CN114082729B - 一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。

Description

一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质。

背景技术

在SiC气相外延过程中，外延设备反应腔中都含有石墨件，在反应过程中，石墨会与氢气发生反应产生碳的氢化物，从而使反应腔内的碳/硅比发生改变，因此，在反应前需要在石墨件上镀一层SiC保护层，但碳的氢化物会随着外延反应的进行生长在石墨件的SiC保护层上，在连续生长多片外延片后，保护层上的碳的氢化物生长到一定程度会形成滴落物，使得衬底外延薄膜上形成滴落物缺陷，影响外延片的质量与良率，因此需要定期对反应腔进行清洗。

现有的外延腔清洗方法，一般一到两天便需要对石墨件进行清洗维护，清洗前需要采用人工方式拆卸石墨件，并手动将保护层上多余的生长物清除，这种清洗方法需要将核心反应腔完全拆卸，清洗后再重新安装，耗费大量人力和时间。

针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

发明内容

本申请的目的在于提供一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，旨在解决清洗外延腔时需要人工将石墨件拆除，清洗后再重新安装，费时费力的问题。

第一方面，本申请提供了一种外延炉反应腔的清洗系统，包括：

移动装置；

激光测距仪，安装在所述移动装置上，用于测量所述激光测距仪到所述反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；

可升降的清洗装置，安装在所述移动装置上，用于对所述反应腔顶壁的杂质进行清洗；

控制器，所述控制器分别与所述激光测距仪和所述清洗装置电性连接，所述控制器用于获取反应腔模型，并根据反应腔模型生成用于指导所述移动装置移动的清洗路径信息；

所述控制器还用于根据所述清洗路径信息控制所述移动装置移动并使所述激光测距仪实时获取所述距离信息；

所述控制器还用于根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组，所述杂质厚度信息组包括所述反应腔顶壁上所有所述杂质的厚度信息；

所述控制器还用于根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度以逐步清洗所述反应腔顶壁的所述杂质。

本申请提供的外延炉反应腔的清洗系统，当反应腔顶壁积累了杂质需要进行清洗时，先通过控制器获取外延腔模型，控制器根据外延腔模型生成清洗路径信息，移动装置上的激光测距仪跟随移动装置沿清洗路径移动，控制器实时获取激光测距仪测得的距离信息，并根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，设置在移动装置上的可升降的清洗装置随移动装置沿清洗路径移动，控制器根据杂质厚度信息组控制清洗装置升降，在移动过程中逐步清洗反应腔顶壁的杂质，通过此清洗方式无需对外延炉进行拆卸即可完成对外延炉表面杂质的清洗。

可选地，本申请所述的外延炉反应腔的清洗系统，，所述清洗装置包括清洗刀具和升降机构，所述升降机构与所述控制器电性连接，用于使所述清洗刀具靠近或远离所述反应腔顶壁。

本申请通过设置升降机构使清洗刀具可根据杂质厚度信息组调整清洗刀具靠近或远离反应腔顶壁，实现清洗装置逐步完成对反应腔顶壁杂质的清洗。

可选地，本申请所述的外延炉反应腔的清洗系统，所述清洗装置上还设置有托盘，用于收集所述清洗刀具清洗出的所述杂质，所述清洗刀具设置在所述托盘上表面的中心位置。

本申请通过将清洗刀具设置在托盘中心位置，使清洗刀具清理出的反应腔顶壁上的杂质掉落在托盘上，随移动装置伸出而将杂质运出反应腔，防止杂质掉落在反应腔内。

可选地，本申请所述的外延炉反应腔的清洗系统，所述激光测距仪与所述清洗装置的朝向方向一致。

第二方面，本申请提供了一种外延炉反应腔的清洗方法，应用于外延炉反应腔的清洗系统中，所述外延炉反应腔的清洗系统包括：移动装置，所述移动装置上设有激光测距仪和可升降的清洗装置，所述激光测距仪用于测量所述激光测距仪到所述反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息，

所述外延炉反应腔的清洗方法包括以下步骤：

获取反应腔模型；

根据反应腔模型生成用于指导所述移动装置移动的清洗路径信息；

根据所述清洗路径信息控制所述移动装置移动并使所述激光测距仪实时获取所述距离信息；

根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组，所述杂质厚度信息组包括所述反应腔顶壁上所有杂质的厚度信息；

根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度以逐步清洗所述反应腔顶壁的所述杂质。

本申请提供的外延炉反应腔的清洗方法，通过反应腔模型获取清洗路径，同时结合激光测距仪测得的距离信息以及反应腔模型得到杂质厚度信息组，并根据杂质厚度信息组控制清洗刀具升降并沿清洗路径对反应腔顶壁的杂质进行逐步清洗，使在清洗外延炉反应腔时无需拆除外延炉即可完成杂质的清洗，节省了人力和清洗时间，提高清洗效率。

可选地，本申请所述的根据反应腔模型生成用于指导移动装置移动的清洗路径信息的步骤包括：

根据所述反应腔模型将所述反应腔划分为多个清洗区域；

根据所述清洗区域生成所述清洗路径信息，所述清洗路径信息用于指导所述清洗装置移动使所述清洗装置所清洗的区域能覆盖对应的所述清洗区域。

可选地，本申请所述的根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组的步骤包括：

根据所述清洗路径信息和实时获取的所述距离信息生成待清洗反应腔模型；

根据所述反应腔模型与所述待清洗反应腔模型生成所述杂质厚度信息组。

可选地，本申请所述的根据杂质厚度信息组控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度以逐步清洗所述反应腔顶壁的所述杂质的步骤包括：

根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度将所述反应腔顶壁的所述杂质清洗为一致厚度；

控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度将所述反应腔顶壁一致厚度的所述杂质完全清除。

第三方面，本申请提供的一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第二方面提供的所述方法中的步骤。

第四方面，本申请提供的一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，运行如上述第二方面提供的所述方法中的步骤。

由上可知，本申请提供的外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质通过获取反应腔模型，生成清洗路径信息，同时获取移动装置上的激光测距仪随移动装置沿清洗路径移动所测得的距离信息，并根据反应腔模型、清洗路径信息和实时测得的距离信息获取杂质厚度信息组，并根据杂质厚度信息组控制清洗刀具升降并沿清洗路径对反应腔顶壁的杂质进行逐步清洗，使在清洗外延炉反应腔时无需拆除外延炉即可完成杂质的清洗，节省了人力和清洗时间，提高清洗效率。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本申请实施例提供的外延炉反应腔的清洗系统的结构示意图。

图2为本申请实施例提供的外延炉反应腔的清洗方法的步骤流程图。

图3为本申请实施例提供的根据反应腔模型生成用于指导移动装置移动的清洗路径信息的步骤流程图。

图4为本申请实施例提供的根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组的步骤流程图。

图5为本申请实施例提供的根据杂质厚度信息组控制所述移动装置移动和调节所述清洗装置的升降高度以逐步清洗所述反应腔顶壁的所述杂质的步骤流程图。

图6为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

标号说明：1、反应腔；2、杂质；3、激光测距仪；4、清洗装置；41、清洗刀具；42、升降机构；43、托盘；5、移动装置；6、控制腔；7、取盘盒；8、控制器；601、处理器；602、存储器；603、通信总线。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在一般情况下，在对外延炉反应腔进行清洗时需要人工拆除石墨件，然后对石墨件进行清洗，清洗完再人工安装石墨件，此种清洗方式耗费大量时间和人力，大大降低了清洗效率。

第一方面，参考图1，图1为本申请提供的一种外延炉反应腔的清洗系统的结构示意图，图1所示的外延炉反应腔的清洗系统包括：

移动装置5；

激光测距仪3，安装在移动装置5上，用于测量激光测距仪3到反应腔1顶壁的最短距离以获取距离信息；

可升降的清洗装置4，安装在移动装置5上，用于对反应腔1顶壁的杂质2进行清洗；

控制器8，控制器8分别与激光测距仪3和清洗装置4电性连接，控制器8用于获取反应腔模型，并根据反应腔模型生成用于指导移动装置5移动的清洗路径信息；

控制器8还用于根据清洗路径信息控制移动装置5移动并使激光测距仪3实时获取距离信息；

控制器8还用于根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，杂质厚度信息组包括反应腔1顶壁上所有杂质2的厚度信息；

控制器8还用于根据杂质厚度信息组控制移动装置5移动和调节清洗装置4的升降高度以逐步清洗反应腔1顶壁的杂质2。顶壁具体地，在本实施例中，在反应腔1旁设置有与反应腔1相连通的控制腔6，控制器8设置在控制腔6内，移动装置5的头部与控制器8连接，优选地，在控制腔6上设置有取盘盒7，用于当清洗装置4清洗结束后移动装置5将清洗装置4收回至控制腔6中，通过人工方式或通过外延设备中现有的传输设备移动至取盘盒7中，将装有杂质2的托盘43取出，实现无需进入反应腔1中即可将杂质2清除。

优选地，选用机械臂作为移动装置5，机械臂的头部与控制器8连接，机械臂上设置有激光测距仪3和可升降的清洗装置4，机械臂为外延设备中传输腔本身需用到的现有设备，用于在衬底反应时进行衬底上料和下料，在现有设备上进行改造，降低制造成本。

具体地，激光测距仪3所测量的距离信息为激光测距仪3的探头至反应腔1顶壁的最短距离，即激光测距仪3的探头至反应腔1顶壁的垂直距离，使激光测距仪3跟随移动装置5移动，进而实时测量激光测距仪3至反应腔1顶壁的最短距离，便于将激光测距仪3测得的距离信息与反应腔模型的对应点进行对比。

本申请提出的一种外延炉反应腔的清洗系统，当反应腔顶壁积累了杂质需要进行清洗时，先通过控制器获取外延腔模型，控制器根据外延腔模型生成清洗路径信息，移动装置上的激光测距仪跟随移动装置沿清洗路径移动，控制器实时获取激光测距仪测得的距离信息，并根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，设置在移动装置上的可升降的清洗装置随移动装置沿清洗路径移动，控制器根据杂质厚度信息组控制清洗装置升降，在移动过程中逐步清洗反应腔顶壁的杂质，通过此清洗方式无需对外延炉进行拆卸即可完成对外延炉上表面杂质的清洗。

在一些优选的实施方式中，清洗装置4包括清洗刀具41和升降机构42，升降机构42与控制器8电性连接，用于使清洗刀具41靠近或远离反应腔1顶壁。

具体的，升降机构42可选择通过气缸驱动或液压驱动，优选地，选用气缸驱动升降机构42工作，气缸与控制器8电性连接，当控制器8发出上升信号或下降信号时，气缸根据接收到的上升信号或下降信号进行动作。

优选地，清洗刀具41上设置有升降高度传感器，升降高度传感器与控制器8电性连接，用于实时监控清洗刀具41的升降高度，防止升降机构42故障导致清洗刀具41升降异常，导致清洗失效，甚至损坏清洗刀具41和反应腔1顶壁。

在一些优选的实施方式中，清洗装置4上还设置有托盘43，用于收集清洗刀具41清洗出的杂质2，清洗刀具41设置在托盘43上表面的中心位置。

具体的，托盘43可设置为矩形或圆形，若托盘43为矩形，优选为正方形，防止清洗装置4清洗出的杂质2从托盘43短边掉落。

在一些优选的实施方式中，激光测距仪3与清洗装置4的朝向方向一致。

具体地，激光测距仪3与清洗装置4的朝向方向一致即为，激光测距仪3与清洗装置4均沿移动装置5延伸方向设置。

具体地，若激光测距仪3与清洗装置4并非设置在移动装置5末端，则可能出现激光测距仪3的测量范围无法完全覆盖反应腔1顶壁，且清洗装置4的清洗范围无法覆盖反应腔1顶壁，导致反应腔1顶壁的杂质2无法被完全清洗，因此，优选地，将激光测距仪3与清洗装置4设置在移动装置5末端。

此外，优选地，清洗装置4靠近激光测距仪3，若清洗装置4与激光测距仪3间距较远，则激光测距仪3所测量的点与清洗装置4所清洗的点的位置可能存在偏差，导致清洗装置4接收到控制器8发送的清洗的点的厚度信息与实际激光测距仪3测量的该点的厚度信息不一致，产生清洗误差，降低清洗效率。

优选地，当托盘43为圆形，激光测距仪3靠近清洗装置4方向的端点距离清洗装置4上的清洗刀具41的距离应略大于清洗装置4上的托盘43的半径；当托盘43为正方形，激光测距仪3靠近清洗装置4方向的端点距离清洗装置4上的清洗刀具41的距离应略大于清洗装置4上的托盘43边长的一半，使激光测距仪3与清洗刀具41的距离较小，且清洗刀具41所清洗出的杂质2不会掉落在激光测距仪3上影响激光测距仪3的测量。

第二方面，参考图2，图2为一种外延炉反应腔的清洗方法的步骤流程图，应用于外延炉反应腔的清洗系统中，外延炉反应腔的清洗系统包括：移动装置5，移动装置5上设有激光测距仪3和可升降的清洗装置4，激光测距仪3用于测量激光测距仪3到反应腔1顶壁的最短距离以获取距离信息，

外延炉反应腔的清洗方法包括以下步骤：

S100、获取反应腔模型；

S200、根据反应腔模型生成用于指导移动装置5移动的清洗路径信息；

S300、根据清洗路径信息控制移动装置移动并使激光测距仪3实时获取距离信息；

S400、根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，杂质厚度信息组包括所述反应腔1顶壁上所有杂质2的厚度信息；

S500、根据杂质厚度信息组控制移动装置5移动和调节清洗装置4的升降高度以逐步清洗反应腔1顶壁的杂质。

本申请实施例提出的一种外延炉反应腔的清洗方法，当反应腔1顶壁积累了杂质2需要进行清洗时，先获取外延腔模型，根据外延腔模型生成清洗路径信息，移动装置5上的激光测距仪3跟随移动装置5沿清洗路径移动，控制器8实时获取激光测距仪3测得的距离信息，并根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，设置在移动装置5上的可升降的清洗装置4随移动装置5沿清洗路径移动，控制器8根据杂质厚度信息组控制清洗装置4升降，在移动过程中逐步清洗反应腔1顶壁的杂质2，通过此清洗方式无需对外延炉进行拆卸即可完成对外延炉顶壁杂质2的清洗。

具体地，清洗路径信息为指导移动装置进行移动的路径，将此清洗路径信息发送至移动装置，使移动装置按照清洗路径进行移动，从而带动清洗装置完成对反应腔1顶壁上的杂质2的清洗。

具体地，距离信息为激光测距仪3上的测头对反应腔1顶壁上的各点进行测量所测得的最短距离，可根据此距离信息反映出反应腔1顶壁上杂质2的分布状态。

具体地，杂质厚度信息组为当移动装置按照清洗路径进行移动过程中，激光测距仪3实时对反应腔1顶壁上的各点进行最短距离的测量，得到距离信息，并根据实时获取的距离信息与反应腔模型进行对比处理，从而生成杂质厚度信息组，反映反应腔1顶壁上各点杂质2的厚度大小，具体地，对比处理的步骤可以为根据实时获取的距离信息生成待清洗反应腔模型，后将待清洗反应腔模型与反应腔模型重叠，不重合的部分即为反应腔1顶壁上的杂质2，不重合部分的厚度即为杂质2的厚度。

在一些优选的实施方式中，如图3所示，图3为根据反应腔模型生成用于指导移动装置5移动的清洗路径信息的步骤流程图，该步骤包括：

S210、根据反应腔模型将反应腔划分为多个清洗区域；

S220、根据清洗区域生成清洗路径信息，清洗路径信息用于指导清洗装置4移动使清洗装置所清洗的区域能覆盖对应的清洗区域。

具体的，在一些实施方式中，清洗区域的面积大小相等，在划分区域前先获取反应腔1的参数信息，具体地，反应腔1顶壁为光滑平整的矩形结构，参数信息即为反应腔1顶壁的长度和宽度信息，获取参数信息后将反应腔1顶壁的长度和宽度进行均分，获得单个清洗区域的长度和宽度，后进行清洗区域的划分；在另一些实施方式中，预先设置清洗区域的长度和宽度，无需均分反应腔1顶壁的长度和宽度，此种分区方式会导致最后一排的清洗区域与最后一列的清洗区域与预设清洗区域的长度和宽度不相同，因此，优选地，选择对反应腔1顶壁进行均匀分区的分区方式，使得每个清洗区域相等。

具体地，在划分好清洗区域后，根据清洗区域对清洗路径进行规划，可选地，可以根据需要人工规划清洗路径，使清洗装置4按照清洗路径移动，清洗装置4移动所生成的清洗区域覆盖上述划分好的清洗区域；清洗路径也可为控制器8自动规划，首先设定清洗区域的清洗路径原点，使清洗装置4自动扫描本清洗区域内需要清洗的区域进行清洗，使得清洗装置4将本清洗区域中的杂质2清洗干净。

可选地，在一些实施方式中，清洗路径原点先预设每个清洗区域的清洗路径原点，清洗开始前先将清洗装置4清洗路径原点移动至清洗路径原点处，按照清洗路径进行清洗，清洗装置4所清洗的范围覆盖整个清洗区域，清洗完成后移动装置5自动将清洗装置4移动至下一清洗区域的清洗路径原点，开始对下一清洗区域进行清洗；在另一些实施方式中，通过移动装置5将清洗装置4移动至划分好的清洗区域中，通过移动装置5上的激光测距仪3对该清洗区域进行扫描，得到需要进行清洗的区域，存在杂质2的区域或杂质2的厚度大于预设杂质厚度阈值的区域即为需要清洗的区域，优选地，为防止清洗装置4清洗时损伤反应腔1的顶壁，因此预设杂质厚度阈值，当杂质厚度大于该阈值时需要清洗，当杂质厚度不大于该阈值时不需要清洗，得到需清洗区域后控制清洗装置4对需进行清洗的区域进行清洗，将本清洗区域的杂质2清洗完成后移动装置5将清洗装置4移动至下一清洗区域中，开始对下一清洗区域进行清洗，由于此种清洗方式需要频繁对清洗装置4进行升降，使升降机构42的使用寿命降低，且清洗部分与未清洗部分可能存在误差，使清洗效果较差，无法得到光洁的反应腔1顶壁，因此优选地，选择在清洗装置4将本清洗区域完全清洗完成后清洗下一清洗区域的清洗方案作为优选方案。

在一些优选的实施方式中，如图4所示，图4为根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，杂质厚度信息组包括反应腔1顶壁上所有杂质2的厚度信息的步骤流程图，该步骤包括：

S410、根据清洗路径信息和实时获取的距离信息生成待清洗反应腔模型；

S420、根据反应腔模型与待清洗反应腔模型生成杂质厚度信息组。

具体地，反应腔模型为反应腔1顶壁光洁无杂质2时的模型，可通过在控制腔6中输入初始反应腔1参数得到，也可通过激光测距仪3测量激光测距仪3上的探头到反应腔1顶壁的最短距离后生成；待清洗反应腔模型为反应腔1顶壁存在杂质2需要进行清洗时，激光测距仪3测量探头到反应腔1顶壁的最短距离后生成的模型。

具体地，在生成待清洗反应腔模型后，将待清洗反应腔模型与反应腔模型进行对比，重合部分即为光洁的反应腔1顶壁，不重合的部分即为反应腔1顶壁上的2，待清洗反应腔模型的距离信息与反应腔模型的距离信息相减所得差值即为反应腔1顶壁各处的杂质厚度信息组。

在一些优选的实施方式中，如图5所示，图5为根据杂质厚度信息组控制移动装置5移动和调节清洗装置4的升降高度以逐步清洗反应腔1顶壁的杂质2的步骤流程图，该步骤包括：

S510、根据杂质厚度信息组控制移动装置5移动和调节清洗装置4的升降高度将反应腔1顶壁的杂质2清洗为一致厚度；

S520、控制移动装置5移动和调节清洗装置4的升降高度将反应腔1顶壁一致厚度的杂质2完全清除。

具体的，根据上述得到的杂质厚度信息组，控制器8控制清洗装置4上的升降驱动装置驱动清洗刀具41靠近或远离反应腔1顶壁。

在一些实施方式中，先通过激光测距仪3测量该清洗区域的杂质2的厚度，得到该清洗区域中的最大杂质厚度和最小杂质厚度，从而得到最大杂质厚度和最小杂质厚度的中间值所在高度，该高度位置即为第一次清洗该清洗区域时清洗刀具41伸长所到的高度，当清洗装置4将反应腔1顶壁上的杂质2清洗到该高度后，对该区域进行二次清洗，将杂质2清洗至最小杂质厚度所在高度，使该清洗区域上的杂质2清洗为同一高度，随后进行最后一步清洗，通过最后一步清洗即可将该清洗区域上的杂质2清洗干净，此方式通过多次清洗将杂质2清洗至同样高度后再对杂质2进行完全清洗，解决了在清洗过程中由于反应腔1顶壁上杂质2厚度不均匀，导致清洗刀具41清洗时施力不均匀，损伤反应腔1顶壁或有杂质2残留未清洗干净的问题。

在另一些清洗方式中，设定清洗刀具41的伸长长度阈值，即单次清洗时，清洗刀具41伸长长度不能超过该阈值，首先通过激光测距仪3测量该清洗区域的杂质2的厚度，得到该清洗区域中的最大杂质厚度和最小杂质厚度，将最大杂质厚度与最小杂质厚度的差值与清洗刀具41的伸长长度阈值进行比较，当最大杂质厚度与最小杂质厚度的差值小于清洗刀具41的伸长长度阈值时，清洗刀具41伸长至最小杂质厚度所在高度进行第一次清洗，使该清洗区域的杂质2被清洗至同一高度，若最大杂质厚度与最小杂质厚度的差值大于清洗刀具41的伸长长度阈值时，清洗刀具41则根据清洗刀具41的伸长长度阈值进行伸长，随后对该清洗区域进行一次清洗，随后的每次清洗均需要重复上述过程，当杂质2的厚度小于清洗刀具41的伸长长度阈值时，进行最后一次的清洗，清洗刀具41伸长至反应腔1顶壁所在高度并进行清洗，将该清洗区域的杂质2清洗干净，此种清洗方式在每次清洗前均需要将最大杂质厚度与最小杂质厚度的差值和清洗刀具41的伸长长度阈值进行比较，控制每次清洗时清洗刀具41的伸长长度不超过该阈值，解决了因清洗时清洗刀具41伸长长度较大难以将杂质2清洗干净，甚至损坏清洗刀具41的问题。

在另一些清洗方式中，通过激光测距仪3测量该清洗区域的杂质2的厚度，得到该清洗区域中最小杂质厚度所在高度，将清洗刀具41伸长至该高度进行清洗，将该清洗区域的杂质2清洗至该高度，随后将该清洗区域的杂质2清洗干净。

优选地，若清洗刀具41伸长长度较长，在清洗过程中容易造成清洗刀具41损坏，因此，选择设定清洗刀具41的伸长长度阈值，并在每次清洗时将杂质厚度信息组与清洗刀具41的伸长长度阈值进行比较后调整清洗刀具41的伸长长度，分多次对清洗区域进行清洗，直至杂质2被清洗干净的清洗方式。

第三方面，参照图6，图6为本申请提供的一种电子设备，包括：处理器601和存储器602，处理器601和存储器602通过通信总线603和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器602存储有处理器601可执行的计算机程序，当电子设备运行时，处理器601执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一可选的实现方式，以实现以下功能：获取外延腔模型，根据外延腔模型生成清洗路径信息，使移动装置5上的激光测距仪3跟随移动装置5沿清洗路径移动，实时获取激光测距仪3测得的距离信息，并根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，使设置在移动装置5上的可升降的清洗装置4随移动装置5沿清洗路径移动，并根据杂质厚度信息组控制清洗装置4升降，在移动过程中逐步清洗反应腔1顶壁的杂质2。

第四方面，本申请提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器601执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：获取外延腔模型，根据外延腔模型生成清洗路径信息，使移动装置5上的激光测距仪3跟随移动装置5沿清洗路径移动，实时获取激光测距仪3测得的距离信息，并根据清洗路径信息、实时获取的距离信息和反应腔模型生成杂质厚度信息组，使设置在移动装置5上的可升降的清洗装置4随移动装置5沿清洗路径移动，并根据杂质厚度信息组控制清洗装置4升降，在移动过程中逐步清洗反应腔1顶壁的杂质2。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种外延炉反应腔的清洗系统，其特征在于，包括：

移动装置（5）；

激光测距仪（3），安装在所述移动装置（5）上，用于测量所述激光测距仪（3）到反应腔（1）顶壁的最短距离以获取距离信息；

可升降的清洗装置（4），安装在所述移动装置（5）上，用于对所述反应腔（1）顶壁的杂质（2）进行清洗；

控制器（8），所述控制器（8）分别与所述激光测距仪（3）和所述清洗装置（4）电性连接，所述控制器（8）用于获取反应腔模型，并根据反应腔模型生成用于指导所述移动装置（5）移动的清洗路径信息；

所述控制器（8）还用于根据所述清洗路径信息控制所述移动装置（5）移动并使所述激光测距仪（3）实时获取所述距离信息；

所述控制器（8）还用于根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组，所述杂质厚度信息组包括所述反应腔（1）顶壁上所有所述杂质（2）的厚度信息；

所述控制器（8）还用于根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置（5）移动和调节所述清洗装置（4）的升降高度以逐步清洗所述反应腔（1）顶壁的所述杂质（2）。

2.根据权利要求1所述的外延炉反应腔的清洗系统，其特征在于，所述清洗装置（4）包括清洗刀具（41）和升降机构（42），所述升降机构（42）与所述控制器（8）电性连接，用于使所述清洗刀具（41）升降。

3.根据权利要求2所述的外延炉反应腔的清洗系统，其特征在于，所述清洗装置（4）上还设置有托盘（43），用于收集所述清洗刀具（41）清洗出的所述杂质（2），所述清洗刀具（41）设置在所述托盘（43）上表面的中心位置。

4.根据权利要求1所述的外延炉反应腔的清洗系统，其特征在于，所述激光测距仪（3）与所述清洗装置（4）的朝向方向一致。

5.一种外延炉反应腔的清洗方法，其特征在于，应用于外延炉反应腔的清洗系统中，所述外延炉反应腔的清洗系统包括：移动装置（5），所述移动装置（5）上设有激光测距仪（3）和可升降的清洗装置（4），所述激光测距仪（3）用于测量所述激光测距仪（3）到反应腔（1）顶壁的最短距离以获取距离信息，

所述外延炉反应腔的清洗方法包括以下步骤：

获取反应腔模型；

根据反应腔模型生成用于指导所述移动装置（5）移动的清洗路径信息；

根据所述清洗路径信息控制所述移动装置（5）移动并使所述激光测距仪（3）实时获取所述距离信息；

根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组，所述杂质厚度信息组包括所述反应腔（1）顶壁上所有杂质（2）的厚度信息；

根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置（5）移动和调节所述清洗装置（4）的升降高度以逐步清洗所述反应腔（1）顶壁的所述杂质（2）。

6.根据权利要求5所述的外延炉反应腔的清洗方法，其特征在于，所述根据反应腔模型生成用于指导移动装置（5）移动的清洗路径信息的步骤包括：

根据所述反应腔模型将所述反应腔划分为多个清洗区域；

根据所述清洗区域生成所述清洗路径信息，所述清洗路径信息用于指导所述清洗装置（4）移动使所述清洗装置（4）所清洗的区域能覆盖对应的所述清洗区域。

7.根据权利要求5所述的外延炉反应腔的清洗方法，其特征在于，所述根据所述清洗路径信息、实时获取的所述距离信息和所述反应腔模型生成杂质厚度信息组的步骤包括：

根据所述清洗路径信息和实时获取的所述距离信息生成待清洗反应腔模型；

根据所述反应腔模型与所述待清洗反应腔模型生成所述杂质厚度信息组。

8.根据权利要求5所述的外延炉反应腔的清洗方法，其特征在于，所述根据杂质厚度信息组控制所述移动装置（5）移动和调节所述清洗装置（4）的升降高度以逐步清洗所述反应腔（1）顶壁的所述杂质（2）的步骤包括：

根据所述杂质厚度信息组控制所述移动装置（5）移动和调节所述清洗装置（4）的升降高度将所述反应腔（1）顶壁的所述杂质（2）清洗为一致厚度；

控制所述移动装置（5）移动和调节所述清洗装置（4）的升降高度将所述反应腔（1）顶壁一致厚度的所述杂质（2）完全清除。

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器（601）以及存储器（602），所述存储器（602）存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器（601）执行时，运行如权利要求5-8任一所述方法中的步骤。

10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器（601）执行时运行如权利要求5-8任一所述方法中的步骤。

Images