NL1030480C2 - Immersiefotolithografie met megasonische spoeling. - Google Patents

Immersiefotolithografie met megasonische spoeling. Download PDF

Info

Publication number
NL1030480C2
NL1030480C2 NL1030480A NL1030480A NL1030480C2 NL 1030480 C2 NL1030480 C2 NL 1030480C2 NL 1030480 A NL1030480 A NL 1030480A NL 1030480 A NL1030480 A NL 1030480A NL 1030480 C2 NL1030480 C2 NL 1030480C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
photoresist
rinsing
fluid
megasonic
immersion exposure
Prior art date
Application number
NL1030480A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1030480A1 (nl
Inventor
Ching-Yu Chang
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Mfg filed Critical Taiwan Semiconductor Mfg
Publication of NL1030480A1 publication Critical patent/NL1030480A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1030480C2 publication Critical patent/NL1030480C2/nl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

IMMERSIEFOTOLITHOGRAFIE MET MEGASONISCHE SPOELING ACHTERGROND
Fotolithografie is een proces voor het overbrengen van 5 het patroon van een masker op de fotoresist die het oppervlak van de wafer bekleedt. Immersiefotolithografie is een nieuwe ontwikkeling op het gebied van fotolithografie waarbij de belichtingsprocedure uitgevoerd wordt met een vloeistof die de ruimte tussen het oppervlak van de wafer en de lens op-10 vult. Met immersiefotolithografie kunnen grotere numerieke aperturen gebouwd worden dan wanneer lenzen in lucht gebouwd worden, hetgeen resulteert in een verbeterde resolutie. Terwijl kleinere inrichtingskenmerken (device features) minder focusdiepte hebben, laat immersie verder een trager focus-15 diepteverlies toe naarmate we als gevolg van de vooruitgang alsmaar kleinere kenmerken worden geprint. Aangezien deze voordelen optreden zonder dat de golflengte gewijzigd wordt, kunnen bestaande materialen en methodologieën verder uitgebreid worden tot kleinere kenmerk (feature) afmetingen.
20 EP 1 486 827 beschrijft een fotolithografie toestel met detectiemiddelen om luchtbellen te detecteren en reductiemid-delen om deze te verwijderen. De detectiemiddelen kunnen gevormd zijn door een ultrasone transducer, terwijl de reduc-tiemiddelen bijvoorbeeld een ontgassingsinrichting zijn.
25 WO 2004/093130 beschrijft een werkwijze voor het reinigen van door een optisch element geabsorbeerde vloeistof gebruikmakend van een reinigingsvloeistof die een sterke affiniteit vertoont ten opzichte van de immersievloeistof.
30 UITVINDING
De uitvinding betreft een werkwijze volgens conclusie 1, 12 en 19.
1 0 3 0 48 0 2
Voordelige uitvoeringsvormen worden beschreven in de afhankelijke conclusies.
BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN
5 Figuur 1 is een vereenvoudigd stroomschema van een uit voeringsvorm van een immersiefotolithografie gebruikmakend van een megasonische spoeling; en
Figuur 2 is een vereenvoudigd schema van een uitvoeringsvorm van een toestel voor het uitvoeren van immersiefotoli-10 thografie met een megasonische spoeling.
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING
De immersiebelichtingsstap kan geïoniseerd water of elk ander geschikt immersiebelichtingsfluïdum gebruiken in de 15 ruimte tussen de wafer en de lens. Hoewel de belichtingstijd kort is, kan het fotoresist materiaal uitgeloogd worden in de immersiebelichtingsvloeistof en tot nog toe onvoorziene problemen veroorzaken. De fotoresist (ook aangeduid als resist) die uitgeloogd is in de immersiebelichtingsvloeistof kan zich 20 bijvoorbeeld vasthechten aan het lensoppervlak en de kritische afmetingsuniformiteit nadelig beïnvloeden. De resist die aan de lens kleeft, is mogelijk niet gemakkelijk te verwijderen en kan een regelmatig onderhoud en vervanging van de onder-delen vereisen. Het uitgeloogd resist kan een fotozure 25 generator (photo acid generator, PAG) omvatten, welke zou kunnen vrijkomen in het fluïdum bij contact van de resist met de immersievloeistof. Het uitlogen (PAG) wordt beschouwd als belangrijkste reden die lensvervuiling veroorzaakt. Ander uitgeloogd materiaal zoals resistpolymeer, blusmiddel, sol-30 vent en gasontlading zouden eveneens de lens vervuilen en de belichtingswerking beïnvloeden. Eerdere oplossingen waarin speciale topbekledingsmaterialen gebruikt worden over de resist kunnen de uitloogimpact van het resistmateriaal veria- 3 gen. Een dergelijke werkwijze verhoogt echter de totale fa-bricagetijd en -kosten.
Behalve de resist die wordt uitgeloogd in de immersiebe-lichtingsvloeistof, is een ander probleem de vorming en de 5 aggregatie van microbellen in de vloeistof. Het hechten van microbellen aan de resist tijdens belichting leidt tot onnauwkeurigheden in het overgebracht beeld.
Verwijzend naar figuur 1 wordt een vereenvoudigd stroomschema van een uitvoeringsvorm van een lithografieproces 10 getoond. In stap 10 wordt een fotoresist gevormd over het oppervlak van het wafersubstraat. De fotoresist kan een negatieve of positieve resist zijn en kan vervaardigd zijn uit een nu bekend of later voor dit doel ontwikkeld materiaal. De fotoresist kan bijvoorbeeld een chemische versterkingsresist 15 zijn en kan een één-, twee- of multi-componentresistsysteem zijn. Het aanbrengen van de fotoresist kan gebeuren door centrifugatie of door elke andere procedure. Vóór het aanbrengen van de fotoresist moet de wafer eerst verwerkt worden om deze voor te bereiden op het fotolithografieproces. De 20 wafer kan bijvoorbeeld gereinigd, gedroogd en/of bekleed worden met een hechtingsbevorderend materiaal voorafgaand aan de aanbrenging van de fotoresist.
In stap 12 wordt de wafer verwarmd om algemeen de solventen te verdrijven, de hechting tussen de wafer en de fotore-25 sist te verbeteren, en om de spanning die tijdens het centri-fugatieproces in de wafer geïntroduceerd was, weg te nemen door een gloeibehandeling. Stap 12 wordt doorgaans het zacht bakproces genoemd, en de wafer wordt doorgaans verwarmd tot bijvoorbeeld ongeveer 90 tot ongeveer 140'C. De wafer kan 30 bijvoorbeeld verwarmd worden gedurende ongeveer 30 tot ongeveer 200 seconden. Daarna laat men de wafer afkoelen in stap 14 .
4
In stap 16 wordt de wafer onderworpen aan een mega-soni-sche spoeling. Megasonisch spoelen betreft het gebruik van een oscillerende of pulserende vloeistof bij een frequentie die gaat van 10 tot ongeveer 1.000 KHz om de wafer te spoe-5 len. De wafer wordt ondergedompeld in een megasonisch bekrachtigd vloeistofbad dat aanwezig is in een tank of wordt blootgesteld aan een spoelkop die de vloeistof verstuift. De megasonische spoelvloeistof kan doorgaans gedeïoniseerd water omvatten en kan bijkomend bijvoorbeeld een oppervlakte-actie-10 ve stof, een polymeer en/of een buffer bevatten. Een voorbeeld van geschikte oppervlakte-actieve stoffen omvatten perfluro-octaansulfonaat (PFOS); een voorbeeld van een geschikte polymeer omvat C3F8; en een voorbeeld van een geschikte buffer omvat fosfaat. De oppervlakte-actieve stof kan 15 een ionische of anionische oppervlakte-actieve stof zijn die nu bekend is of later wordt ontwikkeld. Één of meer megasonische transducers kunnen gebruikt worden om de oscillatie-energie in de spoelvloeistof te genereren. De megasonische spoelstap wordt gebruikt om wateroplosbare moleculen in het 20 resistmateriaal te verwijderen om het uitlogen tijdens de immersiebelichting te vermijden. De megasonische spoelstap wordt gebruikt om het gas in het resistmateriaal te verwijderen. De megasonische spoeling wordt eveneens gebruikt om watermoleculen in de resist te brengen om de hydrofiele ei-25 genschappen van de resist te verhogen. De verhoogde hydrofiele eigenschap kan de vorming van microbellen tijdens de beweging van de uitlijnstap, tijdens belichting en tijdens andere pre-belichtingtoestelactiviteiten, vermijden. De megasonische spoelstap is dus werkzaam om potentiële uitloogbare moleculen 30 te verwijderen en om de luchtblazen in de resist die de im-mersiebelichtingsvloeistof zouden vervuilen, op te vullen. De duur van de megasonische spoeling kan bijvoorbeeld gelegen zijn tussen ongeveer vijf seconden en ongeveer tien minuten.
5
De spoelvloeistof wordt verspreid op de wafer of naar een immersiebad geleid en afgevoerd.
Volgens een eerste toepassing kan de megasonische spoeling uitgevoerd worden in dezelfde kamer waar de immersiebe-5 lichting uitgevoerd, zoals getoond in figuur 2. Toestel 30 omvat projectie-optica 32 die werkzaam is om straling op de wafer 34 te richten. Één of meer megasonische transducers 36 kunnen aangezet worden voor de megasonische spoelstap en vervolgens uitgezet worden tijdens de immersiebelichtings-10 stap. De megasonische spoeloplossingen en immersiebelich-tingsvloeistoffen kunnen ingebracht worden in het interface 38 tussen de wafer 34 en de optische lens via een inlaat 40 en afgevoerd worden via een uitlaat 42. De inlaat 40 kan een sproeikop omvatten. Een megasonische energiegenerator is 15 gekoppeld met de sproeikop. De wafer 34 rust op een waferta-fel 44 die een vacuüm klauwplaat kan omvatten om de wafer op zijn plaats te houden. De wafertafel is werkzaam om te bewegen of te roteren al naargelang de gewenste spoeling en de scanbeweging. De megasonische spoelstap kan gevolgd worden 20 door één of meer bijkomende spoelstappen met gedeioniseerd water welke eveneens uitgevoerd kunnen worden in toestel 30. Volgens een alternatief kan de wafer overgebracht worden naar een tank die gekoppeld is met een megasonische energiegenerator voor de megasonische spoelstap. De immersieoplossing 25 wordt bekrachtigd en aangedreven door de energiegenerator om de wafer te spoelen.
In stap 18 wordt de immersiebelichting uitgevoerd. De wafer en de resist worden ondergedompeld in een immersiebe-lichtingsvloeistof en blootgesteld aan een stralingsbron 30 doorheen een masker. De stralingsbron kan een ultra-violet lichtbron, bijvoorbeeld een krypton fluoride (KrF, 248 nm), een argon fluoride (ArF, 193 nm) of een F2 (157 nm) excimere laser zijn. De wafer wordt blootgesteld aan de straling gedu- 6 rende een bepaalde tijd afhankelijk van het type van de gebruikte fotoresist, van de intensiteit van de ultra-violet lichtbron en/of van andere factoren. De belichtingstijd kan bijvoorbeeld duren van ongeveer 0,2 seconden tot ongeveer 30 5 seconden.
In stap 20 wordt de belichte fotoresist verwarmd voor een postbelichtingsbakken. Deze stap laat het belichte fotozuur reageren met het polymeer en maakt de polymeerontbinding. De wafer kan verwarmd worden tot een temperatuur van bijvoor-10 beeld ongeveer 85 tot ongeveer 50'C, bijvoorbeeld gedurende 30 tot ongeveer 200 seconden. De belichte (positieve) of niet belichte (negatieve) fotoresist wordt verwijderd waardoor het gewenste maskerpatroon overblijft. De wafer wordt ondergedompeld in een ontwikkelvloeistof gedurende een bepaalde tijd 15 voor het ontbinden en verwijderen van een deel van de fotoresist. De wafer kan bijvoorbeeld ondergedompeld worden in de ontwikkeloplossing gedurende ongeveer 5 tot ongeveer 60 seconden. De samenstelling van de ontwikkeloplossing is afhankelijk van de samenstelling van de fotoresist.
20 In stap 24 wordt de wafer verwarmd voor een postontwikkel hard bakken. Deze stap verwijdert verder solventen, verbetert de hechting, en verhoogt de etsweerstand van de resist. De wafer kan verwarmd worden tot een temperatuur van bijvoorbeeld 90 tot ongeveer 130‘C, gedurende bijvoorbeeld ongeveer 25 30 tot ongeveer 200 seconden. Hierna kan de wafer met het patroon in fotoresist gebruikt worden voor het vormen van één of meer materiaallagen ter vorming van inrichtingskenmerken.
De megasonische spoelstap die ingevoerd is vóór de immer-siebelichting verwijdert resistmoleculen die vatbaar zijn om 30 uitgeloogd te worden in de immersiebelichtingsvloeistof en die ruimtes kunnen opvullen die kunnen leiden tot de vorming van microbellen tijdens het belichtingsproces. Deze vervuilende stoffen in de immersiebelichtingsvloeistof brengen het 7 belichtingsproces in gevaar. De resistmoleculen kunnen zich bijvoorbeeld hechten aan de lens en kunnen de optische werking van de lens, de brekingsindex van de vloeistof wijzigen en de kritische afmetingsuniformiteit in gevaar brengen. De 5 resist die hecht aan de lens en aan andere hardware kan eveneens leiden tot bijkomende onderhoudsvereisten. De vorming van microbellen zou eveneens de brekingsindex van de vloeistof wijzigen en een foutief resistbeeld genereren.
1030480

Claims (19)

1. Werkwijze omvattende: een fotoresist wordt gevormd op een substraat; 5 de fotoresist wordt gespoeld gebruikmakend van een spoel- vloeistof die aangedreven wordt met tenminste één megasoni-sche bron om potentiële uitloogbare moleculen te verwijderen en om de luchtblazen in de fotoresist die een immersiebelich-tingsvloeistof zouden vervuilen, op te vullen; en 10 de fotoresist wordt blootgesteld aan straling terwijl deze in de immersiebelichtingsvloeistof ondergedompeld is.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloeistof die gedeïoniseerd water omvat, omvat.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloeistof die een oppervlakte-actieve stof omvat, omvat.
4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloeistof 20 die een buffer omvat, omvat.
5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloeistof die een polymeer omvat, omvat.
6. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van 25 de fotoresist het gebruiken van een bad met een megasonisch bewogen spoelvloeistof omvat.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een sproeier van een megasonisch bewogen spoelvloeistof omvat.
8. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van tenminste één megasonische transducer met een frequentie in het bereik tussen ongeveer 10 en ongeveer 1.000 KHz omvat. 1030480 .
9. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij verder het substraat en de fotoresist verwarmd worden voordat de fotore-sist gespoeld wordt met een megasonisch bewogen vloeistof.
10. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de fotoresist 5 gespoeld wordt met gedeïoniseerd water voordat de fotoresist gespoeld wordt met de megasonisch bewogen vloeistof.
11. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het substraat en de fotoresist verder verwarmd worden nadat de fotoresist is ontwikkeld.
12. Werkwijze omvattende: een fotoresist wordt gevormd op een substraat; de fotoresist wordt zacht gebakken; de fotoresist wordt gespoeld met een megasonisch bewogen spoelvloeistof die gedeïoniseerd water omvat om potentiële 15 uitloogbare moleculen te verwijderen en om de luchtblazen in de fotoresist die een immersiebelichtingsvloeistof zouden vervuilen, op te vullen; en de fotoresist wordt belicht met straling terwijl deze ondergedompeld is in de immersiebelichtingsvloeistof.
13. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloeistof die een oppervlakte-actieve stof omvat, omvat.
14. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van een bewegende spoelvloei- 25 stof die een buffer omvat, omvat.
15. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het spoelen van de fotoresist het onderdompelen van de fotoresist in een bad van een megasonisch bewogen spoelvloeistof, omvat.
16. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het spoelen 30 van de fotoresist het gebruiken van een sproeier van een megasonisch bewogen spoelvloeistof omvat.
17. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het spoelen van de fotoresist het gebruiken van tenminste één megasoni- sche transducer met een frequentiebereik tussen ongeveer 10 en ongeveer 1.000 KHz omvat.
18. Werkwijze volgens conclusie 12, waarbij het substraat en de fotoresist verder verwarmd worden nadat de fotoresist 5 is ontwikkeld.
19. Werkwijze omvattende: een fotoresist wordt gevormd op een substraat; de fotoresist wordt zacht bakken; de fotoresist wordt gespoeld met tenminste een vloeistof 10 die een oppervlakte-actief water omvat om potentiële uitloog-bare moleculen te verwijderen en om de luchtblazen in de fotoresist die een immersiebelichtingsvloeistof zouden vervuilen, op te vullen; en de fotoresist wordt blootgesteld aan straling terwijl 15 deze ondergedompeld is in de immersiebelichtingsvloeistof. ' 04 8 0
NL1030480A 2004-11-23 2005-11-21 Immersiefotolithografie met megasonische spoeling. NL1030480C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US99565304 2004-11-23
US10/995,653 US7732123B2 (en) 2004-11-23 2004-11-23 Immersion photolithography with megasonic rinse

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1030480A1 NL1030480A1 (nl) 2006-05-24
NL1030480C2 true NL1030480C2 (nl) 2008-04-25

Family

ID=36461320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1030480A NL1030480C2 (nl) 2004-11-23 2005-11-21 Immersiefotolithografie met megasonische spoeling.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7732123B2 (nl)
JP (1) JP4571067B2 (nl)
KR (1) KR100733994B1 (nl)
CN (1) CN100432841C (nl)
NL (1) NL1030480C2 (nl)
TW (1) TWI267908B (nl)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090225286A1 (en) * 2004-06-21 2009-09-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof , maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US20070242248A1 (en) * 2004-10-26 2007-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device
US8040489B2 (en) * 2004-10-26 2011-10-18 Nikon Corporation Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device by immersing substrate in second liquid before immersion exposure through first liquid
WO2006062065A1 (ja) * 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060194142A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Benjamin Szu-Min Lin Immersion lithography without using a topcoat
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
WO2007007746A1 (ja) * 2005-07-11 2007-01-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN101410948B (zh) * 2006-05-18 2011-10-26 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
JP2008004928A (ja) * 2006-05-22 2008-01-10 Nikon Corp 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
TW200815933A (en) * 2006-05-23 2008-04-01 Nikon Corp Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
CN101390194B (zh) * 2006-06-30 2011-04-20 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法
US20110094546A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 John Valcore System and method for wafer carrier vibration reduction
NL2006272A (en) * 2010-05-04 2011-11-07 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6496257B1 (en) * 1997-11-21 2002-12-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
KR20040058966A (ko) * 2002-12-27 2004-07-05 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 방법
WO2004093130A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
EP1486827A2 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1788618A1 (en) * 2004-08-09 2007-05-23 Tokyo Electron Ltd. Substrate processing method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
US5911837A (en) 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
JPH0739833A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄装置
JP3198899B2 (ja) 1995-11-30 2001-08-13 アルプス電気株式会社 ウエット処理方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US20010047810A1 (en) * 1999-06-29 2001-12-06 Jeff Farber High rpm megasonic cleaning
US6517665B1 (en) * 2000-01-25 2003-02-11 Sandia National Laboratories Liga developer apparatus system
JP2001357567A (ja) * 2000-04-14 2001-12-26 Tdk Corp 光ディスク原盤の製造方法
WO2002101797A2 (en) 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc Megasonic cleaner and dryer system
CN1170208C (zh) * 2001-06-21 2004-10-06 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法
US20030234029A1 (en) * 2001-07-16 2003-12-25 Semitool, Inc. Cleaning and drying a substrate
US7150816B2 (en) * 2001-08-31 2006-12-19 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
JP4304988B2 (ja) 2002-01-28 2009-07-29 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄方法
JP2004134674A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Toshiba Corp 基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
US7056646B1 (en) * 2003-10-01 2006-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of base developers as immersion lithography fluid
KR20050113462A (ko) * 2004-05-29 2005-12-02 삼성전자주식회사 워터 이머전 리소그래피 설비
US7362412B2 (en) 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6496257B1 (en) * 1997-11-21 2002-12-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
KR20040058966A (ko) * 2002-12-27 2004-07-05 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그라피 방법
WO2004093130A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
EP1486827A2 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1788618A1 (en) * 2004-08-09 2007-05-23 Tokyo Electron Ltd. Substrate processing method

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J-H. CHEN ET AL: "Characterization of ArF Immersion Process for Production", PROCEEDINGS OF THE SPIE, SPIE, BELLINGHAM, VA, USA, vol. 5754, 1 March 2005 (2005-03-01), pages 13 - 22, XP002341982, ISSN: 0277-786X *
M. SWITKES ET AL: "Immersion Liquids for Lithography in the Deep Ultraviolet", PROCEEDINGS OF THE SPIE, SPIE, BELLINGHAM, VA, USA, vol. 5040, 25 February 2003 (2003-02-25), pages 690 - 699, XP002285465, ISSN: 0277-786X *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1779573A (zh) 2006-05-31
KR20060057517A (ko) 2006-05-26
JP4571067B2 (ja) 2010-10-27
KR100733994B1 (ko) 2007-06-29
TW200618058A (en) 2006-06-01
TWI267908B (en) 2006-12-01
US20060110689A1 (en) 2006-05-25
CN100432841C (zh) 2008-11-12
JP2006148133A (ja) 2006-06-08
US7732123B2 (en) 2010-06-08
NL1030480A1 (nl) 2006-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1030480C2 (nl) Immersiefotolithografie met megasonische spoeling.
NL1032068C2 (nl) Reductie van defecten bij immersielithografie. 1810
JP4476979B2 (ja) 半導体基板の液浸リソグラフィ形成方法および半導体ウェハの処理方法
NL1032210C2 (nl) Proces voor het reinigen van een waferrand.
JP5323894B2 (ja) リソグラフィ装置洗浄方法
JP4709698B2 (ja) 半導体ウェハの処理方法，半導体ウェハ，液浸リソグラフィの実施方法，および液浸リソグラフィ処理と共に使用するエッジビード除去装置
KR100801161B1 (ko) 이머젼 리소그라피 결함 형성을 억제하기 위한 방법 및시스템
JP5113222B2 (ja) 三次元表面パターンを有するユニットを形成する方法および同方法の使用
JP2000338684A (ja) 基板表面処理装置
JP4564186B2 (ja) パターン形成方法
WO2007148776A1 (ja) 微細化されたレジストパターンの形成方法
US8409360B2 (en) Cleaning method for a process of liquid immersion lithography
JPH10116809A (ja) 洗浄方法及び洗浄システム
TWI438562B (zh) 光罩之製造方法、圖案轉印方法、光罩基板用處理裝置及薄膜圖案化方法
CN112420487A (zh) 清洗方法、半导体制造方法及其系统
JP3394310B2 (ja) パターン形成方法
JP4725273B2 (ja) 予備吐出部を有するスピンレスコート装置及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法
JPS63271938A (ja) 硬表面の洗浄方法
CN110308624B (zh) 一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法
JP2009081241A (ja) 露光装置の洗浄方法および洗浄装置
CN100461004C (zh) 浸润式光刻的方法及其处理方法
JP2011060923A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR20070047964A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JPS63294563A (ja) 感光性平版印刷版の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20080219

PD2B A search report has been drawn up