JP2803460B2 - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
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- JP2803460B2 JP2803460B2 JP12135492A JP12135492A JP2803460B2 JP 2803460 B2 JP2803460 B2 JP 2803460B2 JP 12135492 A JP12135492 A JP 12135492A JP 12135492 A JP12135492 A JP 12135492A JP 2803460 B2 JP2803460 B2 JP 2803460B2
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- furnace
- heater
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、減圧気相成長装置に関
し、特に複数のヒータを有する減圧気相成長装置に関す
る。
し、特に複数のヒータを有する減圧気相成長装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧気相成長装置は図４に示すよ
うに、反応管を構成する内外の炉芯管２及び３の内部を
加熱するヒータ１と、ヒータ１の温度を測定する熱電対
７と、半導体ウエハー５を保持する石英ボート４と、炉
芯管２，３を密閉するハッチ６と、炉芯管２及び３内の
ガスを排気する真空ポンプ８とを備えている。
うに、反応管を構成する内外の炉芯管２及び３の内部を
加熱するヒータ１と、ヒータ１の温度を測定する熱電対
７と、半導体ウエハー５を保持する石英ボート４と、炉
芯管２，３を密閉するハッチ６と、炉芯管２及び３内の
ガスを排気する真空ポンプ８とを備えている。
【０００３】半導体ウエハー５は、ハッチ６上の石英ボ
ート４に搭載され、ハッチ６が上昇することにより内側
の炉芯管３内に入る。次に、ハッチ６により炉芯管２，
３内が密閉されたところで、真空ポンプ８により炉芯管
内は排気され、真空状態にされる。
ート４に搭載され、ハッチ６が上昇することにより内側
の炉芯管３内に入る。次に、ハッチ６により炉芯管２，
３内が密閉されたところで、真空ポンプ８により炉芯管
内は排気され、真空状態にされる。
【０００４】この状態で、半導体ウエハー５の温度が安
定するまで待ち、温度が安定したところで、内側の炉芯
管３の内側に下方から材料ガスを導入する。材料ガスは
炉芯管３の内側を下から上に流れ、このときに半導体ウ
エハー５の表面に薄膜が成長する。
定するまで待ち、温度が安定したところで、内側の炉芯
管３の内側に下方から材料ガスを導入する。材料ガスは
炉芯管３の内側を下から上に流れ、このときに半導体ウ
エハー５の表面に薄膜が成長する。
【０００５】材料ガスが下から上に流れているため、石
英ボート４の下方に搭載されている半導体ウエハーによ
り材料ガスが消費されて、炉内上方では材料ガスの濃度
が低くなり、上，中，下段の３つのヒータ１の温度を等
しくした場合には、炉内上方の半導体ウエハー表面に成
長する薄膜の膜厚は薄くなってしまう。
英ボート４の下方に搭載されている半導体ウエハーによ
り材料ガスが消費されて、炉内上方では材料ガスの濃度
が低くなり、上，中，下段の３つのヒータ１の温度を等
しくした場合には、炉内上方の半導体ウエハー表面に成
長する薄膜の膜厚は薄くなってしまう。
【０００６】半導体ウエハー表面に成長する薄膜の膜厚
は、半導体ウエハーの表面温度に影響されるので、上，
中，下段のヒータ温度に勾配をつけることによって、前
述した炉内位置による成長膜厚の差を低減している。
は、半導体ウエハーの表面温度に影響されるので、上，
中，下段のヒータ温度に勾配をつけることによって、前
述した炉内位置による成長膜厚の差を低減している。
【０００７】図５は、半導体ウエハー５の表面に成長す
る薄膜の膜厚の炉内位置による差を低減するために、
上，中，下段の３つのヒータ１の温度分布を最適温度に
変更する際のフローチャート図である。図中の一点鎖線
で囲まれた部分は、人間による判断・処理を表わす。
る薄膜の膜厚の炉内位置による差を低減するために、
上，中，下段の３つのヒータ１の温度分布を最適温度に
変更する際のフローチャート図である。図中の一点鎖線
で囲まれた部分は、人間による判断・処理を表わす。
【０００８】図５に示すように、作業者は、炉内各位置
の半導体ウエハー５の表面に成長した薄膜の膜厚を測定
し、この膜厚測定データと３つのヒータとの温度の測定
値と、ヒータの温度分布と、炉内膜厚分布の相関データ
との３つから総合的に判断して、最適なヒータの温度分
布を決定しなければならない。
の半導体ウエハー５の表面に成長した薄膜の膜厚を測定
し、この膜厚測定データと３つのヒータとの温度の測定
値と、ヒータの温度分布と、炉内膜厚分布の相関データ
との３つから総合的に判断して、最適なヒータの温度分
布を決定しなければならない。
【０００９】すなわち、炉内下方の半導体ウエハー５の
表面の成長膜厚が厚く、炉内上方での半導体ウエハー５
の表面の成長膜厚が薄い場合には、下段のヒータ１の温
度を下げて上段のヒータ１の温度を上げることによっ
て、炉内下方の成長膜厚を薄くして炉内上方の成長膜厚
を厚くすることができる。
表面の成長膜厚が厚く、炉内上方での半導体ウエハー５
の表面の成長膜厚が薄い場合には、下段のヒータ１の温
度を下げて上段のヒータ１の温度を上げることによっ
て、炉内下方の成長膜厚を薄くして炉内上方の成長膜厚
を厚くすることができる。
【００１０】しかし、下段のヒータ温度を下げると、炉
内下方での材料ガスの消費量が減るため、それより上方
の材料ガスの濃度が高くなり、炉内上方の半導体ウエハ
ー５表面の成長膜厚は逆に厚くなる。
内下方での材料ガスの消費量が減るため、それより上方
の材料ガスの濃度が高くなり、炉内上方の半導体ウエハ
ー５表面の成長膜厚は逆に厚くなる。
【００１１】このため、上段のヒータ１の温度を上げす
ぎると、炉内上方の半導体ウエハー５表面の成長膜厚は
厚くなり過ぎてしまうので、ヒータ温度の最適な設定に
は、作業者の経験と熟練が必要である。また、決定した
ヒータの設定温度も作業者が入力する必要がある。
ぎると、炉内上方の半導体ウエハー５表面の成長膜厚は
厚くなり過ぎてしまうので、ヒータ温度の最適な設定に
は、作業者の経験と熟練が必要である。また、決定した
ヒータの設定温度も作業者が入力する必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この従来の減圧気相成
長装置では、炉内位置による成長膜厚の差を低減、すな
わち、バッチ内の均一性を向上させるために、膜厚測定
データやヒータ温度の測定値、ヒータ温度の変化による
成長膜厚の変動などのデータから、作業者の総合的な判
断が必要であり、作業者の勘に頼っている部分が多く、
熟練していない作業者では試行作業の回数が多くなるた
め、生産性が低下するという問題があった。また、作業
の省力化を推進するのも困難であった。
長装置では、炉内位置による成長膜厚の差を低減、すな
わち、バッチ内の均一性を向上させるために、膜厚測定
データやヒータ温度の測定値、ヒータ温度の変化による
成長膜厚の変動などのデータから、作業者の総合的な判
断が必要であり、作業者の勘に頼っている部分が多く、
熟練していない作業者では試行作業の回数が多くなるた
め、生産性が低下するという問題があった。また、作業
の省力化を推進するのも困難であった。
【００１３】本発明の目的は、膜厚のバッチ内均一性向
上のための試行作業回数を低減し、生産性の向上と省力
化を達成した減圧気相成長装置を提供することにある。
上のための試行作業回数を低減し、生産性の向上と省力
化を達成した減圧気相成長装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る減圧気相成長装置は、相関データベー
スと、処理部とを有する減圧気相成長装置であって、相
関データベースは、ヒータの温度を基準温度から様々に
変化させて半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、その
時の炉内各位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温度
の基準温度からの変化量の分布との相関データベースを
登録したものであり、処理部は、相関データベースの相
関データを参照して、前回の作業の炉内膜厚分布のデー
タとヒータ温度から最適なヒータ温度を計算し、制御す
るものである。
め、本発明に係る減圧気相成長装置は、相関データベー
スと、処理部とを有する減圧気相成長装置であって、相
関データベースは、ヒータの温度を基準温度から様々に
変化させて半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、その
時の炉内各位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温度
の基準温度からの変化量の分布との相関データベースを
登録したものであり、処理部は、相関データベースの相
関データを参照して、前回の作業の炉内膜厚分布のデー
タとヒータ温度から最適なヒータ温度を計算し、制御す
るものである。
【００１５】
【作用】ヒータの温度を基準温度から様々に変化させて
半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、その時の炉内各
位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温度の基準温度
からの変化量の分布との相関データを登録し、前回の作
業の炉内膜厚分布のデータとヒータ温度から自動的に最
適なヒータ温度を計算し、制御する。
半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、その時の炉内各
位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温度の基準温度
からの変化量の分布との相関データを登録し、前回の作
業の炉内膜厚分布のデータとヒータ温度から自動的に最
適なヒータ温度を計算し、制御する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１７】（実施例１）図１は、本発明の実施例に係
る減圧気相成長装置を示す構成図である。
る減圧気相成長装置を示す構成図である。
【００１８】図において、本実施例に係る装置は、反応
管を構成する内外の炉芯管２及び炉芯管３と、炉芯管２
及び３の内部を加熱するヒータ１と、ヒータ１の温度を
測定する熱電対７と、半導体ウエハー５を保持する石英
ボート４と、炉芯管２及び３内を密閉するハッチ６と、
炉芯管２及び３内のガスを排気する真空ポンプ８とを備
えている。
管を構成する内外の炉芯管２及び炉芯管３と、炉芯管２
及び３の内部を加熱するヒータ１と、ヒータ１の温度を
測定する熱電対７と、半導体ウエハー５を保持する石英
ボート４と、炉芯管２及び３内を密閉するハッチ６と、
炉芯管２及び３内のガスを排気する真空ポンプ８とを備
えている。
【００１９】半導体ウエハー５は、ハッチ６上の石英ボ
ート４に搭載され、ハッチ６が上昇することにより炉芯
管（内管）３内に入る。次に、ハッチ６により炉芯管２
及び３内が密閉されたところで、真空ポンプ８により炉
芯管内は排気され、真空状態にされる。
ート４に搭載され、ハッチ６が上昇することにより炉芯
管（内管）３内に入る。次に、ハッチ６により炉芯管２
及び３内が密閉されたところで、真空ポンプ８により炉
芯管内は排気され、真空状態にされる。
【００２０】この状態で、半導体ウエハー５の温度が安
定するまで待ち、温度が安定したところで、炉芯管３の
内側に下方から材料ガスを導入する。材料ガスは炉芯管
３の内側を下方から上に流れ、この時に半導体ウエハー
５の表面に薄膜が成長する。
定するまで待ち、温度が安定したところで、炉芯管３の
内側に下方から材料ガスを導入する。材料ガスは炉芯管
３の内側を下方から上に流れ、この時に半導体ウエハー
５の表面に薄膜が成長する。
【００２１】図２は、半導体ウエハー５表面に成長する
薄膜の膜厚の炉内位置による差を低減（バッチ内均一性
を向上）するために、上，中，下段の３つのヒータ１の
温度分布を最適温度に変更する機構を示すブロック図で
ある。
薄膜の膜厚の炉内位置による差を低減（バッチ内均一性
を向上）するために、上，中，下段の３つのヒータ１の
温度分布を最適温度に変更する機構を示すブロック図で
ある。
【００２２】図２に示す機構は、膜厚測定の結果を入力
する入力部９と、図１の熱電対７により計測されたヒー
タ１の測定値が入力される測定部１０と、相関データベ
ース１１と、処理部１２とを有している。
する入力部９と、図１の熱電対７により計測されたヒー
タ１の測定値が入力される測定部１０と、相関データベ
ース１１と、処理部１２とを有している。
【００２３】相関データベース１１は、図１に示すヒー
タ１の温度を基準温度から様々に変化させて半導体ウエ
ハー５表面に薄膜を成長させ、そのときの炉内各位置で
の成長膜厚変化量の分布と、ヒータ温度の基準温度から
の変化量の分布との相関データを登録したものである。
タ１の温度を基準温度から様々に変化させて半導体ウエ
ハー５表面に薄膜を成長させ、そのときの炉内各位置で
の成長膜厚変化量の分布と、ヒータ温度の基準温度から
の変化量の分布との相関データを登録したものである。
【００２４】処理部１２は、前回の作業の炉内膜厚分布
のデータとヒータ温度とから最適なヒータ温度を計算
し、ヒータ１を制御するものである。
のデータとヒータ温度とから最適なヒータ温度を計算
し、ヒータ１を制御するものである。
【００２５】作業者は、炉内各位置の半導体ウエハー５
の表面に成長した薄膜の膜厚を測定し、その膜厚測定結
果を入力部９にて処理部１２に入力する。この時のヒー
タ１の温度は熱電対７によって計測され、測定部１０に
送信される。
の表面に成長した薄膜の膜厚を測定し、その膜厚測定結
果を入力部９にて処理部１２に入力する。この時のヒー
タ１の温度は熱電対７によって計測され、測定部１０に
送信される。
【００２６】これらの膜厚測定結果とヒータ温度の分布
は、あらかじめ登録してある炉内各位置での成長膜厚変
化量とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データ
ベース１１と照合され、処理部１２は自動的に最適なヒ
ータ温度を決定する。そして、そのヒータ温度の設定値
は、装置の温度制御回路１３に送信され、ヒータ１の温
度が変更される。
は、あらかじめ登録してある炉内各位置での成長膜厚変
化量とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データ
ベース１１と照合され、処理部１２は自動的に最適なヒ
ータ温度を決定する。そして、そのヒータ温度の設定値
は、装置の温度制御回路１３に送信され、ヒータ１の温
度が変更される。
【００２７】前述した、炉内各位置での成長膜厚変化量
とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データベー
スについて、以下に述べる。石英ボート４に上から下ま
で等間隔に５枚の膜厚モニター用半導体ウエハーを挿入
し、これらを半導体ウエハー，，，，とし、
ヒータを上段からヒータＡ，Ｂ，Ｃとする。半導体ウエ
ハー，，，，それぞれの表面に成長した薄膜
の膜厚の差が最も小さくなるときの半導体ウエハー，
，，，の膜厚と、そのときのヒータＡ，Ｂ，Ｃ
の温度を基準として、ヒータＡ，Ｂ，Ｃの温度を個別あ
るいは連動させて少しずつ変化させる。
とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データベー
スについて、以下に述べる。石英ボート４に上から下ま
で等間隔に５枚の膜厚モニター用半導体ウエハーを挿入
し、これらを半導体ウエハー，，，，とし、
ヒータを上段からヒータＡ，Ｂ，Ｃとする。半導体ウエ
ハー，，，，それぞれの表面に成長した薄膜
の膜厚の差が最も小さくなるときの半導体ウエハー，
，，，の膜厚と、そのときのヒータＡ，Ｂ，Ｃ
の温度を基準として、ヒータＡ，Ｂ，Ｃの温度を個別あ
るいは連動させて少しずつ変化させる。
【００２８】このときの半導体ウエハー，，，
，の膜厚の基準膜厚からの変化量と、その膜厚変化
量が得られたときのヒータＡ，Ｂ，Ｃの基準温度からの
変化量をひとまとまりのデータとし、このデータを多数
の場合において収集して保存したものが前述のデータベ
ースである。すなわち、半導体ウエハーｘの膜厚の基準
膜厚からの変化量をｔX、ヒータｙの温度の基準温度か
らの変化量をＴyとすると、データの形式は、
（［ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ］，［ＴA，ＴB，Ｔ
C］）となる。
，の膜厚の基準膜厚からの変化量と、その膜厚変化
量が得られたときのヒータＡ，Ｂ，Ｃの基準温度からの
変化量をひとまとまりのデータとし、このデータを多数
の場合において収集して保存したものが前述のデータベ
ースである。すなわち、半導体ウエハーｘの膜厚の基準
膜厚からの変化量をｔX、ヒータｙの温度の基準温度か
らの変化量をＴyとすると、データの形式は、
（［ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ］，［ＴA，ＴB，Ｔ
C］）となる。
【００２９】データ中の各膜厚変化量と各ヒータ温度の
変化量は、データ検索の際に重要となるので、必ずこの
順に入力されなければならない。
変化量は、データ検索の際に重要となるので、必ずこの
順に入力されなければならない。
【００３０】例えば、半導体ウエハー，，，，
の表面に成長した薄膜の膜厚を測定した結果、６枚の
膜厚の平均値がｔ、各半導体ウエハーの膜厚と平均ｔと
の差が、［ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ］＝［ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ］である場合には、膜厚変化量とヒータ
温度変化量の相関データベース中から、（［ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ］，［ＴA，ＴB，ＴC］）に最も近いデータ
を選び出す。
の表面に成長した薄膜の膜厚を測定した結果、６枚の
膜厚の平均値がｔ、各半導体ウエハーの膜厚と平均ｔと
の差が、［ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ，ｔ ］＝［ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ］である場合には、膜厚変化量とヒータ
温度変化量の相関データベース中から、（［ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ］，［ＴA，ＴB，ＴC］）に最も近いデータ
を選び出す。
【００３１】このデータは、ヒータＡ，Ｂ，Ｃそれぞれ
の温度をＴA，ＴB，ＴCだけ変化させたときに、半導体
ウエハー，，，，の膜厚がａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅだけ変化したことを示しているので、逆算して、現在
のヒータＡ，Ｂ，Ｃの温度から、それぞれＴA，ＴB，Ｔ
Cを減じた値がヒータＡ，Ｂ，Ｃの最適温度となる。
の温度をＴA，ＴB，ＴCだけ変化させたときに、半導体
ウエハー，，，，の膜厚がａ，ｂ，ｃ，ｄ，
ｅだけ変化したことを示しているので、逆算して、現在
のヒータＡ，Ｂ，Ｃの温度から、それぞれＴA，ＴB，Ｔ
Cを減じた値がヒータＡ，Ｂ，Ｃの最適温度となる。
【００３２】このようなシステムを用いることにより、
熟練した作業者でなくとも最適な温度変更が行える。従
来、膜厚のバッチ内均一性の良い条件を決定するまでに
２〜５回の試行作業が必要であったが、このシステムを
用いることにより、試行回数は１〜２回に低減され、生
産性の向上，省力化が実現される。
熟練した作業者でなくとも最適な温度変更が行える。従
来、膜厚のバッチ内均一性の良い条件を決定するまでに
２〜５回の試行作業が必要であったが、このシステムを
用いることにより、試行回数は１〜２回に低減され、生
産性の向上，省力化が実現される。
【００３３】（実施例２）図３は、本発明の実施例２を
示すものであり、半導体ウエハー５の表面に成長する薄
膜の膜厚の炉内位置による差を低減（バッチ内均一性を
向上）する機構を示す図である。
示すものであり、半導体ウエハー５の表面に成長する薄
膜の膜厚の炉内位置による差を低減（バッチ内均一性を
向上）する機構を示す図である。
【００３４】作業者は炉内各位置の半導体ウエハー５の
表面に成長した薄膜の膜厚を測定する。測定結果は通信
回線を通してデータの入力部４に送信され、現在のヒー
タ温度も熱電対７で計測されて測定部１０に送信され
る。
表面に成長した薄膜の膜厚を測定する。測定結果は通信
回線を通してデータの入力部４に送信され、現在のヒー
タ温度も熱電対７で計測されて測定部１０に送信され
る。
【００３５】これらの膜厚測定結果とヒータ温度の分布
は、あらかじめ登録してある炉内各位置での成長膜厚変
化量とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データ
ベース１１と照合され、処理部１２によって自動的に最
適なヒータ温度が決定され、装置の温度制御回路１３に
送信される。最適温度の決定方法は、実施例１で説明し
た通りである。
は、あらかじめ登録してある炉内各位置での成長膜厚変
化量とヒータ温度の基準温度からの変化量の相関データ
ベース１１と照合され、処理部１２によって自動的に最
適なヒータ温度が決定され、装置の温度制御回路１３に
送信される。最適温度の決定方法は、実施例１で説明し
た通りである。
【００３６】このシステムでは、生産性の向上は実施例
１と同等であるが、作業者の膜厚データの手入力が省略
され、入力間違いの防止と省力化が実現できるという利
点がある。
１と同等であるが、作業者の膜厚データの手入力が省略
され、入力間違いの防止と省力化が実現できるという利
点がある。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒータの
温度を基準温度から様々に変化させて半導体ウエハー表
面に薄膜を成長させ、その時の炉内各位置での成長膜厚
変化量の分布とヒータ温度の基準温度からの変化量の分
布との相関データベースを備え、前回の作業の炉内膜厚
分布のデータとヒータ温度から自動的に最適なヒータ温
度を計算し、制御できるようにしたので、膜厚のバッチ
内均一性の向上を目的とした試行作業の回数が低減でき
る。
温度を基準温度から様々に変化させて半導体ウエハー表
面に薄膜を成長させ、その時の炉内各位置での成長膜厚
変化量の分布とヒータ温度の基準温度からの変化量の分
布との相関データベースを備え、前回の作業の炉内膜厚
分布のデータとヒータ温度から自動的に最適なヒータ温
度を計算し、制御できるようにしたので、膜厚のバッチ
内均一性の向上を目的とした試行作業の回数が低減でき
る。
【００３８】また、人間による作業を省くことができる
ため、その結果として生産性が向上でき、作業の省力化
が推進できるという効果を有する。
ため、その結果として生産性が向上でき、作業の省力化
が推進できるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例１を示す装置概略図である。
【図２】図１に示した装置において最適ヒータ温度分布
を決定する機構を示す図である。
を決定する機構を示す図である。
【図３】図１に示した装置において最適ヒータ温度分布
を決定する機構の他の実施例を示す図である。
を決定する機構の他の実施例を示す図である。
【図４】従来例を示す装置概略図である。
【図５】図４に示した装置において最適ヒータ温度分布
を決定する際の従来技術のフローチャート図である。
を決定する際の従来技術のフローチャート図である。
１ ヒータ ２，３ 炉芯管 ４ 石英ボート ５ 半導体ウエハー ６ ハッチ ７ 熱電対 ８ 真空ポンプ ９ 入力部 １０ 測定部 １１ 相関データベース １２ 処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 B01J 19/00 C30B 25/16
Claims (1)
- 【請求項１】 相関データベースと、処理部とを有する
減圧気相成長装置であって、 相関データベースは、ヒータの温度を基準温度から様々
に変化させて半導体ウエハー表面に薄膜を成長させ、そ
の時の炉内各位置での成長膜厚変化量の分布とヒータ温
度の基準温度からの変化量の分布との相関データベース
を登録したものであり、 処理部は、相関データベースの相関データを参照して、
前回の作業の炉内膜厚分布のデータとヒータ温度から最
適なヒータ温度を計算し、制御するものであることを特
徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135492A JP2803460B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135492A JP2803460B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291143A JPH05291143A (ja) | 1993-11-05 |
| JP2803460B2 true JP2803460B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=14809203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12135492A Expired - Fee Related JP2803460B2 (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803460B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3269463B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2002-03-25 | 信越半導体株式会社 | 薄膜成長温度の補正方法 |
| JP4503718B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2010-07-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法 |
| WO2001097267A1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure evaluating method, method for manufacturing semiconductor devices, and recording medium |
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