JP3721016B2 - レジスト処理装置 - Google Patents
レジスト処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3721016B2 JP3721016B2 JP27858999A JP27858999A JP3721016B2 JP 3721016 B2 JP3721016 B2 JP 3721016B2 JP 27858999 A JP27858999 A JP 27858999A JP 27858999 A JP27858999 A JP 27858999A JP 3721016 B2 JP3721016 B2 JP 3721016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- viscosity
- tank
- waste liquid
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられるレジストの処理装置および処理方法に関するものであり、特にレジストの再利用に関わるものである。
【0002】
【従来技術の説明】
現在、半導体装置等の製造工程においてはホトリソグラフィ技術が一般的に用いられている。ホトリソグラフィ工程で用いられるレジストを半導体基板などに塗布する技術としては、基板を回転させて塗布する回転塗布方法が一般的である。
【0003】
この技術は高速回転させた基板上から、ノズルなどによってレジスト液を滴下し、基板上にレジスト液を塗布させるものである。しかしながら従来の回転塗布方法では滴下したレジストのうち、95%以上が廃棄され生産効率や、廃液による環境問題への影響が懸念されていた。
【0004】
そこで本件発明者らの特願平10-47487のように、回転塗布装置によって回収されたレジストを粘度調整し再利用する技術が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の技術では重量等を元にして粘度調整が行われていたが、実際に半導体装置の製造に利用するには極めてその粘度、樹脂濃度などを精密に制御しなければならず、再生したレジストによって実際に半導体装置を製造することはレジスト膜厚の均一性のばらつきや低下といったことを招いていた。
また、レジストが安定した品質を得るような再生の方法も詳細には確認されていなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明のレジスト処理装置ではレジストの廃液が供給される粘度調整タンクと、粘度調整タンクに対して溶剤を供給する溶剤タンクと、粘度調整タンク内のレジスト液の粘度を測定する粘度計と、粘度計の測定結果および粘度調整タンク内のレジスト液の温度に基づいてレジスト液の樹脂濃度を算出し、算出した樹脂濃度と予め設定された樹脂濃度との差に基づいてレジスト液に供給する溶剤量を決定する制御部と、粘度調整されたレジストの異物を除去するフィルタとを有することを特徴する。
【0007】
また本発明のレジスト処理方法では、粘度調整タンクにレジストの廃液を供給する工程と、粘度調整タンク内のレジスト液の粘度を測定する工程と、粘度の測定結果および粘度調整タンク内のレジスト液の温度に基づいてレジスト液の樹脂濃度を算出する工程と、算出した樹脂濃度と予め設定された樹脂濃度との差に基づいてレジスト液に供給する溶剤量を決定する工程と、粘度調整タンクに対して溶剤を供給する工程と、粘度調整されたレジストの異物を除去する工程とを有することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の第1の実施の形態におけるレジストの再生装置の概要を示すブロック図であり、以下図1を用いて本発明におけるレジストの再生装置を詳細に説明する。
【0009】
レジスト再生装置は、粘度調整タンク101、溶剤タンク102、廃液タンク103、回収されたレジストを供給する回収レジスト供給口104、窒素ガスを供給するガス供給口105、溶剤タンク102から粘度調整タンク101への溶剤の流量を調整する制御バルブ106、粘度調整タンク101の攪拌機107、窒素ガス供給管108、ガス排気管109、ポンプ110、およびレジスト溶剤等における各経路に備えられたバルブ111〜115、レジスト液に対してのフィルタ116、窒素ガスに対してのフィルタ117、粘度調整タンク101の重量を測定するはかり118、粘度調整タンク101内のレジストの粘度および温度を測定する超音波粘度計119(ソフレーザ社製MIVI6000シリーズ)、および制御バルブ106などを制御する制御部120を有している。
【0010】
粘度調整タンク101はレジストの粘度を調整するためのタンクである。粘度調整タンク101には回収レジスト供給口104からバルブ111を介して回収されたレジスト廃液が供給され、溶剤タンク102から制御バルブ106を介して溶剤(シンナ)が供給されている。なお回収されたレジスト廃液が空気等に触れるのは好ましくないので、窒素ガス供給口105から異物を取り除くフィルタ117およびバルブ112を介して窒素ガスが供給されている。なお、この窒素ガスは粘度調整されたレジストを圧送するためにも利用可能である。タンク101内のレジスト液の温度および粘度を均一化させるために、粘度調整タンク101内のレジスト液は攪拌機107によって攪拌される。レジスト液の温度および粘度は粘度計119によって測定され、測定データは制御部120へと送られる。
【0011】
本実施の形態で用いた超音波粘度計119は振動棒を一定の周期、振幅で振動させるものであり、振動のために必要な電流値からその粘度を算出するものである。測定データとしてはこの電流値が制御部へと送られる。
【0012】
溶剤タンク102には本発明におけるレジストの溶剤であるシンナが保持されている。この溶剤タンク102には窒素ガス供給口105からフィルタ117およびバルブ113を介して窒素ガスが供給されている。この窒素はシンナと空気が触れにくくするとともにシンナを粘度調整タンク101へ圧送するガスでもある。
【0013】
廃液タンク103はレジスト廃液を貯蔵するタンクである。このタンクに貯蔵されたレジスト廃液はポンプなどで粘度調整タンク101へと送られる。つまり粘度調整タンク101に供給されるレジスト廃液は回収レジスト供給口から送られる場合と、このタンクに貯蔵されたレジスト廃液が送られる場合とがある。
【0014】
粘度が調整されたレジストはフィルタ116を介して再生レジストとして供給される。
【0015】
本実施の形態においてレジスト廃液は図2に示すようなレジスト塗布装置のカップ構造によりレジスト廃液とエッジリンス・バックリンス廃液は分別して回収されたレジストのみの廃液である。
【0016】
図2を用いてレジストを分別回収するためのカップ構造について説明する。半導体ウェハ201はスピンチャック202に吸着されている。カップ203は内部が2層構造になっており上下動が可能なように形成されている。
【0017】
図2-Aに示すようにレジストを塗布している時はカップ203が下がった状態となっている。この状態でレジストを塗布するとレジスト液は半導体ウェハ201とほぼ同一平面で外側に飛散され、2層構造のカップの上層側へと侵入する。飛散されたレジストはこの上層側を伝って回収され、回収レジストの保存タンクである廃液タンク103に保存されるか、あるいは上述の回収レジスト供給口に直接供給される。
【0018】
ウェハ201のバックリンス時、エッジリンス時は図2-Bに示すようにカップ203は上がった状態で保持されている。この状態でバックリンス、エッジリンスを行うとリンス液は外側に飛散され、2層構造のカップの下層側へと侵入する。リンス液はこの下層側を伝って回収され、フィルタリング等の処理を行ってリンス液として再利用される。
【0019】
以下に本発明のレジストの再生方法について詳細に説明する。レジストを塗布する際に最も重要となるのが、その膜厚の均一性である。膜厚はレジスト液の粘度によってほぼ決定され、粘度自体はレジスト液に対する樹脂濃度(レジスト液に含まれる樹脂の割合)で決定される。
【0020】
そこで、以下にレジストの粘度、樹脂濃度を詳細に測定する方法について説明する。
【0021】
図3は粘度(実際には粘度を示すための電流値を利用)に対しての樹脂濃度を示す図である。本件発明者らの詳細な実験によれば樹脂濃度Yと粘度(を示す電流値)Xとの間には対数関数(Ln)を用いた以下のような関係が確認された。
Y=ALnX+B (A、Bは係数) (1)
つまりあるレジスト液の粘度を測定し、式(1)にあてはめることによって、レジスト液に含まれる樹脂の割合を計算することが可能となった。
【0022】
本実施の形態では超音波粘度計119が指し示す粘度を計算式に用いずに粘度を示すための元になる電流値を用いて樹脂濃度を計算している。図4は粘度を示す電流値に対しての粘度を示した図である。粘度と粘度を示す電流値は3次関数の関係式を用いて表すことができる。粘度を用いて上述の樹脂濃度を求める式(1)を表現すると、この3次関数も含まなければならなくなり、極めて複雑な計算式となってしまう。しかし粘度を示す電流値を用いることにより、より簡単に、また正確な計算が可能となる。
【0023】
図5はレジストの温度を変化させたときの粘度(を示す電流値)に対する樹脂濃度を示す図である。図に示す通り、式(1)の係数A、Bはレジストの温度によって変化する。
【0024】
図6は温度を変化させたときの係数の変化を示す図である。図6に示すように本件発明者らの詳細な実験によれば係数A、Bは温度に対して1次関数で表される関係で変化する事が確認された。つまり係数A,Bは温度をTとした場合に次式で表す事が可能である。
A=CT+D (C,Dは係数) (2)
B=ET+F (E,Fは係数) (3)
これらの式を式(1)にあてはめることにより、ある温度Tで粘度(電流値)Xを測定した場合の樹脂濃度Yは次式で表すことができるようになった。
Y=(CT+D)LnX+ET+F (4)
なお、本実施の形態ではレジストに住友化学工業社製PF134Aを用いており、このレジストの場合は上述の式(4)は以下の通りとなる。
Y=(0.0164・T+0.5764)LnX+(-0.0987・T-3.3168) (5)
なお上述の式(4)は係数C,D,E,Fを変更することにより種々のレジストに応用することが可能である。
【0025】
図7は上述の式を用いてのレジストの再生のフローを示す図である。以下に図1および図7を用いて本発明のレジスト再生のフローについて説明する。
【0026】
ステップ1
制御部120に予め所望の樹脂濃度Y1(粘度を示す電流値)を入力する。回収レジスト供給口104から粘度調整タンク101へと回収されたレジストの廃液が供給される。(予めレジスト廃液が保存されていた廃液タンク103からポンプ等によって粘度調整タンク101へとレジスト廃液を供給してもよい。)
ステップ2
回収されたレジスト廃液を攪拌機107によって攪拌し、レジスト廃液の温度および粘度が十分に均一化された段階で温度および粘度を超音波粘度計119によって測定する。
【0027】
ステップ3
測定値は制御部120に送られ、制御部120では上述の式(5)よりレジスト廃液に含まれている樹脂濃度Y2を算出する。
【0028】
ステップ4
制御部120では算出した樹脂濃度Y2から所望の樹脂濃度Y1にするために添加する溶剤(シンナ)量を算出する。
【0029】
例えば所望の樹脂濃度が25%であったとする。1kgのレジスト廃液の樹脂濃度を測定して30%とでた場合、200gのシンナを加えれば樹脂濃度は25%とすることができる。
【0030】
これを一般的な式として表せば、所望の樹脂濃度をY1、レジスト廃液量をL(g)、レジスト廃液の樹脂濃度をY2添加するべき溶剤の量をl(g)として、
l=L(Y1/Y2-1) (6)
で表すことができる。
【0031】
ステップ5
制御部120は制御バルブ106を動作させる信号をだし、計算された溶剤添加量lの9割を粘度調整タンク101へと注入し、攪拌機107によって十分に攪拌する。
【0032】
ステップ6
再び温度および粘度を超音波粘度計119によって測定し、制御部120において所望の樹脂濃度にするための添加する溶剤(シンナ)量を算出する。
【0033】
ステップ7
ステップ5および6の動作を繰り返して実行し、測定した樹脂濃度の値が規格の範囲内に納まった時点で粘度調整動作は完了とする。
【0034】
ステップ8
粘度調整終了の信号を受けてレジスト液はフィルタ116を介して異物除去され、再生レジストとして再生レジスト供給口から供給される。
【0035】
なお図示されてはいないが、本発明において粘度調整タンクへと溶剤を添加するノズルは多量吐出用と微量吐出用の2種類のノズルが設けられており、ステップ5、6を繰り返し溶剤を添加する量が減少してきた場合は微量吐出用のノズルを用いて溶剤添加を行う。
【0036】
塗布されたレジストのみを廃液として回収した場合、一般的には時間の経過とともに溶剤が揮発した状態となっている。例えば当初は樹脂濃度が25%の状態で使用されたレジストを回収した場合、その樹脂濃度は25%よりも大きな値となってしまっている。本発明は所望の樹脂濃度となるように溶剤を添加していくものである。
【0037】
本発明では回収されたレジストに対しての溶剤の添加において、一回の添加量を徐々に減らしながら複数回に分けて行い、一度の添加毎に樹脂濃度の測定を行うので極めて正確な樹脂濃度の制御を行う事が可能となる。
【0038】
本発明のレジストの再生方法を用いればレジストの樹脂濃度(粘度)の調整が極めて正確に行うことが可能となり、レジスト廃液をレジストとして良好な状態に再生することが可能となる。
【0039】
なお、実施の形態中では百分率のパーセント(%)を用いて説明したが、図面および式の係数ではパーセントの1/100、つまり割合を示す数値を用いている。両者の意味は同一であり、例えば図中で樹脂濃度が0.24ならば24%を示す。図面および式においてもパーセントで計算したければ適宜100倍すれば直接パーセントとして示すことが当然可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態のレジスト処理装置の概要図。
【図2】本発明におけるスピンコータのカップ構造を示す図。
【図3】粘度を示すための電流値に対しての樹脂濃度を示す図。
【図4】粘度を示す電流値に対しての粘度を示した図。
【図5】レジストの温度を変化させたときの粘度示す電流値に対する樹脂濃度を示す図。
【図6】温度を変化させたときの係数の変化を示す図。
【図7】レジストの再生のフローを示す図。
【符号の説明】
100・・・レジスト再生処理部
101・・・粘度調整タンク
102・・・溶剤タンク
103・・・廃液タンク
104・・・回収レジスト供給口
106・・・制御バルブ
118・・・フィルタ
200・・・レジスト再生制御部
201・・・超音波粘度計
202・・・制御部202
Claims (8)
- レジストが塗布されるべき基板が配置された位置の側方に設けられ、レジストの廃液を回収する第1の回収路とリンス廃液を回収する第2の回収路とが上下方向に配置されてなるカップと、
前記第1の回収路を介して回収されたレジストの廃液が供給される粘度調整タンクと、
前記粘度調整タンクに対して溶剤を供給する溶剤タンクと、
前記粘度調整タンク内のレジスト液の粘度を測定する粘度計と、
前記粘度計の測定結果および前記粘度調整タンク内のレジスト液の温度に基づいて該レジスト液の樹脂濃度を算出し、算出した樹脂濃度と予め設定された樹脂濃度との差に基づいて該レジスト液に供給する溶剤量を決定する制御部と、
粘度調整されたレジストの異物を除去するフィルタとを有することを特徴とするレジスト処理装置。 - 前記粘度計は超音波粘度計であることを特徴とする請求項1記載のレジスト処理装置。
- 前記粘度調整タンク内のレジスト液の温度に基づく該レジスト液の樹脂濃度の算出は、前記超音波粘度計の出力する電流値を用いて行うことを特徴とする請求項2記載のレジスト処理装置。
- 前記粘度調整タンク内のレジスト液の温度に基づく該レジスト液の樹脂濃度の算出は、レジスト液温度をTとし、超音波粘度計の出力する電流値をXとし、樹脂濃度をYとして
Y=(CT+D)LnX+ET+F(C,D,E,Fは係数)
なる式を用いて行うことを特徴とする請求項3記載のレジスト処理装置。 - 前記粘度調整タンクに対して溶剤を供給し、口径の異なる複数のノズルを有していることを特徴とする請求項1記載のレジスト処理装置。
- 前記レジスト処理装置は、レジストの廃液を貯蔵する廃液タンクと、前記粘度調整タンクへレジストの廃液を供給する回収レジスト供給口とを有し、前記第1の回収路を介して回収されたレジストの廃液は、該廃液タンクあるいは該回収レジスト供給口へ供給されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のレジスト処理装置。
- 前記粘度調整タンクには窒素ガスが供給されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のレジスト処理装置。
- 前記溶剤タンクには窒素ガスが供給されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載のレジスト処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27858999A JP3721016B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | レジスト処理装置 |
US09/616,379 US6503568B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-07-13 | Resist coating and recycling method |
US10/282,046 US6656280B2 (en) | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Resist recycling apparatus and method for recycling the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27858999A JP3721016B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | レジスト処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002299939A Division JP3813118B2 (ja) | 2002-10-15 | 2002-10-15 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001100426A JP2001100426A (ja) | 2001-04-13 |
JP3721016B2 true JP3721016B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=17599379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27858999A Expired - Fee Related JP3721016B2 (ja) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | レジスト処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6503568B1 (ja) |
JP (1) | JP3721016B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7747507B2 (en) * | 1996-05-23 | 2010-06-29 | Ticketmaster L.L.C. | Computer controlled auction system |
US7153364B1 (en) * | 2000-10-23 | 2006-12-26 | Advance Micro Devices, Inc. | Re-circulation and reuse of dummy-dispensed resist |
US6740163B1 (en) * | 2001-06-15 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Photoresist recirculation and viscosity control for dip coating applications |
JP4580637B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-11-17 | 大日本印刷株式会社 | 色分割光透過構造物用調整光反応型配合物 |
JP4704496B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2011-06-15 | 大日本印刷株式会社 | 色分割光透過構造物用光反応型配合物および色分割光透過構造物 |
US7344299B2 (en) * | 2003-10-21 | 2008-03-18 | Mp Equipment Company | Mixing system and process |
US7736521B2 (en) * | 2004-03-15 | 2010-06-15 | Total Separation Solutions, Llc | Viscosity control and filtration of well fluids |
SG116641A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for recycling ultraviolet curing resin, and method for manufacturing optical recording medium using that recycling method. |
JP2006210751A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Mitsubishi Chemical Engineering Corp | シンナーのリサイクル供給装置 |
US20070272327A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical dispense system |
US8580117B2 (en) * | 2007-03-20 | 2013-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufactuing Company, Ltd. | System and method for replacing resist filter to reduce resist filter-induced wafer defects |
US20080257813A1 (en) * | 2007-03-26 | 2008-10-23 | Millipore Corporation | Cassette-style filtration apparatus |
US8454822B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-06-04 | Emd Millipore Corporation | Disposable tangential flow filtration liner with sensor mount |
US20110174711A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-07-21 | Millipore Corporation | Self Contained Disposable Tangential Flow Filtration Liner |
DE202010015018U1 (de) * | 2010-11-07 | 2011-04-14 | Bohnet, Hans | Anordnung zur Herstellung von strukturierten Substraten |
CN102501570B (zh) | 2011-12-02 | 2013-10-30 | 牡丹江恒丰纸业股份有限公司 | 一种生产具有阻燃带的卷烟纸的凹版印刷机及生产方法 |
US10354858B2 (en) * | 2013-12-31 | 2019-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for forming PZT or PLZT thinfilms with low defectivity |
CN103769351B (zh) * | 2014-01-20 | 2016-08-17 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种光刻胶回收系统 |
JP7050140B1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-04-07 | 株式会社デンソーテン | 調合装置および調合方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2527318B2 (ja) | 1986-12-25 | 1996-08-21 | 関東化学 株式会社 | レジスト組成物を回収、再使用するための方法および装置 |
GB8720355D0 (en) * | 1987-08-28 | 1987-10-07 | Emi Plc Thorn | Measuring fluid density |
US5330576A (en) * | 1990-04-26 | 1994-07-19 | Baldwin-Gegenheimer Gmbh | Recirculating coating liquid supply system with viscosity regulation |
JPH06232036A (ja) | 1993-02-04 | 1994-08-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液体回収装置及び回収方法 |
JP3360365B2 (ja) | 1993-07-29 | 2002-12-24 | クロリンエンジニアズ株式会社 | 水酸化テトラアルキルアンモニムの再生方法 |
US5365778A (en) * | 1994-01-28 | 1994-11-22 | The University Of Chicago | Method for measuring liquid viscosity and ultrasonic viscometer |
JPH0869961A (ja) | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Nec Environment Eng Ltd | フォトレジストの現像方法 |
JPH08203804A (ja) | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | フラットパネル表示装置の製造方法 |
JPH0934121A (ja) | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | リサイクル型レジストプロセス |
JP3172401B2 (ja) | 1995-08-04 | 2001-06-04 | シャープ株式会社 | 溶剤の再生回収方法及び再生回収装置 |
JPH0982602A (ja) | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | レジスト再生方法およびレジスト再生装置 |
JPH09213608A (ja) | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Hitachi Ltd | フォトレジスト塗布方法およびその装置 |
JP3442934B2 (ja) * | 1996-08-20 | 2003-09-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH11128691A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Japan Organo Co Ltd | フォトレジスト現像液再生回収装置 |
JPH11142380A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Japan Organo Co Ltd | フォトレジスト現像廃液の再生処理方法 |
JP3913869B2 (ja) | 1997-11-21 | 2007-05-09 | 沖電気工業株式会社 | 基板処理装置 |
US6082180A (en) * | 1998-10-21 | 2000-07-04 | Battelle Memorial Institute | Ultrasonic fluid densitometer for process control |
US6527860B1 (en) * | 1999-10-19 | 2003-03-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
1999
- 1999-09-30 JP JP27858999A patent/JP3721016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-13 US US09/616,379 patent/US6503568B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-29 US US10/282,046 patent/US6656280B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6503568B1 (en) | 2003-01-07 |
US20030042183A1 (en) | 2003-03-06 |
JP2001100426A (ja) | 2001-04-13 |
US6656280B2 (en) | 2003-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3721016B2 (ja) | レジスト処理装置 | |
JP4255494B2 (ja) | フォトレジスト塗布液供給装置及びそれを用いたフォトレジスト塗布液供給方法、ならびにそれを用いたフォトレジスト塗布装置 | |
JP4005879B2 (ja) | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
TWI317036B (en) | Slit coater having apparatus of supplying coating solution | |
US6740163B1 (en) | Photoresist recirculation and viscosity control for dip coating applications | |
KR100733994B1 (ko) | 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치 | |
US20010037763A1 (en) | Apparatus and method for applying process solution | |
US20090038645A1 (en) | Cleaning apparatus, cleaning tank, cleaning method and computer-readable storage medium | |
JP3813118B2 (ja) | レジスト処理方法 | |
JP3965693B2 (ja) | 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器 | |
JP2010069478A (ja) | コーティング液の再利用装置及び方法 | |
JP6895818B2 (ja) | 処理液供給装置および処理液供給方法 | |
JP2587953B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
JP2002200453A (ja) | 塗布装置および塗布方法 | |
JPH11162817A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011183300A (ja) | 超音波洗浄装置 | |
JPH05121308A (ja) | 処理液塗布装置 | |
JP5899099B2 (ja) | 薬液吐出量計測用治具、薬液吐出量計測機構及び薬液吐出量計測方法 | |
JP4776429B2 (ja) | 処理液供給システム、処理液供給方法、処理液供給プログラム及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US11969677B2 (en) | Method of using liquid supply system with improved bubble venting capacity | |
JP2000061408A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JPH11281461A (ja) | 液体秤量装置、液体秤量方法および基板処理装置 | |
JP4445315B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR20030095091A (ko) | 반도체 장치에 있어서의 희석제 공급 시스템 | |
JPS60117727A (ja) | フオトレジスト供給装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080916 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110916 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |