KR20190042184A - 포토 마스크 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 마스크 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 포토 마스크 세정 방법은 제1처리유체에 제2처리유체가 희석된 혼합 약액을 포토 마스크에 분사하는 1차 세정 단계; 및 상기 제1처리유체를 포토 마스크에 분사하는 2차 세정 단계를 포함할 수 있다.

Description

포토 마스크 세정 방법{METHOD FOR WASHING MASK}
본 발명은 포토 마스크의 세정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저출력 소닉으로 패턴 손상 없이 오염물을 제거할 수 있는 포토 마스크를 세정하는 방법에 관한 것이다.
포토마스크(photomask)는 석영이나 유리 기판 위에 반도체의 미세 회로를 형상화한 것으로서, 예를 들면 투명한 석영 기판의 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각한 것이다. 포토마스크의 미세 패턴은 포토리소그래피 공정을 통해 기판 위에 형성된다. 포토리소그래피 공정은, 포토레지스트를 기판 위에 균일하게 도포하고, 스테퍼와 같은 노광장비를 이용하여 포토마스크 상의 패턴을 축소 투영 노광시킨 후, 현상 과정을 거쳐 2차원의 포토레지스트 패턴을 형성하기까지의 전 과정을 말한다.
포토마스크는 여러 가지 요건으로부터 기인된 오염을 제거하기 위하여 세정공정을 진행하고 있다. 포토 마스크 세정 공정에서는 반도체 웨이퍼 세정에 사용되는 화학 약액을 사용할 경우 마스크에 새겨진 금속 패턴에 손상을 주기 때문에 금속 패턴에 영향이 없는 수소수와 함께 소닉 노즐을 이용하여 공정을 진행한다.
그러나, 화학 약액에 비해 수소수는 오염물 제거 효율이 낮고, 소닉 노즐의 초음파 진동에 의해 패턴 손상이 발생하는 경우가 있어서 충분한 소닉 출력을 사용하지 못하는 실정이다.
본 발명의 일 과제는, 저출력 소닉으로 패턴 손상 없이 오염물을 제거할 수 있는 포토 마스크 세정 방법을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 제1처리유체에 제2처리유체가 희석된 혼합 약액을 포토 마스크에 분사하는 1차 세정 단계; 및 상기 제1처리유체를 포토 마스크에 분사하는 2차 세정 단계를 포함하는 포토 마스크 세정 방법을 제공하고자 한다.
또한, 상기 1차 세정 단계와 상기 2차 세정 단계는 소닉진동을 인가하여 진행할 수 있다.
또한, 상기 제1처리 유체는 수소수이고, 상기 제2처리유체는 알카리 세정액일 수 있다.
또한, 상기 제1처리 유체는 수소수이고, 상기 제2처리유체는 과산화수소(H2O2)와 수산화암모늄(NH4OH)의 수용액인 제1 표준 세정액일 수 있다.
또한, 상기 혼합 약액은 상기 제1처리 유체와 상기 제2처리 유체가 7대3 비율로 혼합될 수 있다.
또한, 상기 1차 세정 단계는 상기 2차 세정 단계보다 짧은 시간 동안 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 금속 패턴에 영향을 주지 않을 정도로 수소수에 희석한 제1 표준 세정액(SC1, Standard Clean 1)을 단시간에 처리한 후 수소수로 공정을 진행함으로써 금속 패턴에 손상을 주지 않으면서 오염물을 효과적으로 제거할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 구성도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층과 2층의 레이아웃을 보여주는 도면들이다.
도 4는 본 발명에 따른 마스크 세정 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다.
도 5는 본 발명에 따른 마스크 세정 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다.
도 6은 본 발명에 따른 마스크 세정 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
도 7은 본 발명에서 소닉 출력에 따른 오염물 제거율을 보여주는 표이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 마스크 세정 장치는 금속 패턴이 손상되지 않도록 마스크를 세정한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 구성도이다. 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층과 2층의 레이아웃을 보여주는 도면들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 마스크 세정 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 X방향(12) 이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 X방향(12)과 수직한 방향으로 Y방향(14)이라 하고, X방향(12)과 Y방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 Z방향(16)이라 한다.
로드 포트(120)에는 마스크(500)가 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 Y방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(18)에는 마스크(500)의 가장자리를 지지하도록 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 Z방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 마스크(500)는 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다.
공정 처리 모듈(20)은 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)을 갖는다. 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)은 각각, 이송 하우징(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 하우징(260)를 가진다. 이송 하우징(240)는 그 길이 방향이 X방향(12)과 평행하게 배치된다. Y방향(14)을 따라 이송 하우징(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정 하우징(260)들이 배치된다. 이송 하우징 (240)의 일측 및 타측에서 공정 하우징(260)들은 이송 하우징(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 하우징(240)의 일측에는 복수 개의 공정 하우징(260)들이 제공된다. 공정 하우징(260)들 중 일부는 이송 하우징(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 하우징(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 하우징(240)의 일측에는 공정 하우징(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 X방향 (12)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이고, B는 Y방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이다. 이송 하우징 (240)의 일측에 공정 하우징(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 하우징(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 하우징(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 하우징(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 하우징(260)와 캐리어(18) 간에 마스크가 반송되기 전에 마스크(500)가 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60)를 가진다. 상부 버퍼(70)는 하부 버퍼(60)의 상부에 위치된다. 상부 버퍼(70)는 상부 처리 모듈(40)과 대응되는 높이에 배치된다. 하부 버퍼(60)는 하부 처리 모듈(30)과 대응되는 높이에 배치된다. 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60) 각각은 그 내부에 마스크(500)가 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 Z방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 하우징(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 Y방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 Y방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 마스크(500)를 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 마스크(500)를 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 마스크(500)를 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 마스크(500)로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 마스크(500)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 하우징(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 하우징(260) 간에, 그리고 공정 하우징(260)들 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 하우징(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 X방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 X방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 하우징(260) 내에는 마스크(500)에 대해 세정 공정을 수행하는 마스크 세정 장치가 제공된다. 마스크 세정 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 하우징(260) 내의 마스크 세정 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 처리 모듈(40)은 습식 세정 공정을 수행하는 챔버와 냉각 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다. 상부 처리 모듈(30)은 건식 및 기능수 세정 공정을 수행하는 챔버와 가열 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다.
이하, 본 실시예에서는 소닉 노즐과 수소수 그리고 세정약액(예를 들면 SC1)을 이용하여 마스크(500)를 세정하는 마스크 세정 장치의 일 예를 설명한다.
도 4는 도 3에 도시된 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 평면도이다. 도 5는 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 측면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 마스크 세정 장치(1000)는 하우징(1100), 용기(1200), 지지부재(1300), 패턴 세정 유닛(1400), 소닉 노즐(1700) 그리고 제어기(1600)를 포함한다.
하우징(1100)은 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 하우징(1100)의 상벽에는 팬필터유닛(미도시됨)이 설치된다. 팬필터유닛은 하우징(1100) 내부 공간에서, 아래로 향하는 수직기류를 발생시킨다.
용기(1200)는 하우징(1100) 내에 배치된다. 용기(1200)는 공정에 사용된 케미컬 및 공정시 발생된 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 용기(1200)는 내부에 상부가 개방되고 마스크(500)가 처리되는 공간을 가진다.
지지부재(1300)는 용기(1200) 내에 위치된다. 지지부재(1300)는 공정 처리시 마스크(500)를 지지한다. 지지부재(1300)는 지지판(1320), 척킹 핀(1340), 지지축(1360), 그리고 지지판 구동기(1380)를 포함한다.
지지판(1320)은 대체로 원형으로 제공된다. 지지판(1320)은 마스크(500)보다 큰 직경을 가진다. 지지판(1320)은 마스크(500)를 지지한다. 케미컬이 공급되는 동안, 마스크(500)는 상부를 향하도록 지지판(1320)에 지지된다. 지지판(1320)의 상면에는 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320) 상면으로부터 상부로 돌출된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320)이 회전될 때, 원심력에 의해 마스크(500)가 지지판(1320)으로부터 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 마스크(500)가 지지판(1320) 상의 정위치에 놓일 때, 마스크(500)의 각각의 모서리에는 2개의 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 따라서 척킹 핀(1340)은 전체적으로 8개가 제공된다. 공정 진행시 척킹 핀(1340)들은 마스크(500)의 4 모서리를 지지하여 마스크(500)가 정위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 지지판(1320)의 하부 중앙에는 지지축(1360)이 연결된다. 지지축(1360)은 지지판(1320)을 지지한다. 지지축(1360)은 지지판(1320)의 중심축과 대응되게 제공된다. 지지축(1360)의 하단에는 지지판 구동기(1380)가 연결된다. 지지판 구동기(1380)는 지지판(1320)을 회전시킨다. 지지축(1360)은 지지판 구동기(1380)의 회전력을 지지판(1320)에 전달한다. 지지판 구동기(1380)는 제어기(1600)에 의해 제어된다. 지지판 구동기(1380)는 모터를 포함할 수 있다.
승강 유닛(미도시)은 용기(1200)에 대한 지지판(1320)의 상대 높이가 조절되도록 용기(1200)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛은 마스크(500)가 지지판(1320)에 로딩되거나, 지지판(1320)으로부터 언로딩될 때 지지판(1320)이 용기(1200)의 상부로 돌출되도록 용기(1200)를 하강시킨다.
패턴 세정 유닛(1400)은 용기(1200)의 일측에 배치된다. 패턴 세정 유닛(1400)은 마스크(500)의 상면으로 처리액을 공급하여 마스크(500) 표면의 오염을 제거한다. 패턴 세정 유닛(1400)은 노즐(1410), 노즐 암(1420), 암 지지축(1360), 노즐 구동기(1440) 그리고 처리액 공급부(1450)를 포함한다.
처리액 공급부(1450)은 제1처리 유체 공급원(1452), 제2처리 유체 공급원(1458), 혼합부(1459)를 포함할 수 있다. 제1처리 유체 공급원은 혼합부로 공급하는 라인과 혼합부를 거치지 않고 노즐로 제1처리 유체를 공급하는 라인이 각각 연결된다. 일 예로, 제1처리 유체는 수소수(H2W)이고, 제2처리유체는 알카리 세정액일 수 있다. 알카리 세정액은 과산화수소(H2O2)와 수산화암모늄(NH4OH)의 수용액인 제1 표준 세정액일 수 있다. 혼합부(1459)에서는 제1처리 유체와 제2처리 유체를 혼합한 혼합액을 노즐로 공급한다. 예컨대, 혼합액에서 제2처리 유체의 농도가 낮으면 오염물 제거율이 떨어지고, 제2처리 유체의 농도가 높으면 금속 패턴의 손상이 발생될 수 있기 때문에 제1처리유체와 제2처리 유체의 혼합 비율은 7대3이 가장 바람직하다.
소닉 노즐(1700)은 소닉 로드(1710)와, 아암(1712) 그리고 구동부(1714)를 포함한다. 소닉 로드(1710)는 진동 내지는 발진 에너지에 의해 진동하도록 설계된다. 소닉 로드(1710)는 이동 가능한 아암(1712)의 일단에 설치된다. 소닉 로드(1710)의 팁(tip)은 기판 상에 제공된 처리액과 접촉한다. 이에 따라, 소닉 로드(1710)의 진동이 처리액으로 전달되어 처리액이 진동한다. 처리액은 패턴 세정 유닛(1400)의 노즐(1410)로부터 분사되어 마스크의 상면에 제공된다. 처리액은 기판의 상면, 구체적으로는 기판의 상면의 중심부로 제공될 수 있다. 소닉 로드(1710)는 공정 진행시 마사크 상으로 이동되며, 공정 전,후에는 홈 포트에서 대기하게 된다.
도 6은 포토 마스크 세정 방법을 간략히 설명하기 위한 플로우챠트이고, 도 7은 소닉 출력에 따른 오염물 제거율을 비교한 표이다.
도 6을 참조하면, 본 발명에서의 포토 마스크 세정 방법은 1차 소닉 세정 단계(S100)와 2차 소닉 세정 단계(S200)를 포함할 수 있다.
1차 소닉 세정 단계(S100)는 제1처리유체에 제2처리유체가 희석된 혼합액이 포토 마스크에 공급된다. 제1처리 유체는 수소수이고, 제2처리유체는 과산화수소(H2O2)와 수산화암모늄(NH4OH)의 수용액인 제1 표준 세정액이며, 혼합액은 이들이 7:3 비율로 혼합된 약액일 수 있다. 혼합액이 포토 마스크에 도포되면 소닉 로드(1710)가 포토 마스크 상에 제공된 혼합액과 접촉한다. 이때, 소닉 로드(1710)가 진동하게 되면 그 진동이 처리액으로 전달된다. 소닉을 이용한 포토 마스크 세정시 포토 마스크는 회전될 수 있다. 처리액은 포토 마스크의 중심부로 제공되어지는 것이 포토 마스크의 회전에 따른 원심력으로써 처리액이 포토 마스크의 상면에 걸쳐 골고루 퍼지는데 바람직하다. 처리액의 진동으로써 오염물이 포토 마스크로부터 탈락되고, 포토 마스크의 회전에 따른 원심력에 의해 오염물을 함유한 처리액은 포토 마스크 밖으로 밀려나가게 된다. 일 예로, 1차 소닉 세정은 3분간 지속되며, 2차 소닉 세정은 12분간 지속될 수 있다.
2차 소닉 세정 단계(S200)는 제1처리유체인 수소수만 포토 마스크에 공급한 상태에서 소닉 세정이 이루어진다. 소닉 세정은 앞서 언급하였기에 상세한 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 소닉의 출력이 10W인 경우 오염물 제거율은 91.9%, 소닉 출력이 6W에서는 79.4%, 소닉 출력이 4W에서는 66.2%로 나타난다. 따라서, 수소수를 이용한 소닉 세정 공정에서 소닉의 출력은 오염물 제거율에 영향을 미친다. 그러나, 소닉 출력이 10W 이상이면 금속 패턴에 데미지를 줄 수 있기 때문에 소닉 출력은 포토 마스크의 금속 패턴이 물리적으로 손상을 입지 않는 범위 내에서 설정하는 것이 중요하다. 제한된 출력(소닉 출력 8W)에서 오염물 제거율을 향상시키기 위해 본 발명에서는 수소수에 SC1을 소정 비율로 희석한 혼합액을 단시간 적용하여 진행한 경우 오염물 제거율이 90.6%로 동일한 출력에서 수소수만 사용한 경우의 83.5%보다 상승한 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 마스크 세정 방법은 포토 마스크(500)의 가장자리에 해당되는 비패턴 영역(540)에서 약액을 분사하여 패턴 영역에 ㅇ아아킹이 발생하지 않은 상태로 천천히 포토 마스크(500)의 전면에 약액을 웨팅한 후에 기판을 회전하면서 약액을 공급함으로써 아킹에 의한 금속 패턴의 손상을 방지 할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1000 : 마스크 세정 장치 1200 : 용기
1300 : 지지부재 1320 : 지지판
1410 : 노즐 1700 : 소닉 노즐

Claims (6)

  1. 포토 마스크 세정 방법에 있어서:
    제1처리유체에 제2처리유체가 희석된 혼합 약액을 포토 마스크에 분사하는 1차 세정 단계; 및
    상기 제1처리유체를 포토 마스크에 분사하는 2차 세정 단계를 포함하는 포토 마스크 세정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 1차 세정 단계와 상기 2차 세정 단계는 소닉진동을 인가하여 진행하는 포토 마스크 세정 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1처리 유체는 수소수이고,
    상기 제2처리유체는 알카리 세정액인 포토 마스크 세정 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1처리 유체는 수소수이고,
    상기 제2처리유체는 과산화수소(H2O2)와 수산화암모늄(NH4OH)의 수용액인 제1 표준 세정액인 포토 마스크 세정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 혼합 약액은 상기 제1처리 유체와 상기 제2처리 유체가 7대3 비율로 혼합되는 포토 마스크 세정 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 1차 세정 단계는 상기 2차 세정 단계보다 짧은 시간 동안 진행하는 포토 마스크 세정 방법.
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