JP2003503830A - 化学的膜洗浄及び乾燥 - Google Patents
化学的膜洗浄及び乾燥Info
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNUBKINEQIEODM-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,5-heptafluoropentanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC=O FNUBKINEQIEODM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N trans-1,2-dichloroethene Chemical group Cl\C=C\Cl KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
半導体ウェーハ及び同様な形状等の加工物を、所望であれば４０秒より短くてもよい時間間隔で、小さな設置面積の単一のチャンバー内で洗浄し乾燥するための方法及びシステムに関する。加工物は、間隔をあけて配置される２つのディスクによって形成されるキャビティ内に配置され、２つのキャビティ壁は、加工物の厚みより最大約１５０μｍ大きい分離間隔を有している。洗浄用液体及びリンス用液体は、短い時間間隔で注入される。加工物は、選択された取出し線速度で取出され、同時にＩＰＡ、ハイドロフルオロエーテル、エチレーテッドハイドロフルオロエーテル、又はハイドロフルオロカーボン等の比較的低い表面張力をもつ選択された乾燥用液体が加工物の表面上に移送される。洗浄用液体の超音波又は高周波超音波振動は、洗浄段階、リンス段階及び／又は乾燥段階に対して加えることができる。
Description
【０００１】
（技術分野）
本発明は、半導体ウェーハ及び他の同様な寸法の加工物の洗浄及び乾燥に関す
る。
る。
【０００２】
（背景技術）
半導体ウェーハ及び他の同様に処理された加工物の洗浄及び乾燥は、ウェーハ
を複数の半導体チップへ加工する際にしばしば速度を制限する工程である。洗浄
工程は、毒性のある大量の液体の使用を必要とする場合が多い。プラズマエッチ
ング及びドライクリーニングの使用は、プラズマ残留物を残し、それ自身次の工
程で除去する必要がある。洗浄及び乾燥工程の各々は、数分又は数十分かかる場
合もある。これらの特性は、処理量を１時間当り加工物１００個以下に制限する
場合が多く、高価な液体を大量に消費して、洗浄及び乾燥工程で発生する大量の
毒性生成物の廃棄処理を必要とする。
を複数の半導体チップへ加工する際にしばしば速度を制限する工程である。洗浄
工程は、毒性のある大量の液体の使用を必要とする場合が多い。プラズマエッチ
ング及びドライクリーニングの使用は、プラズマ残留物を残し、それ自身次の工
程で除去する必要がある。洗浄及び乾燥工程の各々は、数分又は数十分かかる場
合もある。これらの特性は、処理量を１時間当り加工物１００個以下に制限する
場合が多く、高価な液体を大量に消費して、洗浄及び乾燥工程で発生する大量の
毒性生成物の廃棄処理を必要とする。
【０００３】
各々が約１分未満で完了でき、比較的少量の洗浄及び乾燥用液体を消費し、液
体の一部分は回収して再利用でき、比較的小さな占有面積（９００ｃｍ2のオー
ダ）の単一のチャンバー内で処理できる、加工物の洗浄工程及び加工物の乾燥工
程が必要である。
体の一部分は回収して再利用でき、比較的小さな占有面積（９００ｃｍ2のオー
ダ）の単一のチャンバー内で処理できる、加工物の洗浄工程及び加工物の乾燥工
程が必要である。
【０００４】
（発明の開示）
これらの要求は、小さな占有面積の単一のチャンバー内で処理でき、最大数十
ｍｌしか洗浄用液体を用いず、毒性がなく循環再利用が可能な種類の乾燥用液体
を使用し、且つ１時間に約１００個の加工物を処理できる洗浄工程及び乾燥工程
を提供する本発明により達成できる。
ｍｌしか洗浄用液体を用いず、毒性がなく循環再利用が可能な種類の乾燥用液体
を使用し、且つ１時間に約１００個の加工物を処理できる洗浄工程及び乾燥工程
を提供する本発明により達成できる。
【０００５】
洗浄される加工物は、Ｓｉ、石英、ＳｉwＮx、ＳｉyＣz、ＢｅＯ又はＡｌ2Ｏ3
等の、化学的に不活性な材料の２つのディスクの間に配置され、各々のディスク
は、加工物の厚み（１００−１０００μｍ又は所望の場合は更に厚くてもよい）
よりも僅か約２５−１５０μｍだけ大きな面と面との間隔で他のディスクに隣接
する平行面を有する。選択された洗浄用液体は、残りの容積内に注入され、ディ
スクの各々の平面に隣接する加工物表面との間に、１２．５−７５μｍの範囲の
平均厚みの化学的膜が形成される。２枚のディスク及びウェーハはタンクに浸漬
され、タンク内でＤＩ流水又は他の同様な液体によって取り囲まれる。随意的に
、２０ｋＨｚと１．５ＭＨｚの間の周波数範囲の１つ又はそれ以上で振動できる
１つ又はそれ以上の結晶が、ディスクの一方又は両方の上に配置され、加工物表
面に隣接する化学的膜に超音波又は高周波超音波振動を導入するために使用され
る。加工物洗浄工程は２０−４５秒間継続され、その後、洗浄用液はＤＩ水又は
同様な液体により置換され、チャンバーから洗浄用液が取り除かれる。随意的に
、超音波又は高周波超音波振動を５−１５秒間この段階に使用してもよい。その
後、ＤＩ水は取り除かれ、加工物は２つのディスクにより形成されるキャビティ
の外へ移動する。加工物が移動する際に、加工物の２つの表面は、ハイドロフル
オロエーテル（ＨＦＥ）又は同様な化学的及び物理的性質を有する他の乾燥用液
体の噴霧又は薄膜に曝される。この噴霧処理に要する時間は７−１５秒以下であ
り、噴霧終了後７−１５秒以内で乾燥用液体は蒸発する。洗浄及び乾燥工程全体
で、開始から終了までに要する時間は３０−１２０秒であり、可視的な残留物を
その上に有しない乾燥加工物が製造される。
は、加工物の厚み（１００−１０００μｍ又は所望の場合は更に厚くてもよい）
よりも僅か約２５−１５０μｍだけ大きな面と面との間隔で他のディスクに隣接
する平行面を有する。選択された洗浄用液体は、残りの容積内に注入され、ディ
スクの各々の平面に隣接する加工物表面との間に、１２．５−７５μｍの範囲の
平均厚みの化学的膜が形成される。２枚のディスク及びウェーハはタンクに浸漬
され、タンク内でＤＩ流水又は他の同様な液体によって取り囲まれる。随意的に
、２０ｋＨｚと１．５ＭＨｚの間の周波数範囲の１つ又はそれ以上で振動できる
１つ又はそれ以上の結晶が、ディスクの一方又は両方の上に配置され、加工物表
面に隣接する化学的膜に超音波又は高周波超音波振動を導入するために使用され
る。加工物洗浄工程は２０−４５秒間継続され、その後、洗浄用液はＤＩ水又は
同様な液体により置換され、チャンバーから洗浄用液が取り除かれる。随意的に
、超音波又は高周波超音波振動を５−１５秒間この段階に使用してもよい。その
後、ＤＩ水は取り除かれ、加工物は２つのディスクにより形成されるキャビティ
の外へ移動する。加工物が移動する際に、加工物の２つの表面は、ハイドロフル
オロエーテル（ＨＦＥ）又は同様な化学的及び物理的性質を有する他の乾燥用液
体の噴霧又は薄膜に曝される。この噴霧処理に要する時間は７−１５秒以下であ
り、噴霧終了後７−１５秒以内で乾燥用液体は蒸発する。洗浄及び乾燥工程全体
で、開始から終了までに要する時間は３０−１２０秒であり、可視的な残留物を
その上に有しない乾燥加工物が製造される。
【０００６】
（発明を実施するための最良の形態）
図１は、洗浄されるべきウェーハ又は他の加工物１１の、選択された距離ｄ（
ｓｅｐａｒ）だけ離れた化学的に不活性な２枚のディスク１５Ａ及び１５Ｂによ
り形成されるキャビティ１３内への挿入状態を示す。各々のディスクは、平面を
有し、この平面１７Ａ及び１７Ｂは相互に隣接して、それらの間にキャビティ１
３を形成する。加工物１１がｄ（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）の厚みを有する場合、平
面に関する分離間隔ｄ（ｓｅｐａｒ）は、以下の式の制約を満足することが好ま
しい。 ｄ（ｓｅｐａｒ）＝ｄ（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）＋２５から１５０μｍ （１）
その結果、各々の加工物表面と、これに隣接するディスク１５Ａ又は１５Ｂに対
応する平面１７Ａ又は１７Ｂとの間の分離距離は、平均して約１２．５−７５μ
ｍである。２枚のディスク１５Ａ及び１５Ｂと、加工物１１とは、好ましくはタ
ンクの縁部から溢れ続け、随意的にはタンクに接続される液体供給源を用いて補
充されるＤＩ水又は同様な液体を収容するタンク１８内に浸漬される。
ｓｅｐａｒ）だけ離れた化学的に不活性な２枚のディスク１５Ａ及び１５Ｂによ
り形成されるキャビティ１３内への挿入状態を示す。各々のディスクは、平面を
有し、この平面１７Ａ及び１７Ｂは相互に隣接して、それらの間にキャビティ１
３を形成する。加工物１１がｄ（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）の厚みを有する場合、平
面に関する分離間隔ｄ（ｓｅｐａｒ）は、以下の式の制約を満足することが好ま
しい。 ｄ（ｓｅｐａｒ）＝ｄ（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）＋２５から１５０μｍ （１）
その結果、各々の加工物表面と、これに隣接するディスク１５Ａ又は１５Ｂに対
応する平面１７Ａ又は１７Ｂとの間の分離距離は、平均して約１２．５−７５μ
ｍである。２枚のディスク１５Ａ及び１５Ｂと、加工物１１とは、好ましくはタ
ンクの縁部から溢れ続け、随意的にはタンクに接続される液体供給源を用いて補
充されるＤＩ水又は同様な液体を収容するタンク１８内に浸漬される。
【０００７】
小さな分離間隔ｄ（ｓｅｐａｒ）は、比較的低い表面張力パラメータを有する
特定の材料に対して用いることができるが、比較的高い表面張力パラメータ（通
常の水では約８０ｄｙｎ／ｃｍ）を有するＤＩ水等の液体は、大きな分離間隔ｄ
（ｓｅｐａｒ）の使用を必要とする場合もある。随意的には、分離間隔ｄ（ｓｅ
ｐａｒ）は、所望であれば数ｍｍのような、式（１）に示す制約の最低値よりも
非常に大きくてもよいが、各々の工程に使用される液体の量は、ｄ（ｓｅｐａｒ
）の増加にほぼ比例して増加することになる。
特定の材料に対して用いることができるが、比較的高い表面張力パラメータ（通
常の水では約８０ｄｙｎ／ｃｍ）を有するＤＩ水等の液体は、大きな分離間隔ｄ
（ｓｅｐａｒ）の使用を必要とする場合もある。随意的には、分離間隔ｄ（ｓｅ
ｐａｒ）は、所望であれば数ｍｍのような、式（１）に示す制約の最低値よりも
非常に大きくてもよいが、各々の工程に使用される液体の量は、ｄ（ｓｅｐａｒ
）の増加にほぼ比例して増加することになる。
【０００８】
また、図１−図５のいずれかに示すキャビティ１３は、材料の単一のディスク
内に上端部に向かって開いている実キャビティとして形成してもよい。キャビテ
ィ１３は、間隔をおいて離れた別個のディスクの平面１５Ａ及び１５Ｂによって
形成され、分離間隔は、加工物１１の挿入及び取出しを容易にするよう増加及び
減少できるのが好ましい。
内に上端部に向かって開いている実キャビティとして形成してもよい。キャビテ
ィ１３は、間隔をおいて離れた別個のディスクの平面１５Ａ及び１５Ｂによって
形成され、分離間隔は、加工物１１の挿入及び取出しを容易にするよう増加及び
減少できるのが好ましい。
【０００９】
随意的には、ディスク１５Ａ及び１５Ｂの１つ又は両方には、電流又は電圧供
給源２１に接続されて駆動される超音波又は高周波超音波結晶２１Ａ−１、２１
Ａ−２、２１Ｂ−１、２１Ｂ−２が設けられており、キャビティ１３内に収容さ
れる液体に１つ又はそれ以上の選択された周波数振動を引き起こすようになって
いる。各々のディスク１５Ａ及び１５Ｂ上の超音波又は高周波超音波結晶の数は
同じであってもよいが、その必要はない。好ましくは、超音波又は高周波超音波
周波数は、２０ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲から選択される。Ｎｅｙ Ｕｌｔｒ
ａｓｏｎｉｃｓから入手できる超音波トランスジューサーは、例えば、４０、７
２、１０４、及び１３６ｋＨｚを含む一連の周波数の超音波を発生できる。
給源２１に接続されて駆動される超音波又は高周波超音波結晶２１Ａ−１、２１
Ａ−２、２１Ｂ−１、２１Ｂ−２が設けられており、キャビティ１３内に収容さ
れる液体に１つ又はそれ以上の選択された周波数振動を引き起こすようになって
いる。各々のディスク１５Ａ及び１５Ｂ上の超音波又は高周波超音波結晶の数は
同じであってもよいが、その必要はない。好ましくは、超音波又は高周波超音波
周波数は、２０ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲から選択される。Ｎｅｙ Ｕｌｔｒ
ａｓｏｎｉｃｓから入手できる超音波トランスジューサーは、例えば、４０、７
２、１０４、及び１３６ｋＨｚを含む一連の周波数の超音波を発生できる。
【００１０】
各々のディスク１５Ａ及び１５Ｂは、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ2
、及びそれらの混合物のような選択された洗浄用化学薬品と、加工物表面の材料
とそれらの洗浄用薬品との反応生成物に対して化学的に不活性である、Ｓｉ、石
英、ＳｉwＮx、ＳｉyＣz、ＢｅＯ、又はＡｌ2Ｏ3、又は同様な固体材料であって
もよい。これらのディスクは、同一材料で作られることが好ましいが、その必要
はない。加工物の１つの面のみが処理され、他の面は比較的化学薬品に影響を受
けない場合（例えば、純Ｓｉ又は純ＧａＡｓの表面）、２つのディスク１５Ａ及
び１５Ｂは異なる材料で作ってもよい。
、及びそれらの混合物のような選択された洗浄用化学薬品と、加工物表面の材料
とそれらの洗浄用薬品との反応生成物に対して化学的に不活性である、Ｓｉ、石
英、ＳｉwＮx、ＳｉyＣz、ＢｅＯ、又はＡｌ2Ｏ3、又は同様な固体材料であって
もよい。これらのディスクは、同一材料で作られることが好ましいが、その必要
はない。加工物の１つの面のみが処理され、他の面は比較的化学薬品に影響を受
けない場合（例えば、純Ｓｉ又は純ＧａＡｓの表面）、２つのディスク１５Ａ及
び１５Ｂは異なる材料で作ってもよい。
【００１１】
図３に示すように、キャビティ１３に加工物を挿入した後に、分離間隔ｄ（ｓ
ｅｐａｒ）は、式（１）における制約、又は他の同様な制約を満たすように調整
される（約５秒を要する）。タンク１８は、常時、ＤＩ水、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）、又はＤＩ水とＩＰＡとの混合物といった、第１のリンス用液体
２３で満たされ、加工物表面１６Ａ及び１６Ｂ（図１及び図２）から特定の化学
的残留物を除去することが好ましい。リンス用液体２３は、キャビティ１３内に
存在する場合、最大５−１５秒間そこに留まり、その後、他の液体によって速や
かに除去又は置換される。随意的には、リンス用液体２３は、超音波及び／又は
高周波超音波振動の下に置かれる。この（随意的）段階で使用されるリンス用液
体２３の量は、ｄ（ｓｅｐａｒ）及び他の変動要因に基づいて、２−１００ミリ
リットル（ｍｌ）になると推定される。
ｅｐａｒ）は、式（１）における制約、又は他の同様な制約を満たすように調整
される（約５秒を要する）。タンク１８は、常時、ＤＩ水、イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）、又はＤＩ水とＩＰＡとの混合物といった、第１のリンス用液体
２３で満たされ、加工物表面１６Ａ及び１６Ｂ（図１及び図２）から特定の化学
的残留物を除去することが好ましい。リンス用液体２３は、キャビティ１３内に
存在する場合、最大５−１５秒間そこに留まり、その後、他の液体によって速や
かに除去又は置換される。随意的には、リンス用液体２３は、超音波及び／又は
高周波超音波振動の下に置かれる。この（随意的）段階で使用されるリンス用液
体２３の量は、ｄ（ｓｅｐａｒ）及び他の変動要因に基づいて、２−１００ミリ
リットル（ｍｌ）になると推定される。
【００１２】
リンス用液体２３は、存在する場合、キャビティ１３から拡散して、最後には
オーバーフロー液体１９と共にタンク１８から排出される。Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4 ＋Ｈ2Ｏ2、ＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ
＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、又は他の適切な洗浄用液体等の、第１の洗浄用液体２５は、
図３に示すように、キャビティ内に注入されて１５−４５秒間キャビティを満た
し、随意的には、この時間間隔の一部又は全てに亘って超音波及び／又は高周波
超音波振動の下に置かれる。この段階で使用される洗浄用液体２５の量は、２−
１００ミリリットル（ｍｌ）になると推定される。
オーバーフロー液体１９と共にタンク１８から排出される。Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4 ＋Ｈ2Ｏ2、ＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ
＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、又は他の適切な洗浄用液体等の、第１の洗浄用液体２５は、
図３に示すように、キャビティ内に注入されて１５−４５秒間キャビティを満た
し、随意的には、この時間間隔の一部又は全てに亘って超音波及び／又は高周波
超音波振動の下に置かれる。この段階で使用される洗浄用液体２５の量は、２−
１００ミリリットル（ｍｌ）になると推定される。
【００１３】
洗浄用液体２５は、キャビティ１３から拡散して、最後にはオーバーフロー液
体１９と共にタンク１８から排出される。その後、第２のリンス用液体２６は、
キャビティ１３に注入され、そこに５−１５秒間留まり、最後にはオーバーフロ
ー液体１９と共にタンク１８から排出される。随意的には、リンス用液体２６は
、超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。この段階で使用されるリ
ンス用液体２３の量は、２−１００ミリリットル（ｍｌ）になると推定される。
体１９と共にタンク１８から排出される。その後、第２のリンス用液体２６は、
キャビティ１３に注入され、そこに５−１５秒間留まり、最後にはオーバーフロ
ー液体１９と共にタンク１８から排出される。随意的には、リンス用液体２６は
、超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。この段階で使用されるリ
ンス用液体２３の量は、２−１００ミリリットル（ｍｌ）になると推定される。
【００１４】
随意的には、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、
Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、又は他の適切な洗浄用液
体等の第２の洗浄用液体２７は、図４に同様に示すように、キャビティ１３内に
注入されて５−４５秒間キャビティ１３を満たし、随意的には、この時間間隔の
一部又は全てに亘って超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。加工
物１１の直径は、各々のディスク１５Ａ及び１５Ｂの直径よりも小さいことが好
ましく、キャビティ１３を満たす所定の任意の液体は、加工物１１を越えて拡が
り、加工物を取り囲む「ハロー（ｈａｌｏ）」１２が形成される。この（随意的
な）段階で使用される第２の洗浄用液体２７の量は、２−１００ミリリットル（
ｍｌ）になると推定される。所望であれば、この工程に２つ以上の洗浄用液体を
使用してもよい。リンス用液体２３、第１の洗浄用液体２５、第２のリンス用液
体２６、随意的な第２の洗浄用液体２７、及び随意的な第３のリンス用液体２８
の各々の温度は、１０−９０℃の範囲であることが好ましいが、所望であれば高
くてもよい。
Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、又は他の適切な洗浄用液
体等の第２の洗浄用液体２７は、図４に同様に示すように、キャビティ１３内に
注入されて５−４５秒間キャビティ１３を満たし、随意的には、この時間間隔の
一部又は全てに亘って超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。加工
物１１の直径は、各々のディスク１５Ａ及び１５Ｂの直径よりも小さいことが好
ましく、キャビティ１３を満たす所定の任意の液体は、加工物１１を越えて拡が
り、加工物を取り囲む「ハロー（ｈａｌｏ）」１２が形成される。この（随意的
な）段階で使用される第２の洗浄用液体２７の量は、２−１００ミリリットル（
ｍｌ）になると推定される。所望であれば、この工程に２つ以上の洗浄用液体を
使用してもよい。リンス用液体２３、第１の洗浄用液体２５、第２のリンス用液
体２６、随意的な第２の洗浄用液体２７、及び随意的な第３のリンス用液体２８
の各々の温度は、１０−９０℃の範囲であることが好ましいが、所望であれば高
くてもよい。
【００１５】
第２の洗浄用液体２５は、キャビティ１３から拡散して、最後にはオーバーフ
ロー液体１９と共にタンク１８から排出される。その後、第３のリンス用液体２
８（随意的な）は、キャビティ１３に注入されてそこに５−１５秒間留まり、最
後にはオーバーフロー液体と共にタンク１８から排出される。随意的には、リン
ス用液体２８は、超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれてもよい。こ
の段階で使用されるリンス用液体２８の量は、２−１００ミリリットル（ｍｌ）
になると推定される。
ロー液体１９と共にタンク１８から排出される。その後、第３のリンス用液体２
８（随意的な）は、キャビティ１３に注入されてそこに５−１５秒間留まり、最
後にはオーバーフロー液体と共にタンク１８から排出される。随意的には、リン
ス用液体２８は、超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれてもよい。こ
の段階で使用されるリンス用液体２８の量は、２−１００ミリリットル（ｍｌ）
になると推定される。
【００１６】
適切な時点で、図５に示すように、加工物１１は、好ましくは取出し線速度０
．５−５ｃｍ／秒でゆっくりとキャビティ１３から取出されるが、所望であれば
若干速くてもよい。キャビティ１３が不活性材料の２つのディスク１５Ａ及び１
５Ｂによって形成されている場合、最初にこれらの２つのディスクを大きな分離
間隔に分離でき、加工物１１を、把持又は他の方法で密着して上方に移動しても
よい。加工物１１がキャビティ１３外を上方に移動する際に、２つの噴霧器又は
液体移送アーム２９Ａ及び２９Ｂは、加工物の各々の表面１６Ａ及び１６Ｂ上に
、選択された乾燥用液体３１を移送する。加工物１１の寸法及び取出し速度ｒに
基づいて、加工物１１は、推定７−１５秒でキャビティ１３から取出すことがで
きるが、所望であれば更に長い時間であってもよい。随意的には、加工物１１及
び／又は乾燥用液体３１は、加工物がキャビティ１３から取出される時間の一部
又は全てに亘って超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。
．５−５ｃｍ／秒でゆっくりとキャビティ１３から取出されるが、所望であれば
若干速くてもよい。キャビティ１３が不活性材料の２つのディスク１５Ａ及び１
５Ｂによって形成されている場合、最初にこれらの２つのディスクを大きな分離
間隔に分離でき、加工物１１を、把持又は他の方法で密着して上方に移動しても
よい。加工物１１がキャビティ１３外を上方に移動する際に、２つの噴霧器又は
液体移送アーム２９Ａ及び２９Ｂは、加工物の各々の表面１６Ａ及び１６Ｂ上に
、選択された乾燥用液体３１を移送する。加工物１１の寸法及び取出し速度ｒに
基づいて、加工物１１は、推定７−１５秒でキャビティ１３から取出すことがで
きるが、所望であれば更に長い時間であってもよい。随意的には、加工物１１及
び／又は乾燥用液体３１は、加工物がキャビティ１３から取出される時間の一部
又は全てに亘って超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置かれる。
【００１７】
選択された乾燥用液体３１は、好ましくは隣接する乾燥用液体供給源３３に貯
蔵され、好ましくはハイドロフルオロエーテル等の液体であり、これはメチルノ
ナフルオロブチルエーテルとも称され、Ｃ5ＯＦ9Ｈ3の一般式を有し、化学組成
は主として、 ＣＨ3−ＣＦ2−ＣＦ2−ＣＦ2−Ｏ−ＣＨ3、又は、 （ＣＦ3）2−ＣＦ−ＣＦ2−Ｏ−ＣＨ3 のいずれか、又はこれら２つの成分の混合物である。ＨＦＥは、ミネアポリスの
３Ｍ社からＨＦＥ−７１００として、又はハイドロフルオロエーテルと、トラン
ス−１，２−ジクロロエチレン、Ｈ2ＣｌＣ−ＣＣｌＨ2（ＨＦＥ共沸混合物を形
成する）、又は他の含ハロゲンアルケン等の他の１つ又はそれ以上の化学薬品と
の混合物として入手できる。ＨＦＥの使用のための好ましい温度範囲はＴ＝２０
−６０°Ｃである。ＨＦＥの凝固点及び沸点は、それぞれ約Ｔ＝−１３５°Ｃ及
びＴ＝６０°Ｃである。ＨＦＥは、それぞれ１．５２ｇｍ／ｃｍ3及び１３．６
ｄｙｎ／ｃｍの密度及び表面張力を有する。他のＨＦＥ配合物は、３８°Ｃから
約８０°Ｃまでの沸点範囲を有する。対照的に、イソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）及び水は、それぞれ約１７．６ｄｙｎ／ｃｍ及び８０ｄｙｎ／ｃｍの表面張
力を有する。
蔵され、好ましくはハイドロフルオロエーテル等の液体であり、これはメチルノ
ナフルオロブチルエーテルとも称され、Ｃ5ＯＦ9Ｈ3の一般式を有し、化学組成
は主として、 ＣＨ3−ＣＦ2−ＣＦ2−ＣＦ2−Ｏ−ＣＨ3、又は、 （ＣＦ3）2−ＣＦ−ＣＦ2−Ｏ−ＣＨ3 のいずれか、又はこれら２つの成分の混合物である。ＨＦＥは、ミネアポリスの
３Ｍ社からＨＦＥ−７１００として、又はハイドロフルオロエーテルと、トラン
ス−１，２−ジクロロエチレン、Ｈ2ＣｌＣ−ＣＣｌＨ2（ＨＦＥ共沸混合物を形
成する）、又は他の含ハロゲンアルケン等の他の１つ又はそれ以上の化学薬品と
の混合物として入手できる。ＨＦＥの使用のための好ましい温度範囲はＴ＝２０
−６０°Ｃである。ＨＦＥの凝固点及び沸点は、それぞれ約Ｔ＝−１３５°Ｃ及
びＴ＝６０°Ｃである。ＨＦＥは、それぞれ１．５２ｇｍ／ｃｍ3及び１３．６
ｄｙｎ／ｃｍの密度及び表面張力を有する。他のＨＦＥ配合物は、３８°Ｃから
約８０°Ｃまでの沸点範囲を有する。対照的に、イソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）及び水は、それぞれ約１７．６ｄｙｎ／ｃｍ及び８０ｄｙｎ／ｃｍの表面張
力を有する。
【００１８】
乾燥用液体は、エチル化ハイドロフルオロエーテル（ｅｔｈ−ＨＦＥ）であっ
てもよく、３Ｍ社からＨＦＥ−７２００として、又はハイドロフルオロエーテル
又はエチル化ハイドロフルオロエーテルと、トランス−１，２−ジクロロエチレ
ン、Ｈ2ＣｌＣ−ＣＣｌＨ2（ＨＦＥ共沸混合物を形成する）、又は他の含ハロゲ
ンアルケン等の他の１つ又はそれ以上の化学薬品との混合物として入手できる。
ＨＦＥ及びｅｔｈ−ＨＦＥの分子量は、それぞれ約２６０及び２７４であり、水
（１８、２６０／１８＝１４．５≫１及び２７４／１８＝１５．２≫１である）
又はＩＰＡ（６０）の分子量より非常に大きい。従って、ＨＦＥ又はｅｔｈ−Ｈ
ＦＥは、加工物がこの乾燥用液体の浴槽又は噴霧から取出されると、加工物の表
面からＩＰＡ、水、及び中程度又は大きな表面張力を有する多くの他の液体物質
に置き換わることができる。興味ある化学的及び物理的性質を有する他の適切な
乾燥用液体は、一般式ＣaＦbＨ2a+2-bＯc（ａ＝２又は３、３＝ｂ＝８、ｃ＝１
又は２）を有する環状又は非環状ハイドロフルオロエーテルであり、デラウェア
州ウィルミントンのＤｕＰｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手できる。他の適
切な乾燥用液体は、同様にＤｕｐｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手できる、
一般式ＣnＦmＨ2n+2-m（１＝ｎ＝４、１＝ｍ＝８）を有するハイドロフルオロカ
ーボンである。ＤｕＰｏｎｔ社の化学薬品は、本明細書に参考文献として組み込
まれている米国特許第５，６０５，８８２号に記載されている。他の適切な低表
面張力の乾燥用液体はＩＰＡであり、約１７．６ｄｙｎ／ｃｍの表面張力パラメ
ータを有する。
てもよく、３Ｍ社からＨＦＥ−７２００として、又はハイドロフルオロエーテル
又はエチル化ハイドロフルオロエーテルと、トランス−１，２−ジクロロエチレ
ン、Ｈ2ＣｌＣ−ＣＣｌＨ2（ＨＦＥ共沸混合物を形成する）、又は他の含ハロゲ
ンアルケン等の他の１つ又はそれ以上の化学薬品との混合物として入手できる。
ＨＦＥ及びｅｔｈ−ＨＦＥの分子量は、それぞれ約２６０及び２７４であり、水
（１８、２６０／１８＝１４．５≫１及び２７４／１８＝１５．２≫１である）
又はＩＰＡ（６０）の分子量より非常に大きい。従って、ＨＦＥ又はｅｔｈ−Ｈ
ＦＥは、加工物がこの乾燥用液体の浴槽又は噴霧から取出されると、加工物の表
面からＩＰＡ、水、及び中程度又は大きな表面張力を有する多くの他の液体物質
に置き換わることができる。興味ある化学的及び物理的性質を有する他の適切な
乾燥用液体は、一般式ＣaＦbＨ2a+2-bＯc（ａ＝２又は３、３＝ｂ＝８、ｃ＝１
又は２）を有する環状又は非環状ハイドロフルオロエーテルであり、デラウェア
州ウィルミントンのＤｕＰｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手できる。他の適
切な乾燥用液体は、同様にＤｕｐｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手できる、
一般式ＣnＦmＨ2n+2-m（１＝ｎ＝４、１＝ｍ＝８）を有するハイドロフルオロカ
ーボンである。ＤｕＰｏｎｔ社の化学薬品は、本明細書に参考文献として組み込
まれている米国特許第５，６０５，８８２号に記載されている。他の適切な低表
面張力の乾燥用液体はＩＰＡであり、約１７．６ｄｙｎ／ｃｍの表面張力パラメ
ータを有する。
【００１９】
加工物１１が取出されると、リンス用液体に比較して乾燥用液体３１の大きな
密度と小さな表面張力は、該乾燥用液体が、（１）大きな表面張力パラメータを
有する任意の残留液滴を加工物表面から容易に除去し、（２）（部分的に）露出
された加工物表面を伝って液体１９内へ下り、タンク１８の底部に向かって移動
することを引き起こす。加工物１１の表面１６Ａ及び１６Ｂは、加工物を乾燥用
液体３１から取出した後に、７−３０秒以内に乾燥する。また、加工物１１は、
この方法を用いて、露出表面１６Ａ及び１６Ｂから特定の残留物を除去すること
により洗浄される。
密度と小さな表面張力は、該乾燥用液体が、（１）大きな表面張力パラメータを
有する任意の残留液滴を加工物表面から容易に除去し、（２）（部分的に）露出
された加工物表面を伝って液体１９内へ下り、タンク１８の底部に向かって移動
することを引き起こす。加工物１１の表面１６Ａ及び１６Ｂは、加工物を乾燥用
液体３１から取出した後に、７−３０秒以内に乾燥する。また、加工物１１は、
この方法を用いて、露出表面１６Ａ及び１６Ｂから特定の残留物を除去すること
により洗浄される。
【００２０】
乾燥用液体流出物（ＨＦＥ、ｅｔｈ−ＨＦＥ、ＩＰＡ、ＤｕＰｏｎｔハイドロ
フルオロエーテル、ＤｕＰｏｎｔハイドロフルオロカーボン、又は他の適切な液
体）がＴ＝２０−６０℃の温度に保たれる場合、通常の露出した液体表面を有す
る１つのチャンバーに関して、この液体の最大数ミリリットル／分が蒸発によっ
て失われる。この蒸発損失は、蒸発した乾燥用液体３１に対する蒸気回収を利用
することにより低減できる。乾燥用液体３１は、タンク１８の底部から抜いてフ
ィルター３７を通して残留物を除去して乾燥用液体３１を回収して、乾燥及び／
又は洗浄用に使用するためにその容器３３に戻すことができる。
フルオロエーテル、ＤｕＰｏｎｔハイドロフルオロカーボン、又は他の適切な液
体）がＴ＝２０−６０℃の温度に保たれる場合、通常の露出した液体表面を有す
る１つのチャンバーに関して、この液体の最大数ミリリットル／分が蒸発によっ
て失われる。この蒸発損失は、蒸発した乾燥用液体３１に対する蒸気回収を利用
することにより低減できる。乾燥用液体３１は、タンク１８の底部から抜いてフ
ィルター３７を通して残留物を除去して乾燥用液体３１を回収して、乾燥及び／
又は洗浄用に使用するためにその容器３３に戻すことができる。
【００２１】
工程を実施するために必要な推定合計時間は以下の通りである。
加工物の挿入 ５（秒）
第１のリンス ５−１５
第１の洗浄 １５−４５
第２のリンス ５−１５
第２の洗浄（任意） １５−４５
第３のリンス（任意） ５−１５
取出し／乾燥噴霧 ７−１５
乾燥 ７−３０
合計時間 ４４（最小）−１８５（最大）秒
推定値４４秒の最小処理時間は、１時間に処理できる約８２の加工物に対応する
。この数値は、本発明によるタンデム式又はバッチ式の加工物処理を用いること
により大きくできる。タンデム処理においては、第１及び第２の加工物は、隣接
する第１及び第２の、好ましくは各々の加工物が常に異なる処理段階となるタン
クで処理される。
。この数値は、本発明によるタンデム式又はバッチ式の加工物処理を用いること
により大きくできる。タンデム処理においては、第１及び第２の加工物は、隣接
する第１及び第２の、好ましくは各々の加工物が常に異なる処理段階となるタン
クで処理される。
【００２２】
キャビティ１３への液体の注入は、液体の加圧供給源を用いて行うことが好ま
しい。これを実施するための１つの方法は、図６Ａに示すように、５−１００ｍ
ｌ又はそれ以上の液体収容し、液体供給源４３に取付けられステッピングモータ
４５で駆動されるシリンジ４１を使用する。他の方法は、図６Ｂに示すように、
液体をキャビティ１３に注入するために、液体供給源５３に接続される容積式定
量ポンプ５５と送出チューブ５１とを使用する。各々の異なる液体がそれぞれの
シリンジ又はポンプを有することが好ましく、２つ又はそれ以上のシリンジ又は
ポンプは、図６Ａの１４Ａ−３のような共通開口部を共有してもよい。
しい。これを実施するための１つの方法は、図６Ａに示すように、５−１００ｍ
ｌ又はそれ以上の液体収容し、液体供給源４３に取付けられステッピングモータ
４５で駆動されるシリンジ４１を使用する。他の方法は、図６Ｂに示すように、
液体をキャビティ１３に注入するために、液体供給源５３に接続される容積式定
量ポンプ５５と送出チューブ５１とを使用する。各々の異なる液体がそれぞれの
シリンジ又はポンプを有することが好ましく、２つ又はそれ以上のシリンジ又は
ポンプは、図６Ａの１４Ａ−３のような共通開口部を共有してもよい。
【００２３】
１つの実施形態において、各々の工程（第１のリンス、第１の洗浄、第２のリ
ンス、第２の洗浄、第３のリンス、乾燥）が終わると、直前に注入された液体を
収容するシリンジ又はポンプは引き戻され、次に注入される液体を収容するシリ
ンジ又はポンプが適所に移動する。シリンジ又はポンプは、キャビティ１３の最
上部又はその近傍に配置してもよく、液体をキャビティの最上部から導入して、
重力及び／又は毛管引力によって液体を加工物表面に分配することができる。
ンス、第２の洗浄、第３のリンス、乾燥）が終わると、直前に注入された液体を
収容するシリンジ又はポンプは引き戻され、次に注入される液体を収容するシリ
ンジ又はポンプが適所に移動する。シリンジ又はポンプは、キャビティ１３の最
上部又はその近傍に配置してもよく、液体をキャビティの最上部から導入して、
重力及び／又は毛管引力によって液体を加工物表面に分配することができる。
【００２４】
他の実施形態において、複数のシリンジ又はポンプの各々は、ディスク１５Ａ
及び１５Ｂの１つにおける別個の開口部（図６Ａ及び６Ｂの１４Ａ−１、１４Ａ
−２、１４Ａ−３、１４Ｂ−１、又は１４Ｂ−２）に配置され、各々のシリンジ
又はポンプに収容される液体は、全ての工程における異なる時間に注入される。
他の実施形態において、図６の１４Ａ−３及び１４Ｂ−１等の少なくとも２つの
別個の開口部は、キャビティ１３に異なる液体を導入するために使用される。図
６の１４Ａ−１といった単一の中央開口部を液体の導入に使用することができる
。しかし、図６の１４Ａ−２、１４Ａ−３、１４Ｂ−１、及び１４Ｂ−２といっ
た中央位置から上方へオフセットして配置される１つ又はそれ以上の開口部を用
いて液体を導入して、キャビティ内の液体への重力の影響を補償するのを助ける
ことが好ましい。これらの実施形態において、キャビティ１３内の液体は、キャ
ビティ内へ次の液体を導入することによってキャビティから排除される。
及び１５Ｂの１つにおける別個の開口部（図６Ａ及び６Ｂの１４Ａ−１、１４Ａ
−２、１４Ａ−３、１４Ｂ−１、又は１４Ｂ−２）に配置され、各々のシリンジ
又はポンプに収容される液体は、全ての工程における異なる時間に注入される。
他の実施形態において、図６の１４Ａ−３及び１４Ｂ−１等の少なくとも２つの
別個の開口部は、キャビティ１３に異なる液体を導入するために使用される。図
６の１４Ａ−１といった単一の中央開口部を液体の導入に使用することができる
。しかし、図６の１４Ａ−２、１４Ａ−３、１４Ｂ−１、及び１４Ｂ−２といっ
た中央位置から上方へオフセットして配置される１つ又はそれ以上の開口部を用
いて液体を導入して、キャビティ内の液体への重力の影響を補償するのを助ける
ことが好ましい。これらの実施形態において、キャビティ１３内の液体は、キャ
ビティ内へ次の液体を導入することによってキャビティから排除される。
【００２５】
もしくは、第１のリンス工程、第１の洗浄工程、第２のリンス工程、第２の洗
浄工程、及び第３のリンス工程の各々が終了すると、ディスク１５Ａ及び１５Ｂ
の１つは、キャビティ１３内の液体が重力によって速やかに排出されるのに十分
な、小さな間隔？ｄだけ他のディスクから引離すことができる。その後、２つの
ディスク１５Ａ及び１５Ｂは、元の分離間隔ｄ（ｓｅｐａｒ）に移動されて、次
の処理液体が注入され、次の処理段階が開始される。
浄工程、及び第３のリンス工程の各々が終了すると、ディスク１５Ａ及び１５Ｂ
の１つは、キャビティ１３内の液体が重力によって速やかに排出されるのに十分
な、小さな間隔？ｄだけ他のディスクから引離すことができる。その後、２つの
ディスク１５Ａ及び１５Ｂは、元の分離間隔ｄ（ｓｅｐａｒ）に移動されて、次
の処理液体が注入され、次の処理段階が開始される。
【００２６】
図７は、本発明の方法の１つの実施形態の実行を示すフローチャートである。
ステップ６１において、加工物をキャビティに挿入する。ステップ６３（随意的
）において、キャビティを第１のリンス用液体で満たして、随意的に加工物と第
１のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置く。ステップ
６５（随意的）において、第１のリンス用液体をキャビティから除去する。ステ
ップ６５において、キャビティを第１の洗浄用液体で満たす。ステップ６９にお
いて、随意的に加工物と第１の洗浄用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振
動の下に置く。ステップ７１において、第１の洗浄用液体をキャビティから除去
する。ステップ７３において、キャビティを第２のリンス用液体で満たし、随意
的に加工物と第２のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下に
置く。ステップ７５において、第２のリンス用液体をキャビティから除去する。
ステップ６１において、加工物をキャビティに挿入する。ステップ６３（随意的
）において、キャビティを第１のリンス用液体で満たして、随意的に加工物と第
１のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下に置く。ステップ
６５（随意的）において、第１のリンス用液体をキャビティから除去する。ステ
ップ６５において、キャビティを第１の洗浄用液体で満たす。ステップ６９にお
いて、随意的に加工物と第１の洗浄用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振
動の下に置く。ステップ７１において、第１の洗浄用液体をキャビティから除去
する。ステップ７３において、キャビティを第２のリンス用液体で満たし、随意
的に加工物と第２のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下に
置く。ステップ７５において、第２のリンス用液体をキャビティから除去する。
【００２７】
ステップ７７（随意的）において、キャビティを第２の洗浄用液体で満たし、
随意的に加工物と第２の洗浄用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下
に置く。ステップ７９（随意的）において、第２の洗浄用液体をキャビティから
除去する。ステップ８１（随意的）において、キャビティを第３のリンス用液体
で満たし、随意的に加工物と第３のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超
音波振動の下に置く。ステップ８３（随意的）において、第３のリンス用液体を
キャビティから除去する。
随意的に加工物と第２の洗浄用液体とを超音波及び／又は高周波超音波振動の下
に置く。ステップ７９（随意的）において、第２の洗浄用液体をキャビティから
除去する。ステップ８１（随意的）において、キャビティを第３のリンス用液体
で満たし、随意的に加工物と第３のリンス用液体とを超音波及び／又は高周波超
音波振動の下に置く。ステップ８３（随意的）において、第３のリンス用液体を
キャビティから除去する。
【００２８】
ステップ８５において、加工物を選択した取出し線速度ｒでキャビティから好
適には上方向に取出すが、必ずしも上方向である必要はない。ステップ８７にお
いて、加工物がキャビティから取出される際に、選択した乾燥用液体を加工物表
面に噴霧するか、又は他の方法で加工物表面に移送する。各々の加工物表面上の
液体移送領域は、細線、通常の多角形領域（三角形、四辺形等）、又は１つ又は
それ以上の曲線境界線を有する多角形領域であってもよい。
適には上方向に取出すが、必ずしも上方向である必要はない。ステップ８７にお
いて、加工物がキャビティから取出される際に、選択した乾燥用液体を加工物表
面に噴霧するか、又は他の方法で加工物表面に移送する。各々の加工物表面上の
液体移送領域は、細線、通常の多角形領域（三角形、四辺形等）、又は１つ又は
それ以上の曲線境界線を有する多角形領域であってもよい。
【００２９】
本発明が実施される単一の処理チャンバーは、ディスク１５Ａ及び１５Ｂ、タ
ンク１８、リンス用液体、洗浄用液体、及び乾燥用液体の供給源、及び液体注入
機構を含み、約９００ｃｍ2といった小さな占有面積を有する。
ンク１８、リンス用液体、洗浄用液体、及び乾燥用液体の供給源、及び液体注入
機構を含み、約９００ｃｍ2といった小さな占有面積を有する。
【図１】
本発明を実施するために使用される装置の側面図である。
【図２】
本発明による種々の段階における加工物の洗浄及び乾燥を示す斜視図である。
【図３】
本発明による種々の段階における加工物の洗浄及び乾燥を示す斜視図である。
【図４】
本発明による種々の段階における加工物の洗浄及び乾燥を示す斜視図である。
【図５】
本発明による種々の段階における加工物の洗浄及び乾燥を示す斜視図である。
【図６Ａ】
加工物を収容するキャビティにリンス、洗浄、又は乾燥用の液体を注入する方
法を示す概要図である。
法を示す概要図である。
【図６Ｂ】
加工物を収容するキャビティにリンス、洗浄、又は乾燥用の液体を注入する方
法を示す概要図である。
法を示す概要図である。
【図７Ａ】
本発明を実施するための工程のフローチャートである。
【図７Ｂ】
本発明を実施するための工程のフローチャートである。
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フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ
，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，
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Ｄ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，Ａ
Ｚ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ
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ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ
Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ
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ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ
Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ
，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ
Claims (38)
- 【請求項１】 加工物の少なくとも１つの表面を洗浄及び乾燥するための方
法であって、 第１及び第２の略平行で略平面を有する加工物を、前記加工物の前記第１及び
第２の平面にそれぞれ略平行な第１及び第２のキャビティの壁によって部分的に
形成されるキャビティ内に配置する段階であって、各々のキャビティの壁と隣接
する前記加工物の平面との間の分離間隔が約１５０μｍ以下である段階と、 前記キャビティ内に、選択した洗浄用液体を、選択した洗浄時間間隔で注入し
て、前記洗浄用液体を除去する段階と、 前記キャビティ内に、選択したリンス用液体を、選択したリンス時間間隔で注
入して、前記リンス用液体を除去する段階と、 前記加工物を、選択した取出し線速度ｒで前記キャビティから取出し、前記加
工物が前記キャビティから出てくる際に、前記加工物の少なくとも１つの表面上
に、水よりも非常に大きな分子量を有し且つ約２０ｄｙｎ／ｃｍ以下の表面張力
パラメータを有する、選択した乾燥用液体を移送する段階と、 を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記乾燥用液体をイソプロピルアルコール、ハイドロフルオ
ロエーテル、エチル化ハイドロフルオロエーテル、及びハイドロフルオロカーボ
ンからなる乾燥用液体の群から選ぶ段階を更に含むことを特徴とする請求項１に
記載の方法。 - 【請求項３】 前記洗浄用液体をＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2ＳＯ4 、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2、及びＨ2Ｏ2からなる液体の群か
ら選ぶ段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記少なくとも１つの洗浄用液体と前記加工物とを、２０ｋ
Ｈｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置く段階を更に
備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記選択したリンス用液体を水、ＤＩ水、イソプロピルアル
コール、及びＤＩ水とイソプロピルアルコールとの混合物からなる群から選ぶ段
階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記少なくとも１つのリンス用液体と前記加工物とを、２０
ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置く段階を更
に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記第１の洗浄用液体を前記キャビティから除去した後に、
選択した第２の洗浄用液体を選択した第２の洗浄時間間隔で前記キャビティに注
入して、前記第２の液体を前記キャビティから除去する段階を更に含むことを特
徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記第２の洗浄用液体をＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ 2 ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2及びＨ2Ｏ2からなる液体の
群から選ぶ段階を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記少なくとも１つの第２の洗浄用液体と前記加工物を、２
０ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置く段階を
更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記取出し速度ｒを０．５ｃｍ／秒＝ｒ＝５ｃｍ／秒の範
囲にあるように選ぶ段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記第１のキャビティ壁と第２のキャビティ壁との間の前
記分離間隔を、前記加工物の前記キャビティからの取出しの前に、選択した大き
さだけ拡げる段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１２】 前記乾燥用液体を、前記加工物の前記少なくとも１つの表
面上に、三角形、四辺形、及び少なくとも１つの曲線境界線を有する多角形から
得られる選択パターンで移送する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項１３】 前記キャビティ内に前記洗浄用液体を２ｍｌ−１００ｍｌ
注入する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１４】 前記キャビティ内に前記リンス用液体を２ｍｌ−１００ｍ
ｌ注入することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記乾燥用液体の少なくとも一部を集め、前記集めた部分
を濾過し、前記濾過した乾燥用液体を請求項１の前記段階において少なくとも一
回再利用する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記洗浄用液体及び前記リンス用液体の少なくとも１つを
前記キャビティに注入する前記段階が、前記洗浄用液体を前記第１のキャビティ
壁及び前記第２のキャビティ壁の少なくとも１つにある開口部を介して注入する
段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記第１のキャビティ壁及び前記第２のキャビティ壁の少
なくとも１つにある開口部に関する位置を、前記第１のキャビティ壁及び前記第
２のキャビティ壁の少なくとも１つの中央位置から間隔をあけて上方にあるよう
に選ぶ段階を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 前記洗浄用液体及び前記リンス用液体を前記キャビティに
注入する前記段階が、それぞれ前記第１のキャビティ壁及び前記第２のキャビテ
ィ壁の少なくとも１つにある、第１の開口部を介して前記洗浄用液体を注入する
段階と、第２の開口部を介して前記リンス用液体を注入する段階とを含むことを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記キャビティ内へ前記洗浄用液体を注入する段階と、前
記リンス用液体を注入する段階の少なくとも１つのために容器に収容される、選
択不活性液体によって、前記キャビティ及び前記加工物を取り囲む段階を更に含
むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項２０】 加工物の少なくとも１つの表面を洗浄及び乾燥するための
システムであって、 平行な第１及び第２のキャビティ壁によって部分的に形成され、第１及び第２
の平面を有する加工物を収容し、前記第１及び第２のキャビティ壁が、前記加工
物の前記第１及び第２の平面に対してそれぞれ略平行であり、各々のキャビティ
の壁と隣接する前記加工物の平面との間の分離間隔が、約１５０μｍ以下である
キャビティと、 前記キャビティ内に、選択した洗浄用液体を選択した洗浄時間間隔で注入する
ための洗浄用液体機構と、 前記キャビティ内に、選択したリンス用液体を選択したリンス時間間隔で注入
するためのリンス用液体機構と、 前記加工物を選択した取出し線速度ｒで前記キャビティから取出し、前記加工
物が前記キャビティから出てくる際に前記加工物の少なくとも１つの表面上に、
水よりも非常に大きな分子量を有し且つ約２０ｄｙｎ／ｃｍ以下の表面張力パラ
メータを有する、選択した乾燥用液体を移送するための加工物取出し機構と、 を備えることを特徴とするシステム。 - 【請求項２１】 前記乾燥用液体が、イソプロピルアルコール、ハイドロフ
ルオロエーテル、エチル化ハイドロフルオロエーテル、及びハイドロフルオロカ
ーボンからなる乾燥用液体の群から選択することを特徴とする請求項２０に記載
のシステム。 - 【請求項２２】 前記洗浄用液体が、ＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2、Ｈ2
ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2、及びＨ2Ｏ2からなる液体
の群から選択することを特徴とする請求項２２に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記少なくとも１つの洗浄用液体と前記加工物とを、２０
ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置くための振
動機構を更に備えることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項２４】 前記選択したリンス用液体を、水、ＤＩ水、イソプロピル
アルコール、及びＤＩ水とイソプロピルアルコールとの混合物からなる群から選
択することを特徴とする請求項２４に記載のシステム。 - 【請求項２５】 前記少なくとも１つのリンス用液体と前記加工物とを、２
０ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置くための
振動機構を更に備えることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項２６】 前記第１の洗浄用液体を前記キャビティから除去した後に
、選択した第２の洗浄用液体を選択した第２の洗浄時間間隔で前記キャビティに
注入して、前記第２の液体を前記キャビティから除去するための第２の洗浄機構
を更に備えることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項２７】 前記第２の洗浄用液体が、ＮＨ4ＯＨ、ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2 、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ2ＳＯ4＋Ｈ2Ｏ2、ＨＣｌ、ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2、及びＨ2Ｏ2からなる
液体の群から選択することを特徴とする請求項２６に記載のシステム。 - 【請求項２８】 前記少なくとも１つの第２の洗浄用液体と前記加工物とを
、２０ｋＨｚ−１．５ＭＨｚの範囲の少なくとも１つの周波数振動の下に置くた
めの振動機構を更に備えることを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項２９】 前記取出し速度ｒが、０．５ｃｍ／秒＝ｒ＝５ｃｍ／秒の
範囲にあるように選択することを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項３０】 前記加工物取出し機構が、前記第１のキャビティ壁と第２
のキャビティ壁との間の前記分離間隔を、前記加工物の前記キャビティから取出
す前に、選択した大きさだけ拡げることを特徴とする請求項２０に記載のシステ
ム。 - 【請求項３１】 前記加工物取出し機構が、前記乾燥用液体を、前記加工物
の前記少なくとも１つの表面上に、三角形、四辺形、及び少なくとも１つの曲線
境界線を有する多角形から得られる選択パターンで移送することを特徴とする請
求項２０に記載のシステム。 - 【請求項３２】 前記洗浄機構が、前記洗浄用液体を前記キャビティ内に２
ｍｌ−１００ｍｌ注入することを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項３３】 前記リンス機構が、前記リンス用液体を前記キャビティ内
に２ｍｌ−１００ｍｌ注入することを特徴とする請求項２０に記載のシステム。 - 【請求項３４】 前記乾燥用液体の少なくとも一部を集めて、前記集めた部
分を濾過し、前記濾過した乾燥用液体を請求項２０の前記手順において少なくと
も一回再利用するための乾燥用液体濾過機構を更に備えることを特徴とする請求
項２０に記載のシステム。 - 【請求項３５】 前記洗浄用液体機構及び前記リンス用液体機構の少なくと
も１つが、前記第１のキャビティ壁及び前記第２のキャビティ壁の少なくとも１
つにある開口部を含み、それを介して前記洗浄用液体及び前記リンス用液体の少
なくとも１つが前記キャビティに注入されることを特徴とする請求項２０に記載
のシステム。 - 【請求項３６】 前記第１のキャビティ壁及び前記第２のキャビティ壁の少
なくとも１つの開口部に関する位置が、前記第１のキャビティ壁及び前記第２の
キャビティ壁の少なくとも１つの中央位置から間隔をあけて上方にあることを特
徴とする請求項３５に記載のシステム。 - 【請求項３７】 前記洗浄用液体機構及び前記リンス用液体機構が、前記第
１のキャビティ壁及び前記第２のキャビティ壁の少なくとも１つにある、それを
介して前記洗浄用液体が注入される第１の開口部と、それを介して前記リンス用
液体が注入される第２の開口部とを備えることを特徴とする請求項２０に記載の
システム。 - 【請求項３８】 前記洗浄用液体及び前記リンス用液体の少なくとも１つが
前記キャビティ内に注入される場合、前記キャビティ及び前記加工物が、容器に
収容される選択不活性液体により取り囲まれることを特徴とする請求項２０に記
載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US34268599A | 1999-06-29 | 1999-06-29 | |
| US09/342,685 | 1999-06-29 | ||
| PCT/US2000/040285 WO2001000338A1 (en) | 1999-06-29 | 2000-06-29 | Chemical film cleaning and drying |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003503830A true JP2003503830A (ja) | 2003-01-28 |
Family
ID=23342845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001506037A Pending JP2003503830A (ja) | 1999-06-29 | 2000-06-29 | 化学的膜洗浄及び乾燥 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1206326A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003503830A (ja) |
| KR (1) | KR20020048911A (ja) |
| AU (1) | AU7132600A (ja) |
| WO (1) | WO2001000338A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013104849A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | クラック検査装置 |
| KR101788323B1 (ko) * | 2011-04-26 | 2017-11-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CZ293871B6 (cs) * | 1997-02-17 | 2004-08-18 | Altanaápharmaáag | Prostředky pro léčbu ARDS nebo IRDS obsahující @}cyklopropylmethoxyB@N@}@ŹQ@dichloro@pyridinylB@}difluoromethoxyBbenzamid a plicní surfaktant |
| KR100689680B1 (ko) * | 2005-06-16 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 구조물의 처리 방법 및 이를 이용한 반도체커패시터의 제조 방법 |
| JP4767767B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4960075B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2012-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN102513314B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-12-31 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 具有氧化钇包覆层的工件的污染物的处理方法 |
| CN102513313B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-10-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法 |
| JP6674186B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2020-04-01 | 三井・ケマーズ フロロプロダクツ株式会社 | 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法 |
| CN111128730B (zh) | 2018-10-31 | 2023-03-24 | 联华电子股份有限公司 | 一种制作半导体元件的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
| US5933902A (en) * | 1997-11-18 | 1999-08-10 | Frey; Bernhard M. | Wafer cleaning system |
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2000
- 2000-06-29 EP EP00960116A patent/EP1206326A1/en not_active Withdrawn
- 2000-06-29 AU AU71326/00A patent/AU7132600A/en not_active Abandoned
- 2000-06-29 WO PCT/US2000/040285 patent/WO2001000338A1/en not_active Application Discontinuation
- 2000-06-29 KR KR1020017016827A patent/KR20020048911A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-06-29 JP JP2001506037A patent/JP2003503830A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101788323B1 (ko) * | 2011-04-26 | 2017-11-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 |
| JP2013104849A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | クラック検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2001000338A1 (en) | 2001-01-04 |
| AU7132600A (en) | 2001-01-31 |
| KR20020048911A (ko) | 2002-06-24 |
| EP1206326A1 (en) | 2002-05-22 |
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