JPH0577932U - レジスト液供給装置 - Google Patents

レジスト液供給装置

Info

Publication number
JPH0577932U
JPH0577932U JP1764292U JP1764292U JPH0577932U JP H0577932 U JPH0577932 U JP H0577932U JP 1764292 U JP1764292 U JP 1764292U JP 1764292 U JP1764292 U JP 1764292U JP H0577932 U JPH0577932 U JP H0577932U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
resist solution
pipe
supply device
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1764292U
Other languages
English (en)
Inventor
正行 水越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1764292U priority Critical patent/JPH0577932U/ja
Publication of JPH0577932U publication Critical patent/JPH0577932U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レジスト配管内でのレジストの硬化を除去で
きるレジスト液供給装置を提供することにより、ホトリ
ソグラフィーの品質向上を図る。 【構成】 レジスト液供給装置において、バイパス配管
27を設け、これとレジスト供給配管5,7とで循環系
を構成し、この循環系に有機溶剤供給手段23,25,
26を設けた。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は半導体装置製造において用いられる半導体ウェハ上にレジスト液を 塗布するためのレジスト液供給装置の構造に関するものである。
【0002】
【従来技術】
半導体装置の製造においてもっとも重要な工程としてホトリソグラフィ技術が あるが、本工程において半導体ウェハ上にレジスト液を塗布する事が行なわれる が、このレジスト液の塗布においては膜厚の均一性はもとより、レジスト中に含 まれるゴミや使用しているとレジスト配管内にレジスト液が硬化して出来るゲル 状の異物によりホトリソグラフィの不良(パターン崩れ、パターンショート等) が発生し歩留りの低下要因となっている問題があった。
【0003】 図2は従来のレジスト液供給装置の一構成例を示すレジスト液供給配管図であ って、各ホトリソグラフィに使用するレジスト液1たとえばポジタイプレジスト を貯蓄するための容器2からレジスト液1を吸い上げるパイプ3とそれを吐出さ せるためのポンプ4を通して配管5からレジスト液中に含まれるゴミ等の異物を 取るためのフィルター6を通してレジスト液交換時に混入する気泡等を取る為の 容器7にレジスト液を入れ空気抜きコック8にて手動操作で配管等に混入した気 泡を抜いている。その後吐出口9によりレジスト液10を半導体ウェハ11に滴 下し、ウェハ11の吸差台12をモータ13にて回転させ、ウェハ上にレジスト 膜を均一に塗布する様にしたレジスト液の供給装置である。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
以上詳細に説明した様に、従来のレジスト液の供給装置の構造では以下の様な 課題があった。
【0005】 レジスト供給の配管内にゲル状の異物が発生しやすく、又、そのゲル状の 異物を取り除くためにレジストラインをストップして供給配管内を洗浄する為、 作業の効率が悪い。
【0006】 レジスト液交換時に混入するレジスト内の気泡を手動コックにて行なって いる為、その作業をわすれてしまうとレジストの塗布ムラやレジスト吐出ストッ プ等が発生する問題があり、品質上満足できるものは得られなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この考案は前記課題を解決するため、半導体製造装置において、半導体ウェハ 上にレジスト液を塗布するために用いられるレジスト液の供給装置のレジスト供 給の配管内に発生するゲル状異物に対して、レジスト循環系を構成するバイパス 配管とこの循環系内に溶剤供給手段とを設け、有機(たとえばシンナー等)溶剤 を用いてレジスト配管内のライン洗浄を行なう事でホトリソグラフィの品質向上 を図ったものである。
【0008】
【作用】
この考案によれば以上の様に、半導体ウェハ上にレジスト液を塗布するために 用いられるレジスト液の供給装置にレジスト供給の配管ラインを簡単に洗浄でき る様に、レジスト循環系を構成する配管及び溶剤を供給する溶剤供給手段を設け たので、レジストを流動状態に保つことができ且つ有機溶剤(たとえばシンナー 等)をレジスト供給の配管に直結しゲル状等の異物を洗浄することができる。
【0009】
【実施例】
図1はこの考案の実施例を示す半導体ウェハ上にレジスト液を塗布するために 用いられるレジスト液の供給装置の配管図であって、以下図面を用いてその動作 を順を追って詳細に説明する。
【0010】 各ホトリソグラフィ工程で使用するレジスト液1たとえばポジタイプレジスト を貯蓄するための容器2からレジスト液1を吸いパイプ3とポンプ4によりレジ スト配管5を通りフィルター6によりレジスト内に含まれる異物を取り除く。そ の後レジスト配管7を通り配管内に混入している気泡等を取り除くための容器8 に入る。気泡により容器8内の圧力が上がると圧力センサー9により圧力を検知 し、圧力センサー9と連動しているポンプ10により自動的に排気される。その 後レジスト配管11を通り吐出口12からレジスト液1が半導体ウェハ13上に 滴下されウェハ支持台14をモータ15により回転させウェハ13上にレジスト 液1を均一の膜厚に塗布し完了する。
【0011】 以上がレジスト供給装置により半導体ウェハ13上にレジスト液1を塗布する までの基本的動作工程である。又、レジスト液1の硬化等で発生するゲル状の異 物を除去する為に2つの方法が取れる様にした。まず1つは、図1に示すように 、レジスト液1の使用が2〜3日ない場合配管内のレジスト液1は硬化しやすい 為レジスト液1を塗布していない時はレジスト液1がリターンできる様にレジス ト配管11の弁16を締める。次に弁17を開けバイパスラインの配管27の弁 18を開け、次に(その時弁23は締っている)レジスト貯蓄容器2に元す配管 弁20を開ける。次に弁21を締めて弁19を開けるとレジスト液1は貯蓄容器 2からレジスト配管5を通りフィルター6、気泡抜き容器8を通りバイパスライ ン(配管)27から貯蓄容器2にもどる循環系ができ常にレジスト液1が流動し ている為、レジスト液1が硬化しにくい。
【0012】 2つ目の方法は1つ目の方法でも長い間使用しているとレジスト配管内にゲル 状の異物が発生する為、洗浄により除去する為に有機溶剤(たとえばレジストを 溶かすシンナー等)24の入っている容器25から吸い上げポンプ26を用いて まずレジスト配管で一番レジストが空気にふれて硬化しやすい部分の配管11を 洗浄する為弁17と19を締める。次に弁16と18を開け最後に弁23を開け ると一部の配管の洗浄が可能となる。又、全体的に洗浄が必要の場合は有機溶剤 24の容器25から吸い上げポンプ26を用いて弁18、20、22を締めて、 次に弁16、17、19、21を開けて最後に弁23を開ければ有機溶剤24は レジスト貯蓄容器2を除く全ての配管内に流れゲル状異物等を洗浄し除去する事 ができる。
【0013】 本考案の実施例によれば、気泡抜き容器8に圧力センサ9を取り付け排気ポン プ10と連動させたので、レジスト交換時等に混入した気泡を自動的に取り除く ことができる。
【0014】
【考案の効果】
以上詳細に説明した様に、この考案によれば、半導体ウェハ上にレジスト液を 塗布するために用いられるレジスト液の供給装置にレジストの硬化を少なくする 為に、レジスト供給ラインにバイパス配管を設け循環系の構成とし、レジストを 塗布していない時に常にレジストを流動可能にし、且つ、レジストの硬化による ゲル状の異物を配管内から取り除くための有機溶剤供給手段を設け、循環系の一 部であるレジスト配管に直結して洗浄できる様にしたのでホトリソグラフィーの 品質向上が図れ、半導体装置の製造における歩留りの向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の実施例に係るレジスト供給装置の構
成図。
【図2】従来のレジスト供給装置の構成図。
【符号の説明】
1 レジスト液 2,8,25 容器 4,10,26 ポンプ 5,7,11 レジスト配管 6 フィルター 9 圧力センサ 13 半導体ウェハ 16,17,18,19,20,21,22,23
弁 24 有機溶剤 27 バイパスラインの配管

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レジスト液容器と、レジスト液が塗布さ
    れる基板を支持する支持台と、前記レジスト液容器から
    前記支持台へレジスト液を供給する供給配管とを具備す
    るレジスト液供給装置において、 前記供給配管の、前記レジスト液容器近傍の第1分岐点
    と前記支持台近傍の第2分岐点とを結ぶバイパス配管を
    設けることにより前記供給配管とで循環系を構成し、且
    つ、前記循環系の一部に有機溶剤を供給する溶剤供給手
    段を設けたことを特徴とするレジスト液供給装置。
JP1764292U 1992-03-30 1992-03-30 レジスト液供給装置 Pending JPH0577932U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1764292U JPH0577932U (ja) 1992-03-30 1992-03-30 レジスト液供給装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1764292U JPH0577932U (ja) 1992-03-30 1992-03-30 レジスト液供給装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0577932U true JPH0577932U (ja) 1993-10-22

Family

ID=11949517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1764292U Pending JPH0577932U (ja) 1992-03-30 1992-03-30 レジスト液供給装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0577932U (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08131909A (ja) * 1994-11-04 1996-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置用処理液供給装置
JP2004056131A (ja) * 2003-07-03 2004-02-19 Miyazaki Oki Electric Co Ltd レジスト塗布装置
JP2005125194A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Seiko Epson Corp 洗浄機構および洗浄機構を備えた液滴吐出装置並びに液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置およびプラズマ表示装置
JP2006205107A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Global Mach Kk 液体吐出装置
JP2014216471A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08131909A (ja) * 1994-11-04 1996-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置用処理液供給装置
JP2004056131A (ja) * 2003-07-03 2004-02-19 Miyazaki Oki Electric Co Ltd レジスト塗布装置
JP2005125194A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Seiko Epson Corp 洗浄機構および洗浄機構を備えた液滴吐出装置並びに液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置およびプラズマ表示装置
JP2006205107A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Global Mach Kk 液体吐出装置
JP2014216471A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4370356A (en) Method of meniscus coating
JP3241058B2 (ja) 回転式塗布装置及び回転式塗布方法
WO2021143578A1 (zh) 清洗装置
KR20060089150A (ko) 세정 장치, 도포, 현상 장치 및 세정 방법
TWI393177B (zh) 用以在一或多個晶圓上實行液體及隨後的乾燥處理之系統及方法
JP3721016B2 (ja) レジスト処理装置
US6039057A (en) Automated washing system and method
JPH0577932U (ja) レジスト液供給装置
US20030200996A1 (en) Method and system for cleaning a wafer chuck
KR20130049732A (ko) 처리액 공급 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 처리액 공급 장치
JP6783105B2 (ja) ノズル洗浄方法、塗布装置
JPH01278727A (ja) レジスト塗布装置
JPH0582435A (ja) 塗布装置
JP2896731B2 (ja) 処理液供給装置
JP2587953B2 (ja) レジスト塗布装置
JPH0248137B2 (ja)
JPS6058266A (ja) 塗布装置
JPH10308338A (ja) 塗布ノズルの洗浄装置及び洗浄方法
JP2000288490A (ja) ウェット処理装置
JP2001252604A (ja) 処理液吐出ノズルおよび液処理装置
JPH07263335A (ja) 感光膜溶液塗布装置のドレイン感光膜溶液再使用システム
JPH0888163A (ja) 基板処理装置
JPH0713211Y2 (ja) スピンチャック洗浄機能付きレジスト塗布装置
JP3240296B2 (ja) レジスト塗布装置
US20240213055A1 (en) Photoresist coating apparatus