CN110517969A - 晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，所述晶圆缺陷监测方法包括：提供一具有晶面和包围所述晶面的晶边的晶圆，对所述晶面和/或晶边进行区域划分；提供一晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或晶边的每个区域的缺陷信息；根据每个区域的缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，根据每个区域的缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。本发明的技术方案能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地进行改善，避免批量产品的异常，提升产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体器件生产的过程中，晶圆的晶面(即功能区)上会产生各种缺陷，而晶面上的缺陷可能会是晶边上的缺陷导致的，也可能是工艺机台等因素导致的。例如，晶面上的颗粒污染，可能是晶边上的光刻胶残留颗粒掉落在晶面上导致，也可能是光刻工艺中的光刻胶污染导致，那么找到导致晶面上产生缺陷的源头后进行及时的改善就显得尤为重要。其中，针对晶边上的缺陷，在光刻、刻蚀以及酸洗等工艺过程中都会接触到晶圆的晶边，都不可避免地会对晶边产生影响，导致晶边产生缺陷。因此，如果要排除晶边上的缺陷，避免晶边上的缺陷导致晶圆报废或者避免晶边上的缺陷引起晶面上的缺陷等问题，就需要对晶边上的缺陷进行监测，并及时解决造成晶边上缺陷的问题点，进而提升晶圆的良率。
现有的线上监测晶边缺陷的方式为定点拍照或全区域扫描，其中，定点拍照的方式只会取晶边上的几十个点，如图1a所示，样本量少，不能监测到整个晶边区域；全区域扫描得到的缺陷数量太多，如图1b所示，缺陷数量可能超过10000个，没办法区分具体出现异常的晶边区域。并且，经过多个工艺之后以及晶边上的不同区域之间存在高度差，使得晶边上的不同区域的颜色差异较大，全区域扫描的时候会扫描到大量的干扰缺陷，干扰缺陷的信号值会大于真实缺陷的信号值，如图2中所示的扫描到的干扰缺陷D1的信号值为46，扫描到的真实缺陷D2的信号值为18，导致对缺陷位置判断错误；而且，因为干扰缺陷的存在，导致对尺寸小的真实缺陷的检测灵敏度降低，无法通过缺陷图片发现小尺寸的真实缺陷，进一步导致无法准确地监测晶边上的缺陷情况。
因此，有必要提出一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，能够及时发现晶边上的缺陷，进而对导致晶边缺陷的制程及机台进行改善，避免批量异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆缺陷监测方法，包括：
提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；
提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；
根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
可选的，所述晶边区域划分为包括第一上表面、侧面和第一下表面在内的至少三个区域；所述晶面包括第二上表面和第二下表面，将所述晶面的第二上表面和第二下表面从所述晶面的圆心沿着半径方向进行区域划分。
可选的，获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息的步骤包括：首先，一缺陷检测机台上的光源对所述晶面和/或所述晶边的每个区域发出检测光；接着，所述晶圆缺陷扫描系统对每个区域的表面进行扫描；接着，每个区域对应的所述缺陷检测机台上的光学探头接收缺陷信号，以获得每个区域的缺陷信息。
可选的，还包括：根据每个区域的所述缺陷信息，获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片和/或缺陷分布图，进而根据所述缺陷图片和/或缺陷分布图以及所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
可选的，每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号，纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量；判断出现异常的制程和/或机台的信息的步骤包括：
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号；
根据所述晶圆的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置；以及，
根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
本发明还提供了一种晶圆缺陷监测系统，包括：
区域划分单元，用于对一晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分，所述晶边包围所述晶面；
缺陷检测单元，用于与一晶圆缺陷扫描系统建立连接，以获取所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息；
获取单元，用于根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，
判断单元，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
可选的，所述缺陷检测单元包括：缺陷检测机台，设置在所述缺陷检测机台上的光源以及光学探头，所述光源用于对所述晶面和/或所述晶边划分的每个区域发出检测光，所述光学探头用于接收每个区域的缺陷信号；所述缺陷检测机台与所述晶圆缺陷扫描系统建立连接，以获得每个区域的缺陷信息。
可选的，所述获取单元包括：
缺陷数量变化趋势图获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷数量变化趋势图；
缺陷图片获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片；以及，
缺陷分布图获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷分布图；
根据所述缺陷数量变化趋势图以及所述缺陷图片和/或缺陷分布图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
可选的，每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号，纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量；所述判断单元包括：
异常点信息获取模块，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号；
缺陷位置获取模块，用于根据所述晶圆的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置；以及，
分析模块，用于根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
本发明还提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被一处理器执行时能实现本发明提供的所述晶圆缺陷监测方法。
本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：
采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测方法或者采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测系统，监测一被加工的晶圆的晶面和/或晶边上的缺陷情况，以判断半导体器件的制造过程中出现异常的制程和/或机台的信息。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
1、本发明的晶圆缺陷监测方法，通过采用晶圆缺陷扫描系统对区域划分后的晶面和/或晶边的各区域的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；接着，根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；接着，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息，使得能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
2、本发明的晶圆缺陷监测系统，通过采用区域划分单元对一晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分；接着，采用缺陷检测单元获取晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息；接着，采用获取单元根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；再采用判断单元根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息，使得能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
3、本发明的计算机存储介质，其内部存储有相应的程序，能够使得晶圆缺陷监测系统的处理器执行，而实现本发明的晶圆缺陷监测方法。
4、本发明的半导体器件的制造方法，由于采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测方法或者采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测系统，监测一被加工的晶圆的晶面和/或晶边上的缺陷情况，以判断半导体器件的制造过程中出现异常的制程和/或机台的信息，使得能够及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
附图说明
图1a是定点拍照的晶边的缺陷分布示意图；
图1b是全区域扫描的晶边的缺陷分布示意图；
图2是晶边上的干扰缺陷和真实缺陷的光学图片；
图3是本发明一实施例的晶圆缺陷监测方法的流程图；
图4a～4b是本发明一实施例的晶边的区域划分示意图；
图5是本发明一实施例的晶边的不同区域对应的缺陷数量变化趋势示意图；
图6是图5所示的晶边的不同区域对应的缺陷数量变化趋势示意图中的异常晶边的缺陷分布示意图；
图7a是异常晶边的缺陷位置的图片；
图7b是异常晶边的非缺陷位置的图片；
图8是本发明一实施例的晶圆缺陷监测系统的系统框图。
具体实施方式
经研究发现，不同的工艺制程和/或机台在晶圆的晶面和/或晶边上形成缺陷的区域会不同，以所述晶圆的晶边为例，将所述晶边划分为第一上表面、侧面和第一下表面三个区域，显影制程会导致所述晶边的第一上表面产生缺陷，而酸槽清洗制程会导致所述晶边的第一下表面产生缺陷。那么，根据所述晶面和/或晶边上产生缺陷的区域即可推断出导致缺陷的工艺制程和/或机台。因此，本发明提出了一种晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法，能够快速分析判断导致缺陷的工艺制程和/或机台信息，进而及时对导致缺陷的工艺制程和/或机台进行改善，避免批量产品异常，提升产品良率。
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图3～8对本发明提出的晶圆缺陷监测方法及系统和计算机存储介质以及半导体器件的制造方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明一实施例提供一种晶圆缺陷监测方法，参阅图3，图3是本发明一实施例的晶圆缺陷监测方法的流程图，所述晶圆缺陷监测方法包括：
步骤S1、提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；
步骤S2、提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；
步骤S3、根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；
步骤S4、根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
下面更为详细的介绍本实施例提供的晶圆缺陷监测方法。
按照步骤S1，提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分。所述晶面即所述晶圆的功能区或者图形区，如图4a～4b所示，所述晶面Z2包括第二上表面Z21和第二下表面Z22，可以将所述晶面的第二上表面和第二下表面从所述晶面的圆心沿着半径方向进行区域划分(未图示)，将半径等分或者不等分为多段，从而将所述晶面划分为多个同圆心的区域；或者，也可以按照所述晶面上的不同功能区域进行划分，以使得对所述晶面上产生的缺陷分析的更加准确。所述晶边即所述晶圆的非功能区，位于所述晶圆的边缘，所述晶边包括第一上表面、侧面和第一下表面，且所述晶边的第一上表面和第一下表面均包括水平面和圆弧面，因此，所述晶边可以区域划分为包括第一上表面、侧面和第一下表面在内的至少三个区域，即可以划分为第一上表面、侧面和第一下表面，也可以划分为如图4a～4b所示的五个区域，甚至可以划分为更多的区域，以使得对所述晶边上产生的缺陷分析的更加准确。图4a中所示的也是所述晶圆的纵向截面示意图，图4b所示的也是所述晶圆的俯视示意图，从图4a～4b中可看出，将所述晶边Z1沿从第一上表面延伸至第一下表面的方向划分为区域Z11(水平面，位于所述晶圆的上表面的边缘，宽度例如为5mm)、区域Z12(圆弧面，存在高度差)、区域Z13(所述晶圆的侧面，与区域Z11垂直)、区域Z14(圆弧面，存在高度差)以及区域Z15(水平面，位于所述晶圆的下表面的边缘，宽度例如为5mm))，图4a～4b中所示的为根据所述晶边的形貌差异将所述晶边划分为此五个区域，由于不同的工艺制程和/或机台对形貌不同的此五个区域导致的缺陷情况(例如缺陷种类或位置等)不同，相比其它的对所述晶边的区域划分的方式(例如仅将晶边划分为三个区域：区域Z11、区域Z15以及区域Z11和Z15所夹的中间区域)，此五个区域的划分方式能够以相对最少的划分区域来实现后续快速且准确地对导致缺陷的工艺制程和/或机台的分析。
按照步骤S2，提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息。
获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息的步骤包括：首先，一缺陷检测机台上的光源对所述晶面和/或所述晶边的每个区域发出检测光；接着，所述晶圆缺陷扫描系统对每个区域的表面进行扫描；接着，每个区域对应的所述缺陷检测机台上的光学探头接收缺陷信号，以获得每个区域的缺陷信息，所述缺陷信息可以包括缺陷种类、缺陷数量、缺陷位置等。
按照步骤S3，根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图。具体地，可以根据上述步骤S2中获得的每个区域的缺陷信息，系统自动制作每个区域的缺陷数量变化趋势图；每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标可以为所述晶圆的片号，纵坐标可以为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量，即可获得每片晶圆划分的每个区域上的缺陷数量变化情况，从而可以很清楚且及时地发现出现异常的晶圆以及晶圆上出现异常的区域；而且，可以在所述缺陷数量变化趋势图上设定每个区域的缺陷数量的规格值，当某个区域上的缺陷数量超出规格值时，系统可以报警提示作业人员，以便作业人员能够更加快速地发现异常。参阅图5，以将所述晶边划分为步骤S2中所述的区域Z11至区域Z15的五个区域为例，从图5可看出，W1～W20为所述晶圆的片号，晶圆W1至晶圆W20的区域Z11至区域Z13上的缺陷数量都在10左右平稳的波动，区域Z14上的缺陷数量在30左右平稳的波动，而晶圆W12的区域Z15上的缺陷数量为60，明显大于其它晶圆的在此区域上的20左右的缺陷数量，因此，从此图中可以快速发现晶圆W12的区域Z15出现异常，作业人员可立即进行下一步的异常处理。
另外，根据每个区域的所述缺陷信息，还可获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片或缺陷分布图，或者同时获得所述缺陷图片和缺陷分布图，进而根据所述缺陷图片和/或缺陷分布图以及所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。以所述晶边上的缺陷为例，所述晶圆缺陷扫描系统在对所述晶边的表面进行扫描的过程中，缺陷检测机台也在对所述晶边的表面进行拍照，获得所述晶边表面的形貌图片，其中包含缺陷位置的缺陷图片(如图7a所示)和非缺陷位置的图片(如图7b所示)，以辅助后续对异常制程和/或机台信息的分析；同时，也可获得所述晶边的缺陷分布图，如图6所示，区域Z11与区域Z15上的缺陷位置重叠，区域Z12与区域Z14上的缺陷位置重叠，可以明显地看到所述晶边的区域Z11与区域Z15上的某一区域(即图6中的左下角)上出现密集的缺陷，说明此缺陷密集区即所述晶边的异常区域。
所述缺陷数量变化趋势图、缺陷图片和缺陷分布图可以在每一个工艺制程之后获得，但是，考虑到不影响产品的生产效率，也可以在某个关键的工艺制程之后获得，具体可以根据生产需要进行调整。而且，采用所述缺陷数量变化趋势图对所述晶面和/或晶边上的不同区域的缺陷情况进行监控，也使得所述缺陷图片上很难发现的尺寸很细小的缺陷也能通过缺陷数量的变化而被监测到。
按照步骤S4，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。判断出现异常的制程和/或机台的信息的步骤包括：首先，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号，如图5所示，晶圆W12的晶边的区域Z15上的缺陷数量超出规格；接着，根据所述晶圆的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，如图6所示，调取的晶圆W12的所述晶边的缺陷分布图中区域Z15的左下角区域出现缺陷密集区，此缺陷密集区即所述晶边上的异常区域的位置；接着，根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置(即异常区域的位置)，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息，例如，根据图6中的区域Z15的缺陷密集区的位置，调取到如图7a所示的晶圆W12的晶边的区域Z15上的缺陷密集区所在位置的缺陷图片，与图7b的非缺陷位置的图片相比，图7a中出现较多的缺陷，可以对图7a中所示的缺陷种类等进行分析，那么，根据异常区域的区域名称以及所述缺陷图片中的缺陷种类等的分析，结合不同工艺制程和/或机台生产的特点以及生产经验，即可判断出现异常的制程和/或机台的信息。例如，在晶边的区域Z11的2mm的范围内出现的缺陷为刻蚀工艺的机台导致，在晶边的区域Z11的5mm的范围内出现的缺陷为显影工艺的机台导致，在晶边的区域Z15出现的缺陷为酸槽清洗工艺导致。因此，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图、缺陷图片和缺陷分布图能够快速地判断出现异常的制程和/或机台的信息(制程名称、机台型号、机台编号等)，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善或者维修，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
另外，上述的晶圆缺陷监测方法中的各个步骤不仅限于上述的形成顺序，各个步骤的先后顺序可适应性的进行调整。
综上所述，本发明提供的晶圆缺陷监测方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。本发明提供的晶圆缺陷监测方法能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
本发明一实施例提供一种晶圆缺陷监测系统，参阅图8，图8是本发明一实施例的晶圆缺陷监测系统的系统框图，所述晶圆缺陷监测系统1包括区域划分单元11、缺陷检测单元12、获取单元13和判断单元14。下面详细说明所述晶圆缺陷监测系统1：
所述区域划分单元11用于对一晶圆2的晶面和/或晶边进行区域划分，所述晶边包围所述晶面。上述步骤S1中已对所述晶面和/或晶边的区域划分的方式进行描述，在此不再赘述。可以将所述晶面和/或所述晶边划分的区域体现在晶圆缺陷扫描系统3中，以使得按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边进行扫描。
所述缺陷检测单元12用于与一晶圆缺陷扫描系统3建立连接，以获取所述晶圆缺陷扫描系统3按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息。所述缺陷检测单元12包括：缺陷检测机台121，设置在所述缺陷检测机台121上的光源以及光学探头，所述光源用于对所述晶面和/或所述晶边划分的每个区域发出检测光，所述光学探头用于接收每个区域的缺陷信号；所述缺陷检测机台121与所述晶圆缺陷扫描系统3建立连接，以获得每个区域的缺陷信息，所述缺陷信息可以包括缺陷种类、缺陷数量、缺陷位置等。
所述获取单元13用于根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图。所述获取单元13包括：
缺陷数量变化趋势图获取模块131，用于获取所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷数量变化趋势图。可以系统自动制作每个区域的缺陷数量变化趋势图；每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆2的片号，纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量，即可获得每片晶圆2划分的每个区域上的缺陷数量变化情况，从而可以很清楚且及时地发现出现异常的晶圆2以及晶圆2上出现异常的区域。而且，可以在所述缺陷数量变化趋势图上设定每个区域的缺陷数量的规格值，当某个区域上的缺陷数量超出规格值时，通过报警模块提示作业人员，以便作业人员能够更加快速地发现异常。
缺陷图片获取模块132，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片。以所述晶边上的缺陷为例，所述晶圆缺陷扫描系统3在对所述晶边的表面进行扫描的过程中，缺陷检测机台121也在对所述晶边的表面进行拍照，获得所述晶边表面的形貌图片，其中包含缺陷位置的缺陷图片和非缺陷位置的图片，以辅助后续对异常制程和/或机台信息的分析。
缺陷分布图获取模块133，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷分布图。以所述晶边上的缺陷为例，所述晶圆缺陷扫描系统3在对所述晶边的表面进行扫描的过程中，缺陷检测机台121也检测获得所述晶边的缺陷分布图，所述缺陷分布图上可能会出现缺陷密集区，此缺陷密集区即所述晶边的异常区域。
根据获得的所述缺陷数量变化趋势图以及所述缺陷图片和/或缺陷分布图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。所述缺陷数量变化趋势图获取模块131、缺陷图片获取模块132和缺陷分布图获取模块133可以在每一个工艺制程之后进行作业，但是，考虑到不影响产品的生产效率，也可以在某个关键的工艺制程之后进行作业，具体可以根据生产需要进行调整。而且，采用所述缺陷数量变化趋势图对所述晶面和/或晶边上的不同区域的缺陷情况进行监控，也使得所述缺陷图片上很难发现的尺寸很细小的缺陷也能通过缺陷数量的变化而被监测到。
所述判断单元14用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。所述判断单元14包括：
异常点信息获取模块141，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆2的片号。
缺陷位置获取模块142，用于根据所述晶圆2的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，所述缺陷分布图上的缺陷密集区即所述晶面和/或所述晶边上的异常区域，此异常区域即缺陷位置，其与所述异常点信息获取模块141获取的区域名称对应。
分析模块143，用于根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息。具体地，根据所述异常点信息获取模块141获取的区域名称以及所述缺陷位置获取模块142获取的缺陷位置，调取到对应的所述缺陷图片，对所述缺陷图片中的缺陷种类等进行分析，结合不同工艺制程和/或机台生产的特点以及生产经验，即可判断出现异常的制程和/或机台的信息，具体的示例见上述步骤S4，在此不再赘述。因此，根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图、缺陷图片和缺陷分布图能够快速地获得出现异常的制程和/或机台的信息(制程名称、机台型号、机台编号等)，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善或者维修，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
综上所述，本发明提供的晶圆缺陷监测系统，包括：区域划分单元，用于对一晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分，所述晶边包围所述晶面；缺陷检测单元，用于与一晶圆缺陷扫描系统建立连接，以获取所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息；获取单元，用于根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，判断单元，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。本发明提供的晶圆缺陷监测系统能够及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
本发明一实施例提供一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时能实现步骤S1至步骤S4中的晶圆缺陷监测方法。本发明的所述计算机存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备，例如可以是但不限于电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。
本发明的计算机存储介质可以嵌入安装到所述晶圆缺陷监测系统中，以获取所述晶圆缺陷扫描系统按照区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息。本发明的计算机存储介质中的计算机程序被处理器执行时，能够根据每个区域的所述缺陷信息获取每个区域的缺陷数量变化趋势图，以及能够根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，及时发现晶面和/或晶边上的缺陷，并快速分析判断出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
本发明一实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括：采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测方法或者采用本发明提供的所述晶圆缺陷监测系统，监测一被加工的晶圆的晶面和/或晶边上的缺陷情况，以判断半导体器件的制造过程中出现异常的制程和/或机台的信息。在半导体器件的制造过程中，通过采用所述缺陷数量变化趋势图对所述晶圆的晶面和/或晶边进行日常的缺陷监测，能够及时发现晶面和/或晶边上的异常缺陷；通过将所述晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分，再结合所述缺陷数量变化趋势图中的不同区域的缺陷变化情况，根据制程和/或机台生产的特点以及生产经验，将所述晶面和/或晶边上产生缺陷的不同区域与不同的制程和/或机台对应起来，能够快速分析判断半导体器件的制造过程中出现异常的制程和/或机台的信息，进而及时地对异常的制程和/或机台进行改善，避免批量产品的异常，从而提升产品良率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (11)
1.一种晶圆缺陷监测方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆具有晶面和包围所述晶面的晶边，对所述晶面和/或所述晶边进行区域划分；
提供一晶圆缺陷扫描系统，所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描，以获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息；
根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测方法，其特征在于，所述晶边区域划分为包括第一上表面、侧面和第一下表面在内的至少三个区域；所述晶面包括第二上表面和第二下表面，将所述晶面的第二上表面和第二下表面从所述晶面的圆心沿着半径方向进行区域划分。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测方法，其特征在于，获得所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷信息的步骤包括：首先，一缺陷检测机台上的光源对所述晶面和/或所述晶边的每个区域发出检测光；接着，所述晶圆缺陷扫描系统对每个区域的表面进行扫描；接着，每个区域对应的所述缺陷检测机台上的光学探头接收缺陷信号，以获得每个区域的缺陷信息。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测方法，其特征在于，还包括：根据每个区域的所述缺陷信息，获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片和/或缺陷分布图，进而根据所述缺陷图片和/或缺陷分布图以及所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
5.如权利要求4所述的晶圆缺陷监测方法，其特征在于，每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号，纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量；判断出现异常的制程和/或机台的信息的步骤包括：
根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号；
根据所述晶圆的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置；以及，
根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
6.一种晶圆缺陷监测系统，其特征在于，包括：
区域划分单元，用于对一晶圆的晶面和/或晶边进行区域划分，所述晶边包围所述晶面；
缺陷检测单元，用于与一晶圆缺陷扫描系统建立连接，以获取所述晶圆缺陷扫描系统按照所述区域划分对所述晶面和/或所述晶边的表面进行扫描获得的每个区域的缺陷信息；
获取单元，用于根据每个区域的所述缺陷信息，获取每个区域的缺陷数量变化趋势图；以及，
判断单元，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
7.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测系统，其特征在于，所述缺陷检测单元包括：缺陷检测机台，设置在所述缺陷检测机台上的光源以及光学探头，所述光源用于对所述晶面和/或所述晶边划分的每个区域发出检测光，所述光学探头用于接收每个区域的缺陷信号；所述缺陷检测机台与所述晶圆缺陷扫描系统建立连接，以获得每个区域的缺陷信息。
8.如权利要求1所述的晶圆缺陷监测系统，其特征在于，所述获取单元包括：
缺陷数量变化趋势图获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的每个区域的缺陷数量变化趋势图；
缺陷图片获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷图片；以及，
缺陷分布图获取模块，用于获取所述晶面和/或所述晶边的缺陷分布图；
根据所述缺陷数量变化趋势图以及所述缺陷图片和/或缺陷分布图，判断出现异常的制程和/或机台的信息。
9.如权利要求8所述的晶圆缺陷监测系统，其特征在于，每个区域的所述缺陷数量变化趋势图的横坐标为所述晶圆的片号，纵坐标为所述晶面和/或所述晶边上的缺陷数量；所述判断单元包括：
异常点信息获取模块，用于根据每个区域的所述缺陷数量变化趋势图，获得缺陷数量超出规格的异常点所对应的区域名称以及所述晶圆的片号；
缺陷位置获取模块，用于根据所述晶圆的片号，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷分布图，以得到所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置；以及，
分析模块，用于根据所述晶面和/或所述晶边上的缺陷位置，调取对应的所述晶面和/或所述晶边的所述缺陷图片，并结合异常点所对应的区域名称进行分析，以判断出现异常的制程和/或机台的信息。
10.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被一处理器执行时能实现权利要求1至5中任一项所述的晶圆缺陷监测方法。
11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1至5中任一项所述的晶圆缺陷监测方法或者采用权利要求6至9中任一项所述的晶圆缺陷监测系统，监测一被加工的晶圆的晶面和/或晶边上的缺陷情况，以判断半导体器件的制造过程中出现异常的制程和/或机台的信息。
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