JP5192952B2 - 磁気ディスク基板用洗浄剤 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク基板用洗浄剤に関するものである。

磁気ディスク用基板の洗浄技術において、近年の磁気ディスクの高記録密度化に伴い、製造時における基板上に残存する微量のパーティクルや不純物が磁気ディスクの性能や歩留まりに大きく影響するため、その管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象となる不純物がより微粒子（パーティクル）化してきており、従来以上に更に界面へ付着し、残存しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。このため、これらのパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を用いて、パーティクルの除去性を向上させる方法が提案されている（特許文献−１及び２）。
特開平１１−４３７９１号公報 特開２００２−２１２５９７号公報

しかし、磁気ディスク用基板の内、特にアルミ基板においては、その製造工程に、基板表面に非磁性層であるＮｉ−Ｐメッキを施し、その後アルミナスラリー及びコロイダルシリカで研磨し鏡面仕上げする工程、並びにその後必要によりにダイヤモンドスラリー等を用いて基板表面をテクスチャリングする工程を含むが、その工程中に研磨剤や研磨屑が基板表面に強固に付着し、洗浄工程で十分に除去できないといった問題がある。これらの研磨剤や研磨屑に代表されるパーティクルは、基板表面に強固に付着しているため、これらを十分に除去するためには、基板表面を僅かにエッチングし、パーティクルを液中に分散させ、更に液中に分散したパーティクルを基板表面に再付着しないようにする必要がある。しかし、上記特許文献−１では、研磨剤に対する吸着量が５ｍｇ／ｍ²以上、数平均分子量が１００，０００以上の凝集剤及び界面活性剤を含有し、１０ｖｏｌ％水溶液の表面張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下である洗浄剤組成物を用いて、洗浄対象となる研磨剤微粒子を凝集させ、粗大化させることで再付着を防止する方法が提案されているが、粗大化した粒子が僅かに基板表面に付着した場合に深刻な問題を引き起こす恐れがあり、また、具体的な成分配合については記載されていない。また、上記特許文献−２で提案されている洗浄剤はアニオン性界面活性剤を用いることで、パーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるもののエッチング性がほとんど無いため、パーティクル除去性が不十分であり、洗浄性が不十分であるという問題があった。

従って、本発明の目的とするところは、磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することにある。

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、洗浄剤の使用時のｐＨによって好ましい酸化還元電位があることがわかり、本発明に到達した。

すなわち本発明は、
（第１発明）対イオンとしては３級アミンまたは第４級アンモニウムである高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）並びにＬ−アスコルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）からなる群から選ばれる１種以上の還元剤（Ｃ）を含有してなる磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤であって、洗浄液として使用される場合の有効成分濃度における２５℃でのｐＨが１〜３であり、ｐＨ及び同濃度における２５℃での酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）
（第２発明）
対イオンとしては３級アミンまたは第４級アンモニウムである高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）並びにＬ−アスコルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）からなる群から選ばれる１種以上の還元剤（Ｃ）を含有してなる磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤であって有効成分濃度が０．０１〜１５重量％であり、２５℃でのｐＨが１〜３であり、ｐＨと洗浄液の２５℃での酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄液；
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）

本発明の洗浄剤は、磁気ディスクの製造工程において問題となる微細なパーティクルの洗浄性に優れ、基板にダメージを与えることなく短時間かつ効率的な洗浄ができるといった特長を有する。

本発明の洗浄剤の洗浄液として使用される場合の有効成分濃度における２５℃でのｐＨは通常５〜１３であり、ｐＨがこの範囲にあると、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板の平坦性を損ねることなく、適度なエッチング性を有し、また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。尚、同様な効果の観点から、上記のｐＨは、好ましくは６〜１２、特に好ましくは６．５〜１１、最も好ましくは７〜１０である。

本発明の洗浄剤は界面活性剤（Ａ）及び必要により水（好ましくはイオン交換水又は超純水であり以下の水についても同様）を含有する。
本発明の洗浄剤の有効成分濃度は、通常１〜１００％（上記及び以下において、特に限定しない限り、％は重量％を表す。）、好ましくは２〜５０％であり、洗浄液として使用される場合は、通常は水、特にイオン交換水又は高純度水で希釈されて、洗浄液としての有効成分濃度としては、好ましくは０．０１〜１５％、更に好ましくは０．０５〜１０％である。尚、洗浄剤の有効成分濃度が１〜１５％である場合は、そのままの濃度で洗浄液として使用してもよい。尚、本発明における有効成分とは水以外の成分をいう。

本発明者らは、磁気ディスク基板の洗浄性を向上させるために、洗浄液の種々の物性値と洗浄性との関係について鋭意検討した結果、洗浄液のｐＨと酸化還元電位が洗浄性に大きな影響を与えることを見出し、洗浄液のｐＨと洗浄液の酸化還元電位の上限値（効果を発揮できる上限値）について種々のデータを蓄積し、解析した結果、ｐＨが上記の範囲内であって、かつ下記数式（１）を満たす酸化還元電位（Ｖ）［２５℃での値で単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］を示す洗浄液を与える組成の洗浄剤が従来よりも著しく改善された効果を発揮することがわかった。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）
例えば、ｐＨが５のとき、酸化還元電位（Ｖ）が３５６．５ｍＶ以下、ｐＨが９のとき、（Ｖ）が２０１．７ｍＶ以下、ｐＨが１３のとき、（Ｖ）が４６．９ｍＶ以下であると本発明の効果を発揮する。
酸化還元電位（２５℃）が、数式（１）を満たさないと、基板表面が著しくエッチングされて表面の平坦性が損なわれ、また、パーティクルの除去性が悪くなるため好ましくない。

本発明の洗浄剤の内、Ｎｉ−Ｐメッキを施した基板に対する適度なエッチング性及びパーティクルに対する洗浄性の観点から、更に数式（２）を満たす洗浄剤が好ましく、特に数式（３）を満たす洗浄剤が好ましい。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５００ （２）
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋４５０ （３）

本発明における酸化還元電位（Ｖ）は、下記のような公知の方法で測定できる。
＜酸化還元電位の測定方法＞
白金電極及び参照電極（塩化銀電極）で構成される酸化還元電位（ＯＲＰ）複合電極（例えば、型番：ＰＳＴ−５４２１Ｃ、東亜ディーケーケー株式会社）を用いて、２５℃の液の電位値（Ｖ１）を測定する。液の酸化還元電位（ｍＶ、ｖｓＳＨＥ）は、電位値（Ｖ１）に参照電極（塩化銀電極）の単極電位差（１９９ｍＶ、２５℃）を加えることにより求められる。例えば、電位値（Ｖ１）が−１００ｍＶの場合、酸化還元電位（ｍＶ、ｖｓＳＨＥ）は−１００＋１９９＝＋９９ｍＶである。

本発明の洗浄剤の必須成分である界面活性剤（Ａ）としては、非イオン性界面活性剤（Ａ−１）、アニオン性界面活性剤（Ａ−２）、カチオン性界面活性剤（Ａ−３）及び両性界面活性剤（Ａ−４）が挙げられる。

本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ａ−１）としては、アルキレンオキシド付加型非イオン性界面活性剤（Ａ−１ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ａ−１ｂ）等が挙げられる。

（Ａ−１ａ）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、アルキル（炭素数１〜１２）フェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪族アミン（炭素数６〜２４）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５０）付加物、ポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル並びにソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物及びソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。

（Ａ−１ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート及びソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。

（Ａ−１）の内、洗浄性の観点から、好ましいのは（Ａ−１ａ）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物及び脂肪族アミン（炭素数８〜１８）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）である。

アニオン性界面活性剤（Ａ−２）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ｂ）が挙げられる。

高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、１，０００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。（Ａ−２ａ）の具体例としては、以下の（Ａ−２ａ−１）〜（Ａ−２ａ−５）等が挙げられる。

（Ａ−２ａ−１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等；

（Ａ−２ａ−２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物等；

（Ａ−２ａ−３）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物等；

（Ａ−２ａ−４）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等；

（Ａ−２ａ−５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等。

（Ａ−２ａ）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、好ましくは１，２００〜４００，０００、更に好ましくは１，５００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。

本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５重量％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌＩＩ（東ソー株式会社製）で測定される。

低分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ｂ）としては、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ａ−２ｂ−２）、低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−３）及び低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ａ−２ｂ−４）等の分子量（Ｍｗ又は構造に基づく計算値の分子量）が１，０００未満のアニオン性界面活性剤が挙げられる。
低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸（モノ、ジ）エステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）、石油スルホネート（塩）、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−１）の具体例としては、ジオクチルスルホコハク酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、オルトトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及びパラキシレンスルホン酸（塩）等が挙げられる。

低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ａ−２ｂ−２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエチレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−２）の具体例としては、２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）、オクタノール硫酸エステル（塩）、１，１０−デカンジオールジ硫酸エステル（塩）及びラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のジ硫酸エステル（塩）等が挙げられる。

低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−３）の具体例としては、ｎ−オクタン酸（塩）、２−エチルヘキサン酸（塩）、ｎ−ノナン酸（塩）、イソノナン酸（塩）、オレイン酸（塩）及びステアリン酸（塩）等が挙げられる。

低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ａ−２ｂ−４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールの燐酸（モノ又はジ）エステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸（モノ又はジ）エステル（塩）等が挙げられる。（Ａ−２ｂ−４）の具体例としては、ラウリルアルコールモノリン酸エステル（塩）、ラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のリン酸モノエステル（塩）及びオクチルアルコールジリン酸エステル（塩）等が挙げられる。

（Ａ−２）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、通常、アルカリ金属（ナトリウム及びカリウム）塩、アンモニウム塩、１級アミン（メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等）塩、２級アミン（ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等）塩、３級アミン｛トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン並びに、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）又は１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、１Ｈイミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等｝塩及び第４級アンモニウム塩（テトラアルキルアンモニウム等）塩である。これらの中で、基板への金属汚染の観点から、好ましいのはアンモニウム塩、１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩及び第４級アンモニウム塩であり、特に好ましいのは３級アミン塩及び第４級アンモニウム塩であり、最も好ましいのはＤＢＵ、ＤＢＮ、ＤＡＢＣＯ、Ｎ−メチルジエタノールアミン、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール及び２−エチル−１Ｈ−イミダゾールの塩である。

アニオン性界面活性剤（Ａ−２）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から、高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ａ−２ｂ−２）及び低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−３）であり、更に好ましいのは（Ａ−２ａ）、（Ａ−２ｂ−１）及び（Ａ−２ｂ−２）、特に好ましいのはポリアクリル酸（塩）、ポリスチレンスルホン酸（塩）、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物の塩、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体の塩，メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体の塩、オクチルベンゼンスルホン酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及び２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）である。
（Ａ−２）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。パーティクルの分散性の観点から、２種以上を併用する方がより好ましい。

カチオン性界面活性剤（Ａ−３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ａ−３ａ）｛アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩等｝及びアミン系界面活性剤（Ａ−３ｂ）｛炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩又は有機酸塩等｝等が挙げられる。

両性界面活性剤（Ａ−４）としては；ベタイン型両性界面活性剤（Ａ−４ａ）｛アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型等｝；アミノ酸型両性界面活性剤（Ａ−４ｂ）｛アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型、アルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型等］、グリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等］｝；及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ａ−４ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤等｝；等が挙げられる。

界面活性剤（Ａ）の内、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ａ−２）、及び（Ａ−１）と（Ａ−２）の併用であり、更に好ましいのは（Ａ−１）と（Ａ−２）の併用である。併用の場合の（Ａ−１）及び（Ａ−２）の含有比率［（Ａ−１）／（Ａ−２）］は、パーティクル再付着防止性及び起泡性の観点から、好ましくは６以下、更に好ましくは０．１〜５、特に好ましくは０．２〜０．８である。

本発明の洗浄剤における界面活性剤（Ａ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、１．５〜１００％が好ましく、更に好ましくは２〜９０％、特に好ましくは３〜８０％である。

本発明の洗浄剤は、界面活性剤（Ａ）以外に、更に以下のキレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有することができる。

本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ｂ）を含有することが、磁気ディスク基板表面の洗浄性を向上できる観点及びエッチング性をコントロールができる観点から更に好ましい。また、本発明の洗浄剤は、還元剤（Ｃ）を含有することにより、磁気ディスク基板表面に対するエッチング性をコントロールできるので、還元剤（Ｃ）を含有することが更に好ましい。本発明の洗浄剤は、アルカリ成分（Ｄ）を含有することによりパーティクルに対する洗浄性が更に向上する。

キレート剤（Ｂ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｂ−１）｛例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）（ＴＴＨＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸（塩）（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）等｝；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｂ−２）｛例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）、グルコン酸（塩）等｝；
シクロカルボン酸（塩）（Ｂ−３）｛例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等｝；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｂ−４）（例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネート等）；
その他カルボン酸（塩）（Ｂ−５）｛例えば、マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）等｝；
ホスホン酸（塩）（Ｂ−６）｛例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；
縮合リン酸（塩）（Ｂ−７）｛例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）、ヘキサメタリン酸（塩）等｝；
等が挙げられる。尚、これらの塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）で例示したものが挙げられる。またこれらは１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。

これらの内で基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能の観点から好ましいのは、（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−６）及び（Ｂ−７）であり、更に好ましいのは（Ｂ−１）、（Ｂ−６）、（Ｂ−７）及びこれらの塩、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）、ヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、ヘキサメタリン酸（塩）である。

キレート剤（Ｂ）を含有する場合、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性能の観点から、（Ｂ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは３０％以下、更に好ましくは１〜２０％、特に好ましくは３〜２０％である。

還元剤（Ｃ）としては、有機還元剤（Ｃ−１）及び無機還元剤（Ｃ−２）が挙げられる。有機還元剤（Ｃ−１）としては、脂肪族有機還元剤（Ｃ−１ａ）、芳香族有機還元剤（Ｃ−１ｂ）及びその他の有機還元剤（Ｃ−１ｃ）が挙げられ、以下のものが例示できる。

脂肪族有機還元剤（Ｃ−１ａ）としては、炭素数１〜１２の有機酸類、炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類及び炭素数１〜３０の脂肪族アミン等が挙げられる。
炭素数１〜１２の有機酸類としては、ギ酸、酢酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイン酸、２−オキソプロパン酸、マロン酸、没食子酸及びこれらの塩が挙げられる。
尚、前記（Ｂ−２）及び（Ｂ−５）も還元剤としての効果を有する。
炭素数１〜１２のアルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９のレダクトン類としては、Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸硫酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸リン酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸２−グルコシド、Ｌ−アスコルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸Ｌ−アスコルビル、アスコルビン酸イソパルミネート、エリソルビン酸、エリソルビン酸リン酸エステル、エリソルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸エリソビル及びこれらの塩等が挙げられる。

炭素数１〜３０の脂肪族アミンとしては、炭素数１〜６のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルカノールアミン、炭素数２〜５のアルキレンジアミン、炭素数４〜１０の環状アミン、炭素数３〜１５のアミジン化合物及び炭素数４〜３０のポリ（ｎ＝２〜５）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜６）アミン等が挙げられる。

炭素数１〜６のアルキルアミンとしては、モノアルキルアミン｛メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等｝及び炭素数２〜６のジアルキルアミン｛ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン及びジイソプロピルアミン等｝が挙げられる。

炭素数２〜６のアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、 ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール及び２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
炭素数２〜５のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。

炭素数４〜１０の環状アミンとしては、ピペリジン、ピペラジン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
炭素数３〜１５のアミジン化合物としては、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）、１Ｈイミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、２−メチル−４，５−ジヒドロ−１Ｈイミダゾール、１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン、１，６（４）−ジヒドロピリミジン等が挙げられる。
炭素数４〜３０のポリ（ｎ＝２〜５）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜６）アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン及びペンタエチレンヘキサミン等が挙げられる。

芳香族有機還元剤（Ｃ−１ｂ）としては、炭素数７〜１２の芳香族アルデヒド、炭素数６〜９の芳香族アミン及び炭素数６〜３０のフェノール化合物等が挙げられる。
炭素数７〜１２の芳香族アルデヒドとしては、ベンズアルデヒド及びシンナムアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９の芳香族アミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等が挙げられる。

炭素数６〜３０のフェノール化合物としては、一価フェノール及びポリフェノールが挙げられる。一価フェノールとしては、３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等）等が挙げられる。ポリフェノールとしては、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等が挙げられる。

その他の有機還元剤（Ｃ−１ｃ）としては、リン系還元剤（例えば、トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、ボラン系錯体（例えば、ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（例えば、Ｌ−システイン及びアミノエタンチオール等）及びヒドロキシルアミン系還元剤（例えば、ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。尚、後述する（Ｆ３）及び（Ｆ４）として例示した糖類及び糖アルコールも有機還元剤としての効果を有する。

無機還元剤（Ｃ−２）としては、硫黄のオキソ酸類｛例えば、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、ジチオン酸（塩）、ポリチオン酸（塩）等｝、リンのオキソ酸類｛例えば、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）、次亜リン酸（塩）等｝、その他の無機還元剤（硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム及び水酸化ホウ素ナトリウム等）等が挙げられる。
これらの還元剤（Ｃ）を形成する塩としては、上記（Ａ−２）で例示したものと同様のものが使用できる。

これらの還元剤（Ｃ）の内、洗浄剤のエッチング性コントロール及び洗浄剤中のイオンによる基板の再汚染の観点から、炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類、炭素数１〜３０の脂肪族アミン、チオール系還元剤、硫黄のオキソ酸類及びリンのオキソ酸類が好ましく、更に好ましいのはホルムアルデヒド、Ｌ−アスコルビン酸（塩）、イソアスコルビン酸（塩）、エリソルビン酸（塩）、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｌ−システイン、アミノエタンチオール、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）、特に好ましいのはＬ−アスコルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）である。
（Ｃ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、上記の（Ａ−２）で例示したものと同様のものが使用できる。
また（Ｃ）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

還元剤（Ｃ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて６０％以下が好ましく、更に好ましくは１〜５０％、特に好ましくは２〜４０％である。この範囲であると、基板のエッチング性をコントロールする点から好ましい。

アルカリ成分（Ｄ）は、一般式（１）で表される第４級アンモニウム塩（Ｄ−１）、アンモニア（Ｄ−２）、前述の（Ｃ−１ａ）で例示した炭素数１〜３０の脂肪族アミン（Ｄ−３）、無機アルカリ（Ｄ−４）及びこれらの混合物が挙げられる。尚、炭素数１〜１０の脂肪族アミン（Ｄ−３）は還元剤としての効果とアルカリ成分としての効果の両方を有する。

一般式（１）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、それぞれ独立に炭素数１〜２４のアルキル基又は−（Ｒ⁵Ｏ）ｒ−Ｈで表される基であり、Ｒ⁵は炭素数２〜４のアルキレン基、ｒは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、ヘキコシル基、ドコシル基、トリコシル基及びテトラコシル基等が挙げられる。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基及びブチレン等が挙げられる。ｒは１〜３が好ましい。

（Ｄ−１）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド及びテトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムハイドロキサイド、ジヒドロキシエチルジメチルアンモニウムハイドロキサイド及びトリヒドロキシエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド等が挙げられる。

無機アルカリ（Ｄ−４）としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等が挙げられる。

（Ｄ）の内、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｄ−１）及び炭素数１〜１０の脂肪族アミン（Ｄ−３）が好ましく、更に好ましいのはテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮ及びこれらの併用である。

アルカリ成分（Ｄ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点等から、（Ｄ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは４０％以下、更に好ましくは２〜３０％、特に好ましくは３〜２５％である。

本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）からなる群から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、更に好ましいのは（Ｂ）及び（Ｃ）の併用、又は（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の併用である。
本発明の洗浄剤が通常キレート剤（Ｂ）及び還元剤（Ｃ）を含有する場合の好ましい範囲は（Ａ）の重量に基づいて、（Ｂ）が０．１〜６０％、（Ｃ）が０．１〜２０％、更に好ましくは（Ｂ）が１〜３３％、（Ｃ）が０．５〜１３％、特に好ましくは（Ｂ）が３〜２７％、（Ｃ）が１〜８％である。

本発明の洗浄剤は、界面活性剤（Ａ）、水、キレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）以外に、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、更に分散剤（Ｅ）、３価以上の多価アルコール（Ｆ）、水溶性有機溶剤（Ｇ）及びその他の添加剤（Ｈ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有もしてもよい。

分散剤（Ｅ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプン等）；ポバール及びリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝等が挙げられる。尚、前記（Ａ−２ａ）も分散剤としての効果を有する。
これら分散剤（Ｅ）を含有する場合、これらの分散剤（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは１０％以下、更に好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下である。

３価以上の多価アルコール（Ｆ）としては、以下の（Ｆ１）〜（Ｆ５）等が挙げられる。
（Ｆ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等）；
（Ｆ２）（Ｆ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びペンタグリセリン等）；
（Ｆ３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等）及びヘプトース（セドヘプツロース等）等｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）並びに三糖類（ラフィノース及びマルトトリオース等）等；
（Ｆ４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール及びズルシトール等）；
（Ｆ５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡ等）；
並びにこれらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等。
また、（Ｆ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

（Ｆ）の内、基板の腐食を防止する効果の高い点から、（Ｆ１）、（Ｆ２）、（Ｆ３）及び（Ｆ４）が好ましく、更に好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。

（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは３０％以下、更に好ましくは２０％以下、特に好ましくは１０％以下である。

水溶性有機溶剤（Ｇ）としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ₂Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
（Ｇ）の具体例としては、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホラン等｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン等｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン等｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル等｝；グリコール及びグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリル等）；カーボネート（エチレンカーボネート、プロピオンカーボネート等）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコール等）；環状エーテル（テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等）等が挙げられる。また（Ｇ）は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

（Ｇ）の内で、洗浄性及び洗浄剤中の成分が電子材料表面に残留することを防止する観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましく、更に好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルである。

（Ｇ）を使用する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、８０％以下、更に好ましくは５０％以下、特に好ましくは２０％以下である。

その他の添加剤（Ｈ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。

酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）、ビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等｝；等が挙げられる。これらは、単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物、ドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート、ペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等を挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸等）、上記例示した無機アルカリ（Ｄ−４）等が挙げられ、これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸又は無機酸及び／又はそれらの塩を用いることができる。有機酸としては、前記の（Ｃ−１ａ）で例示した炭素数１〜１２の有機酸類等を挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸等を挙げることができる。また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

消泡剤としては、シリコーン消泡剤（ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン及びポリエーテルシリコーン等を構成成分とする消泡剤等）等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

防腐剤としては、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等｝、イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等｝、ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等｝、モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリン、４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等｝、ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等｝、その他の防腐剤｛ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート、２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等｝等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。

ハイドロトロープ剤としては、レゾルシン及びサリチル酸（塩）等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ａ−２）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。尚、スルホン酸系界面活性剤（Ａ−２ｂ−１）として例示したトルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）もハイドロトロープ剤としての効果を有する。

その他の添加剤（Ｈ）を含有する場合、それぞれの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆剤、緩衝剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤が、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは１０％以下、更に好ましくは８％以下、特に好ましくは５％以下である。また消泡剤の添加量は好ましくは２％以下、更に好ましくは１．５％以下、特に好ましくは１％以下である。また、ｐＨ調整剤は洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは９０％以下、更に好ましくは８５％以下、特に好ましくは８０％以下である。また、その他の添加剤（Ｈ）の合計の含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて９０％以下、更に好ましくは８５％以下、特に好ましくは８０％以下である。

尚、前記（Ｂ）〜（Ｈ）の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの成分が該当する添加効果を奏する量を他の成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。

本発明の洗浄剤の有効成分の濃度は、使用時の作業性や運搬効率の観点から、前述のように通常１〜１００％、好ましくは２〜５０％である。従って、本発明の洗浄剤中の水の含有量は、通常９９％以下、好ましくは５０〜９８％である。

本発明の洗浄剤は、界面活性剤（Ａ）のみからなる場合を除き、（Ａ）と、（Ｂ）〜（Ｈ）及び水からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分とを混合することによって製造されるが、前記数式（１）を満たす洗浄剤を得るためには以下のような方法で製造することが好ましい。

（１）界面活性剤（Ａ）又は、（Ａ）並びに必要により（Ｂ）〜（Ｈ）及び水からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分を常温〜８０℃で混合したものの一部を採り、洗浄液として使用される場合の有効成分濃度にまで水で希釈した希釈液の２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位を測定し、ｐＨと酸化還元電位（Ｖ）が数式（１）を満たすることを確認する。
（２）酸化還元電位が数式（１）を満たさない場合は、酸化還元電位を低下させる成分、例えばキレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）及び／又はアルカリ成分（Ｄ）等を添加して、ｐＨと酸化還元電位が数式（１）を満たす様に酸化還元電位を調整する。
尚、特定の範囲のｐＨを有する洗浄液を得る場合は、上記操作に加えて以下の方法でｐＨ調整を行う。
上記（１）又は（２）の操作におけるｐＨが所望のｐＨの範囲より低い場合は、ｐＨを上昇させる成分、例えばアルカリ成分（Ｄ）、その他の添加剤（Ｈ）の内のｐＨ調整剤及び／又はアニオン性界面活性剤（Ａ−２）等を添加してｐＨを所望の範囲に調整する。
上記（１）又は（２）の操作におけるｐＨが所望のｐＨの範囲より高い場合は、ｐＨを下降させる成分、例えばキレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）、その他の添加剤（Ｈ）の内のｐＨ調整剤及び／又は緩衝剤等を添加してｐＨを所望の範囲に調整する。

本発明の洗浄剤の製造における混合溶解装置としては、特に限定されないが、櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置等が使用できる。

本発明の洗浄剤中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ，Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｎｉ及びＺｎ原子の各金属含有量は、磁気ディスク用基板の金属汚染を防ぐ観点から、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて２０ｐｐｍ以下が好ましく、より好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下である。これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ発光分析法、ＩＣＰ質量分析法が利用できる。

本発明の磁気ディスク基板用洗浄液は、上記の洗浄剤を必要により水で希釈して洗浄工程で使用する洗浄液であり、有効成分濃度が０．０１〜１５％、好ましくは０．０５〜１０％であり、２５℃でのｐＨが５〜１３であり、２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄液である。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）
本発明の洗浄液中の成分や酸化還元電位の測定法等は、前述の通りである。

本発明の洗浄液の表面張力（２５℃）は、Ｎｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク基板への洗浄液のぬれ性の観点から、好ましくは６５ｍＮ／ｍ以下であり、更に好ましくは５０ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、最も好ましくは３０ｍＮ／ｍ以下である。
本発明における表面張力は、ＪＩＳ Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ ３０４に従って測定できる。

洗浄液の電気伝導率（ｍＳ／ｃｍ）は、パーティクルの再付着防止性及びエッチング性の観点から、好ましくは０．２〜１０．０、更に好ましくは０．５〜５．０、特に好ましくは１．０〜３．５である。

本発明の洗浄剤を必要により希釈して得られる上記洗浄液は、磁気ディスク用基板の洗浄に好適に使用でき、磁気ディスク用アルミニウム基板及びガラス基板に好適に使用できる。特にＮｉ−Ｐメッキを施したアルミニウム基板に対して優れた洗浄性を発揮することができる。

本発明の磁気ディスク基板の洗浄方法は、上記の洗浄液中で磁気ディスク基板を洗浄する洗浄方法である。洗浄対象物（汚れ）は、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋、皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物及び無機パーティクル［研磨剤（例えば、コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム及びダイヤモンド）及び研磨屑等］等の無機物が挙げられる。また、本発明の洗浄方法は、磁気ディスク基板がＮｉ−Ｐメッキを施したアルミニウム基板であると効果が特に発揮されやすい。

本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、磁気ディスクの製造工程の内、研磨剤又は研磨屑等といったパーティクルが発生する工程で行うことが好ましく、より具体的には研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程又はテクスチャリング工程後の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
前記の研磨工程が、研磨剤としてアルミナ又はコロイダルシリカを用いる研磨工程である場合、及びテクスチャリング工程が、ダイヤモンドを用いるテクスチャリング工程である場合に、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
また、基板表面に大気中に浮遊する汚れ（パーティクル及び有機物汚れ等）が強固に付着することを防止する為に、上記の洗浄工程前後において当該基板を本発明の洗浄液に浸漬してもよい。

本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。

本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、より好ましくは１５〜７０、特に好ましくは２０〜６０である。

尚、本発明の洗浄方法で洗浄された磁気ディスク基板に対する水の接触角（２５℃）は、好ましくは２０°以下であり、更に好ましくは１〜１５°、特に好ましくは２〜１０°である。接触角がこの範囲にあると、磁性膜等をスパッタにより形成する場合に均一な膜が形成でき、磁気特性の点から好ましい。尚、接触角の測定は、例えば、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定することができる。

本発明の洗浄方法で洗浄した後の磁気ディスク基板表面の表面粗さ（Ｒａ）は、磁気ディスク基板の記録密度向上の観点から、好ましくは０．５ｎｍ以下、更に好ましくは０．００１〜０．３ｎｍ、特に好ましくは０．０５〜０．２５ｎｍである。
尚、表面粗さ（Ｒａ）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、Ｅ−ｓｗｅｅｐを用いて下記の条件により測定した。
測定モード ：ＤＦＭ（タッピングモード）
スキャンエリア：１０μｍ×１０μｍ
走査線数 ：２５６本（Ｙ方向スキャン）
補正 ：Ｘ，Ｙ方向のフラット補正あり

本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記の洗浄方法で磁気ディスク基板を洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。尚、実施例及び比較例用いる超純水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。尚、以下において「ＥＯ」はエチレンオキサイドの略記である。

［製造例１］
撹拌装置及び温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアルコール２００部（１．１モル部）及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記）の２５％水溶液１０部（０．０２７モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ４３０部（９．８モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成し、粗生成物を得た。この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下に、１５０℃で２時間保持して、残存するＴＭＡＨを分解及び除去し、ノニオン性界面活性剤であるラウリルアルコールＥＯ９モル付加物（Ａ−１−１）６３０部を得た。

［製造例２］
撹拌装置及び温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、ラウリルアミン１８５部（１．０モル部）及び２５％ＴＭＡＨ水溶液３．６部（０．０１モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ２６４部（６．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成し、粗生成物を得た。この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間保持して、残存するＴＭＡＨを分解及び除去し、ノニオン性界面活性剤であるラウリルアミンＥＯ６モル付加物（Ａ−１−２）４４５部を得た。

［製造例３］
撹拌装置及び温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノール２１２部（１．０モル部）及び２５％ＴＭＡＨ水溶液２．９部（０．００８モル部）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。ＥＯ３５２部（８．０モル部）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃で３時間熟成し、粗生成物を得た。この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下、１５０℃で２時間保持して、残存するＴＭＡＨを分解及び除去し、ノニオン性界面活性剤であるクミルフェノールＥＯ８モル付加物（Ａ−１−３）５６０部を得た。

［製造例４］
温調及び攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部及び超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部及びジメチル２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を３．５時間かけてそれぞれ同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ（約４５０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ａ−２−１）の４０％水溶液を得た。尚、（Ａ−２−１）のＭｗは１０，０００であった。

［製造例５］
温調及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に同時に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％ＴＭＡＨ水溶液（約４００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸ＴＭＡＨ塩（Ａ−２−２）の４０％水溶液を得た。尚、（Ａ−２−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。

［製造例６］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部及び超純水を１０部仕込み、３７％ホルムアルデヒド８部を８０℃で３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ａ−２−３）の４０％水溶液を得た。尚、（Ａ−２−３）のＭｗは、５，０００であった。

［製造例７］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２２７部、アクリル酸７８部及び超純水１３１部からなる７０％モノマー水溶液４３６部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合後、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去して、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液を２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加えてｐＨ６．５に調製し（ＤＢＵ約２８０部使用）超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体ＤＢＵ塩（Ａ−２−４）の４０％水溶液を得た。尚、（Ａ−２−４）のＭｗは８，０００であった。

［製造例８］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の５０％水溶液［三洋化成（株）社製、エレミノールＲＳ−３０］３２０部及びアクリル酸１４５部からなる６５％モノマー水溶液４６５部を使用したこと以外は、製造例４と同様に重合後、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合体水溶液を固形分濃度１０％になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を用いて、溶液中のナトリウムイオンが１ｐｐｍ以下になるまで除去した。尚、ナトリウム含量はＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体水溶液を２５℃に調整しながら２５％ＴＭＡＨ水溶液（約６００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体ＴＭＡＨ塩（Ａ−２−５）の１０％水溶液を得た。尚、（Ａ−２−５）のＭｗは９，０００であった。

［製造例９］
オクチルベンゼンスルホン酸１３６部及び超純水２４５部を１Ｌのビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液をＤＢＮ（約６５部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩（Ａ−２−６）の４０％水溶液を得た。

［製造例１０］
２−エチルヘキサン酸１４４部及び超純水３００部を１Ｌのビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られた２−エチルヘキサン酸水溶液をジエタノールアミン（約１０５部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤である２−エチルヘキサン酸ジエタノールアミン塩（Ａ−２−７）の４０％水溶液を得た。

［製造例１１］
攪拌装置及び温度制御付きのガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２５６部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却し、系内温度を０℃に保ちながらクロロスルホン酸２２９部を３時間かけて滴下し、硫酸エステルを得た。更に４８％水酸化カリウム水溶液（約２３０部）でｐＨが７になるまで中和し，超純水で濃度調製することにより、アニオン性界面活性剤である２−エチルヘキサノール硫酸エステルカリウム塩（Ａ−２−８）の４０％水溶液を得た。

［実施例１〜３６］及び［比較例１〜８］
表１〜表３に記載の各成分を、表１〜表３に記載の配合部数で、１Ｌのビーカー中で室温（約２０℃）で均一撹拌・混合して実施例１〜３６及び比較例１〜８の洗浄剤を作製し、実施例１〜２６及び比較例１〜５の洗浄剤についてはそのままの濃度（希釈倍率１）で洗浄液として評価し、実施例２７〜３６及び比較例６〜８の洗浄剤については超純水で１０倍に希釈して洗浄液として以下の評価方法に基づいて評価した結果を表１〜表３に示す。
尚、表１〜表３に記載の超純水以外の各成分の配合部数は有効成分換算での値である。また、表１〜表３に記載の超純水の量は、製造例１〜１１で得た界面活性剤及びＴＭＡＨの水溶液中の超純水を含む量である。

また、表１〜表３に記載のキレート剤（Ｂ）、還元剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）及び水溶性有機溶剤（Ｇ）の略号は下記の通りである。
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸
ＨＭＰ：ヘキサメタリン酸ナトリウム
ＡＡ：アスコルビン酸
Ｃｙｓ：Ｌ−システイン
次亜リン酸１Ｎａ：次亜リン酸モノナトリウム塩
ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド
ＤＥＡ：ジエタノールアミン
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン
ＤＥＧ−Ｂ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル

得られた洗浄液の２５℃でのｐＨをｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）で測定した。酸化還元電位及び表面張力は前述の方法により測定した。
また、以下の方法により洗浄性−１〜４、表面平坦性−１及び２、エッチング性−１及び２、接触角−１及び２並びに分散性を評価した。

＜洗浄性評価−１＞
研磨剤としての市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）及び研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用基板を研磨した後、超純水で表面をリンスし、窒素でブローすることにより、汚染基板を調製した。上記調製した各洗浄液１，０００部を１Ｌガラス製ビーカーにとり、調製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。

＜洗浄性評価−２＞
研磨剤として市販のアルミナスラリー（粒径約０．４μｍ）を用いた以外は、洗浄性評価−１と同様に評価した。

＜洗浄性評価−３＞
研磨剤としての市販の酸化セリウムスラリー（粒径約１００ｎｍ）及び研磨布を用いて、２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を研磨した後、超純水で表面をリンスし、窒素でブローすることにより、汚染基板を調製した以外は、洗浄性評価−１と同様に評価した。

＜洗浄性評価−４＞
研磨剤として市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）を用いた以外は、洗浄性評価−３と同様に評価した。

＜表面平坦性−１＞
２０ｍｌのガラス製容器に各洗浄液を１０ｍｌ採り、３０℃に温調した後、Ｎｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用アルミニウム基板を２ｃｍ×２ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、３０℃で２０分間浸漬して洗浄した。洗浄後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下（２５℃）、窒素でブローすることで基板を乾燥した。乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２５ｎｍであった。

＜表面平坦性−２＞
２０ｍｌのガラス製容器に各洗浄液を１０ｍｌ採り、３０℃に温調した後、磁気ディスク用ガラス基板を１ｃｍ×１ｃｍの大きさにカットした基板を入れ、３０℃で２０分間浸漬して洗浄した。洗浄後、ピンセットを用いて基板を取り出し、超純水で十分にリンスして洗浄液を除去した後、室温下（２５℃）、窒素でブローすることで基板を乾燥した。乾燥した基板表面の表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定し、表面平坦性を評価した。尚、試験前の基板の表面粗さ（Ｒａ）は、０．２０ｎｍであった。

＜エッチング性−１＞
１Ｌのポリプロピレン製容器に各洗浄液１００部を採り、その中に３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用アルミニウム基板１枚を入れ、上部にポリ塩化ビニリデン製フィルムをかけて水分が蒸発しないように密閉し、２３℃に温調された室内で１２時間静置した。静置後、各洗浄液を採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄液中のＮｉ含量を測定した。尚、予め試験前の各洗浄液についても同様にＮｉ含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したＮｉ含量（ｐｐｍ）を求めた。この溶出したＮｉ含量が多いほど、エッチング性が高い。

＜エッチング性−２＞
１Ｌのポリプロピレン製容器に各洗浄液１００部を採り、その中に２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板１枚を入れ、上部にポリ塩化ビニリデン製フィルムをかけて水分が蒸発しないように密閉し、２３℃に温調された室内で１２時間静置した。静置後、各洗浄液を採取し、ＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）で洗浄液中のＮｉ含量を測定した。尚、予め試験前の各洗浄液についても同様にＳｉ含量を測定しておき、その差を求めることで試験中に溶出したＳｉ含量（ｐｐｂ）を求めた。この溶出したＳｉ含量が多いほど、エッチング性が高い。

＜接触角測定−１＞
上記洗浄性試験−１で評価した直後の基板について、全自動接触角計（協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ）を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。

＜接触角測定−２＞
上記洗浄性試験−３で評価した直後の基板について、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて、水に対する接触角（２５℃、１秒後）を測定した。

＜分散性評価＞
５０ｍｌのガラス製容器に各洗浄液を３０部採り、これに前記洗浄性評価−１で使用した市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）０．３部を加えてマグネティックスターラーを用いて１分間攪拌した。５分間静置した後、動的光散乱式粒径分布測定装置［（株）堀場製作所社製、ＬＢ−５５０Ｖ］を用いて粒径（メジアン粒径）を測定した。粒径が小さい程分散性に優れる。

表１〜表３の結果から、本発明の洗浄剤は、洗浄後の磁気ディスク用基板表面に付着するパーティクルの除去性が極めて優れることがわかった。また、エッチング性試験の結果から、本発明の洗浄剤は、適度なエッチング性を有するが、洗浄後の基板表面の平坦性にはほとんど変化を与えないので、洗浄時に基板表面荒れを引き起こす心配がなく、基板表面に強固に付着したパーティクルについても非常に有効であることがわかった。更に、本発明の洗浄剤は洗浄後の基板表面の水の接触角を低くできることから、極めて清浄な基板表面を実現できるといった効果も奏することがわかった。
加えて、コロイダルシリカに対する分散性が良く、これらのパーティクルの基板への再付着防止性にも優れていることから、上記の優れた洗浄性を発現できることがわかった。

本発明の洗浄剤は、磁気ディスク基板上のパーティクルの洗浄性に優れているため、磁気ディスク基板（アルミ基板及びガラス基板等）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。

Claims (13)

1. 対イオンが１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン塩である高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）並びに炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類、炭素数１〜３０の脂肪族アミン、チオール系還元剤、硫黄のオキソ酸類及びリンのオキソ酸類からなる群から選ばれる１種以上の還元剤（Ｃ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄剤であって、洗浄液として使用される場合の有効成分濃度における２５℃でのｐＨが５〜１３であり、ｐＨ及び同濃度における２５℃での酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄剤。
   Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）
2. 洗浄液として使用される場合の有効成分濃度が０．０１〜１５重量％である請求項１記載の磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄剤。
3. 更に非イオン性界面活性剤（Ａ−１）を含有する請求項１又は２記載の磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄剤。
4. 更にキレート剤（Ｂ）及びアルカリ成分（Ｄ）からなる群から選ばれる１種以上を含有する請求項１〜３のいずれか記載の磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄剤。
5. キレート剤（Ｂ）が、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｂ−１）、ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｂ−２）、ホスホン酸（塩）（Ｂ−６）及び縮合リン酸（塩）（Ｂ−７）からなる群から選ばれる１種以上のキレート剤である請求項４記載の磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄剤。
   
6. 対イオンが１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン塩である高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）並びに炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類、炭素数１〜３０の脂肪族アミン、チオール系還元剤、硫黄のオキソ酸類及びリンのオキソ酸類からなる群から選ばれる１種以上の還元剤（Ｃ）を含有してなる磁気ディスク基板用洗浄液であって、有効成分濃度が０．０１〜１５重量％であり、２５℃でのｐＨが５〜１３であり、該ｐＨと該洗浄液の２５℃での酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とするＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄液。
   Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１）
7. 表面張力（２５℃）が６５ｍＮ／ｍ以下である請求項６記載の磁気ディスク用アルミニウム基板用洗浄液。
8. 請求項６又は７記載の洗浄液中でＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板を洗浄するＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板の洗浄方法。
9. 研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程又はテクスチャリング工程後の洗浄工程のいずれかの洗浄工程で磁気ディスク用アルミニウム基板を洗浄する請求項８記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の洗浄方法。
10. 研磨工程が、研磨剤としてアルミナ又はコロイダルシリカを用いる研磨工程であり、テクスチャリング工程が、ダイヤモンドを用いるテクスチャリング工程である請求項９記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の洗浄方法。
11. 超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式を用いて行われる請求項８〜１０のいずれか記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の洗浄方法。
12. 洗浄後の基板に対する水の接触角（２５℃）が、２０°以下である請求項８〜１１のいずれか記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の洗浄方法。
13. 請求項８〜１２のいずれか記載の洗浄方法でＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板を洗浄する工程を含むＮｉ−Ｐメッキを施した磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法。