KR100733994B1 - 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치 - Google Patents

메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100733994B1
KR100733994B1 KR1020050112164A KR20050112164A KR100733994B1 KR 100733994 B1 KR100733994 B1 KR 100733994B1 KR 1020050112164 A KR1020050112164 A KR 1020050112164A KR 20050112164 A KR20050112164 A KR 20050112164A KR 100733994 B1 KR100733994 B1 KR 100733994B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
photoresist
megasonic
liquid
immersion photolithography
Prior art date
Application number
KR1020050112164A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060057517A (ko
Inventor
창 칭-유
Original Assignee
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 filed Critical 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20060057517A publication Critical patent/KR20060057517A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100733994B1 publication Critical patent/KR100733994B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

기판 상에 포토레지스트를 형성하고, 형성된 포토레지스트를 적어도 하나의 메가소닉원으로 교반한 세정액으로 세정하며, 포토레지스트를 액체에 액침시킨 상태에서 방사선에 노출시킨 다음, 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는, 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
액침 포토리소그래피, 웨이퍼, 메가소닉 세정, 포토레지스트

Description

메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치{IMMERSION PHOTOLITHOGRAPHY WITH MEGASONIC RINSE}
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법을 보인 흐름도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 장치의 개념도.
본 발명은 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피(photolithography)는 웨이퍼 표면을 코팅하는 포토레지스트에 마스크의 패턴을 전사하는 공정이다. 액침 포토리소그래피(immersion photolithography)는 노출 절차가 웨이퍼의 표면과 렌즈 간의 공간을 충진하는 액체를 사용하여 수행되는 포토리소그래피의 진일보한 신기술이다. 액침 포토리소그래피를 사용하면, 공기 중에서 렌즈를 사용할 때보다 큰 구경을 설계할 수 있어 해상도가 향상된다. 또한, 소형 소자 피처(features)는 덜 깊은 초점을 가지게 되는 반면에, 액침은 점점 더 작은 피처를 인쇄하는 쪽으로 진행함에 따라 초점 깊이가 더 느리게 손실될 수 있게 한다. 이러한 이점은 노출 파장의 변화없이 성취되므로, 기존의 재료나 방법이 좀더 작은 피처 사이즈까지 더욱 확대될 수 있다.
액침 노출 단계는 웨이퍼와 렌즈 간의 공간에 탈이온수 또는 또 다른 적당한 액침 노출 유체를 사용할 수 있다. 비록 노출 시간이 짧더라도, 포토레지스트 물질은 액침 노출액 중으로 용출되어 지금까지 예기치 못한 문제점을 초래할 수 있다. 예를 들면, 액침 노출액 중으로 용출된 포토레지스트(본원에서는 "레지스트"로도 언급)는 렌즈 표면에 부착하여 임계 차수 균일성(critical dimension uniformity)에 악영향을 미칠 수 있다. 렌즈에 부착하는 레지스트는 용이하게 제거되지 않을 수도 있으며 더욱 빈번한 장비 유지관리/교체를 요할 수 있다. 용출된 레지스트는 광산 발생제(PAG: photo acid generator)를 포함할 수 있으며, 이는 레지스트가 침액과 접촉될 때 유체 중으로 방출되게 된다. 용출(PAG)은 렌즈 오염을 일으키는 주범인 것으로 생각된다. 레지스트 중합체, 켄쳐(quencher), 용매 및 방출 가스 (outgas)와 같은 기타 용출 물질 또한 렌즈를 오염시키고 노출 성능에 영향을 주게 된다. 레지스트 상에 특수 탑 코팅 물질의 사용을 포함하는 종래의 해결책은 레지스트 물질 용출 효과를 감소시킬 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 전체적인 제작 시간과 비용을 증가시킨다.
액침 노출액 중으로의 레지스트 용출과 함께, 또 다른 문제점은 액체 중에 미세 기포의 형성과 응집이 발생한다는 점이다. 노출하는 동안 레지스트에의 미세 기포 부착은 전사된 이미지의 부정확성을 초래하게 된다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 포토리소그래피를 위한 공정의 흐름도가 제공되어 있다. 단계(10)에서, 포토레지스트를 웨이퍼 기판의 표면 위에 형성시킨다. 포토레지스트는 네거티브 또는 포지티브 레지스트일 수 있고 현재 공지되어 있거나 이러한 목적을 위해 장래에 개발될 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 포토레지스트는 화학 증폭 레지스트일 수 있고, 일성분, 이성분 또는 다-성분 레지스트 시스템일 수 있다. 포토레지스트의 적용은 스핀-코팅 또는 또 다른 적합한 절차로 수행될 수 있다. 포토레지스트의 적용에 앞서, 이를 준비하기 위하여 웨이퍼는 포토리소그래피 공정을 위해 먼저 공정처리할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼는 포토레지스트의 적용에 앞서 클리닝, 건조 및/또는 접착-촉진 물질로 코팅될 수 있다.
단계(12)에서, 웨이퍼를 가열하여 용매를 축출하고, 웨이퍼와 포토레지스트 간의 접착성을 향상시키며, 스핀 공정 중에 도입된 응력을 어닐링(annealing)시킨다. 단계(12)는 소프트 베이크(soft bake) 공정으로 통칭되며, 웨이퍼는 일반적으로, 예를 들면 약 90 내지 약 140℃의 온도로 가열된다. 웨이퍼는 예를 들면, 약 30 내지 약 200초 동안 가열시킬 수 있다. 가열 후, 웨이퍼는 단계(14)에서 냉각된다.
단계(16)에서, 웨이퍼를 메가소닉(megasonic) 세정에 투입한다. 메가소닉 세정은 약 10 내지 약 1000 KHz 범위의 주파수에서 진동 또는 맥동하는 액체를 사 용하여 웨이퍼를 세정하는 것이다. 웨이퍼를 탱크에 함유된 메가소닉-에너지 인가 액조에 액침하거나 액체를 분배하는 분무 노즐에 투입한다. 메가소닉 세정액은 일반적으로 탈이온수를 포함할 수 있고, 예를 들면 계면활성제, 중합체 및/또는 완충제를 부가적으로 포함할 수 있다. 적합한 계면활성제의 예로는 퍼플루오로옥탄설포네이트(PFOS: perfluorooctanesulfonate, 탄화술폰산염)가 포함되고; 적합한 중합체의 예로는 C3F8이 포함되며; 적합한 완충제의 예로는 포스페이트(phosphate, 인산)가 포함된다. 계면활성제는 현재 공지되어 있거나 장래에 개발될 이온계 또는 음이온계 계면활성제일 수 있다. 하나 이상의 메가소닉 변환기(transducer)를 사용하여 세정액에서 진동 에너지를 발생시킬 수 있다. 메가소닉 세정 단계는 레지스트 물질 중의 수용성 분자를 제거하여 액침 노출 동안의 용출을 방지하기 위하여 실시할 수 있다. 메가소닉 세정 단계는 레지스트 물질 중의 가스를 제거하기 위하여 실시할 수 있다. 메가소닉 세정은 또한 레지스트 내측에 물 분자를 도입하여 레지스트의 친수성을 증가시키기 위하여 실시할 수 있다. 증가된 친수성은 정렬 스테이지 이동, 노출 및 기타 전(pre)-노출 장비 활동 동안 미세 기포의 형성을 방지할 수 있다. 따라서, 메가소닉 세정 단계는 잠재적인 용출 분자를 제거하고, 액침 노출액을 오염시키게 될 레지스트내 에어 포켓을 충진하기 위하여 실시될 수 있다. 메가소닉 세정 지속기간은 예를 들면, 약 5초 내지 약 10분 범위일 수 있다. 세정액은 웨이퍼 상에 분배되거나 액침조에 공급된 다음 배수된다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 메가소닉 세정은 도 2에 도시된 바와 같이, 액침 노출이 수행되는 동일 챔버에서 수행될 수도 있다. 본 발명의 일실시예에 의 한 장치(30)는 웨이퍼(34) 상으로 직접 방사선 조사할 수 있는 투영 광학소자(32)를 포함한다. 하나 이상의 메가소닉 변환기(36)가 메가소닉 세정 단계(16)를 위해 턴-온 된 다음 액침 노출 단계(18) 동안 턴-오프 될 수 있다. 메가소닉 세정 용액 및 액침 노출액은 주입구(40)를 통해 웨이퍼(34)와 광학 렌즈 간의 계면(interface)(38)에 도입되어 배출구(42)를 통해 배수될 수 있다. 주입구(40)는 분무 노즐을 포함할 수 있다. 메가소닉 에너지 발생기는 분무 노즐에 커플링(coupling)된다. 웨이퍼(34)는 이를 적소에 홀딩하기 위한 진공 척(vacuum chuck)을 포함할 수 있는 웨이퍼 스테이지(wafer stage)(44) 상에 안치된다. 웨이퍼 스테이지는 목적하는 세정 및 스캐닝 운동에 따라 이동하거나 회전하도록 동작될 수 있다. 메가소닉 세정 단계 다음에는 또한 장치(30)에서 수행될 수 있는 하나 이상의 부가적인 탈이온수 세정 단계가 후속될 수 있다. 이와 달리, 웨이퍼는 메가소닉 세정 단계를 위하여 메가소닉 에너지 발생기에 커플링된 탱크로 이송될 수 있다. 액침 용액을 에너지 발생기에 의해 에너지 인가 및 교반시켜 웨이퍼를 세정한다.
단계(18)에서, 액침 노출 단계를 수행한다. 웨이퍼와 레지스트를 액침 노출액에 액침시킨 다음 마스크를 통해 방사선원에 노출시킨다. 방사선원은 자외선원, 예를 들면, 크립톤 플루오라이드(KrF, 248 nm), 아르곤 플루오라이드(ArF, 193 nm), 또는 F2(157 nm) 엑시머 레이저일 수 있다. 웨이퍼는 사용되는 포토레지스트의 유형, 자외선원의 강도, 및/또는 기타 요인에 따라 좌우되는 소정 시간 동안 방 사선에 노출시킨다. 노출 시간은 예를 들면, 약 0.2 내지 약 30초간 지속될 수 있다.
단계(20)에서, 노출된 포토레지스트를 이어서 후-노출 베이크(post-exposure bake)를 위해 가열시킨다. 이 단계는 노출된 광 산(photo acid)이 중합체와 반응하여 중합체를 용해시키게 한다. 웨이퍼는 예를 들면 약 85 내지 약 150℃의 온도로, 예를 들면, 약 30 내지 약 200초 동안 가열시킬 수 있다. 노출(포지티브) 또는 비노출(네거티브) 포토레지스트를 제거하여 목적하는 마스크 패턴이 남게 한다.
단계(22)에서, 웨이퍼를 현상액에 소정 기간 동안 액침시키며 이 기간 동안 포토레지스트의 일부가 용해 및 제거된다. 웨이퍼는 예를 들면, 약 5 내지 약 60초간 현상 용액에 액침시킬 수 있다. 현상제의 조성은 포토레지스트의 조성에 좌우된다.
단계(24)에서, 이어서 웨이퍼를 후-현상 하드 베이크(post-developing hard bake)을 위해 가열한다. 이 단계는 추가로 용매를 제거하고, 접착력을 향상시키며, 레지스트의 내-식각성을 증가시킨다. 웨이퍼는 예를 들면 약 90 내지 약 130℃의 온도로, 예를 들면, 약 30 내지 약 200초 동안 가열시킬 수 있다. 가열을 마친 후, 패턴화된 포토레지스트를 갖는 웨이퍼는 하나 이상의 물질 층을 형성하는 데 사용되어 소자 피처를 형성시킬 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의해 액침 노출에 앞서 도입된 메가소닉 세정 단계는 액침 노출액 중으로 용출되기 쉬운 레지스트 분자와 같은 오염물 을 제거할 뿐만 아니라 노출 공정 동안 미세 기포의 형성을 초래할 수 있는 공간을 충진할 수 있는 효과가 있다. 액침 노출액 중의 이러한 오염물은 노출 공정을 훼손시킨다. 예를 들면, 레지스트 분자는 렌즈에 부착하여 렌즈의 광학 성능, 액체의 굴절율을 변화시킬 수 있고 임계 차수 균일성을 위태롭게 할 수 있다. 렌즈 및 기타 하드웨어에 부착하는 레지스트는 또한 부가적인 장비 유지관리를 필요하게 할 수 있다. 또한 미세 기포의 형성은 액체의 굴절율을 변화시키고 오류적인 레지스트 이미지를 발생시키게 된다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 포토레지스트를 형성하는 형성단계와;
    상기 형성단계에서 형성된 포토레지스트를 적어도 하나 이상의 메가소닉원으로 교반한 세정액을 사용하여 세정하는 포토레지스트 세정단계와;
    상기 포토레지스트 세정 단계 후 포토레지스트를 액체에 액침시킨 상태에서 방사선에 노출시키는 노출 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  2. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 탈이온수를 포함하는 교반 세정액을 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  3. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 계면활성제를 포함하는 교반 세정액을 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  4. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 완충제를 포함하는 교반 세정액을 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  5. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 중합체를 포함하는 교반 세정액을 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  6. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 메가소닉-교반 세정액의 배스 또는 메가소닉-교반 세정액의 분무를 이용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  7. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정 단계는 주파수 범위가 10 내지 1000 KHz인 적어도 하나의 메가소닉 변환기를 사용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  8. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정단계에서 포토레지스트를 메가소닉-교반액을 사용하여 세정하기에 앞서, 기판과 포토레지스트를 가열하는 단계를 추가로 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
  9. 기판 상에 형성된 포토레지스트에 방사선을 조사하는 렌즈와;
    상기 렌즈와 포토레지스트 사이에 위치한 계면과;
    상기 렌즈와 상기 포토레지스트 사이에 위치한 상기 계면에 액체 용액을 도입하는 작동 가능한 주입구와;
    상기 계면으로부터 상기 액체 용액을 배수하도록 작동 가능한 배출구; 및
    상기 계면에서 상기 액체 용액을 교반하도록 작동 가능한 적어도 하나 이상의 메가소닉 변환기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 장치.
  10. 청구항 9 에 있어서, 상기 액체 용액은 메가소닉 세정액, 액침 노출액, 탈이온수, 계면활성제 및 중합체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 장치.
  11. 청구항 1 에 있어서, 상기 포토레지스트 세정단계에서 포토레지스트를 메가소닉-교반액을 사용하여 세정하기에 앞서, 포토레지스트를 탈이온수로 세정하는 단계를 추가로 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법.
KR1020050112164A 2004-11-23 2005-11-23 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치 KR100733994B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/995,653 2004-11-23
US10/995,653 US7732123B2 (en) 2004-11-23 2004-11-23 Immersion photolithography with megasonic rinse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060057517A KR20060057517A (ko) 2006-05-26
KR100733994B1 true KR100733994B1 (ko) 2007-06-29

Family

ID=36461320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050112164A KR100733994B1 (ko) 2004-11-23 2005-11-23 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7732123B2 (ko)
JP (1) JP4571067B2 (ko)
KR (1) KR100733994B1 (ko)
CN (1) CN100432841C (ko)
NL (1) NL1030480C2 (ko)
TW (1) TWI267908B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3462241A1 (en) * 2004-06-21 2019-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
JP4665712B2 (ja) * 2004-10-26 2011-04-06 株式会社ニコン 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
KR101559621B1 (ko) * 2004-12-06 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060194142A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Benjamin Szu-Min Lin Immersion lithography without using a topcoat
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
JP5353005B2 (ja) * 2005-07-11 2013-11-27 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
CN102298274A (zh) * 2006-05-18 2011-12-28 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
CN101385125B (zh) * 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
SG172613A1 (en) * 2006-05-23 2011-07-28 Nikon Corp Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR20090033170A (ko) * 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US20110094546A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 John Valcore System and method for wafer carrier vibration reduction
NL2006272A (en) * 2010-05-04 2011-11-07 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113462A (ko) * 2004-05-29 2005-12-02 삼성전자주식회사 워터 이머전 리소그래피 설비

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5911837A (en) 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
JPH0739833A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄装置
JP3198899B2 (ja) 1995-11-30 2001-08-13 アルプス電気株式会社 ウエット処理方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US20010047810A1 (en) * 1999-06-29 2001-12-06 Jeff Farber High rpm megasonic cleaning
US6517665B1 (en) * 2000-01-25 2003-02-11 Sandia National Laboratories Liga developer apparatus system
JP2001357567A (ja) * 2000-04-14 2001-12-26 Tdk Corp 光ディスク原盤の製造方法
US6928751B2 (en) 2001-06-12 2005-08-16 Goldfinger Technologies, Llc Megasonic cleaner and dryer system
CN1170208C (zh) * 2001-06-21 2004-10-06 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法
US20030234029A1 (en) * 2001-07-16 2003-12-25 Semitool, Inc. Cleaning and drying a substrate
US7169280B2 (en) * 2001-08-31 2007-01-30 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
JP4304988B2 (ja) 2002-01-28 2009-07-29 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄方法
JP2004134674A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20040058966A (ko) * 2002-12-27 2004-07-05 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 방법
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
SG185136A1 (en) * 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
US7056646B1 (en) * 2003-10-01 2006-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of base developers as immersion lithography fluid
JP2006049757A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050113462A (ko) * 2004-05-29 2005-12-02 삼성전자주식회사 워터 이머전 리소그래피 설비

Also Published As

Publication number Publication date
CN1779573A (zh) 2006-05-31
JP4571067B2 (ja) 2010-10-27
CN100432841C (zh) 2008-11-12
NL1030480C2 (nl) 2008-04-25
TW200618058A (en) 2006-06-01
JP2006148133A (ja) 2006-06-08
US7732123B2 (en) 2010-06-08
US20060110689A1 (en) 2006-05-25
NL1030480A1 (nl) 2006-05-24
TWI267908B (en) 2006-12-01
KR20060057517A (ko) 2006-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100733994B1 (ko) 메가소닉 세정을 이용한 액침 포토리소그래피 방법 및 장치
JP4005879B2 (ja) 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
TWI436403B (zh) A cleaning method, a substrate processing method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
US8054444B2 (en) Lens cleaning module for immersion lithography apparatus
US8027017B2 (en) Substrate treating apparatus and exposing apparatus for cleaning a chuck cleaning tool with treating bath
JP4308638B2 (ja) パターン形成方法
JP2010103530A (ja) リソグラフィ装置及び汚染物を除去する方法
CN103959172A (zh) 从衬底中去除物质的方法
JP4564186B2 (ja) パターン形成方法
JP2005353763A (ja) 露光装置及びパターン形成方法
WO2007148776A1 (ja) 微細化されたレジストパターンの形成方法
JP3394310B2 (ja) パターン形成方法
JPH0677124A (ja) レジストの現像装置および現像方法
US20080163892A1 (en) Cleaning wafer including detergent layer for exposure apparatus of immersion lithography system, composition of detergent layer, method of using cleaning wafer and application system
US6872014B1 (en) Method for developing a photoresist pattern
JPH07335519A (ja) パタン形成方法
KR100790253B1 (ko) 감광막 현상 장치 및 방법
JPH05181286A (ja) レジストパタ−ンの形状改善方法
JP2006319350A (ja) 基板処理方法
KR100734672B1 (ko) 이머젼 리소그래피의 패턴형성방법
KR20060025244A (ko) 세정 노즐의 오염 제거 기능을 구비한 포토레지스트현상장치
JPH11154634A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH11297607A (ja) パターン形成方法
JP2000286184A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20020068130A (ko) 반도체 제조 공정에서의 감광막 현상 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130611

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140611

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150608

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160615

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170614

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180614

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190613

Year of fee payment: 13