JPS60226130A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
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- JPS60226130A JPS60226130A JP8311884A JP8311884A JPS60226130A JP S60226130 A JPS60226130 A JP S60226130A JP 8311884 A JP8311884 A JP 8311884A JP 8311884 A JP8311884 A JP 8311884A JP S60226130 A JPS60226130 A JP S60226130A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、半導体装置の製造方法及びその製造装置に関
し、特に半導体基板を純水中で処理する工程を有する半
導体装置の製造方法及びその製造装置に関する。
し、特に半導体基板を純水中で処理する工程を有する半
導体装置の製造方法及びその製造装置に関する。
（従来技術）
近年、半導体装置は高密度化、高速化を計る為に、微細
パターン化が進むとともに、非常に薄い絶縁膜を用いる
技術が利用されている。これらの薄い絶縁膜を用いる為
に、半導体装置の絶縁耐圧低下を招き、静電気等による
半導体装置の破壊が問題となってきている。
パターン化が進むとともに、非常に薄い絶縁膜を用いる
技術が利用されている。これらの薄い絶縁膜を用いる為
に、半導体装置の絶縁耐圧低下を招き、静電気等による
半導体装置の破壊が問題となってきている。
特にＭＯ８型ダイナミックｆＬＡＭ等では、容量部分に
電荷を蓄え、この電荷を信号として取扱っ“でいるが、
高密度化が進み、パターンが微細になっても、出来るだ
け多くの電荷を蓄積し大きな信号量を取り出す為に非常
に薄い絶縁膜を利用している。
電荷を蓄え、この電荷を信号として取扱っ“でいるが、
高密度化が進み、パターンが微細になっても、出来るだ
け多くの電荷を蓄積し大きな信号量を取り出す為に非常
に薄い絶縁膜を利用している。
従来よりＭＯ８型半導体装置では静電気等による半導体
装置の破壊を防ぐため半導体装置の製造工程では一般に
後工程と呼ばれている半導体装置の組立９選別工程にお
いては充分な静電気に対する保護対策が行なわれてきた
。しかし前記した非常に薄い絶縁膜を利用しているＭＯ
８型ダイナミックＲＡＭ等では後工程で対策をとっても
製品歩留りはなかなか向上しないという問題が発生した
６（発明の目的） 本発明の目的は、上記した欠点を除去し、半導体装置の
製造工程において、静電気の発生をほとんど無くシ、こ
の静電気による絶縁膜の破壊を防ぎ、高密度な半導体装
置の製造歩留りを飛躇的に向上させることができる半導
体装置の製造方法及びその製造装置を提供することにち
る。
装置の破壊を防ぐため半導体装置の製造工程では一般に
後工程と呼ばれている半導体装置の組立９選別工程にお
いては充分な静電気に対する保護対策が行なわれてきた
。しかし前記した非常に薄い絶縁膜を利用しているＭＯ
８型ダイナミックＲＡＭ等では後工程で対策をとっても
製品歩留りはなかなか向上しないという問題が発生した
６（発明の目的） 本発明の目的は、上記した欠点を除去し、半導体装置の
製造工程において、静電気の発生をほとんど無くシ、こ
の静電気による絶縁膜の破壊を防ぎ、高密度な半導体装
置の製造歩留りを飛躇的に向上させることができる半導
体装置の製造方法及びその製造装置を提供することにち
る。
（発明の構成）
本発明の第１の発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板を純水中で処理し純水中より引き上げる工程におい
て、純水中より前記半導体基板を電離されたクリーンエ
ア雰囲気内で引き上けることにより構成される。
基板を純水中で処理し純水中より引き上げる工程におい
て、純水中より前記半導体基板を電離されたクリーンエ
ア雰囲気内で引き上けることにより構成される。
また、本発明の第２の発明の半導体装置の製造装置は、
半導体基板を純水中で処理する工程を含む半導体装置の
製造装置において、前記半導体基板を純水処理する半導
体基板純水処理部と、クリーンエアを電離させる電離手
段と、半碑体基板引き上は部を電離されたクリーンエア
雰囲気とする雰囲気調整手段とを含んで構成される。
半導体基板を純水中で処理する工程を含む半導体装置の
製造装置において、前記半導体基板を純水処理する半導
体基板純水処理部と、クリーンエアを電離させる電離手
段と、半碑体基板引き上は部を電離されたクリーンエア
雰囲気とする雰囲気調整手段とを含んで構成される。
（発明の原理と作用）
従来の半導体装置では、例えばＭＯ８型半導体装置のゲ
ート絶縁膜は、５００〜１００ＯＡ程度であったが、パ
ターンが微細化されるに伴い、スケーリングが行なわれ
、ＭＯ８型ダイナミックＲＡＭ等の容鮒絶縁膜は、１０
０Ａ前後の膜厚が用いられているので静電気等の電界に
より容易に破壊されてしまう。まだ、半導体装置の製造
工程では、一般に後工程と呼ばれている半導体装置の組
立、選別工程においては、充分な静電気に対する保譲対
策が行なわれていたが、前工程と呼ばれる半導体基板の
処理工程（ウェハープロセス）においては、静電気等の
電界に対する影智がおるとは、考えられていなかったの
で特に静電気等の電界に対する保護対策に注意が払われ
ていなかった。
ート絶縁膜は、５００〜１００ＯＡ程度であったが、パ
ターンが微細化されるに伴い、スケーリングが行なわれ
、ＭＯ８型ダイナミックＲＡＭ等の容鮒絶縁膜は、１０
０Ａ前後の膜厚が用いられているので静電気等の電界に
より容易に破壊されてしまう。まだ、半導体装置の製造
工程では、一般に後工程と呼ばれている半導体装置の組
立、選別工程においては、充分な静電気に対する保譲対
策が行なわれていたが、前工程と呼ばれる半導体基板の
処理工程（ウェハープロセス）においては、静電気等の
電界に対する影智がおるとは、考えられていなかったの
で特に静電気等の電界に対する保護対策に注意が払われ
ていなかった。
特に純水中で半導体基板を処理する工程において、静電
気が発生すると、発生した静電気が半導体装置に影ｌ＃
を与えることは、予想もされていなかった。
気が発生すると、発生した静電気が半導体装置に影ｌ＃
を与えることは、予想もされていなかった。
本発明者は、半導体基板を純水中で処理するときに、静
電気が発生し、その静電気が半導体装置の製造歩留に多
大な影参を与えることを発見し、それに対する防止策を
提供せんとするものである。
電気が発生し、その静電気が半導体装置の製造歩留に多
大な影参を与えることを発見し、それに対する防止策を
提供せんとするものである。
一般に、半導体基板を処理する工程では、半導体基板を
収納するカセット、又はキャリアと呼ばれる治具を使用
している。この治具（以後、キャリアと呼ぶ）に、半導
体基板を収納したままの状態で、半導体基板の運搬、及
び処理を行っている。
収納するカセット、又はキャリアと呼ばれる治具を使用
している。この治具（以後、キャリアと呼ぶ）に、半導
体基板を収納したままの状態で、半導体基板の運搬、及
び処理を行っている。
通常、半導体装置の製造工程での半導体基板処理工程、
いわゆる前工程（ウェノ・−プロセス）では（１）洗浄 （２）高温熱処理（拡散、酸化）、気相成長、金属析出 （３） ホトリングラフィ （４） エツチング（ウェットエツチング、ドライエツ
チング） （５） レジスト除去 等の工程を１０数回繰返して行う。征って、半導体基板
処理工程では、洗浄、ウェットエツチング、レジスト除
去等の純水中で処理する工程は、数十回にも及ぶ。これ
らの半導体基板処理に用いられている純水は、高純度が
要求され、一般には、純水精製装置を用いて製造された
、比抵抗が１５ＭΩ以上の清浄な純水が使用されている
。
いわゆる前工程（ウェノ・−プロセス）では（１）洗浄 （２）高温熱処理（拡散、酸化）、気相成長、金属析出 （３） ホトリングラフィ （４） エツチング（ウェットエツチング、ドライエツ
チング） （５） レジスト除去 等の工程を１０数回繰返して行う。征って、半導体基板
処理工程では、洗浄、ウェットエツチング、レジスト除
去等の純水中で処理する工程は、数十回にも及ぶ。これ
らの半導体基板処理に用いられている純水は、高純度が
要求され、一般には、純水精製装置を用いて製造された
、比抵抗が１５ＭΩ以上の清浄な純水が使用されている
。
また半導体基板を処理する工程では、一般に、弗酸、硫
酸、硝酸等の強酸、及びトリクロルエチレン、アセトン
、フェノール系の有機溶剤等を使用しているので、半導
体基板を収納し、前記の様々な処理に用いられているキ
ャリアは、化学的に安定であり、しかも半導体基板処理
中にこれらの俗液に半導体基板に悪影響を与えるような
物質の溶出が無いような材質で製作する会費がある。
酸、硝酸等の強酸、及びトリクロルエチレン、アセトン
、フェノール系の有機溶剤等を使用しているので、半導
体基板を収納し、前記の様々な処理に用いられているキ
ャリアは、化学的に安定であり、しかも半導体基板処理
中にこれらの俗液に半導体基板に悪影響を与えるような
物質の溶出が無いような材質で製作する会費がある。
これらの理由により半導体基板処理工程では通常、テフ
ロン系の材質を用いたキャリアが半導体基板処理用に使
われている。
ロン系の材質を用いたキャリアが半導体基板処理用に使
われている。
このテフロン製のキャリアを用いて、純水中で半導体基
板の処理を行った場合、半導体基板が収納されたキャリ
アを純水中より引き上げるときに、静電気が発生するこ
とが解った。この静電気により、極めて薄い絶縁膜は破
謝され、絶縁耐圧不良となり、半導体装置の歩留りを著
しく低下させていた。
板の処理を行った場合、半導体基板が収納されたキャリ
アを純水中より引き上げるときに、静電気が発生するこ
とが解った。この静電気により、極めて薄い絶縁膜は破
謝され、絶縁耐圧不良となり、半導体装置の歩留りを著
しく低下させていた。
そこで本発明者は絶縁耐圧不良を無くすために純水中か
ら半導体基板管収納したキャリアを引きあげるときに発
生する静電気を逃がしてやれば良いと考え、そのために
は電離されたクリーンエアを流すことによりキャリアの
帯電を防ぐことが出来ると思考した。
ら半導体基板管収納したキャリアを引きあげるときに発
生する静電気を逃がしてやれば良いと考え、そのために
は電離されたクリーンエアを流すことによりキャリアの
帯電を防ぐことが出来ると思考した。
（実施例）
以下、本発明の実施例について１図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例の説
明図である。第１図において２は半導体基板を収納する
キャリア、３は半導体基板、４はキャリアを取扱う取手
、５は純水、６は電離されたクリーンエアを発生させる
装置である。
明図である。第１図において２は半導体基板を収納する
キャリア、３は半導体基板、４はキャリアを取扱う取手
、５は純水、６は電離されたクリーンエアを発生させる
装置である。
電離されたクリーンエアを発生させる装置はアイオナイ
ザ−として開発されており中性子をあてるか、放電によ
る方法が採用されている。アイオナイザ−より放出され
る電離されたクリーンエアは放出方向や量等が調整され
純水中で半導体基板を処理する際、檜の純水上面近傍は
純粋な電離された雰囲気で覆われるようにすることがで
きる。
ザ−として開発されており中性子をあてるか、放電によ
る方法が採用されている。アイオナイザ−より放出され
る電離されたクリーンエアは放出方向や量等が調整され
純水中で半導体基板を処理する際、檜の純水上面近傍は
純粋な電離された雰囲気で覆われるようにすることがで
きる。
次に本製造装置を使用した半導体装置の製造方法につき
説明する。
説明する。
先ず、通常の４インチ径の半導体基板を２５枚収納した
キャリアを純水処理後純水中より引きあげた場合および
本発明の製造装置を使用し電離された清浄な空気の雰囲
気中へ引きあげた場合につき発生するキャリアの帯電状
態を測定した。その結果を第２図に示す。
キャリアを純水処理後純水中より引きあげた場合および
本発明の製造装置を使用し電離された清浄な空気の雰囲
気中へ引きあげた場合につき発生するキャリアの帯電状
態を測定した。その結果を第２図に示す。
第２図から明らかなように、従来の方法では発生する静
電気はＡ部に示すようにｌ０ＫＶ程度も発生したが、本
発明方法によるものはＢ部に示すようＩＫＶ以下に低減
できしかもバラツキは殆んどなかった。
電気はＡ部に示すようにｌ０ＫＶ程度も発生したが、本
発明方法によるものはＢ部に示すようＩＫＶ以下に低減
できしかもバラツキは殆んどなかった。
すなわち本実施例の製造装置を用いると半導体基板を収
容したキャリアを純水処理後、純水より引きあげるにあ
たり引きあげる部分の純水上面近傍は電離されたクリー
ンエア雰囲気になっているため前述したようにキャリア
に発生する静電圧を最小にすることができることが明ら
かとなった。
容したキャリアを純水処理後、純水より引きあげるにあ
たり引きあげる部分の純水上面近傍は電離されたクリー
ンエア雰囲気になっているため前述したようにキャリア
に発生する静電圧を最小にすることができることが明ら
かとなった。
次に、通常の４インチ径の半導体基板上に５ＯＡの熱酸
化膜を形成し、第１図のキャリアに収容し通常の雰囲気
で純水中より引き上げたものと、本発明による電離され
たクリーンエア雰囲気中で引き上けたものを準備し酸化
膜の絶縁耐圧を測定した。
化膜を形成し、第１図のキャリアに収容し通常の雰囲気
で純水中より引き上げたものと、本発明による電離され
たクリーンエア雰囲気中で引き上けたものを準備し酸化
膜の絶縁耐圧を測定した。
第３図は上記結果、すなわち従来例（Ａ）と本実施例（
Ｂ）の酸化膜の絶縁耐圧分布を示す図である。
Ｂ）の酸化膜の絶縁耐圧分布を示す図である。
第３図から明らかなように、５０Ａの熱酸化膜の絶縁耐
圧は５ Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍ以上であるが従来の処理
方法によるもの（Ａ）は７０％以上の絶縁耐圧不良が発
生した。これに対し本実施例の処理を施したもの（Ｈ）
においては、すべて６ Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍ以上の絶
縁耐圧が得られ、従来例に見られたような絶縁耐圧不良
は発生しなかった。
圧は５ Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍ以上であるが従来の処理
方法によるもの（Ａ）は７０％以上の絶縁耐圧不良が発
生した。これに対し本実施例の処理を施したもの（Ｈ）
においては、すべて６ Ｘ １０’ Ｖ／ｃｍ以上の絶
縁耐圧が得られ、従来例に見られたような絶縁耐圧不良
は発生しなかった。
なお、本実施例では電離された清浄な空気で行ったが、
クリーンエアに限足されるものでなく、不活性ガス等の
他のガスを用いても同様な効果が得られる。
クリーンエアに限足されるものでなく、不活性ガス等の
他のガスを用いても同様な効果が得られる。
また、本実施例では半導体基板を純水中で処理する場合
について述べたが、純水以外の他の液体中で処理する場
合にも静電気が発生するならば、本実施例と同様に電離
されたクリーンエア雰囲気中で処理することにより、静
電気の発生を低減させ絶縁膜の破壊を防ぐことが出来る
ことは明白である。
について述べたが、純水以外の他の液体中で処理する場
合にも静電気が発生するならば、本実施例と同様に電離
されたクリーンエア雰囲気中で処理することにより、静
電気の発生を低減させ絶縁膜の破壊を防ぐことが出来る
ことは明白である。
（発明の効果）
以上説明したとおり、本発明によれは、半導体基板を純
水中で処理する工程において、ｉｍされたクリーンエア
雰囲気中で処理を行うことにより、静電気の発生をほと
んど無くして、この静電気による絶縁膜の破壊を防ぐこ
とができる。その結果、本発明によれば特に薄い絶縁膜
を用いている高密産生導体装置の製造歩留りを飛細的に
向上させることができる。
水中で処理する工程において、ｉｍされたクリーンエア
雰囲気中で処理を行うことにより、静電気の発生をほと
んど無くして、この静電気による絶縁膜の破壊を防ぐこ
とができる。その結果、本発明によれば特に薄い絶縁膜
を用いている高密産生導体装置の製造歩留りを飛細的に
向上させることができる。
第１図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例の説
明図、第２図は本発明方法と従来方法による半導体基板
収納キャリアの帯電状態を示す図、第３図は本発明の一
実施例と従来例の処理による絶縁膜の絶縁耐圧の状態を
示す図である。 １・・・・・・純水、２・・・・・・半導体基板を収納
するキャリア、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・キャリアを取扱う取手、５・・・・・・純水槽、６
・・・・・・電離されたクリーンエアを発生する装置（
アイオナイザ−）、７・・・・・・電離されたクリーン
エア。 代理人 弁理士 内 原 晋、 ハ 第１図
明図、第２図は本発明方法と従来方法による半導体基板
収納キャリアの帯電状態を示す図、第３図は本発明の一
実施例と従来例の処理による絶縁膜の絶縁耐圧の状態を
示す図である。 １・・・・・・純水、２・・・・・・半導体基板を収納
するキャリア、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・キャリアを取扱う取手、５・・・・・・純水槽、６
・・・・・・電離されたクリーンエアを発生する装置（
アイオナイザ−）、７・・・・・・電離されたクリーン
エア。 代理人 弁理士 内 原 晋、 ハ 第１図
Claims (2)
- （１） 半導体基板を純水中で処理し純水中より引きあ
ける工程において、純水中よシ前記半導体基板を電離さ
れたクリーンエア雰囲気内で引き上けることを％敵とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）半導体基板を純水中で処理する工程を含む半導体
装置の製造装置において、前記半導体基板を純水処理す
る半導体基板純水処理部と、クリーンエアを電離させる
電離手段と、半導体基板引き上げ部を電離されたクリー
ンエア雰囲気とする雰囲気調整手段とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311884A JPS60226130A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311884A JPS60226130A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226130A true JPS60226130A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH051615B2 JPH051615B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=13793284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8311884A Granted JPS60226130A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226130A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322427A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | 半導体基板乾燥方法 |
| US5299584A (en) * | 1991-04-23 | 1994-04-05 | Tokyo Electron Limited | Cleaning device |
| US5316970A (en) * | 1990-08-23 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Generation of ionized air for semiconductor chips |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06217438A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Yazaki Corp | 箱体内の放熱方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5461868A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-18 | Fsi Corp | Ic substrate and wafer cleaning and drying device |
| JPS55162379A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Fujitsu Ltd | Pure water washing method |
| JPS603121A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8311884A patent/JPS60226130A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5461868A (en) * | 1977-10-13 | 1979-05-18 | Fsi Corp | Ic substrate and wafer cleaning and drying device |
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| JPS603121A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322427A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | 半導体基板乾燥方法 |
| US5316970A (en) * | 1990-08-23 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Generation of ionized air for semiconductor chips |
| US5432670A (en) * | 1990-08-23 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Generation of ionized air for semiconductor chips |
| US5299584A (en) * | 1991-04-23 | 1994-04-05 | Tokyo Electron Limited | Cleaning device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051615B2 (ja) | 1993-01-08 |
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