JPS6024548A - ホトレジスト被覆表面の露出条件の選択方法 - Google Patents
ホトレジスト被覆表面の露出条件の選択方法Info
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- JPS6024548A JPS6024548A JP59096706A JP9670684A JPS6024548A JP S6024548 A JPS6024548 A JP S6024548A JP 59096706 A JP59096706 A JP 59096706A JP 9670684 A JP9670684 A JP 9670684A JP S6024548 A JPS6024548 A JP S6024548A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Structural Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真食刻装置における露光量設定方法に関する
。
。
写真食刻装置は集積回路の製造に使用されτいる。この
技法において、ケイ素ウェハはホトレジスト材料で覆わ
れている。紫外線に露光されると、ホトレジスト材料は
重合化されて硬くてしつかシくっついて離れない被膜に
なシ、層の非露光部分は溶媒もしくは現像剤によって容
易に除去可能になる。透明な線のパターンを除き不透明
であるマスクもしくはマスクによって、ホトレジスト被
覆は回路素子の形状と一致するパターンで元に露光され
る。ウェハは相継いでマスクでおおわれ、マスクの各々
は新しいホトレジスト被覆の表面上に異なるパターンを
露光している。相継ぐ露光でウェハ上に形成される光像
は例えば投射印刷器、原寸走査工具、縮尺走査工具、ス
テッピング接触工具の如き広義には写真食刻工具である
パターン露出玉具を使用する事によって相対位置が厳密
に制御されなければならない。
技法において、ケイ素ウェハはホトレジスト材料で覆わ
れている。紫外線に露光されると、ホトレジスト材料は
重合化されて硬くてしつかシくっついて離れない被膜に
なシ、層の非露光部分は溶媒もしくは現像剤によって容
易に除去可能になる。透明な線のパターンを除き不透明
であるマスクもしくはマスクによって、ホトレジスト被
覆は回路素子の形状と一致するパターンで元に露光され
る。ウェハは相継いでマスクでおおわれ、マスクの各々
は新しいホトレジスト被覆の表面上に異なるパターンを
露光している。相継ぐ露光でウェハ上に形成される光像
は例えば投射印刷器、原寸走査工具、縮尺走査工具、ス
テッピング接触工具の如き広義には写真食刻工具である
パターン露出玉具を使用する事によって相対位置が厳密
に制御されなければならない。
この様にしてホトレジストを露光するのに使用される代
表的写真食刻投射印刷器は米国特許第４０１１０１１号
、第４０６８９４７号、第５９５１５４６号、第３９３
７．５５６号、第３９５２２１７号、第４２４８５０８
号、第３９５７３６４号、第４２４０７０２号に説明さ
れる。これ等の印刷器は屈折部材で形成された投射レン
ズを使用する事なく、ＵＶ（紫外線）源である事が好ま
しい照射源を使用してマスクを走査する事によってマス
クを通してウエノ・を露光している。パターン露光工具
の露光時間の制御は走査運動の速度及びマスク上で照射
される領域の幅の制御もしくはシャッタ速度の変化によ
って得られる。
表的写真食刻投射印刷器は米国特許第４０１１０１１号
、第４０６８９４７号、第５９５１５４６号、第３９３
７．５５６号、第３９５２２１７号、第４２４８５０８
号、第３９５７３６４号、第４２４０７０２号に説明さ
れる。これ等の印刷器は屈折部材で形成された投射レン
ズを使用する事なく、ＵＶ（紫外線）源である事が好ま
しい照射源を使用してマスクを走査する事によってマス
クを通してウエノ・を露光している。パターン露光工具
の露光時間の制御は走査運動の速度及びマスク上で照射
される領域の幅の制御もしくはシャッタ速度の変化によ
って得られる。
現像される像の品質を保証するためには露光量（ホトレ
ジストに達するエネルギ量）を注意深く制御する必要が
ある。ＵＶ光に対するホトレジスト層の露光量が増大す
ると、ホトレジスト層はだんだん褪色される。良好な写
真食刻過程は明確な褪色レベルで生じ、例えば０．２７
モルのジアゾケトン／ノボラック・ポジティブホトレジ
ストの場合は、約３７チの相対光活性化合物褪色レベル
で生ずる事が周知である。しかしながら走査速度及び照
射源強度のゆらぎのために、内部露光量モニタを有さな
い周知の写真食刻装置を使用した場合は所与の一日でも
最適露光量を再現する事は極めて困難である。
ジストに達するエネルギ量）を注意深く制御する必要が
ある。ＵＶ光に対するホトレジスト層の露光量が増大す
ると、ホトレジスト層はだんだん褪色される。良好な写
真食刻過程は明確な褪色レベルで生じ、例えば０．２７
モルのジアゾケトン／ノボラック・ポジティブホトレジ
ストの場合は、約３７チの相対光活性化合物褪色レベル
で生ずる事が周知である。しかしながら走査速度及び照
射源強度のゆらぎのために、内部露光量モニタを有さな
い周知の写真食刻装置を使用した場合は所与の一日でも
最適露光量を再現する事は極めて困難である。
ＵＶ写真食刻装置のための従来の露光量測定技法は周知
である。例えば使用されるモード（即ちＵＶ−４、ＵＶ
−３もしくはＵＶ−２）のためのすべての放射線に対応
するホトダイオード・プローブが使用されなければなら
ない。ウエノ・上にはられた条片の形の薄膜を種々の露
光量で露光する、市販の露光量測定薄膜を使用する事も
周知である。
である。例えば使用されるモード（即ちＵＶ−４、ＵＶ
−３もしくはＵＶ−２）のためのすべての放射線に対応
するホトダイオード・プローブが使用されなければなら
ない。ウエノ・上にはられた条片の形の薄膜を種々の露
光量で露光する、市販の露光量測定薄膜を使用する事も
周知である。
しかしながら、入手可能な薄膜の光感度が限られている
ために、この方法はすべての露光モード、即ちすべての
波長の紫外線に対して使用する事は出来ない。さらにロ
ット毎に変動があるので薄膜の各ロットには較正曲線が
与えられなくてはならない。さらに元感知材料のＰＡＣ
褪色以外の暗黒化を含むこの過程は間接なものにすぎな
い。
ために、この方法はすべての露光モード、即ちすべての
波長の紫外線に対して使用する事は出来ない。さらにロ
ット毎に変動があるので薄膜の各ロットには較正曲線が
与えられなくてはならない。さらに元感知材料のＰＡＣ
褪色以外の暗黒化を含むこの過程は間接なものにすぎな
い。
露光量測定の他の周知の方法には、種々の百分率の透過
率の像を与えるマスクを通してテスト用ホトレジスト層
を露光する方法がある。現像の後、Ｓ’ＥＭ（走査電子
顕微鏡）像解析によって既知の処理窓に対する写真食刻
装置の露光量の近似値が得られる。しかしながら、この
方法は定量的でなく、ホトレジスト現像剤及び処理の型
に依存している。この方法は又走査電子顕微鏡を必要と
する。
率の像を与えるマスクを通してテスト用ホトレジスト層
を露光する方法がある。現像の後、Ｓ’ＥＭ（走査電子
顕微鏡）像解析によって既知の処理窓に対する写真食刻
装置の露光量の近似値が得られる。しかしながら、この
方法は定量的でなく、ホトレジスト現像剤及び処理の型
に依存している。この方法は又走査電子顕微鏡を必要と
する。
周知の露光量測定の終点検出方法は穴のおいていない石
英マスクを通してテスト用ホトレジスト層を露光してお
り、その後レーザ終点検出が実行されて溶解曲線が決定
されている。このレーザ終点検出溶解曲線データをもと
にして既知の処理窓のための写真食刻工具の露光量が推
定されている。
英マスクを通してテスト用ホトレジスト層を露光してお
り、その後レーザ終点検出が実行されて溶解曲線が決定
されている。このレーザ終点検出溶解曲線データをもと
にして既知の処理窓のための写真食刻工具の露光量が推
定されている。
この方法はレーザ終点検出システムが必要とされ、定量
的でなく、ホトレジスト、現像剤及びレーザ終点検出処
理法の型に依存するという欠点を有する。
的でなく、ホトレジスト、現像剤及びレーザ終点検出処
理法の型に依存するという欠点を有する。
ホトレジスト像解析が又露光量測定に使用される事も周
知である。露光及び現像の後に相対的露光量が光学もし
くは電子顕微鏡技法によって線幅の関数として推定され
る。写真食刻の工具の露光量はＳＥＭ像データをもとに
して推定される。この方法の欠点はＳＥＭもしくは他の
顕微鏡を必要とし、定量的でなく、ホトレジスト現像及
び処理の型に依存する点にある。
知である。露光及び現像の後に相対的露光量が光学もし
くは電子顕微鏡技法によって線幅の関数として推定され
る。写真食刻の工具の露光量はＳＥＭ像データをもとに
して推定される。この方法の欠点はＳＥＭもしくは他の
顕微鏡を必要とし、定量的でなく、ホトレジスト現像及
び処理の型に依存する点にある。
従って本発明の目的は走査速度もしくはシャッタ速度の
関数としてノくターン露光装置の中間ＵＶ、近ＵＶもし
くは遠ＵＶの露光量を決定する方法を与える事にある。
関数としてノくターン露光装置の中間ＵＶ、近ＵＶもし
くは遠ＵＶの露光量を決定する方法を与える事にある。
本発明に従えば、測定誤差が低く、ホトレジスト食刻と
直接関連する測定量を与える露光量測定法が与えられる
。
直接関連する測定量を与える露光量測定法が与えられる
。
本発明に従えば、写真食刻装置のノ（フオーマンスをホ
トレジストの各ロットもしくは荷積みに適合させる方法
が与えられる。
トレジストの各ロットもしくは荷積みに適合させる方法
が与えられる。
本発明に従えば、接着促進剤もしくは予備焼きの使用を
必要としないホトレジスト被覆ディスクを使用する簡単
な露光量測定法が与えられる。
必要としないホトレジスト被覆ディスクを使用する簡単
な露光量測定法が与えられる。
本発明は組込まれた光電子グローブを使用する事なく、
写真食刻投射装置の露光量の決定の際の困難を克服する
。さらに具体的には、上述の目的は石英ディスク上に付
着されたテスト用ホトレジスト層のＵＶ吸収率を測定す
る事によって写真食刻装置の単位時間当９の露光量を決
定する方法によって達成される。この露光量は特定の工
具のための特定の日の褪色値を褪色値対露光量の較正曲
線から得られる褪色値と比較する事によって決定される
。本発明の方法によって、ホトレジスト応答は使用され
る露光工具中の全有効波長範囲にわたってこのレジスト
のための総有効露光量に特に一致される。
写真食刻投射装置の露光量の決定の際の困難を克服する
。さらに具体的には、上述の目的は石英ディスク上に付
着されたテスト用ホトレジスト層のＵＶ吸収率を測定す
る事によって写真食刻装置の単位時間当９の露光量を決
定する方法によって達成される。この露光量は特定の工
具のための特定の日の褪色値を褪色値対露光量の較正曲
線から得られる褪色値と比較する事によって決定される
。本発明の方法によって、ホトレジスト応答は使用され
る露光工具中の全有効波長範囲にわたってこのレジスト
のための総有効露光量に特に一致される。
本発明の方法によって、所与のホトレジストのための所
望の相対百分率ＰＡＣ褪色値を得るために所与の装置上
の最適露光速度はこの写真食刻製造装置のために発生さ
れた曲線を学に直接参照する事によって決定される。
望の相対百分率ＰＡＣ褪色値を得るために所与の装置上
の最適露光速度はこの写真食刻製造装置のために発生さ
れた曲線を学に直接参照する事によって決定される。
ホトレジストの各ロットのために新しい較正曲線を発生
する事は望ましい事であるが、仕様を狭くスルタめに、
ホトレジストのローット毎の変動は３チ以下にされる事
が決定された。この結果、許容可能な製造過程の制御は
ホトレジストの各ロットのための新しい較正曲線を必要
とする事なく達成され得る。
する事は望ましい事であるが、仕様を狭くスルタめに、
ホトレジストのローット毎の変動は３チ以下にされる事
が決定された。この結果、許容可能な製造過程の制御は
ホトレジストの各ロットのための新しい較正曲線を必要
とする事なく達成され得る。
本発明の方法によって、任意のホトレジストのための任
意の有用なＵＶ露光範囲、例えば約２２０乃至５５０
ｎｍにおける露光速度の決定が可能である。ここで露光
速度制御とは例えば走査速度もしくはシャッタ速度を変
化させる事による、所与のパターン露光工具による露光
制御方法をさしている。
意の有用なＵＶ露光範囲、例えば約２２０乃至５５０
ｎｍにおける露光速度の決定が可能である。ここで露光
速度制御とは例えば走査速度もしくはシャッタ速度を変
化させる事による、所与のパターン露光工具による露光
制御方法をさしている。
本発明の方法の主なる段階は次の通シである。
先ず、石英ウニ・・がホトレジスト層で被覆される。ウ
エノ・の被覆された表面の半分は次いでアルミニウムの
如き不透明材料で被覆される。次に露光量を決定するた
めにホトダイオード演１１定プローブが装備された実験
装置を使用して、いくつめ≧の半分被覆されたウエノ・
が既知の波長の紫外線光に露光された。各被覆ウエノ・
の露光量は例えば異なるシャッタ速度を使用する事によ
って変イヒされる、相対百分率ＰＡＣ褪色値はＵＶ分元
計をイ吏用して各ウエノ・の露光及び非露光部分の吸収
率を比較する事によって計算された。相対百分率ＰＡＣ
褪色が測定された露光量に対してプロットされて較正曲
線が構成された。この様な較正曲線の９１７％第１図に
示されている。
エノ・の被覆された表面の半分は次いでアルミニウムの
如き不透明材料で被覆される。次に露光量を決定するた
めにホトダイオード演１１定プローブが装備された実験
装置を使用して、いくつめ≧の半分被覆されたウエノ・
が既知の波長の紫外線光に露光された。各被覆ウエノ・
の露光量は例えば異なるシャッタ速度を使用する事によ
って変イヒされる、相対百分率ＰＡＣ褪色値はＵＶ分元
計をイ吏用して各ウエノ・の露光及び非露光部分の吸収
率を比較する事によって計算された。相対百分率ＰＡＣ
褪色が測定された露光量に対してプロットされて較正曲
線が構成された。この様な較正曲線の９１７％第１図に
示されている。
次に、同じ型のホトレジストが被覆された、半分被覆さ
れたウニ・・は内部露光量演１１定装置のないパターン
露光工具を使用して、いくつ力）の異なる露光速度で露
出された。相対的百分率ＰＡＣ褪色値がＵＶ分元計によ
って上述の如く決定され、相対的百分率ＰＡＣ褪色の直
線力；露出速度に対してプロットされた。この様な曲線
の側力；第２図に号されている。
れたウニ・・は内部露光量演１１定装置のないパターン
露光工具を使用して、いくつ力）の異なる露光速度で露
出された。相対的百分率ＰＡＣ褪色値がＵＶ分元計によ
って上述の如く決定され、相対的百分率ＰＡＣ褪色の直
線力；露出速度に対してプロットされた。この様な曲線
の側力；第２図に号されている。
一つの好ましい実施例において、実際の露光１（ｍＪ／
ｃｒｎりは、ホトレジスト中で同一相対百分率ＰＡＣ褪
色を得るために必要とされる露光量及び露光速度を２つ
の曲線力・ら定めゴ、所与の写真食刻装置の露光速度の
関数として定量的に決定さ、れ得る。この絶対的決定法
は異なるホトレジストもしくは過程の比較に有用であり
、９ＩＩえは所与のホトレジストのロットのための便オ
リで信゛頼性ある品質検査方法を与える。
ｃｒｎりは、ホトレジスト中で同一相対百分率ＰＡＣ褪
色を得るために必要とされる露光量及び露光速度を２つ
の曲線力・ら定めゴ、所与の写真食刻装置の露光速度の
関数として定量的に決定さ、れ得る。この絶対的決定法
は異なるホトレジストもしくは過程の比較に有用であり
、９ＩＩえは所与のホトレジストのロットのための便オ
リで信゛頼性ある品質検査方法を与える。
任意の所与の走査もしくはシャッタ速度に関連する露光
量の絶対的定量測定法は多くの場合に有用である。例え
ば較正的＃ｉ力；発生された写真食亥１１工具は新しい
テスト用つエノ・に露光する必要なく、任意の既知の最
適露光量で異なるイし学的組成、濃度もしくは厚さのホ
トレジスＦを露光するのに１吏用され得る。同様に、異
なる）（ターンの露光工具１ ０）くフオーマンスを直
接比較する事もしくは異なる工具に対して任意の所望の
露光量を与える事カニ可能である。
量の絶対的定量測定法は多くの場合に有用である。例え
ば較正的＃ｉ力；発生された写真食亥１１工具は新しい
テスト用つエノ・に露光する必要なく、任意の既知の最
適露光量で異なるイし学的組成、濃度もしくは厚さのホ
トレジスＦを露光するのに１吏用され得る。同様に、異
なる）（ターンの露光工具１ ０）くフオーマンスを直
接比較する事もしくは異なる工具に対して任意の所望の
露光量を与える事カニ可能である。
本発明の広義の実施例“説明されたので、次に１ より
詳細な説明“特定の実施９１’Ｊを参照して与えられる
。
詳細な説明“特定の実施９１’Ｊを参照して与えられる
。
いくつかの０．１５９副の厚さの光学級の石英ディス：
９＃ｉ６００１１ ｒｐｍＤ回転速度でスピンされ、４
０ ！５ ｎｍ ノ波長に対シ”？：０．４９ｆ０．０
２０ Ｄ （光学密度）が得られる様に０．２７モルの
オルソーナグトキノン・ジアジド／ノボラック型ホトレ
ジストで被覆された。石英ディスク上には接着促進剤で
使用されず、父系トレジストは石英ディスク上で焼成さ
れなかった。
９＃ｉ６００１１ ｒｐｍＤ回転速度でスピンされ、４
０ ！５ ｎｍ ノ波長に対シ”？：０．４９ｆ０．０
２０ Ｄ （光学密度）が得られる様に０．２７モルの
オルソーナグトキノン・ジアジド／ノボラック型ホトレ
ジストで被覆された。石英ディスク上には接着促進剤で
使用されず、父系トレジストは石英ディスク上で焼成さ
れなかった。
この様にして準備された４つのウェハはその表面の半分
がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆され、ホトターイオ
ード・プローブを有する実験装置を使用し、略３０．６
０，９０及び１８０ ｍ Ｊ ７ｃｍ２の測定露光量で
、３１０ｎｍの波長を有するＵＶ光に露光された（Ｔは
透過率）。
がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆され、ホトターイオ
ード・プローブを有する実験装置を使用し、略３０．６
０，９０及び１８０ ｍ Ｊ ７ｃｍ２の測定露光量で
、３１０ｎｍの波長を有するＵＶ光に露光された（Ｔは
透過率）。
各ディスクの半分のＵＶ吸収スペクトルがＵＶ分光計を
使用して４０５ ｎｍの波長で測定された。
使用して４０５ ｎｍの波長で測定された。
４０ｊｎｒｎの波長はホトレジストの樹脂成分にょる吸
収を除去するために選択された。なんとなればこの波長
では測定される唯■吸収はＰＡＣによるものであるから
である。相対百分率ＰＡＣ褪色は次式によって計算され
る。
収を除去するために選択された。なんとなればこの波長
では測定される唯■吸収はＰＡＣによるものであるから
である。相対百分率ＰＡＣ褪色は次式によって計算され
る。
ここでＡＥｘｐ”露光されたウェハの半分の吸収率
ＡＩＮＩＴ”非露光のウェハの半分の吸収率ホトレジス
トのこのロットのための較正曲線（第１図）はＹ軸上に をプロットし、Ｘ軸上にｍＪ／α２を単位とする測定露
光量をプロットし、 に対応する上記相対％ＰＡＣ褪色値の目盛をグラフの反
対側のＹ軸上に加える事によって形成される。所与の写
真食刻装置の印刷過程のための最適露光量を決定するた
めに、半分がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆されたさ
らの石英が写真食刻装置におけるパターン・マスクに代
って使用された。ホトレジストが被覆されたウェハは代
表的写真食刻製造過程の波長をエミュレートするために
中間ＵＶ（ＵＶ−３）及び近ＵＶ（ＵＶ−４）フィルタ
を介して露光された。ウェハは６種類の任意の走査速度
で露光された。２重ビームＵＶ分光測光器を使用する事
によって半分被覆されたウェハの吸収率を測定する事に
よって上述の如く相対百分率褪色が決定された。走査速
度と の関係を表わす線形曲線がプロットされた。
トのこのロットのための較正曲線（第１図）はＹ軸上に をプロットし、Ｘ軸上にｍＪ／α２を単位とする測定露
光量をプロットし、 に対応する上記相対％ＰＡＣ褪色値の目盛をグラフの反
対側のＹ軸上に加える事によって形成される。所与の写
真食刻装置の印刷過程のための最適露光量を決定するた
めに、半分がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆されたさ
らの石英が写真食刻装置におけるパターン・マスクに代
って使用された。ホトレジストが被覆されたウェハは代
表的写真食刻製造過程の波長をエミュレートするために
中間ＵＶ（ＵＶ−３）及び近ＵＶ（ＵＶ−４）フィルタ
を介して露光された。ウェハは６種類の任意の走査速度
で露光された。２重ビームＵＶ分光測光器を使用する事
によって半分被覆されたウェハの吸収率を測定する事に
よって上述の如く相対百分率褪色が決定された。走査速
度と の関係を表わす線形曲線がプロットされた。
このプロセスは異なる日の異なるロットに対して繰返さ
れた。結果は第２図に示されている。本発明の方法を使
用して最適露光量を得るために所与の日の所与のｉ械に
対して必要とされる走査速度を決定するためには、上述
の如くその機械に対して作成された曲線上の所望の５７
％ＰＡＣ褪色値に対応する点を決定する事だけが必要で
ある。
れた。結果は第２図に示されている。本発明の方法を使
用して最適露光量を得るために所与の日の所与のｉ械に
対して必要とされる走査速度を決定するためには、上述
の如くその機械に対して作成された曲線上の所望の５７
％ＰＡＣ褪色値に対応する点を決定する事だけが必要で
ある。
この最適露光量に対応する適切な走査速度（露光時間に
比例する様に選択されるっけこの様にして容易に決定さ
れ得る。第２図から、３７％の相対百分率ＰＡＣ褪色を
得るのに必要とされる走査速度は約９．４ Ｋ （任意
単位、パーキン・エルマ社データ）である事は明らかで
ある。
比例する様に選択されるっけこの様にして容易に決定さ
れ得る。第２図から、３７％の相対百分率ＰＡＣ褪色を
得るのに必要とされる走査速度は約９．４ Ｋ （任意
単位、パーキン・エルマ社データ）である事は明らかで
ある。
この決定も定量的である。なんとなれは較正曲線によっ
て３７−の相対百分率ＰＡＣ褪色値に対応するｍ Ｊ
／ ｃｍ ”単位の露光量が与えられるからである。第
１図を参照するに、同じ３７−の相対百分率のＰＡＣ褪
色値を得るに必要とされる露光量（即ち９．４ Ｋにお
ける露光量）は略９２−９３ｍ Ｊ ／ ｏｎ ”であ
る。他の日について他のロットのだめのこの様な露光量
を得るのに必要とされる走査速度はこれ等の条件に対し
て発生された別の曲線を参照して容易に決定される。
て３７−の相対百分率ＰＡＣ褪色値に対応するｍ Ｊ
／ ｃｍ ”単位の露光量が与えられるからである。第
１図を参照するに、同じ３７−の相対百分率のＰＡＣ褪
色値を得るに必要とされる露光量（即ち９．４ Ｋにお
ける露光量）は略９２−９３ｍ Ｊ ／ ｏｎ ”であ
る。他の日について他のロットのだめのこの様な露光量
を得るのに必要とされる走査速度はこれ等の条件に対し
て発生された別の曲線を参照して容易に決定される。
本発明は特定の実施例について詳細に説明されたが、こ
の分野の専門家にとっては、自明の変更も明らかであろ
う。例えは、ホトレジストは上述の特定のものに制限さ
れず、本発明の方法は多くの異なるＵＶ露露光置及びす
べてのＵＶ露光範囲に適用され得る事は明らかである。
の分野の専門家にとっては、自明の変更も明らかであろ
う。例えは、ホトレジストは上述の特定のものに制限さ
れず、本発明の方法は多くの異なるＵＶ露露光置及びす
べてのＵＶ露光範囲に適用され得る事は明らかである。
第１図はホトレジストが半分被覆されたウェハを３１０
ｎｍの波長の紫外線で露光し、３１０ｎｎ用のグローブ
を有する露光計を使用して露光量を測定した代表的較正
曲線を示した図である。第２図は０乃至２０個のフィル
タが装備された写真食刻印刷装置を使用して可変走査速
度で半分ホトレジストが被覆されたウェハを露光する事
によって得られた相対百分率ＰＡＣ褪色褪色前走査速度
係を示した代表的曲線を示した図である。 ゛ｔＯＢｉ
人インターナンヨカル・ビジネス・マンーンズ・コーポ
レーション代理人 弁理士 山 本 仁 朗 （外１名） ＩＧＩ 走麦渥屍 第１頁の続き ０発 明 者 ロパート・シー−マツキントラシュ アメリカ合衆国ニューヨーク州 ブリュースター・メイプル・ロ ード・アール・ディ１番地 ０発 明 者 アンソニー・エフ・スカデュトアメリカ
合衆国ニューヨーク州 ニューバーブ・パーク・ヒル・ ドライブ１３番地
ｎｍの波長の紫外線で露光し、３１０ｎｎ用のグローブ
を有する露光計を使用して露光量を測定した代表的較正
曲線を示した図である。第２図は０乃至２０個のフィル
タが装備された写真食刻印刷装置を使用して可変走査速
度で半分ホトレジストが被覆されたウェハを露光する事
によって得られた相対百分率ＰＡＣ褪色褪色前走査速度
係を示した代表的曲線を示した図である。 ゛ｔＯＢｉ
人インターナンヨカル・ビジネス・マンーンズ・コーポ
レーション代理人 弁理士 山 本 仁 朗 （外１名） ＩＧＩ 走麦渥屍 第１頁の続き ０発 明 者 ロパート・シー−マツキントラシュ アメリカ合衆国ニューヨーク州 ブリュースター・メイプル・ロ ード・アール・ディ１番地 ０発 明 者 アンソニー・エフ・スカデュトアメリカ
合衆国ニューヨーク州 ニューバーブ・パーク・ヒル・ ドライブ１３番地
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （、） 複数個の石英ウェハをホトレジスト層で被覆し
、上記石英ウェハの被覆表面の一部を光学的に不透明な
材料で被覆する段階と、 ←）写真食刻装置を使、用して複数の異なる露光速度で
上記ウェハを紫外線に露光する段階と、（ｃ）上記ウェ
ハの各々の露光部分及び非露光部分の吸収率を測定し、
比較して、相対百分率光活性化合物褪色値を決定する段
階と、 （ｄ） 上記相対百分率光活性化合物褪色値対上記露光
速度の曲線をプロットする段階と、゛（ｅ）上記（ｄ）
で得られた曲線から、任意の所望の相対百分率光活性化
合物褪色値に対応する露光速度を決定する事によって写
真食刻装置の露光速度を設定する諸段階とよシ成るホト
レジストが被覆された表面の露光条件を選択する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/512,281 US4474864A (en) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Method for dose calculation of photolithography projection printers through bleaching of photo-active compound in a photoresist |
| US512281 | 1983-07-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024548A true JPS6024548A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0242214B2 JPH0242214B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=24038448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59096706A Granted JPS6024548A (ja) | 1983-07-08 | 1984-05-16 | ホトレジスト被覆表面の露出条件の選択方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4474864A (ja) |
| EP (1) | EP0134453B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6024548A (ja) |
| DE (1) | DE3471404D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618233A (en) * | 1985-05-20 | 1986-10-21 | Shipley Company Inc. | Scanning wedge method for determining characteristics of a photoresist |
| US4737437A (en) * | 1986-03-27 | 1988-04-12 | East Shore Chemical Co. | Light sensitive diazo compound, composition and method of making the composition |
| DE69231715D1 (de) | 1991-03-04 | 2001-04-12 | At & T Corp | Herstellungsverfahren von integrierten Halbleiterschaltungen unter Anwendung von latenten Bildern |
| US5216487A (en) * | 1991-05-22 | 1993-06-01 | Site Services, Inc. | Transmissive system for characterizing materials containing photoreactive constituents |
| IL125338A0 (en) | 1998-07-14 | 1999-03-12 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for monitoring and control of photolithography exposure and processing tools |
| US6040118A (en) * | 1998-10-30 | 2000-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Critical dimension equalization across the field by second blanket exposure at low dose over bleachable resist |
| US6132940A (en) * | 1998-12-16 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method for producing constant profile sidewalls |
| JP2006503419A (ja) * | 2002-10-11 | 2006-01-26 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 感光性レジストに覆われた物体を検査するための照射装置 |
| US20210318620A1 (en) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | Esko-Graphics Imaging Gmbh | Systems and methods for optimization of parameters for exposing flexographic photopolymer plates |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL80569C (ja) * | 1949-07-23 | |||
| US3077401A (en) * | 1957-10-07 | 1963-02-12 | Grinten Chem L V D | Process for the dosage of the exposure during the copying of positive lineoriginals on diazotype material |
| US3397315A (en) * | 1966-05-11 | 1968-08-13 | Defiance Azon Corp | Method and apparatus for evaluating the printing speed of diazotype materials |
| US3664899A (en) * | 1969-12-29 | 1972-05-23 | Gen Electric | Removal of organic polymeric films from a substrate |
| US3977872A (en) * | 1970-04-18 | 1976-08-31 | Agfa-Gevaert, A.G. | Process for the production of negative continuous-tone images |
| US4259430A (en) * | 1974-05-01 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process |
| US3953135A (en) * | 1975-03-04 | 1976-04-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Curve analysis method in color photography |
| US4080246A (en) * | 1976-06-29 | 1978-03-21 | Gaf Corporation | Novel etching composition and method for using same |
| US4128338A (en) * | 1977-06-17 | 1978-12-05 | Honeywell Inc. | Modified optical transmission technique for characterizing epitaxial layers |
| US4212935A (en) * | 1978-02-24 | 1980-07-15 | International Business Machines Corporation | Method of modifying the development profile of photoresists |
| US4212395A (en) * | 1979-01-22 | 1980-07-15 | Champion International Corporation | Multi-angled perforated opening device |
| US4409319A (en) * | 1981-07-15 | 1983-10-11 | International Business Machines Corporation | Electron beam exposed positive resist mask process |
-
1983
- 1983-07-08 US US06/512,281 patent/US4474864A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-05-16 JP JP59096706A patent/JPS6024548A/ja active Granted
- 1984-06-28 DE DE8484107434T patent/DE3471404D1/de not_active Expired
- 1984-06-28 EP EP84107434A patent/EP0134453B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0134453A2 (en) | 1985-03-20 |
| JPH0242214B2 (ja) | 1990-09-21 |
| US4474864A (en) | 1984-10-02 |
| EP0134453B1 (en) | 1988-05-18 |
| EP0134453A3 (en) | 1985-07-24 |
| DE3471404D1 (en) | 1988-06-23 |
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