較例1の残留金属成分を100とした時の、相対値で表した。
本発明の切削物用洗浄剤組成物は、シリコン、ガリウム、砒素、ガリウム・燐等の半導体・結晶材料、水晶、石英、ガラス、圧電材料等の電子部品関連材料、フェライト、サマリウム・コバルト等の磁性材料、磁気ヘッド等の磁気材料、セラミックス等の製造工程における洗浄剤として使用することができる。
Claims (3)
- 次の成分(a)、(b)および(c)からなることを特徴とする切削物用洗浄剤組成物;
(a)下記一般式(1)で表されるエーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部
R-O-(AO)n-H ・・・(1)
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。
(b)糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸若しくはその塩、及びポリカルボン酸若しくはその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤0.005〜1重量部
(c)水 成分(a)と(b)の合計量100重量部中の残部 - 前記(a)成分のエーテル型非イオン界面活性剤が、炭素数8〜24の分岐型1級アルコールを用いて得られ、かつ下記一般式(2)で表される非イオン界面活性剤を含有することを特徴とする、請求項1に記載の切削物用洗浄剤組成物;
R1-CH(R2)-CH2O(AO)nH・・・(2)
但し、式(2)中、R1は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、R2は炭素数1〜20の分岐又は直鎖のアルキル基又はアルケニル基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。 - 素材がシリコン、水晶、石英、ガラス、又はセラミックのいずれかであり、かつ砥粒及び/または潤滑成分が付着している洗浄対象物に使用されることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の切削物用洗浄剤組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010051880A JP2011187714A (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 切削物用洗浄剤組成物 |
TW100107185A TW201139654A (en) | 2010-03-09 | 2011-03-03 | Composition of cleaning agent for cut object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010051880A JP2011187714A (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 切削物用洗浄剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187714A true JP2011187714A (ja) | 2011-09-22 |
Family
ID=44793644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010051880A Pending JP2011187714A (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 切削物用洗浄剤組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011187714A (ja) |
TW (1) | TW201139654A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109107971A (zh) * | 2014-09-30 | 2019-01-01 | Hoya株式会社 | 磁盘用玻璃基板的制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112175750B (zh) * | 2020-11-12 | 2021-08-13 | 福建省佑达环保材料有限公司 | 一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物 |
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-
2010
- 2010-03-09 JP JP2010051880A patent/JP2011187714A/ja active Pending
-
2011
- 2011-03-03 TW TW100107185A patent/TW201139654A/zh unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW201139654A (en) | 2011-11-16 |
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