JPH03109733A - 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法Info
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- JPH03109733A JPH03109733A JP24642389A JP24642389A JPH03109733A JP H03109733 A JPH03109733 A JP H03109733A JP 24642389 A JP24642389 A JP 24642389A JP 24642389 A JP24642389 A JP 24642389A JP H03109733 A JPH03109733 A JP H03109733A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハのウェット処理装置における薬
液による洗浄装置、及びその洗浄方法に関するものであ
る。
液による洗浄装置、及びその洗浄方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭５
７−８３０３６号に記載されるものがあった。
７−８３０３６号に記載されるものがあった。
即ち、サブミクロン時代を迎え、デバイスの最小線幅が
ｌ ＭＤＲＡＭ １．２〜１．Ｏｕ ｍ、更に４ ＭＤ
ＩＩＡＭでは０，８〜０．５ｐｍと微細化がますます進
み、半導体ウェハの洗浄装置においては、洗浄過程にお
ける半導体ウェハへの微粒子付着を許容値以下に抑える
ことが難しくなってきている。
ｌ ＭＤＲＡＭ １．２〜１．Ｏｕ ｍ、更に４ ＭＤ
ＩＩＡＭでは０，８〜０．５ｐｍと微細化がますます進
み、半導体ウェハの洗浄装置においては、洗浄過程にお
ける半導体ウェハへの微粒子付着を許容値以下に抑える
ことが難しくなってきている。
例えば、拡散工程の炉前洗浄を例にとると、硫酸又はア
ンモニア水に過酸化水素水を混ぜ、この溶液を約１００
〜１３０℃で使用してゴミや有機物を除去する。また、
フォトレジスト除去工程においても同様に、硫酸と過酸
化水素水を混ぜて１２５°Ｃまで加熱し、ウェハからフ
ォトレジストを除去している。この二側の場合も、デバ
イスの微細化、高集積化に伴い、塵埃がウェハに付着し
て薬液処理槽にまで持ち込まれることが多い。このよう
に薬液中に含まれ、或いは周辺より混入する塵埃等を除
去する手段として、第５図に示すようなフィルトレージ
ロンシステム（循環濾過装置）が採用されている。
ンモニア水に過酸化水素水を混ぜ、この溶液を約１００
〜１３０℃で使用してゴミや有機物を除去する。また、
フォトレジスト除去工程においても同様に、硫酸と過酸
化水素水を混ぜて１２５°Ｃまで加熱し、ウェハからフ
ォトレジストを除去している。この二側の場合も、デバ
イスの微細化、高集積化に伴い、塵埃がウェハに付着し
て薬液処理槽にまで持ち込まれることが多い。このよう
に薬液中に含まれ、或いは周辺より混入する塵埃等を除
去する手段として、第５図に示すようなフィルトレージ
ロンシステム（循環濾過装置）が採用されている。
即ち、薬液処理槽１にオーバーフロ一部分（四方向オー
バーフロー）２を設け、循環ポンプ３によって薬液を循
環させ、濾過フィルタ４を通して薬液中の塵埃を除去し
、再び薬液処理槽１に戻すことにより、薬液処理槽ｌ内
を清浄な状態に維持するように構成したものである。
バーフロー）２を設け、循環ポンプ３によって薬液を循
環させ、濾過フィルタ４を通して薬液中の塵埃を除去し
、再び薬液処理槽１に戻すことにより、薬液処理槽ｌ内
を清浄な状態に維持するように構成したものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、以上述べた薬液処理槽のフィルトレージ
ョンシステムにおける半導体ウェハの洗浄装置において
は、半導体ウェハを一定時間薬液中に浸漬した後で引上
げる際に、浮遊する塵埃及び溶出したレジスト等が再び
半導体ウェハに付着し、次工程に進んだ時にパターン欠
陥等の障害を引起こすという問題点がある。
ョンシステムにおける半導体ウェハの洗浄装置において
は、半導体ウェハを一定時間薬液中に浸漬した後で引上
げる際に、浮遊する塵埃及び溶出したレジスト等が再び
半導体ウェハに付着し、次工程に進んだ時にパターン欠
陥等の障害を引起こすという問題点がある。
本発明は、以上述べた半導体ウェハのウェット処理装置
における薬液処理槽のフィルトレージョンシステムにお
いて、半導体ウェハを薬液処理槽より引上げる際に浮遊
する塵埃及び溶出したレジスト等が再び半導体ウェハに
付着してしまうという問題点を除去し、的確な洗浄を行
い得る半導体ウェハの洗浄装置及びその洗浄方法を提供
することを目的とする。
における薬液処理槽のフィルトレージョンシステムにお
いて、半導体ウェハを薬液処理槽より引上げる際に浮遊
する塵埃及び溶出したレジスト等が再び半導体ウェハに
付着してしまうという問題点を除去し、的確な洗浄を行
い得る半導体ウェハの洗浄装置及びその洗浄方法を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、搬送ロボットに
よって搬送された複数枚の半導体ウェハを載置し、薬液
処理槽に浸漬及び引上げを行うと共に、前記搬送ロボッ
トとの授受を行うウェハ載置台を設けてなるオーバーフ
ロー式循環濾過装置を具備する半導体ウェハの洗浄装置
において、循環ポンプによって濾過フィルタを通過した
部分に設けられる切替弁と、前記半導体ウェハを前記薬
液処理槽より引上げる際、上昇してくる半導体ウェハの
上部略中心位置に向けて、前記切替弁の操作によって濾
過した薬液を流出する流出口とを設けるようにしたもの
である。
よって搬送された複数枚の半導体ウェハを載置し、薬液
処理槽に浸漬及び引上げを行うと共に、前記搬送ロボッ
トとの授受を行うウェハ載置台を設けてなるオーバーフ
ロー式循環濾過装置を具備する半導体ウェハの洗浄装置
において、循環ポンプによって濾過フィルタを通過した
部分に設けられる切替弁と、前記半導体ウェハを前記薬
液処理槽より引上げる際、上昇してくる半導体ウェハの
上部略中心位置に向けて、前記切替弁の操作によって濾
過した薬液を流出する流出口とを設けるようにしたもの
である。
また、搬送ロボットによって搬送された複数枚の半導体
ウェハを載置し、薬液処理槽に浸漬及び引上げを行うと
共に、前記搬送ロボットとの授受を行うウェハ載置台を
設けてなるオーバーフロー式循環濾過装置を用いる半導
体ウェハの洗浄方法において、前記ウェハ載置台の上昇
を検知し、前記薬液処理槽から引上げられる半導体ウェ
ハに濾過フィルタによって濾過されたオーバーフローの
薬液を流し、半導体ウェハを清浄にするようにしたもの
である。
ウェハを載置し、薬液処理槽に浸漬及び引上げを行うと
共に、前記搬送ロボットとの授受を行うウェハ載置台を
設けてなるオーバーフロー式循環濾過装置を用いる半導
体ウェハの洗浄方法において、前記ウェハ載置台の上昇
を検知し、前記薬液処理槽から引上げられる半導体ウェ
ハに濾過フィルタによって濾過されたオーバーフローの
薬液を流し、半導体ウェハを清浄にするようにしたもの
である。
（作用）
本発明によれば、上記したように、半導体ウェハのウェ
ット処理装置における薬液処理槽の循環濾過装置（フィ
ルトレージョンシステム）において、処理槽底部の循環
路に切替弁を設け、この切替弁の操作により、循環濾過
装置で濾過した薬液を薬液処理槽上部に引上げることに
より、薬液処理槽から引上げられる半導体ウェハの両側
面に位置するように設けられた一対の流出口より、前記
薬液を半導体ウェハに流出させ、ウェハを清浄にするこ
とができる。
ット処理装置における薬液処理槽の循環濾過装置（フィ
ルトレージョンシステム）において、処理槽底部の循環
路に切替弁を設け、この切替弁の操作により、循環濾過
装置で濾過した薬液を薬液処理槽上部に引上げることに
より、薬液処理槽から引上げられる半導体ウェハの両側
面に位置するように設けられた一対の流出口より、前記
薬液を半導体ウェハに流出させ、ウェハを清浄にするこ
とができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体ウェハの洗浄装置
の構成図、第２図はその半導体ウェハの洗浄装置の平面
図、第３図はその半導体ウェハの洗浄装置の断面図、第
４図はその半導体ウェハの処理工程図である。
の構成図、第２図はその半導体ウェハの洗浄装置の平面
図、第３図はその半導体ウェハの洗浄装置の断面図、第
４図はその半導体ウェハの処理工程図である。
この半導体ウェハの洗浄装置においては、半導体ウェハ
を収納するキャリアを用いずに、直接複数枚、例えば２
５枚、或いは５０枚の半導体ウェハ１１をウェハ載置台
９上に載置して搬送し、洗浄処理を行うように構成され
ている。
を収納するキャリアを用いずに、直接複数枚、例えば２
５枚、或いは５０枚の半導体ウェハ１１をウェハ載置台
９上に載置して搬送し、洗浄処理を行うように構成され
ている。
次に、薬液処理槽１の循環濾過装置について説明すると
、薬液処理槽１にオーバーフロ一部分２を設けたことに
より、通常、薬液はこのオーバーフロ一部分２に溢れ、
循環ポンプ３によって濾過フィルタ４を通過し、第１の
切替弁５を経て（この時、第２の切替弁６は閉じている
）、薬液処理槽１に戻るように構成されている。
、薬液処理槽１にオーバーフロ一部分２を設けたことに
より、通常、薬液はこのオーバーフロ一部分２に溢れ、
循環ポンプ３によって濾過フィルタ４を通過し、第１の
切替弁５を経て（この時、第２の切替弁６は閉じている
）、薬液処理槽１に戻るように構成されている。
以上の循環方式は、半導体ウェハ１１が引上げられる時
を除いて常時骨われている。ここで、半導体ウェハ１１
が浸漬され、所定時間浸漬された後、ウェハ載置台９が
上昇する際にコントローラ１０による制御により第２の
切替弁６を開き、第１の切替弁５を閉じる。すると、薬
液は、循環路７を通って薬液処理槽１の上部に引上げら
れ、半導体ウェハ１１の両側面に位置するように形成さ
れた一対の流出口８より流出される。この場合、流出口
８の設定位置は、薬液面より３０〜８０ｍｍ上昇した位
置であり、その口先は半導体ウェハ１１の略中心位置に
向いている。また、この薬液を流出させる時間は、ウェ
ハ載置台９の上昇が完了してからＩＯ秒程度であり、こ
の時点で弁を切替え、次に、搬送ロボットが下降するよ
うにしたものである。なお、この流出口８としてスプレ
ーノズルを用いると、半導体ウェハ１１全体に一様に薬
液が当たらず、周囲に飛散してしまうため、好ましくな
い。
を除いて常時骨われている。ここで、半導体ウェハ１１
が浸漬され、所定時間浸漬された後、ウェハ載置台９が
上昇する際にコントローラ１０による制御により第２の
切替弁６を開き、第１の切替弁５を閉じる。すると、薬
液は、循環路７を通って薬液処理槽１の上部に引上げら
れ、半導体ウェハ１１の両側面に位置するように形成さ
れた一対の流出口８より流出される。この場合、流出口
８の設定位置は、薬液面より３０〜８０ｍｍ上昇した位
置であり、その口先は半導体ウェハ１１の略中心位置に
向いている。また、この薬液を流出させる時間は、ウェ
ハ載置台９の上昇が完了してからＩＯ秒程度であり、こ
の時点で弁を切替え、次に、搬送ロボットが下降するよ
うにしたものである。なお、この流出口８としてスプレ
ーノズルを用いると、半導体ウェハ１１全体に一様に薬
液が当たらず、周囲に飛散してしまうため、好ましくな
い。
半導体ウェハの洗浄工程について、第４図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
まず、第４図（ａ）に示すように、半導体ウェハ１１を
搬送用ロボットアーム１５により把持する。
搬送用ロボットアーム１５により把持する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１１を
搬送用ロボットアーム１５により把持して、薬液処理層
ｌの上方に待機しているウェハ載置台９の上まで搬送す
る。
搬送用ロボットアーム１５により把持して、薬液処理層
ｌの上方に待機しているウェハ載置台９の上まで搬送す
る。
次に、第４図（ｃ）に示すように、搬送用ロボットアー
ム１５を下方に移動させ、半導体ウエノ１１１をウェハ
載置台９に移載する。ここまでは、第１の切替弁５をオ
ンし、第２の切替弁６をオフした状態であり、薬液処理
層ｌ内ではオーバーフロー液の循環が行われている。
ム１５を下方に移動させ、半導体ウエノ１１１をウェハ
載置台９に移載する。ここまでは、第１の切替弁５をオ
ンし、第２の切替弁６をオフした状態であり、薬液処理
層ｌ内ではオーバーフロー液の循環が行われている。
次に、第４図（ｄ）に示すように、薬液処理槽１内に半
導体ウェハ１１を浸漬し、所定時間洗浄を行う、そこで
、半導体ウェハ１１の洗浄が終了し、ウェハ載置台９が
上昇する時点、つまりウェハ載置台９を上昇させる上下
駆動機構１２（第３図参照）が駆動すると、その出力信
号をコントローラ１０（第１図参照）に読み込み、コン
トローラ１０からの指令により第１の切替弁５をオフし
、第２の切替弁６をオン状態へと切り換える。
導体ウェハ１１を浸漬し、所定時間洗浄を行う、そこで
、半導体ウェハ１１の洗浄が終了し、ウェハ載置台９が
上昇する時点、つまりウェハ載置台９を上昇させる上下
駆動機構１２（第３図参照）が駆動すると、その出力信
号をコントローラ１０（第１図参照）に読み込み、コン
トローラ１０からの指令により第１の切替弁５をオフし
、第２の切替弁６をオン状態へと切り換える。
そして、上下駆動機構１２の駆動により、第４図（ｅ）
に示すように、洗浄された半導体ウェハ１１は引上げら
れていく、その途中で、オンされた切替弁６を介して濾
過した薬液が流出口８まで引上げられ、上昇してくる半
導体ウェハ１１の上部略中心位置に向けて流出され、半
導体ウェハ１１は上昇中に清浄になる。その後、半導体
ウェハ１１は搬送用ロボットアーム１５により把持され
て、次の工程へと搬送される。
に示すように、洗浄された半導体ウェハ１１は引上げら
れていく、その途中で、オンされた切替弁６を介して濾
過した薬液が流出口８まで引上げられ、上昇してくる半
導体ウェハ１１の上部略中心位置に向けて流出され、半
導体ウェハ１１は上昇中に清浄になる。その後、半導体
ウェハ１１は搬送用ロボットアーム１５により把持され
て、次の工程へと搬送される。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
ウェハのウェット処理装置における薬液処理槽の循環濾
過装置において、半導体ウェハを薬液から引上げる際と
循環路を切替え、引上げられた半導体ウェハに濾過した
薬液を流出させて清浄にするようにしたので、半導体ウ
ェハに付着した塵埃等は薬液処理槽に洗い流される。こ
れにより、半導体ウェハを清浄な状態で次工程に搬出す
ることができ、歩留まりを向上させることができる。
ウェハのウェット処理装置における薬液処理槽の循環濾
過装置において、半導体ウェハを薬液から引上げる際と
循環路を切替え、引上げられた半導体ウェハに濾過した
薬液を流出させて清浄にするようにしたので、半導体ウ
ェハに付着した塵埃等は薬液処理槽に洗い流される。こ
れにより、半導体ウェハを清浄な状態で次工程に搬出す
ることができ、歩留まりを向上させることができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体ウェハの洗浄装置
の構成図、第２図はその半導体ウェハの洗浄装置の平面
図、第３図はその半導体ウェハの洗浄装置の断面図、第
４図はその半導体ウェハの処理工程図、第５図は従来の
半導体ウェハの洗浄装置の構成図である。 １・・・薬液処理槽、２・・・オーバーフロ一部分、３
・・・循環ポンプ、４・・・濾過フィルタ、５・・・第
１の切替弁、６・・・第２の切替弁、７・・・循環路、
８・・・流出口、９・・・ウェハ載置台、ｌＯ・・・コ
ントローラ、１１・・・半導体ウェハ、１２・・・上下
駆動機構、１５・・・搬送用ロボットアーム。
の構成図、第２図はその半導体ウェハの洗浄装置の平面
図、第３図はその半導体ウェハの洗浄装置の断面図、第
４図はその半導体ウェハの処理工程図、第５図は従来の
半導体ウェハの洗浄装置の構成図である。 １・・・薬液処理槽、２・・・オーバーフロ一部分、３
・・・循環ポンプ、４・・・濾過フィルタ、５・・・第
１の切替弁、６・・・第２の切替弁、７・・・循環路、
８・・・流出口、９・・・ウェハ載置台、ｌＯ・・・コ
ントローラ、１１・・・半導体ウェハ、１２・・・上下
駆動機構、１５・・・搬送用ロボットアーム。
Claims (2)
- （１）搬送ロボットによって搬送された複数枚の半導体
ウェハを載置し、薬液処理槽に浸漬及び引上げを行うと
共に、前記搬送ロボットとの授受を行うウェハ載置台を
設けてなるオーバーフロー式循環濾過装置を具備する半
導体ウェハの洗浄装置において、 （ａ）循環ポンプによって濾過フィルタを通過した部分
に設けられる切替弁と、 （ｂ）前記半導体ウェハを前記薬液処理槽より引上げる
際、上昇してくる半導体ウェハの上部略中心位置に向け
て、前記切替弁の操作によって濾過した薬液を流出する
流出口とを具備することを特徴とする半導体ウェハの洗
浄装置。 - （２）搬送ロボットによって搬送された複数枚の半導体
ウェハを載置し、薬液処理槽に浸漬及び引上げを行うと
共に、前記搬送ロボットとの授受を行うウェハ載置台を
設けてなるオーバーフロー式循環濾過装置を用いる半導
体ウェハの洗浄方法において、 （ａ）前記ウェハ載置台の上昇を検知し、 （ｂ）前記薬液処理槽から引上げられる半導体ウェハに
濾過フィルタによって濾過されたオーバーフローの薬液
を流し、半導体ウェハの洗浄を行う半導体ウェハの洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24642389A JPH03109733A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24642389A JPH03109733A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109733A true JPH03109733A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17148260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24642389A Pending JPH03109733A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109733A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339842A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning objects |
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP24642389A patent/JPH03109733A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339842A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-23 | Specialty Coating Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning objects |
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
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