JPH0559397A - フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 - Google Patents
フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法Info
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- JPH0559397A JPH0559397A JP21837491A JP21837491A JPH0559397A JP H0559397 A JPH0559397 A JP H0559397A JP 21837491 A JP21837491 A JP 21837491A JP 21837491 A JP21837491 A JP 21837491A JP H0559397 A JPH0559397 A JP H0559397A
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- Pending
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- Detergent Compositions (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フロン系溶剤に代替するフラックス洗浄剤を
提供する。 【構成】 フラックスを１０〜７５(V/V）％の範囲で含
有し、イソプロピルアルコールを２５〜９０(V/V）％の
範囲で含有するフラックス洗浄剤である。半田付け後の
電子部品は、まず、このフラックス洗浄剤中に浸漬さ
れ、次いでイソプロピルアルコールでリンスされた後、
イソプロピルアルコールの蒸気乾燥に付される。
提供する。 【構成】 フラックスを１０〜７５(V/V）％の範囲で含
有し、イソプロピルアルコールを２５〜９０(V/V）％の
範囲で含有するフラックス洗浄剤である。半田付け後の
電子部品は、まず、このフラックス洗浄剤中に浸漬さ
れ、次いでイソプロピルアルコールでリンスされた後、
イソプロピルアルコールの蒸気乾燥に付される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半田付け電子部品のフ
ラックス洗浄技術に関する。
ラックス洗浄技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩパッケージなどの電子部品を基板
に半田付けする場合は、半田表面の酸化膜を除去した
り、半田の再酸化を防止したりする目的でフラックスが
使用される。このフラックスは、その中に含まれるイオ
ン性物質が基板の配線腐食や電気絶縁性の劣化を引き起
こす原因になるため、半田付けが完了した後は、電子部
品の半田付け箇所を充分に洗浄してフラックス残渣を除
去する必要がある。
に半田付けする場合は、半田表面の酸化膜を除去した
り、半田の再酸化を防止したりする目的でフラックスが
使用される。このフラックスは、その中に含まれるイオ
ン性物質が基板の配線腐食や電気絶縁性の劣化を引き起
こす原因になるため、半田付けが完了した後は、電子部
品の半田付け箇所を充分に洗浄してフラックス残渣を除
去する必要がある。
【０００３】従来、フラックス残渣を除去する洗浄剤と
しては、１，１，１−トリクロルエタンのような塩素系
溶剤や、ＣＦＣ(Chlorofluorocarbon)−１１３などのい
わゆるフロン系溶剤が広く使用されてきた。
しては、１，１，１−トリクロルエタンのような塩素系
溶剤や、ＣＦＣ(Chlorofluorocarbon)−１１３などのい
わゆるフロン系溶剤が広く使用されてきた。
【０００４】なお、電子部品のフラックス洗浄技術につ
いては、工業調査会、平成元年９月１日発行の「電子材
料」Ｐ２１〜Ｐ５２などに記載されている。
いては、工業調査会、平成元年９月１日発行の「電子材
料」Ｐ２１〜Ｐ５２などに記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た塩素系溶剤やフロン系溶剤は、人体や環境への影響の
見地からその使用が規制されつつあるため、これらに代
替し得る新たなフラックス洗浄剤の開発が急務の課題と
なっている。
た塩素系溶剤やフロン系溶剤は、人体や環境への影響の
見地からその使用が規制されつつあるため、これらに代
替し得る新たなフラックス洗浄剤の開発が急務の課題と
なっている。
【０００６】本発明の目的は、塩素系溶剤やフロン系溶
剤に代替し得るフラックス洗浄剤を提供することにあ
る。
剤に代替し得るフラックス洗浄剤を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述から明らかになるであろう。
な特徴は、本明細書の記述から明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００９】本発明のフラックス洗浄剤は、１０〜７５
(V/V）％のフラックスと２５〜９０(V/V）％のイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）とからなる。
(V/V）％のフラックスと２５〜９０(V/V）％のイソプロ
ピルアルコール（ＩＰＡ）とからなる。
【００１０】上記組成のフラックス洗浄剤を用いて電子
部品のフラックス洗浄を行うには、このフラックス洗浄
剤を充填した洗浄槽に半田付け後の電子部品を浸漬す
る。その際、洗浄槽内のフラックス洗浄剤を加熱、循環
あるいは超音波振動させたり、浸漬した電子部品を揺動
させたりすることにより、フラックス洗浄効率の向上お
よび洗浄時間の短縮を図ることができる。
部品のフラックス洗浄を行うには、このフラックス洗浄
剤を充填した洗浄槽に半田付け後の電子部品を浸漬す
る。その際、洗浄槽内のフラックス洗浄剤を加熱、循環
あるいは超音波振動させたり、浸漬した電子部品を揺動
させたりすることにより、フラックス洗浄効率の向上お
よび洗浄時間の短縮を図ることができる。
【００１１】また、半田付け後の電子部品に本発明のフ
ラックス洗浄剤を噴霧したり、スピン塗布したりするこ
とによってフラックス洗浄を行う方法もある。
ラックス洗浄剤を噴霧したり、スピン塗布したりするこ
とによってフラックス洗浄を行う方法もある。
【００１２】上記フラックス洗浄後の電子部品の表面に
残ったフラックス洗浄剤は、アルコールを用いたリンス
によって効率良く除去することができる。このリンス
は、電子部品をアルコール中に浸漬するか、電子部品の
表面にアルコールを噴霧ないしはスピン塗布することに
よって行う。
残ったフラックス洗浄剤は、アルコールを用いたリンス
によって効率良く除去することができる。このリンス
は、電子部品をアルコール中に浸漬するか、電子部品の
表面にアルコールを噴霧ないしはスピン塗布することに
よって行う。
【００１３】アルコールとしては、メチルアルコール、
エチルアルコール、ＩＰＡなどの低級アルコールを使用
するが、フラックスの主成分であるロジン（松脂）やこ
のロジン中に含まれるアビエチン酸と半田成分のＳｎま
たはＰｂとが反応してできたアビエチン酸スズまたはア
ビエチン酸鉛（白色残渣）に対する溶解能の高いＩＰＡ
が特に好ましい。
エチルアルコール、ＩＰＡなどの低級アルコールを使用
するが、フラックスの主成分であるロジン（松脂）やこ
のロジン中に含まれるアビエチン酸と半田成分のＳｎま
たはＰｂとが反応してできたアビエチン酸スズまたはア
ビエチン酸鉛（白色残渣）に対する溶解能の高いＩＰＡ
が特に好ましい。
【００１４】また、上記リンスを行った後、電子部品の
表面に残ったアルコールを短時間で効率良く除去するに
は、ＩＰＡ蒸気乾燥が好ましい。
表面に残ったアルコールを短時間で効率良く除去するに
は、ＩＰＡ蒸気乾燥が好ましい。
【００１５】
【実施例】以下、図１〜図３を用いて本発明のフラック
ス洗浄剤を用いた半田付け電子部品の洗浄方法の一実施
例を説明する。
ス洗浄剤を用いた半田付け電子部品の洗浄方法の一実施
例を説明する。
【００１６】図２は、本実施例で使用する洗浄装置１の
概略図である。この洗浄装置１は、ロード室２、洗浄乾
燥室３およびアンロード室４からなり、洗浄乾燥室３に
は、洗浄槽５、リンス槽６および乾燥処理槽２２が設置
されている。
概略図である。この洗浄装置１は、ロード室２、洗浄乾
燥室３およびアンロード室４からなり、洗浄乾燥室３に
は、洗浄槽５、リンス槽６および乾燥処理槽２２が設置
されている。
【００１７】上記洗浄槽５には、５０(V/V）％のフラッ
クスと５０(V/V）％のＩＰＡとからなるフラックス洗浄
剤が充填されている。また、リンス槽６、乾燥処理槽７
の各々には、ＩＰＡが充填されている。
クスと５０(V/V）％のＩＰＡとからなるフラックス洗浄
剤が充填されている。また、リンス槽６、乾燥処理槽７
の各々には、ＩＰＡが充填されている。
【００１８】洗浄槽５に接続された自動薬液供給ユニッ
ト８からは、上記フラックス洗浄剤の所定量が洗浄槽５
に自動供給される。また、洗浄槽５からオーバーフロー
したフラックス洗浄剤は、フィルタ９、ポンプ１０およ
びヒータ１１を備えた循環濾過ユニット１２を経て清浄
化された後、洗浄槽５に還流する。洗浄槽５のフラック
ス洗浄剤は、例えば６０〜７０℃程度に加熱される。
ト８からは、上記フラックス洗浄剤の所定量が洗浄槽５
に自動供給される。また、洗浄槽５からオーバーフロー
したフラックス洗浄剤は、フィルタ９、ポンプ１０およ
びヒータ１１を備えた循環濾過ユニット１２を経て清浄
化された後、洗浄槽５に還流する。洗浄槽５のフラック
ス洗浄剤は、例えば６０〜７０℃程度に加熱される。
【００１９】リンス槽６に接続された自動薬液供給ユニ
ット８からは、ＩＰＡの所定量がリンス槽６に自動供給
される。また、リンス槽６からオーバーフローしたＩＰ
Ａは、循環濾過ユニット１２を経て清浄化された後、リ
ンス槽６に還流する。リンス槽６のＩＰＡは、例えば６
０〜７０℃程度に加熱される。
ット８からは、ＩＰＡの所定量がリンス槽６に自動供給
される。また、リンス槽６からオーバーフローしたＩＰ
Ａは、循環濾過ユニット１２を経て清浄化された後、リ
ンス槽６に還流する。リンス槽６のＩＰＡは、例えば６
０〜７０℃程度に加熱される。
【００２０】上記洗浄槽５およびリンス槽６の各々の底
部には、液を超音波振動させるための超音波発振装置１
３が設置されている。
部には、液を超音波振動させるための超音波発振装置１
３が設置されている。
【００２１】上記乾燥処理槽２２の底部に充填されたＩ
ＰＡは、ヒータ１４によって沸点温度（８2.５℃）まで
加熱され、気化したＩＰＡの蒸気は冷却管１５によって
冷却、液化された後、乾燥処理槽２２内の底部に還流す
る。
ＰＡは、ヒータ１４によって沸点温度（８2.５℃）まで
加熱され、気化したＩＰＡの蒸気は冷却管１５によって
冷却、液化された後、乾燥処理槽２２内の底部に還流す
る。
【００２２】次に、上記洗浄装置１を用いた電子部品の
洗浄方法を図１および図３を用いて説明する。
洗浄方法を図１および図３を用いて説明する。
【００２３】まず、図３（ａ）に示すように、基板１６
の主面に形成されたパッド１７上にスクリーン印刷法を
用いて半田ペースト１８およびロジン系のフラックス１
９を塗布する。
の主面に形成されたパッド１７上にスクリーン印刷法を
用いて半田ペースト１８およびロジン系のフラックス１
９を塗布する。
【００２４】次に、図３（ｂ）に示すように、上記マウ
ントパッド１７上にＬＳＩパッケージ２０の外部端子
（リード）２１を搭載した後、基板１６をリフロー炉に
搬送し、半田ペースト１８を加熱、溶融させてＬＳＩパ
ッケージ２０を基板１６に半田付けする。
ントパッド１７上にＬＳＩパッケージ２０の外部端子
（リード）２１を搭載した後、基板１６をリフロー炉に
搬送し、半田ペースト１８を加熱、溶融させてＬＳＩパ
ッケージ２０を基板１６に半田付けする。
【００２５】次に、上記基板１６を図２に示す洗浄装置
１のロード室２に搬入し、続いて図示しない自動搬送ユ
ニットを用いて洗浄乾燥室３に搬入する。そしてまず、
基板１６を洗浄槽５のフラックス洗浄剤中に数分間浸漬
してフラックス残渣を溶解、除去する。
１のロード室２に搬入し、続いて図示しない自動搬送ユ
ニットを用いて洗浄乾燥室３に搬入する。そしてまず、
基板１６を洗浄槽５のフラックス洗浄剤中に数分間浸漬
してフラックス残渣を溶解、除去する。
【００２６】次に、基板１６をリンス槽７に移してＩＰ
Ａ中に数分間浸漬し、基板１６やＬＳＩパッケージ２０
の表面に残留したフラックス洗浄剤を除去する。最後
に、基板１６を乾燥処理槽２２に移してＩＰＡ蒸気乾燥
を行い、基板１６やＬＳＩパッケージ２０の表面に残留
したＩＰＡを除去する。
Ａ中に数分間浸漬し、基板１６やＬＳＩパッケージ２０
の表面に残留したフラックス洗浄剤を除去する。最後
に、基板１６を乾燥処理槽２２に移してＩＰＡ蒸気乾燥
を行い、基板１６やＬＳＩパッケージ２０の表面に残留
したＩＰＡを除去する。
【００２７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２８】前記実施例では、ＬＳＩパッケージを実装
した基板のフラックス洗浄に適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、各種半田付け
電子部品のフラックス洗浄に広く適用することができ
る。
した基板のフラックス洗浄に適用した場合について説明
したが、これに限定されるものではなく、各種半田付け
電子部品のフラックス洗浄に広く適用することができ
る。
【００２９】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３０】(1).１０〜７５(V/V）％のフラックスと２
５〜９０(V/V）％のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
とからなるフラックス洗浄剤を用いることにより、半田
付け電子部品のフラックス残渣を効率良く除去すること
ができる。
５〜９０(V/V）％のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
とからなるフラックス洗浄剤を用いることにより、半田
付け電子部品のフラックス残渣を効率良く除去すること
ができる。
【００３１】(2).上記フラックス洗浄後、電子部品をア
ルコールでリンスすることにより、電子部品の表面に残
留したフラックス洗浄剤を効率良く除去することができ
る。
ルコールでリンスすることにより、電子部品の表面に残
留したフラックス洗浄剤を効率良く除去することができ
る。
【００３２】(3).上記リンス後、電子部品をＩＰＡ蒸気
乾燥することにより、電子部品の表面に残留したアルコ
ールを効率良く除去することができる。
乾燥することにより、電子部品の表面に残留したアルコ
ールを効率良く除去することができる。
【図１】本発明の一実施例であるフラックス洗浄方法を
工程順に示すフロー図である。
工程順に示すフロー図である。
【図２】このフラックス洗浄方法に用いる洗浄装置の概
略図である。
略図である。
【図３】このフラックス洗浄方法の適用対象である電子
部品の要部概略図である。
部品の要部概略図である。
１ 洗浄装置 ２ ロード室 ３ 洗浄乾燥室 ４ アンロード室 ５ 洗浄槽 ６ リンス槽 ７ 乾燥処理槽 ８ 自動薬液供給ユニット ９ フィルタ １０ ポンプ １１ ヒータ １２ 循環濾過ユニット １３ 超音波発振装置 １４ ヒータ １５ 冷却管 １６ 基板 １７ パッド １８ 半田ペースト １９ フラックス ２０ ＬＳＩパッケージ ２１ 外部端子（リード） ２２ 乾燥処理槽
フロントページの続き (72)発明者 菊地 広 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 佐藤 俊彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 林田 哲哉 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 岸川 範夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (4)
- 【請求項１】 フラックスを１０〜７５(V/V）％の範囲
で含有し、イソプロピルアルコールを２５〜９０(V/V）
％の範囲で含有するフラックス洗浄剤。 - 【請求項２】 半田付け後の電子部品を請求項１記載の
フラックス洗浄剤中に浸漬することを特徴とする半田付
け電子部品の洗浄方法。 - 【請求項３】 フラックス洗浄後の電子部品をアルコー
ルでリンスすることを特徴とする請求項２記載の半田付
け電子部品の洗浄方法。 - 【請求項４】 リンス後の電子部品をイソプロピルアル
コールで蒸気乾燥することを特徴とする請求項３記載の
半田付け電子部品の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21837491A JPH0559397A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21837491A JPH0559397A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559397A true JPH0559397A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16718899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21837491A Pending JPH0559397A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | フラツクス洗浄剤およびそれを用いた半田付け電子部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0559397A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0620052A1 (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-19 | Martin Marietta Corporation | Controlled agitation cleaning system |
| JPWO2005021700A1 (ja) * | 2003-08-27 | 2006-10-26 | 化研テック株式会社 | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
| CN114146985A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-08 | 深圳市富诺依科技有限公司 | 零废水环保型喷淋清洗工艺 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP21837491A patent/JPH0559397A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0620052A1 (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-19 | Martin Marietta Corporation | Controlled agitation cleaning system |
| JPWO2005021700A1 (ja) * | 2003-08-27 | 2006-10-26 | 化研テック株式会社 | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
| JP2009190089A (ja) * | 2003-08-27 | 2009-08-27 | Kaken Tec Kk | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
| JP4495084B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-06-30 | 化研テック株式会社 | 半田フラックス除去用洗浄剤および半田フラックスの洗浄方法 |
| US7776808B2 (en) | 2003-08-27 | 2010-08-17 | Kaken Tech Co., Ltd. | Cleaning agent for removing solder flux and method for cleaning solder flux |
| CN114146985A (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-08 | 深圳市富诺依科技有限公司 | 零废水环保型喷淋清洗工艺 |
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