CN1170208C - 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 - Google Patents
利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1170208C CN1170208C CNB011209615A CN01120961A CN1170208C CN 1170208 C CN1170208 C CN 1170208C CN B011209615 A CNB011209615 A CN B011209615A CN 01120961 A CN01120961 A CN 01120961A CN 1170208 C CN1170208 C CN 1170208C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- samples
- sample
- photoetching
- photoresist
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术，将抛光的样品用溶剂超声清洗；用热的保护性气体将样品吹干去湿，经粘附增强剂处理；用光刻胶溶液旋转涂覆，在一定温度下烘干去除溶剂；前烘之后的样品完全曝光，再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻，显影之后固化，得到厚的掩膜光刻胶，最后腐蚀。采用本发明提供的用普通UV光深层光刻的分离曝光技术，解决了微细加工技术中的深度腐蚀问题，简化器件的制备工艺，降低成本。适用于微电子集成电路、集成光路等微细结构的制备。
Description
技术领域：本发明属于湿法刻蚀中的光刻技术领域，涉及到对微电子集成电路、集成光路等制备微细结构的光刻工艺方法的改进。
背景技术：目前国际上用于微细结构加工技术的光刻工艺主要有两种。第一种是采用常规的湿法刻蚀如图1所示：包括(1)样品的清洗；(2)光刻胶的旋涂；(3)前烘、光刻、曝光；(4)显影、固化、最后腐蚀。光刻时通常采用UV光作光源，也可以用DUV光，X光等作光源，如1980年初德国卡尔斯鲁尔核研究中心开发而成的LIGA技术就是利用同步辐射X光作深层光刻。第二种方法是干法刻蚀。
上述制作工艺存在如下问题：
(1)虽然利用紫外UV光的常规光刻工艺已相当成熟，且简单易行，成本低，但通常情况下它要求光刻胶厚度在1-2μm左右，如果光刻胶太厚将存在曝光深度不够而不能完全曝光的问题，这对于下一步显影腐蚀极为不利。而对于某些特殊要求，如样品的深度腐蚀则要求具有较厚的光刻胶作保护膜，而利用普通UV光曝光只能对较薄的光刻胶曝光，所以它不能满足样品的深度腐蚀。
(2)利用同步辐射X光作深层曝光，在一定条件下曝光深度可达100μm，而且光刻胶侧壁光滑、陡直。虽然它满足深度腐蚀的要求，但其工艺复杂，设备昂贵，成本高，不利于实用化。
(3)干法刻蚀更多实用于浅沟道的腐蚀，虽然采用溴化物作气体源可达到深度腐蚀的目的，但其原材料和设备昂贵，成本高。
发明内容：本发明的目的在于解决利用普通UV光不能深度曝光以及利用同步辐射X光工艺复杂，设备昂贵，成本高的问题，本发明为需要深度腐蚀的微细加工提供稳定可靠、简单易行、低成本的利用普通UV光进行深层光刻分离曝光的方法。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：(如图2所示)利用普通UV光深层光刻的分离曝光工艺方法，它主要由涂胶—完全曝光—再涂胶—再掩膜曝光过程组成，(1)将抛光的样品用溶剂超声清洗，然后用热的保护性气体将样品吹干去湿，并且经粘附增强剂处理；(2)然后用光刻胶溶液旋转涂覆样品，再在一定温度下烘干去除溶剂；(3)前烘之后的样品在一定时间内不要马上掩膜曝光，而是完全曝光；(4)再一次用光刻胶溶液旋转涂覆、烘干并掩膜光刻样品，(5)对样品显影之后固化，得到厚掩膜光刻胶，(6)最后腐蚀样品。
本发明的思想是基于光刻工艺本身而来的。我们知道，无论是正性胶还是负性胶，曝光之后显影，腐蚀时腐蚀液几乎不对曝光的光刻胶起作用，曝光后的光刻胶仍能起到很好的掩蔽作用。本发明所利用的分离曝光工艺方法就是利用这些特点。本发明是先将样品一次旋涂的光刻胶进行完全曝光，再用光刻胶旋涂并对样品进行预处理，最后掩膜曝光并显影。本发明前烘后的样品完全曝光，克服已有技术马上掩膜曝光带来光刻胶较薄满足不了深度腐蚀的要求；本发明仅利用普通UV光就能制备较厚的光刻胶保护膜，本发明解决了已有技术只能制备较薄的光刻胶保护膜的问题，同时解决了同步辐射X光工艺复杂，设备昂贵，成本高的问题，满足样品深度腐蚀的需要。如果一次分离曝光后用于掩蔽的光刻胶不够厚，也可以再一次分离曝光而不影响光刻胶保护薄膜，直至满足深度腐蚀要求为止。本发明可广泛用于微电子集成电路、集成光路等制备微细结构的应用领域。
附图说明：
图1是已有技术UV光光刻工艺流程图
图2是本发明分离曝光工艺流成图
下面结合附图2和具体实施例详细介绍本发明：
具体实施方式：
实施例：用于高功率激光器的铜微通道热沉的铜的深度腐蚀
1)将硬的无氧铜板按要求切割，得到20×20×1mm3铜片。
2)依次用金钢砂和抛光膏对铜片进行物理抛光，再用腐蚀液化学抛光，得到表面光滑平整无划痕的样品。
3)依次采用丙酮、乙醇、去离子水等溶剂超声清洗样品5分钟。
4)采用热的保护性气体可以选择氮气或氩气将样品去除湿气，并经三甲基甲硅烷二乙基胺等粘附增强剂处理，然后用光刻胶溶液旋转涂覆。粘附增强剂还可采用六甲基环三硅氧烷，或六甲基二硅氧烷，其目的是尽量避免分辨率损失、侧向腐蚀，或处理过程中整个图形的变形。
5)将涂有光刻胶的样品在80℃下恒温烘烤20分钟以去除溶剂。
6)利用UV光将前烘样品完全曝光
7)将曝光后的样品再用光刻胶旋转涂覆并重复前烘过程。
8)利用UV光将样品掩膜曝光。
9)对样品显影固化、最后腐蚀。
10)如果一次分离曝光后用于掩蔽的光刻胶不够厚，也可以再一次分离曝光而不影响光刻胶保护薄膜，直至光刻胶保护膜满足深度腐蚀要求为止。
Claims (1)
1、利用普通紫外光深层光刻的分离曝光工艺方法，其特征在于：它主要由涂胶—完全曝光—再涂胶—再掩膜曝光过程组成，(1)将抛光的样品用溶剂超声清洗，然后用热的保护性气体将样品吹干去湿，并且经粘附增强剂处理；(2)然后用光刻胶溶液旋转涂覆样品，再在一定温度下烘干去除溶剂；(3)前烘之后的样品在一定时间内完全曝光；(4)再一次用光刻胶溶液旋转涂覆、烘干并掩膜光刻样品，(5)对样品显影之后固化，得到厚掩膜光刻胶，(6)最后腐蚀样品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB011209615A CN1170208C (zh) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB011209615A CN1170208C (zh) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1365027A CN1365027A (zh) | 2002-08-21 |
| CN1170208C true CN1170208C (zh) | 2004-10-06 |
Family
ID=4664374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB011209615A Expired - Fee Related CN1170208C (zh) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1170208C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100447968C (zh) * | 2007-01-05 | 2008-12-31 | 江苏长电科技股份有限公司 | 集成电路或分立器件引线框架上涂胶的方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732123B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-06-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion photolithography with megasonic rinse |
| CN104332393B (zh) * | 2014-10-17 | 2017-01-25 | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 | 一种制备tsv立体集成rdl电镀掩膜的厚胶工艺 |
| CN113708216A (zh) * | 2021-07-26 | 2021-11-26 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种垂直共振腔面射型激光器的制备方法 |
| CN113867104A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-12-31 | 安徽光智科技有限公司 | Lift-off用光刻胶结构的制备方法 |
-
2001
- 2001-06-21 CN CNB011209615A patent/CN1170208C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100447968C (zh) * | 2007-01-05 | 2008-12-31 | 江苏长电科技股份有限公司 | 集成电路或分立器件引线框架上涂胶的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1365027A (zh) | 2002-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4702792A (en) | Method of forming fine conductive lines, patterns and connectors | |
| JP2008072101A (ja) | 半導体素子の微細パターン形成方法 | |
| US5278029A (en) | Method for forming a resist pattern | |
| CN100418011C (zh) | 微结构的制造方法 | |
| CN1402087A (zh) | 碱性加工液、加工液的配制方法及其装置以及加工液的供给方法及其装置 | |
| CN104937697A (zh) | 曝光装置 | |
| CN1170208C (zh) | 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 | |
| JPH0562404A (ja) | 磁気ヘツド用スライダーの製造方法 | |
| CN101251713B (zh) | 深紫外光刻制作“t”型栅的方法 | |
| JPS62270952A (ja) | 二層フオトレジストの現像 | |
| CN109755127B (zh) | 一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法 | |
| CN1888978B (zh) | 一种采用微转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法 | |
| US6673525B1 (en) | Thin layer imaging process for microlithography using radiation at strongly attenuated wavelengths | |
| Mojarad et al. | Fabrication of high aspect ratio and tilted nanostructures using extreme ultraviolet and soft x-ray interference lithography | |
| JPH0128368B2 (zh) | ||
| CN112320752A (zh) | 负性光刻胶图形化膜层的制备方法 | |
| JPS59161031A (ja) | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 | |
| JPS6024548A (ja) | ホトレジスト被覆表面の露出条件の選択方法 | |
| CN104698514A (zh) | 一种大面积制备微纳米凸球透镜阵列的方法 | |
| JP2003202664A (ja) | アレイ転写に使用するためのピンプレート及びピンプレートを作成する方法 | |
| CN106371289A (zh) | 鸡蛋清稀薄蛋白作为光刻胶的应用 | |
| CN103698973A (zh) | 柔性光刻掩模板的制备方法 | |
| Grube et al. | Medusa 82—Hydrogen silsesquioxane based high sensitivity negative-tone resist with long shelf-life and grayscale lithography capability | |
| RU2195047C2 (ru) | Способ формирования фоторезистивной маски | |
| KR20180112367A (ko) | 표적 입자 검출용 멤브레인 필터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 표적 입자 검출 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |