JPS59161031A - 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 - Google Patents
感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法Info
- Publication number
- JPS59161031A JPS59161031A JP59022081A JP2208184A JPS59161031A JP S59161031 A JPS59161031 A JP S59161031A JP 59022081 A JP59022081 A JP 59022081A JP 2208184 A JP2208184 A JP 2208184A JP S59161031 A JPS59161031 A JP S59161031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer film
- film
- wafer
- thin
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影印刷装置、評言すればマスク及び／又はウ
ェハなカバーする薄膜を有する上記形式の装置に関する
。本発明による装置は他の可能な用途のうちでも特に集
積回路の製造においてフォトレゾスト被覆半導体ウェハ
の露光を実施するために適当である。
ェハなカバーする薄膜を有する上記形式の装置に関する
。本発明による装置は他の可能な用途のうちでも特に集
積回路の製造においてフォトレゾスト被覆半導体ウェハ
の露光を実施するために適当である。
この出願は本願と同時に出願した特願（２）「感光性ウ
ェハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜
カバーユニットの製法」及び特願（６）「感光性被覆ウ
ェハ上に画像を形成する投影印刷装置」に緊密に関連し
たものである発明の背影 感光性基体又はウェハ上に画像を形成するための投影印
刷装置は、一般に一方の表面に形成された不透明領域と
透明領域とから成るパターンを有する透明な基体を有す
るマスクと、放射エネルギーのビーム例えば光又はＵ
’Ｖ線をマスクを透過して感光性基体又はウニ・・に向
ける照明装置と、感光性基体上にマスクパターンの焦点
の合った画像を形成するための光学部材と、マスクの表
面上の任意の汚染粒子の画像を焦点外に保持するための
薄膜カバーとから成る。薄膜カバーは一般に基体に接着
されかつ完全にマスクパターンをおおっている。このよ
うな装置は例えば米国特許第４．口６３，８１２号及び
同第４．１３１，３６１号明細書並びにＳＰ工Ｅの第２
７５巻、” Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｉｃｒｏ
］、ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖ Ｉ ／／（１９８１年
）第２６頁に発表されたロン・バーシェル（Ｒｏｎ Ｈ
ｅｒｓｈｅｌ ）著ゝゝＰｅ１ｌｉｃｌｅＰｒｏｔｅｃ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｉ’ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕ
ｉｔｓ （工Ｃ）Ｍａｓｋｓ”に記載されている。
ェハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜
カバーユニットの製法」及び特願（６）「感光性被覆ウ
ェハ上に画像を形成する投影印刷装置」に緊密に関連し
たものである発明の背影 感光性基体又はウェハ上に画像を形成するための投影印
刷装置は、一般に一方の表面に形成された不透明領域と
透明領域とから成るパターンを有する透明な基体を有す
るマスクと、放射エネルギーのビーム例えば光又はＵ
’Ｖ線をマスクを透過して感光性基体又はウニ・・に向
ける照明装置と、感光性基体上にマスクパターンの焦点
の合った画像を形成するための光学部材と、マスクの表
面上の任意の汚染粒子の画像を焦点外に保持するための
薄膜カバーとから成る。薄膜カバーは一般に基体に接着
されかつ完全にマスクパターンをおおっている。このよ
うな装置は例えば米国特許第４．口６３，８１２号及び
同第４．１３１，３６１号明細書並びにＳＰ工Ｅの第２
７５巻、” Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｉｃｒｏ
］、ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｖ Ｉ ／／（１９８１年
）第２６頁に発表されたロン・バーシェル（Ｒｏｎ Ｈ
ｅｒｓｈｅｌ ）著ゝゝＰｅ１ｌｉｃｌｅＰｒｏｔｅｃ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｉ’ｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕ
ｉｔｓ （工Ｃ）Ｍａｓｋｓ”に記載されている。
小型化が進むにつれ、パターン素子はパターン分解能が
光の波長によって制限される程度まで一層小さくなって
来た。従って、Ｕｖスペクトルの短波長が使用されるよ
うになった。
光の波長によって制限される程度まで一層小さくなって
来た。従って、Ｕｖスペクトルの短波長が使用されるよ
うになった。
従来使用されたマスクカバーの１つの欠点は、これらが
４０００オングストロ一ム以上の範囲で使用するために
のみ適当であるにすぎないことである。
４０００オングストロ一ム以上の範囲で使用するために
のみ適当であるにすぎないことである。
従って、本発明の目的は、’２０００〜６０００オング
ストロームの範囲で使用するために適当である薄膜カバ
ーを製造する新規かつ改良された方法を提供することで
あった。
ストロームの範囲で使用するために適当である薄膜カバ
ーを製造する新規かつ改良された方法を提供することで
あった。
発明の要約
要約すれば、所望の結果を達成するために、本発明は感
光性ウェハ上に画像を形成するための投影印刷装置にお
いて使用する薄膜カバーユニットを製造する薪規のかつ
改良された方法を提供し、該方法は金属リングに金属薄
膜を張付け、該膜の前面に均一な薄いポリマーフィルム
（これは本発明の１実施態様ではポリメチルメタクリレ
ートである）をコーチングし、該ポリマー薄膜を硬化さ
せ、更に上記膜の裏面にフォトレジストをコーチングし
、該フォトレジストに露出及び現像によって予め選択し
た寸法の開口を規定し、該フォトレジストを硬質焼付げ
し、かつ上記の薄い金属膜をエツチングによって除去す
ることにより上記ポリマーフィルムを露出させることか
ら成る。
光性ウェハ上に画像を形成するための投影印刷装置にお
いて使用する薄膜カバーユニットを製造する薪規のかつ
改良された方法を提供し、該方法は金属リングに金属薄
膜を張付け、該膜の前面に均一な薄いポリマーフィルム
（これは本発明の１実施態様ではポリメチルメタクリレ
ートである）をコーチングし、該ポリマー薄膜を硬化さ
せ、更に上記膜の裏面にフォトレジストをコーチングし
、該フォトレジストに露出及び現像によって予め選択し
た寸法の開口を規定し、該フォトレジストを硬質焼付げ
し、かつ上記の薄い金属膜をエツチングによって除去す
ることにより上記ポリマーフィルムを露出させることか
ら成る。
本発明の１実施態様では、投影印刷装置で使用スる薄膜
カバーユニットを製造する新規かつ改良された方法が提
供され、該方法は酸化したシリコンウェハの表面に金皮
膜を施し、該ウニへ〇金皮膜表面に均一な薄いポリマー
フィルム（これは本発明の１実施態様ではポリメチルメ
タクリレートである）をコーチングし、該ポリマーフィ
ルムを硬化させ、次いで該ポリマーフィルムに薄膜支持
リングを接着し、リングとウェハエツジの間でポリマー
及び金皮膜を貫通するように環状に切欠きいてウェハ表
面を露出させ、ウェハからリングを慎重に剥離して、既
に薄膜支持リング上に取付けられた金被覆ポリマー膜を
得、かつ次いで金をエツチング除去することから成る。
カバーユニットを製造する新規かつ改良された方法が提
供され、該方法は酸化したシリコンウェハの表面に金皮
膜を施し、該ウニへ〇金皮膜表面に均一な薄いポリマー
フィルム（これは本発明の１実施態様ではポリメチルメ
タクリレートである）をコーチングし、該ポリマーフィ
ルムを硬化させ、次いで該ポリマーフィルムに薄膜支持
リングを接着し、リングとウェハエツジの間でポリマー
及び金皮膜を貫通するように環状に切欠きいてウェハ表
面を露出させ、ウェハからリングを慎重に剥離して、既
に薄膜支持リング上に取付けられた金被覆ポリマー膜を
得、かつ次いで金をエツチング除去することから成る。
上記には、以下に記載する本発明の詳細な説明を理解し
やすくしかつ本発明の当該技術分野に対する貢献を認識
しやすくするために、本発明の重要な特徴を概略的に示
したつもちろん、本発明は以下に説明しかつ特許請求の
範囲の従属請求項を成している付加的な特徴を具備して
いる。当業者にとっては、本発明の基本思想が本発明の
若干の目的を実施するために別の系を構成する基礎とし
て即座に利用されうろことは自明なことである。従って
、特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱しない相当す
る方法も包含するものと見なされるべきである。
やすくしかつ本発明の当該技術分野に対する貢献を認識
しやすくするために、本発明の重要な特徴を概略的に示
したつもちろん、本発明は以下に説明しかつ特許請求の
範囲の従属請求項を成している付加的な特徴を具備して
いる。当業者にとっては、本発明の基本思想が本発明の
若干の目的を実施するために別の系を構成する基礎とし
て即座に利用されうろことは自明なことである。従って
、特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱しない相当す
る方法も包含するものと見なされるべきである。
第１図には、感光性ウェハ上に画像を形成するだめの投
影印刷装置が示されており、該装置は一方の表面に形成
された不透明領域と透明領域とから成るパターンを有す
る透明な基体を有するマスク１０を備えている。照明装
置が設けられており、該装置は光源１２と、光線をマス
ク１０を透過して感光性被覆ウェハ素子１６へ向げるコ
ンデンサレンズ系１４とから成る。ウェハ上にマスクパ
ターンの焦点の合った画像を形成するために光学系１８
が設けられている。
影印刷装置が示されており、該装置は一方の表面に形成
された不透明領域と透明領域とから成るパターンを有す
る透明な基体を有するマスク１０を備えている。照明装
置が設けられており、該装置は光源１２と、光線をマス
ク１０を透過して感光性被覆ウェハ素子１６へ向げるコ
ンデンサレンズ系１４とから成る。ウェハ上にマスクパ
ターンの焦点の合った画像を形成するために光学系１８
が設けられている。
マスク１０上には支持リング２２の介在下に薄膜カバー
ユニット２０が取付けられている。その結果、さもなけ
ればマスク表面上に位置することになる引掻き傷又は特
殊な汚染物は今や薄膜の表面上に位置し、従って第１図
に２６で示されているように焦点面から焦点深度の数千
倍離れた位置に結像される。これらの影は画像領域上で
は消散しかつレジスト画像には影響しない。
ユニット２０が取付けられている。その結果、さもなけ
ればマスク表面上に位置することになる引掻き傷又は特
殊な汚染物は今や薄膜の表面上に位置し、従って第１図
に２６で示されているように焦点面から焦点深度の数千
倍離れた位置に結像される。これらの影は画像領域上で
は消散しかつレジスト画像には影響しない。
本発明によれば、薄膜２０は薄いポリマーフィルムであ
る。ポリメチルメタクリレート（ＰＭｌａ ）が特に好
ましい材料であることが判明した。その他の可能は所望
のパラメータの内でも、ＰＭｌｖｉＡは約２６００〜約
８０００オングストロームの範囲で高い透過率を有し、
低い光散乱性及び厚さの均一性を有する。また、損傷を
伴わないで取扱いかつ清掃するために十分に堅牢である
。
る。ポリメチルメタクリレート（ＰＭｌａ ）が特に好
ましい材料であることが判明した。その他の可能は所望
のパラメータの内でも、ＰＭｌｖｉＡは約２６００〜約
８０００オングストロームの範囲で高い透過率を有し、
低い光散乱性及び厚さの均一性を有する。また、損傷を
伴わないで取扱いかつ清掃するために十分に堅牢である
。
更に、本発明によれば、薄膜ユニットを製造するための
新規のかつ改良された方法が提供される。この方法はま
ず１マイクロメータのチタニウム層２８（第２図）及び
６００オングストロームの金層３０を有する薄い膜を用
い、該膜をリング２２に張付けて基体を形成する工程か
ら成る。この膜は適用形に基づき金属又は非金属であっ
てよい。しかしながら、特に好ましい膜はチタニウム層
と金層とから成る。次に第６図に示されているように、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）の薄いポリマ
ーフィルム３２を金層３０の表面に適当な慣用技術例え
ばスピニング法を使用して均一なフィルムを形成するよ
うにコーチングする。次いでＰＭＭＡポリマーフィルム
３２を硬化させる。次いで、基体の裏面、すなわちチタ
ニウム２８の露出面にフォトレジスト３４をコーチング
する。次いで、第４図に３６で示されているように、こ
のフォトレジストに所望の寸法の開口を露光及び現像に
より規定する。フォトレジスト３４を硬質焼付けした後
、第５図に示されているように、弗化水素と脱イオン化
水の殊溶液を使用してチタニウム層２８をエツチングに
よって除去する。脱イオン化水で水洗いした直後に、金
層３０を適当な慣用の金エツチング技術によって除去し
、第５図に示されているようにＰＭ１ｖｉＡポリマー膜
又はカバーを露出させる。フィルム厚さは数千オングス
トロームから数マイクロメータまで所望によ、り変更す
ることができる。
新規のかつ改良された方法が提供される。この方法はま
ず１マイクロメータのチタニウム層２８（第２図）及び
６００オングストロームの金層３０を有する薄い膜を用
い、該膜をリング２２に張付けて基体を形成する工程か
ら成る。この膜は適用形に基づき金属又は非金属であっ
てよい。しかしながら、特に好ましい膜はチタニウム層
と金層とから成る。次に第６図に示されているように、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）の薄いポリマ
ーフィルム３２を金層３０の表面に適当な慣用技術例え
ばスピニング法を使用して均一なフィルムを形成するよ
うにコーチングする。次いでＰＭＭＡポリマーフィルム
３２を硬化させる。次いで、基体の裏面、すなわちチタ
ニウム２８の露出面にフォトレジスト３４をコーチング
する。次いで、第４図に３６で示されているように、こ
のフォトレジストに所望の寸法の開口を露光及び現像に
より規定する。フォトレジスト３４を硬質焼付けした後
、第５図に示されているように、弗化水素と脱イオン化
水の殊溶液を使用してチタニウム層２８をエツチングに
よって除去する。脱イオン化水で水洗いした直後に、金
層３０を適当な慣用の金エツチング技術によって除去し
、第５図に示されているようにＰＭ１ｖｉＡポリマー膜
又はカバーを露出させる。フィルム厚さは数千オングス
トロームから数マイクロメータまで所望によ、り変更す
ることができる。
第６図〜第８図は本発明に基づく第２の薄膜ユニットの
製法を示す。この方法は先に記載した方法に比しある程
度の利点を有する、それというのもより簡単かつ廉価で
ありかつ既に半導体工業で使用されている標準装置及び
同一技術のいくつかを使用することができるからである
。出発基体は酸化したウエノ・３８であり、この寸法は
所望の完成した薄膜寸法に左右される（第６図）。この
ウェハの研磨面に、５００オングストロームの金層４０
を真空蒸着する。該全皮膜の表面に適当な慣用のスピニ
ング技術を使用して、薄い均一なＰＭＭＡポリマーフィ
ルム４２をコーチングする。次いで、ポリマーを有利に
は約１７０°Ｃで硬化させる。第７図から明らかなよう
に、次の製造工程はポリマ一層４２０表面に薄膜支持も
しくは取付ｌ ＩＪング２２をエポキシ系接着剤で接着
することから成る。次いで、かみそりの刃又は同種のも
ので、取付はリング２２０周り、すなわちリングとウエ
ノ・エツジとの間をＰＭＭＡポリマ一層４２と全皮膜４
０を貫通し、第８図に４４で示されているようにウェハ
表面が露出するように切取る。
製法を示す。この方法は先に記載した方法に比しある程
度の利点を有する、それというのもより簡単かつ廉価で
ありかつ既に半導体工業で使用されている標準装置及び
同一技術のいくつかを使用することができるからである
。出発基体は酸化したウエノ・３８であり、この寸法は
所望の完成した薄膜寸法に左右される（第６図）。この
ウェハの研磨面に、５００オングストロームの金層４０
を真空蒸着する。該全皮膜の表面に適当な慣用のスピニ
ング技術を使用して、薄い均一なＰＭＭＡポリマーフィ
ルム４２をコーチングする。次いで、ポリマーを有利に
は約１７０°Ｃで硬化させる。第７図から明らかなよう
に、次の製造工程はポリマ一層４２０表面に薄膜支持も
しくは取付ｌ ＩＪング２２をエポキシ系接着剤で接着
することから成る。次いで、かみそりの刃又は同種のも
ので、取付はリング２２０周り、すなわちリングとウエ
ノ・エツジとの間をＰＭＭＡポリマ一層４２と全皮膜４
０を貫通し、第８図に４４で示されているようにウェハ
表面が露出するように切取る。
この方法における次の工程はウェハからリングを慎重に
剥離して、既に適当な薄膜リングに取付けられた金被覆
ポリマー膜を得ることである。次いで、金を適当な、慣
用の金エツ、チング技術例えば沃化カリウム／沃素／水
溶液を使用することによりエツチング除去し、第９図に
示されているような所望の薄膜ユニットを製造すること
ができる。
剥離して、既に適当な薄膜リングに取付けられた金被覆
ポリマー膜を得ることである。次いで、金を適当な、慣
用の金エツ、チング技術例えば沃化カリウム／沃素／水
溶液を使用することによりエツチング除去し、第９図に
示されているような所望の薄膜ユニットを製造すること
ができる。
若干の実施例においては、クロム、次いで金を被覆した
シリコンウェハを使用するのが有利な場合もある。この
場合には、塗布及び硬化後に、ポリマー膜を直、接金表
面から剥離することができ、従って金エッチング工程が
省かれる。
シリコンウェハを使用するのが有利な場合もある。この
場合には、塗布及び硬化後に、ポリマー膜を直、接金表
面から剥離することができ、従って金エッチング工程が
省かれる。
従って、本発明は確かに新規のかつ改良された薄膜ユニ
ットを提供することは明らかであり、該薄膜ユニットは
約２６００〜約８０００オングストロームの範囲で高い
透過率、低い光散乱性及び厚さの均一性を有し、かつ損
傷を受けることなく取扱いかつ清掃するために十分に堅
牢である。ここまで特殊な実施例を示しかつ説明して来
たが、専ら前記特許請求の範囲によって制限されるべき
発明の範囲から逸脱することなく多種多様な変更が可能
であることは、当業者にとっては自明なことである。
ットを提供することは明らかであり、該薄膜ユニットは
約２６００〜約８０００オングストロームの範囲で高い
透過率、低い光散乱性及び厚さの均一性を有し、かつ損
傷を受けることなく取扱いかつ清掃するために十分に堅
牢である。ここまで特殊な実施例を示しかつ説明して来
たが、専ら前記特許請求の範囲によって制限されるべき
発明の範囲から逸脱することなく多種多様な変更が可能
であることは、当業者にとっては自明なことである。
第１図は本発明と関連して構成した感光性ウェハ上に画
像を形成する投影印刷装置の略示図、第２図〜第５図は
本発明の第１の方法に基づき薄膜カバーユニットを製造
する各工程を示す該ユニットの側面図及び第６図〜第９
図は本発明の第２の方法に基づき薄膜カバーユニットを
製造する各工程を示す該ユニットの側面図である。 １０・・マスク １２・・光源 １４．１８・・・光学
系 １６・・・ウニ・・素子 ２０・・・薄膜カバー２
２・・・支持リング ２４・・・汚染物 ２６・・・汚
染物の画像 ２８・・チタニウム層 ３０．４０・・・
金層 ３２．４２・・・ポリマーフィルム ３８・パ酸
化ウェハ ４４・・・切欠き Ｉ２ ｆ僚【 ＦＩＧ、 ７ ＦＩＧ、 （９ ＦＩＧ、９
像を形成する投影印刷装置の略示図、第２図〜第５図は
本発明の第１の方法に基づき薄膜カバーユニットを製造
する各工程を示す該ユニットの側面図及び第６図〜第９
図は本発明の第２の方法に基づき薄膜カバーユニットを
製造する各工程を示す該ユニットの側面図である。 １０・・マスク １２・・光源 １４．１８・・・光学
系 １６・・・ウニ・・素子 ２０・・・薄膜カバー２
２・・・支持リング ２４・・・汚染物 ２６・・・汚
染物の画像 ２８・・チタニウム層 ３０．４０・・・
金層 ３２．４２・・・ポリマーフィルム ３８・パ酸
化ウェハ ４４・・・切欠き Ｉ２ ｆ僚【 ＦＩＧ、 ７ ＦＩＧ、 （９ ＦＩＧ、９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 土 感光性ウェハ上に画像を形成するための投影装置で
使用する薄層カバーユニットを製造する方法において、
金属リング上に薄い膜を施し、該膜の前面に均一な薄い
ポリマーフィルムをコーチングし、該ポリマーフィルム
を硬化させ、上記膜の裏面にフ）トレジストをコーチン
グし、該フォトレジストに露光及び現像によって予め選
択した寸法を有する開口を規定し、該フォトレジストを
焼付け、自己支持性のポリマーフィルムなのこして上記
の薄い膜をエツチング除去することを特徴とする、感光
性ウェハ上に画像を形成するための投影装置で使用する
薄層カバーユニットの製法。 ２、膜の前面のコーチング工程をスピニングによって実
施する、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６、 薄い膜がチタニウムの層と金の層とから成る、特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、 チタニウムの層が厚さ約１マイクロメータであり
かつ金層が厚さ約３００オングストロームである、特許
請求の範囲第６項記載の方法。 ５ 薄い膜をエツチング除去する工程が弗化水素と脱イ
オン化水の〆９溶液を使用してチタニウム層をエツチン
グ除去する工程と、沃化カリウム溶液を用いて金屑をエ
ツチング除する工程とから成る、特許請求の範囲第６項
記載の方法。 ６、薄い膜をエツチング除去する工程が弗化水素と脱イ
オン化水のｚ９溶液を使用してチタニウム溶液を用いて
金層なエツチング除する工程とから成る、特許請求の範
囲第４項記載の方法。 ７ ポ、リマーフイルムを硬化させ、る工程を炉内で約
１７０°Ｃの温度で実施する、特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ８ ポリマーフィルムがポリメチルメタクリレートであ
る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ９ 感光性ウエノ・上に画像を形成するための投影装置
で使用する薄層カバーユニットを製造する方法において
、 イ）厚さ約１マイクロメータのチタニウム層と、厚さ約
３００オングストロームの金層とから成る薄い金属膜を
張付け、 口）該膜の前面にスピニングによりポリメチルメタクリ
レート、の均一な薄いポリマーフィルムをコーチングし
、 ハ）該ポリマーフィルムを炉内で約１７０°Ｃの温度で
硬化させ、 二）膜の裏面にフォトレジストをコーチングし、 ホ）該フォトレジストに露光及び現像によって予め選択
した寸法の開口を規定し、 へ）該フ第１・レジストを硬質焼付し、ト）上記薄い金
属膜を弗化水素と脱イオン化水のメ、溶液を使用してチ
タニウム層をエツチング除去する工程と、沃化カリウム
溶液で金層をエツチング除去する工程とから成るエツチ
ングによって、ポリマーフィルムを露出させる ことより成る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 １０ 感光性ウニ・・上に画像を形成するための投・影
装置で使用する薄層カバーユニットを製造する方法にお
いて、 （イ） ウェハの表面に全皮膜を施し、（ロ）該ウェハ
の全皮膜表面に薄い均一なポリマーフィルムを施し、 （ハ）該ポリマーフィルムを硬化させ、に）該ポリマー
フィルムに薄膜支持リングを付着させ、 （ホ） ウェハ表面を露出させるためにリングとウェハ
エツジとの間をポリマー及び全皮膜を貫通するように切
欠き、 （へ） ウェハからリングを慎重に剥離し、既に薄膜支
持リング上に施された金皮覆ポリマー膜を得、 （ト）該全皮膜をエツチング除去する ことを特徴とする、 感光性ウニ・・上に画像を形成するための投影装置で使
用する薄層カバーユニットの製法。 且 ウェハが酸化したシリコンウニノーである、特許請
求の範囲第１０項記載の方法。 １２、全皮膜が約５００オングストロームの厚さを有す
る、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １６、ウェハの表面への薄いポリマーフィルムのコーチ
ング工程をスピニング法で実施する、特許請求の範囲第
１０項記載の方法。 １４、ポリマーフィルムの硬化工程を炉内で約１７０℃
の温度で実施する、特許請求の範囲第１０項記載の方法
。 １５ 金のエツチング工程を沃化カリウムの溶液を用
いて実施する、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １６、全皮膜を施す工程を真空蒸着によって実施する、
特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １Ｚ ポリマーフィルムがポリメチルメタクリレート
である、特許請求の範囲第ｉ１ｏ項記載の方法。 １８、感光性ウェハ上に画像を形成するための投影装置
で使用する薄層カバーユニットを製造する方法において
、 （イ）酸化したシリコンウェハの表面に厚さ約５００オ
ングストロームの全皮膜を真空蒸着によって施し、 （ロ）該ウェハの全皮膜表面にポリメチルメタクリレー
トの薄い均一なポリマーフィルムをスピニング法を使用
してコーチングし、（ハ）該ポリマーフィルムを炉内で
約１７０’Ｃの温度で硬化させ、 に） 該ポリマーフィルムに薄膜支持リングをエポキシ
系接着剤で接着し、 （ホ） リングとウェハエツジとの間でポリマー及び全
皮膜を貫通するようにリングのまわりを切欠いて、ウェ
ハ表面を露出させ、（へ） ウェハからリングを剥離し
て、既に薄膜支持リングに施された金被覆ポリマー膜を
得、 （ト）該全皮膜を沃化水素の溶液でエツチング除去する ことより成る、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １９ 感光性ウェハ上に画像を形成するための投影装置
で使用する薄層カバーユニットを製造する方法において
、 （イ） シリコンウェハのクロム被覆表面に薄い全皮膜
を施し、 （ロ）該ウェハの全皮膜表面に薄い均一なポリマーフィ
ルムを施し、 （ハ）該ポリマーフィルムを硬化サセ、に） 該ポリマ
ーフィルムに薄膜支持リングな接着しかつ （ホ） 全表面から直接ポリマーフィルムを慎重に剥離
する ことを特徴とする、感光性ウェハ上に画像を形成するた
めの投影装置で使用する薄層カバーユニットの製法。 ２０、ポリマーフィルムがポリメチルメタクリレートで
ある、特許請求の範囲第１９項記載の方法。 ２１、金皮膜力５約５００オングストロームの厚さを有
する、特許請求の範囲第１９項記載の方法。 ２２、ポリマーフィルムを施す工程をスピニング法で実
施する、特許請求の範囲第１９項記載。 の方法。 ２６、ポリマーフィルムを硬化させる工程を炉内で約１
７０°Ｃの温度で実施する、特許請求の範囲第１９項記
載の方法。 ２４、全皮膜を施す工程を真空蒸着法で実施する、特許
請求の範囲第１９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US466268 | 1983-02-14 | ||
| US06/466,268 US4465759A (en) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161031A true JPS59161031A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH0442666B2 JPH0442666B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=23851132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022081A Granted JPS59161031A (ja) | 1983-02-14 | 1984-02-10 | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4465759A (ja) |
| EP (1) | EP0119310B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59161031A (ja) |
| DE (1) | DE3376887D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083032A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光透過性に優れたフオトマスク用防塵カバ− |
| US4539070A (en) * | 1983-12-21 | 1985-09-03 | Gte Automatic Electric Incorporated | Exposure of photo resist |
| US4697701A (en) * | 1986-05-30 | 1987-10-06 | Inko Industrial Corporation | Dust free storage container for a membrane assembly such as a pellicle and its method of use |
| US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US5339197A (en) * | 1989-03-31 | 1994-08-16 | Yen Yung Tsai | Optical pellicle with controlled transmission peaking |
| US5061024C1 (en) * | 1989-09-06 | 2002-02-26 | Dupont Photomasks Inc | Amorphous fluoropolymer pellicle films |
| US5254375A (en) * | 1991-08-26 | 1993-10-19 | Yen Yung Tsai | Apparatus for controllably separating framed working area from remainder of the membrane |
| US9360749B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pellicle structure and method for forming the same |
| US10031411B2 (en) * | 2014-11-26 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for EUV mask and fabrication thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3892973A (en) * | 1974-02-15 | 1975-07-01 | Bell Telephone Labor Inc | Mask structure for X-ray lithography |
| US4131368A (en) * | 1976-04-09 | 1978-12-26 | Iddon Brothers Limited | Scrolls for extruding machines |
| US4037111A (en) * | 1976-06-08 | 1977-07-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for X-ray lithography |
| US4063812A (en) * | 1976-08-12 | 1977-12-20 | International Business Machines Corporation | Projection printing system with an improved mask configuration |
| US4254174A (en) * | 1979-03-29 | 1981-03-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Supported membrane composite structure and its method of manufacture |
| US4246054A (en) * | 1979-11-13 | 1981-01-20 | The Perkin-Elmer Corporation | Polymer membranes for X-ray masks |
-
1983
- 1983-02-14 US US06/466,268 patent/US4465759A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-12-09 DE DE8383112426T patent/DE3376887D1/de not_active Expired
- 1983-12-09 EP EP83112426A patent/EP0119310B1/en not_active Expired
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59022081A patent/JPS59161031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3376887D1 (en) | 1988-07-07 |
| EP0119310B1 (en) | 1988-06-01 |
| US4465759A (en) | 1984-08-14 |
| JPH0442666B2 (ja) | 1992-07-14 |
| EP0119310A1 (en) | 1984-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0110184B1 (en) | Process for fabricating integrated optics | |
| FR2474708A1 (fr) | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits | |
| US4293624A (en) | Method for making a mask useful in X-ray lithography | |
| JPS59161031A (ja) | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 | |
| EP0134789B1 (en) | Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity | |
| JP2795126B2 (ja) | 曲面加工方法及びその装置 | |
| US4523974A (en) | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system | |
| JP2011523466A (ja) | 薄いペリクルビームスプリッタの製造 | |
| JPS5922050A (ja) | ホトマスク | |
| JP3736693B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクおよびその製造方法 | |
| JPS59161822A (ja) | 感光性被覆ウエハ上に画像を形成する投影印刷装置 | |
| JPH06148861A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPS649617B2 (ja) | ||
| EP0119387B1 (en) | A method for fabricating pellicle cover for photomask | |
| JP2005524862A (ja) | 石英基板からなる光学素子を製造する方法 | |
| JP2001013056A (ja) | 微小開口形成方法 | |
| JPS6249094B2 (ja) | ||
| EP0689686B1 (en) | A thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture | |
| JP2783582B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH06230561A (ja) | リソグラフィー用ペリクル膜の製造方法 | |
| JP3192533B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JPS6156317B2 (ja) | ||
| JPH01102567A (ja) | 露光マスクの製造方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH04216553A (ja) | 半導体製造用マスク |