JP2001189248A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JP2001189248A JP2000000607A JP2000000607A JP2001189248A JP 2001189248 A JP2001189248 A JP 2001189248A JP 2000000607 A JP2000000607 A JP 2000000607A JP 2000000607 A JP2000000607 A JP 2000000607A JP 2001189248 A JP2001189248 A JP 2001189248A
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Mitsuru Yamada
満 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レシピ編集画面でのレシピ編集時の入力ミス
を防止する。 【解決手段】 プロセスレシピ編集画面を表示し操作す
るコンソール21にレシピ編集画面表示制御手段23が
接続され、編集制御手段23は予め設定されたレシピを
記憶するレシピ記憶手段24、編集中のレシピを記憶す
る編集用パラメータ記憶手段25、レシピ記憶手段24
からのデータと編集用パラメータ記憶手段25からのデ
ータとを比較し相違点をコンソール21を制御する表示
制御手段27に通知する制御パラメータ比較手段26と
を備え、表示制御手段27をして比較手段26からの通
知でプロセスレシピ編集画面の複数表示のうちコンソー
ル21で変更された表示の態様を変更前後で相違させる
ように構成されている。 【効果】 レシピの編集に際し、変更(書換)前後の表
示の態様を相違させることで書換項目を明瞭化できるた
め、人為的入力ミスの発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に、プロセスレシピを編集する画面の表示を制御する
技術に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、IC
という。)や液晶表示装置(以下、LCDという。)等
の半導体装置の製造に使用される減圧CVD装置や拡散
装置に利用して有効なものに関する。
【0002】一般に、きわめて精密な制御が要求される
半導体製造装置の一例である減圧CVD装置や拡散装置
における制御システムは、いずれもコンピュータによっ
て構築されたメインコントローラとサブコントローラと
を備えている。そのうちメインコントローラはコンソー
ルやタッチパネル等の表示手段および入力手段(ユーザ
・インタフェース)を備えており、プロセス(製造工
程)のシーケンス(順序)を計画作成実行するととも
に、制御パラメータ(温度、圧力、ガス流量等の制御目
標値)等のデータを管理し、通信手段によってサブコン
トローラへ制御パラメータを指示し、かつ、サブコント
ローラからのデータを収集して表示するように構成され
ている。
【0003】そして、減圧CVD装置や拡散装置が使用
されてICやLCDが製造されるに際しては、プロセス
を制御するためのシーケンスや制御パラメータを記述し
たプロセスレシピ(以下、レシピという。)が予め計画
作成されて使用される。通常、このレシピの内容(シー
ケンスや制御パラメータ等)はユーザによって予め設定
されてメインコントローラのレシピ記憶手段にメインコ
ントローラにおけるユーザ・インタフェースのレシピ編
集画面を利用した操作によって入力される。
【0004】また、減圧CVD装置や拡散装置のプロセ
ス(処理)を実行する処理実行部の故障や変動等に対処
したい場合や、成膜の膜厚および膜質の仕様を改めたい
場合等においては、メインコントローラのレシピ記憶手
段に記憶されたヒータの温度やガスの流量および流量比
等の制御パラメータをユーザ・インタフェースのレシピ
編集画面を利用した操作によって変更ないしは書き換え
られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
のメインコントローラにおけるレシピ編集画面において
は、改めた制御パラメータの表示が変更(書換)する前
も変更(書換)した後も同じ態様(色やフォント等)に
よって表現されているため、次のような問題点がある。
【0006】1) 数有る項目のうちのいずれの項目(制
御パラメータ)の表示を変更(書換)したのか不明にな
ってしまう。
【0007】2) 自分の意図したものとは異なる項目の
表示を誤って変更(書換)したり、誤った値を入力した
場合があっても判別することができない。
【0008】3) 万一、バッチ式の減圧CVD装置や拡
散装置において不適切な値をもって処理が実行された場
合には、バッチ全体の被処理物に対して所望の処理が実
行されない事態になるため、甚大な損失を発生させるこ
とになってしまう。
【0009】本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、レシピ編集画面
においての変更に際しての誤りを防止することができる
半導体製造装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ための手段は、プロセスレシピ編集画面の表示制御機能
を備えた半導体製造装置において、前記プロセスレシピ
編集画面の複数の表示のうち変更された表示の態様が変
更の前後で相違されることを特徴とする。
【0011】前記した手段によれば、レシピの編集に際
して、レシピ編集画面における複数の表示のうち変更さ
れた表示の態様が変更の前後で相違されるため、数有る
表示のうちから変更された表示を明瞭化させることがで
きる。その結果、レシピの項目中、作業者の意図した項
目と異なった項目を誤って変更したり、誤った値を設定
したりする人為的入力ミスの発生を防止することができ
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
【0013】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、図1に示されているバッチ式縦形ホット
ウオール形減圧CVD装置(以下、バッチ式CVD装置
という。)として構成されている。
【0014】図1に示されているバッチ式CVD装置は
ウエハが搬入されるインナチューブ2およびこのインナ
チューブ2を取り囲むアウタチューブ3から構成され縦
形に設置されたプロセスチューブ1と、インナチューブ
2内に原料ガスやパージガスを供給するガス供給装置4
と、プロセスチューブ1内を真空排気する真空排気装置
5と、プロセスチューブ1外に敷設されてプロセスチュ
ーブ1内を加熱するヒータ6と、ウエハ7を保持したボ
ート8をインナチューブ2に対して搬入搬出するエレベ
ータ9とを備えており、これらによって成膜実行部10
が構成されている。そして、成膜の実行に際しては、複
数枚のウエハ7がボート8によって長く整列されて保持
された状態でインナチューブ2内に下端の炉口からエレ
ベータ9によって搬入される。プロセスチューブ1内が
真空排気装置5によって所定の真空度に排気された後
に、インナチューブ2内に原料ガスがガス供給装置4に
よって導入されるとともに、ヒータ6によってプロセス
チューブ1内が加熱されることにより、ウエハ7にCV
D膜がデポジションされる。
【0015】バッチ式CVD装置はいずれもコンピュー
タによって構築されたメインコントローラと複数のサブ
コントローラとによって構成されている制御システム1
1を、備えている。サブコントローラとしては、ヒータ
6を制御する温度制御サブコントローラ12と、真空排
気装置5を制御する圧力制御サブコントローラ13と、
原料ガス供給装置4を制御する流量制御サブコントロー
ラ14と、エレベータ9等の機械を制御する機械制御サ
ブコントローラ15とが構築されており、これらサブコ
ントローラはメインコントローラ20に制御ネットワー
ク16によって接続されている。
【0016】メインコントローラ20は表示手段および
入力手段(ユーザ・インタフェース)としてのコンソー
ル(制御卓)21と、制御を指令する指令部22とを備
えている。コンソール21はディスプレイとキーボード
およびマウスを備えており、ディスプレイにレシピの内
容(項目名や制御パラメータの数値等)表示するととも
に、キーボードやマウスによって作業者の指令を伝達す
るように構成されている。指令部22はサブコントロー
ラ12〜15に制御ネットワーク16によって接続され
ており、データ通信することができるようになってい
る。
【0017】本実施の形態において、メインコントロー
ラ20にはレシピ編集画面表示制御手段(以下、編集制
御手段という。)23が設けられている。編集制御手段
23は予め設定されたレシピを記憶しているレシピ記憶
手段24と、現在編集中のレシピを記憶する編集用パラ
メータ記憶手段25と、変更前のレシピの制御パラメー
タと編集中のレシピの制御パラメータとを比較して比較
結果を表示制御手段27に通知する制御パラメータ比較
手段26とを備えており、制御パラメータ比較手段26
からの通知の内容に基づいて表示制御手段27によって
レシピ編集画面の表示を制御するようになっている。
【0018】以下、前記構成に係るバッチ式CVD装置
の作用を説明する。
【0019】まず、図2に示されている工程図によっ
て、バッチ式CVD装置の成膜プロセスの流れを説明す
る。
【0020】図2に示されている工程図は成膜プロセス
の予め指定されたレシピを実行する制御シーケンスを示
すものであり、この制御シーケンスは図1に示されたバ
ッチ式CVD装置におけるメインコントローラ20のレ
シピ記憶手段24から指令部22のRAM等に展開され
て、指令部22から各サブコントローラ12〜15に指
令される。
【0021】図1に示されているバッチ式CVD装置に
おいて、プロセスチューブ1内が温度制御サブコントロ
ーラ12によって制御されるヒータ6により所定の温度
に予め加熱される(第一工程K1)。この際に必要な温
度制御パラメータはメインコントローラ20から温度制
御サブコントローラ12に送信される。なお、処理(シ
ーケンス)時間制御パラメータやエラー処理制御パラメ
ータ等の一般的に必要な制御パラメータも、他の工程を
含めて適宜送信される。
【0022】第二工程K2において、これから処理すべ
き複数枚のウエハ7がボート8へカセット(図示せず)
から機械制御サブコントローラ15によって制御される
移載機(図示せず)により移載される。この際に必要な
移載機制御パラメータはメインコントローラ20から機
械制御サブコントローラ15に送信される。
【0023】第三工程K3において、ウエハ7を保持し
たボート8がプロセスチューブ1のインナチューブ2内
に機械制御サブコントローラ15によって制御されるエ
レベータ9により搬入される。この際に必要なエレベー
タ制御パラメータはメインコントローラ20から機械制
御サブコントローラ15に指令される。
【0024】第四工程K4において、プロセスチューブ
1内が圧力制御サブコントローラ13によって制御され
る真空排気装置5により真空排気される。この際に必要
な圧力制御パラメータはメインコントローラ20から圧
力制御サブコントローラ13に送信される。
【0025】第五工程K5において、プロセスチューブ
1内に原料ガスが流量制御サブコントローラ14によっ
て制御されるガス供給装置4により供給される。これに
より、ウエハ7の表面には熱化学反応によってCVD膜
がデポジション(堆積)される。この際に必要な原料ガ
ス供給制御パラメータはメインコントローラ20から流
量制御サブコントローラ14に送信される。また、この
際には処理時間制御パラメータや圧力制御パラメータも
必要になるので、これらの制御パラメータがメインコン
トローラ20から流量制御サブコントローラ14や圧力
制御サブコントローラ13に送信される。
【0026】第六工程K6において、プロセスチューブ
1内の残留ガスがガス供給装置4によって供給されるパ
ージガスおよび真空排気装置5による真空排気によって
除去され、さらに、プロセスチューブ1内が大気圧に維
持される。この際に必要なパージガス供給制御パラメー
タおよび圧力制御パラメータは、メインコントローラ2
0から流量制御サブコントローラ14および圧力制御サ
ブコントローラ13に送信される。
【0027】第七工程K7において、成膜済みのウエハ
7を保持したボート8がプロセスチューブ1のインナチ
ューブ2内から機械制御サブコントローラ15によって
制御されるエレベータ9により搬出される。この際に
も、メインコントローラ20から機械制御サブコントロ
ーラ15に必要な制御パラメータが送信される。
【0028】適度に冷却された後に、成膜済みのウエハ
7群はボート8からカセットへ機械制御サブコントロー
ラ15によって制御される移載機により移載される(第
八工程K8)。この際にも、必要な制御パラメータはメ
インコントローラ20から機械制御サブコントローラ1
5に送信される。以降、以上の工程が繰り返されること
になる。
【0029】次に、前記構成に係る編集制御手段23の
作用を図3に示されているフローチャートおよび図4に
示されているレシピ編集画面によって説明する。
【0030】図1において、メインコントローラ20の
コンソール21に対する作業者による操作によってレシ
ピ編集作業が開始されると、図4に示されているよう
に、レシピ編集画面30がコンソール21のディスプレ
イに表示制御手段27によって表示されるとともに、図
3に示されているように、編集制御手段23のフローチ
ャートの第一ステップS1(以下、S1という。各ステ
ップについても同様とする。)において、レシピ記憶手
段24に記憶されたレシピの制御パラメータの数値や文
字等(以下、制御パラメータという。)がレシピ編集画
面30に図4に示されているように表示される。この編
集開始のS1においては、図4に示されているレシピ編
集画面30において各制御パラメータの値は黒色をもっ
て表示されている。
【0031】ちなみに、図4のレシピ編集画面30にお
いて、31は温度制御設定部、32はガス流量設定部、
33は圧力制御設定部、34はステップ(工程)時間設
定部、35はアラームテーブル設定部、36はステップ
(工程)切換部、37は保存ボタンをそれぞれ表示して
いる。
【0032】S2において、レシピ記憶手段24に記憶
されたレシピの制御パラメータが編集用パラメータ記憶
手段25に複写される。レシピの制御パラメータがレシ
ピ編集画面30に表示され、編集用パラメータ記憶手段
25に複写されると、編集制御手段23はS3に進む。
【0033】S3においては、レシピ編集画面30の各
設定部のうち変更したい設定部における制御パラメータ
の値が入力される。この入力は、作業者がコンソール2
1を操作することによってレシピ編集画面30上の変更
したい所望の設定部および所望の項目を選定し、その選
定項目に所望の値を入力することにより、実行される。
例えば、ヒータの温度を700℃から800℃へ変更
(書換)したい場合には、温度制御設定部31の温度の
項目が選定され、その項目内の「700」を「800」
に書き換える入力が実行される。
【0034】入力された値は編集用パラメータ記憶手段
25に記憶される(S4)。
【0035】次いで、制御パラメータ比較手段26にお
いて、レシピ記憶手段24に記憶された制御パラメータ
(例えば、700℃)と編集用パラメータ記憶手段25
に記憶された制御パラメータ(例えば、800℃)とが
比較される(S5)。
【0036】比較の結果、相違が有る場合(YES)に
は、制御パラメータ比較手段26は表示制御手段27に
相違があった項目や数字について表示の色を変更する旨
の指令を通知する(S6)。通知後、編集制御手段23
はS8に進む。
【0037】比較の結果、相違が無い場合(NO)に
は、制御パラメータ比較手段26は表示制御手段27に
表示の色を変更しない旨の指令を通知する(S7)。通
知後、編集制御手段23はS8に進む。
【0038】S8において、表示色変更通知を受けた場
合には、表示制御手段27はレシピ編集画面30の変更
が指定された設定部の項目や数字について変更前の色と
異なった色をもって表示する。例えば、温度制御設定部
31の温度項目内の「800」が赤色によって表示され
る。数字自体を赤色に表示することができない場合に
は、温度項目の背景を赤色に表示してもよい。図4にお
いては便宜上、項目の背景を網掛け表示とした。
【0039】なお、編集作業中にレシピ編集画面30の
表示が切り換えられても、変更された項目の変更後の表
示はそのまま維持される。すなわち、温度制御設定部3
1の温度項目内の「800」が赤色に表示された場合に
は、そのまま赤色の表示が維持される。つまり、その後
に編集作業中のレシピ編集画面30に再び戻された時に
は、その編集作業を続行することができるようになって
いる。
【0040】S8において、表示の色を変更しない旨の
通知を受けた場合には、表示制御手段27はレシピ編集
画面30について変更前の表示の色と同じ表示の色を維
持する。例えば、温度制御設定部31の温度項目内の
「700」は黒色によって表示される。
【0041】その後、編集制御手段23はS9に進み、
編集作業が終了したを判定する。編集作業が終了しない
場合(NO)には、編集制御手段23はS3に戻って、
前述したS3〜S9のルーチンを繰り返す。編集作業が
終了した場合(YES)には、編集制御手段23はS1
0に進む。
【0042】S10においては、レシピ編集画面30の
保存ボタン37が作業者のコンソール21に対する操作
によって作動される。保存ボタン37が押されると、編
集制御手段23はS11に進む。
【0043】S11において、編集用パラメータ記憶手
段25の制御パラメータがレシピ記憶手段24に複写さ
れる。これによりレシピ編集作業は終了したことにな
る。
【0044】以上のようにして所望の項目を変更されて
編集されたレシピの制御パラメータによって前述した成
膜が実施されるに際しては、編集されてレシピ記憶手段
24に記憶されたレシピの制御パラメータがメインコン
トローラ20の指令部22に読み出されて、各サブコン
トローラ12〜15に送信されることになる。
【0045】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
【0046】1) レシピの編集に際して、レシピ編集画
面における制御パラメータの表示の色を変更の前後で相
違させることにより、数有る制御パラメータのうちから
変更された制御パラメータを明瞭化することができるた
め、作業者の意図した制御パラメータと異なった制御パ
ラメータを誤って変更したり、誤った値を設定したりす
る人為的入力ミスの発生を防止することができる。
【0047】2) レシピの制御パラメータの編集の誤り
を防止することにより、バッチ式減圧CVD装置におい
て不適切な制御パラメータをもって処理が実行される事
態の発生を防止することができるため、バッチ全体の半
導体ウエハに対する適切な成膜を確保することができ、
甚大な損失の発生を未然に防止することができる。
【0048】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【0049】レシピの編集(作成や変更を含む。)はレ
シピ編集画面に一次的に表示された制御パラメータの項
目について実行するに限らず、二次的に表示された項目
についても実行することができる。例えば、図4に示さ
れているレシピ編集画面30においてアラームテーブル
設定部35が選定されると、レシピを編集する上で必要
となるアラームテーブルを表示する画面がコンソール2
1のディスプレイに写し出されるので、このアラームテ
ーブル画面の項目について前述した作業を同様に実行す
ることができる。つまり、アラームテーブル画面等もレ
シピ編集画面の一例である。
【0050】変更(書換)の前後で表示の態様を相違さ
せて明瞭化する方法としては、制御パラメータの文字自
体の色を相違させたり、書換項目の背景の色を相違させ
たりする表示色相違方法を採用するに限らず、書換項目
の背景と文字との色を反転させる方法、書換項目や文字
を点滅させる方法、書換項目内の文字のフォントを相違
させる方法等を採用してもよい。
【0051】プロセスレシピ編集画面を表示し操作する
表示手段および入力手段としては、タッチパネル、ディ
スプレイとキーボードおよびマウスとの組合せ等のコン
ソールを採用することができる。
【0052】前記実施の形態においてはバッチ式CVD
装置について説明したが、本発明はこれに限らず、バッ
チ式拡散装置や枚葉式CVD装置等のレシピが使用され
て半導体製造プロセスが実施される半導体製造装置全般
に適用することができる。また、本発明に係る半導体製
造装置のワークはICを製造するための半導体ウエハに
限らず、LCDのガラス基板であってもよい。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置に使用されるレシピの編集に際して、変
更(書換)前後の表示の態様を相違させることにより、
数有る項目のうちから書き換えた項目を明瞭化すること
ができるため、作業者の意図した項目と項目を誤って変
更したり、誤った値を設定したりする人為的入力ミスの
発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるバッチ式CVD装
置を示すブロック図である。
【図2】成膜プロセスを示す工程図である。
【図3】レシピ編集表示制御を示すフローチャートであ
る。
【図4】レシピ編集画面を示す画面図である。
【符号の説明】
1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウ
タチューブ、4…原料ガス供給装置、5…真空排気装
置、6…ヒータ、7…ウエハ、8…ボート、9…エレベ
ータ、10…成膜実行部、11…制御システム、12…
温度制御サブコントローラ、13…圧力制御サブコント
ローラ、14…流量制御サブコントローラ、15…機械
制御サブコントローラ、16…制御ネットワーク、20
…メインコントローラ、21…コンソール(表示手段お
よび入力手段)、22…指令部、23…編集制御手段
(レシピ編集画面表示制御手段)、24…レシピ記憶手
段、25…編集用パラメータ記憶手段、26…制御パラ
メータ比較手段、27…表示制御手段、30…レシピ編
集画面、31…温度制御設定部、32…ガス流量設定
部、33…圧力制御設定部、34…ステップ時間設定
部、35…アラームテーブル設定部、36…ステップ切
換部、37…保存ボタン。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プロセスレシピ編集画面の表示制御機能
    を備えた半導体製造装置において、前記プロセスレシピ
    編集画面の複数の表示のうち変更された表示の態様が変
    更の前後で相違されることを特徴とする半導体製造装
    置。
  2. 【請求項2】 プロセスレシピ編集画面を表示し操作す
    る表示手段および入力手段にレシピ編集画面表示制御手
    段が接続されており、このレシピ編集画面表示制御手段
    は、予め設定されたレシピを記憶するレシピ記憶手段
    と、現在編集中のレシピを記憶する編集用パラメータ記
    憶手段と、前記レシピ記憶手段からのデータと前記編集
    用パラメータ記憶手段からのデータとを比較して相違点
    を前記表示手段を制御する表示制御手段に通知する制御
    パラメータ比較手段とを備えており、前記表示制御手段
    をして前記制御パラメータ比較手段からの通知の内容に
    基づいて前記プロセスレシピ編集画面の複数の表示のう
    ち前記入力手段によって変更された表示の態様を変更の
    前後で相違させるように構成されていることを特徴とす
    る請求項1に記載の半導体製造装置。
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