JP2001264264A - 異物または欠陥検査装置、および、異物または欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導体ウェハや薄膜基板の製造過程の検査や不良解析を
おこなうにあたり、迅速な不良対策をおこなえるように
する。 【解決手段】光学的系により検査する異物または欠陥検
査装置において、その結果において、異物または欠陥の
大きさと不良原因を関連させて、データ処理手段で、検
査の結果の統計から不良原因を指摘し、前記検査の結果
情報を表示する。また、半導体ウェハなどの領域別に不
良となるしきい値を設け、異物を統計的に評価すること
により、不良解析をおこなう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、異物または欠陥検
査装置、および、異物または欠陥検査方法に係り、半導
体チップや液晶製品を製造する際の薄膜基板や半導体基
板やフォトマスク等に存在する異物やそのパターンに生
じるパターン欠陥の検査とその不良原因の解析にあたっ
て、その検査結果をユーザに分析しやすい形式で表示
し、その不良原因を迅速に究明できる異物または欠陥検
査装置、および、異物または欠陥検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板上等の欠陥を光学的測
定手段により検出する技術は広く知られている。例え
ば、特開昭６２−８９３３６号公報の「半導体ウェハ検
査装置」では、半導体基板上にレーザを照射して半導体
基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの
散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の
検査結果と比較することにより、異物または欠陥検査を
可能にする技術が開示されている。

【０００３】また、特開平５−２７３１１０号公報の
「粒子または欠陥の大きさ情報の測定方法および装置」
に記載されているように、レーザビームを被検物体に照
射し、その被検物体の粒子または結晶欠陥からの散乱光
を受光して画像処理することにより粒子または結晶欠陥
の大きさを測定する方法が開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来、半導体基板や薄
膜基板等の製造ラインにおいて、製品の製造プロセス管
理をおこなう手法の一つとして、基板上の異物や欠陥を
モニタリングする管理手法が用いられている。このよう
なモニタリングをする方法の一つとしては、基板上の異
物やパターン欠陥を検査する異物または欠陥検査装置を
用いて検査し、その異物または欠陥検査装置からの検出
個数の推移を監視する方法が用いられており、検出個数
が多い基板に対しその基板上の異物・欠陥に対して不良
解析をおこなっていた。

【０００５】しかしながら、この従来技術の手法では、
不良解析に要する時間は「検出個数×一つの異物・欠陥
に対する不良解析時間」になってしまう、特に、異物欠
陥検査装置での検出個数が多い場合には不良解析に膨大
な時間がかかってしまい、基板の製造が滞ってしまうと
いう問題がある。

【０００６】本発明は、上記従来技術を解決するために
なされたもので、その目的は、半導体ウェハや薄膜基板
の製造過程の検査や不良解析をおこなうにあたり、異物
の大きさやパターン欠陥の大きさ、また、被検査物の領
域の特性に応じた検査をおこなうことにより迅速な不良
対策をおこなうことのできる異物または欠陥検査装置、
ならびに、異物または欠陥検査方法を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の異物または欠陥検査装置に係る発明の第一
の構成は、被検査対象物を光学的手法によって測定し、
異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置におい
て、前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、前記
被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する光検
出手段と、その光検出手段によって検出された信号に基
づいて、異物または欠陥を検出する検出手段と、その光
検出手段によって検出された信号に基づいて、信号処理
をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測定手段
と、検査の結果を処理するデータ処理手段と、検査の結
果情報を表示する手段とを備え、異物または欠陥の大き
さと不良原因を関連させて、前記データ処理手段で、検
査の結果の統計処理から不良原因を指摘し、前記検査の
結果情報を表示する手段に表示するようにしたものであ
る。

【０００８】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査装置に係る発明の第二の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査装置において、前記被検査対象
物に光を照射する照明手段と、前記被検査対象物からの
反射光または散乱光を検出する光検出手段と、その光検
出手段によって検出された信号に基づいて、異物または
欠陥を検出する検出手段と、その光検出手段によって検
出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠
陥の大きさを測定する寸法測定手段と、検査の結果を処
理するデータ処理手段と、検査の結果情報を表示する手
段とを備え、前記検査の結果情報を表示する手段に、前
記寸法測定手段によって得られた異物または欠陥の大き
さの頻度分布表示をおこなうようにしたものである。

【０００９】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査装置に係る発明の第三の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査装置において、前記被検査対象
物に光を照射する照明手段と、前記被検査対象物からの
反射光または散乱光を検出する光検出手段と、その光検
出手段によって検出された信号に基づいて、異物または
欠陥を検出する検出手段と、その光検出手段によって検
出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠
陥の大きさを測定する寸法測定手段と、検査の結果を処
理するデータ処理手段と、検査の結果情報を表示する手
段とを備え、前記検査の結果情報を表示する手段に、特
定の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠陥と弁
別して表示するようにしたものである。

【００１０】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査装置に係る発明の第四の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査装置において、前記被検査対象
物に光を照射する照明手段と、前記被検査対象物からの
反射光または散乱光を検出する光検出手段と、その光検
出手段によって検出された信号に基づいて、異物または
欠陥を検出する検出手段と、その光検出手段によって検
出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠
陥の大きさを測定する寸法測定手段と、検査の結果を処
理するデータ処理手段と、検査の結果情報を表示する手
段とを備え、被検査対象物の領域毎に管理情報を設け、
その管理情報とその領域から検出された異物または欠陥
の大きさを比較して、被検査対象物の領域毎の品質の良
・不良を評価することによって、領域毎に不良解析をお
こなえるようにしたものである。

【００１１】より詳しくは、上記異物または欠陥検査装
置において、前記評価の結果に基づいて、前記領域毎に
特定の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠陥と
弁別して表示するようにしたものである。

【００１２】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査装置に係る発明の第五の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査装置において、前記被検査対象
物に光を照射する照明手段と、前記被検査対象物からの
反射光または散乱光を検出する光検出手段と、その光検
出手段によって検出された信号に基づいて、異物または
欠陥を検出する検出手段と、その光検出手段によって検
出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠
陥の大きさを測定する寸法測定手段と、検査の結果を処
理するデータ処理手段と、検査の結果情報を表示する手
段とを備え、前記被検査対象物は領域毎に管理されてい
て、前記検査の結果情報を表示する手段として、前記寸
法測定手段によって得られた異物または欠陥の大きさの
頻度分布表示を、領域毎におこなうようにしたものであ
る。

【００１３】より詳しくは、上記異物または欠陥検査装
置において、前記照明手段において、異物または欠陥を
検出するための光源と、異物または欠陥の大きさを測定
するために光源とが同一の光源であるようにしたもので
ある。

【００１４】また詳しくは、上記異物または欠陥検査装
置において、前記照明手段からの照明光源にレーザ光を
用い、さらに、この異物または欠陥検査装置は、照明さ
れた被検査対象物からの散乱光を集光する集光手段を有
し、前記光検出手段は、その集光手段により集光された
散乱光を検出するものであって、前記寸法測定手段によ
り異物または欠陥の大きさを測定するのに、前記光検出
手段により検出された信号値の積分値を用いるようにし
たものである。

【００１５】次に、上記目的を達成するために、本発明
の異物または欠陥検査方法に係る発明の第一の構成は、
被検査対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥
を検出する異物または欠陥検査方法において、前記被検
査対象物に光を照射する手順と、前記被検査対象物から
の反射光または散乱光を検出する手順と、検出された信
号に基づいて、異物または欠陥を検出する手順と、検出
された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥
の大きさを測定する手順と、検査の結果を処理するデー
タ処理手順と、検査の結果情報を表示する手順とをこの
順におこなって、異物または欠陥の大きさと不良原因を
関連させて、前記データ処理手順で、検査の結果の統計
処理から不良原因を指摘し、前記検査の結果情報を表示
するようにしたものである。

【００１６】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査方法に係る発明の第二の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査方法において、前記被検査対象
物に光を照射する手順と、前記被検査対象物からの反射
光または散乱光を検出する手順と、検出された信号に基
づいて、異物または欠陥を検出する手順と、検出された
信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥の大き
さを測定する手順と、検査の結果を処理するデータ処理
手順と、検査の結果情報を表示する手順とをこの順にお
こなって、前記検査の結果情報を表示するときに、前記
寸法を測定する手順によって得られた異物または欠陥の
大きさの頻度分布表示をおこなうようにしたものであ
る。

【００１７】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査方法に係る発明の第三の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査方法において、前記被検査対象
物に光を照射する手順と、前記被検査対象物からの反射
光または散乱光を検出する手順と、検出された信号に基
づいて、異物または欠陥を検出する手順と、検出された
信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥の大き
さを測定する手順と、検査の結果を処理するデータ処理
手順と、検査の結果情報を表示する手順とをこの順にお
こなって、前記検査の結果情報を表示するときに、特定
の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠陥と弁別
して表示するようにしたものである。

【００１８】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査方法に係る発明の第四の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査方法において、前記被検査対象
物に光を照射する手順と、前記被検査対象物からの反射
光または散乱光を検出する手順と、検出された信号に基
づいて、異物または欠陥を検出する手順と、検出された
信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥の大き
さを測定する手順と、検査の結果を処理するデータ処理
手順と、検査の結果情報を表示する手順とをこの順にお
こなって、被検査対象物の領域毎に管理情報を設け、そ
の管理情報とその領域から検出された異物または欠陥の
大きさを比較して、被検査対象物の領域毎の品質の良・
不良を評価することによって、領域毎に不良解析をおこ
なえるようにしたものである。

【００１９】より詳しくは、上記異物または欠陥検査方
法において、前記評価の結果に基づいて、前記領域毎に
特定の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠陥と
弁別して表示するようにしたものである。

【００２０】上記目的を達成するために、本発明の異物
または欠陥検査方法に係る発明の第五の構成は、被検査
対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出
する異物または欠陥検査方法において、前記被検査対象
物に光を照射する手順と、前記被検査対象物からの反射
光または散乱光を検出する手順と、検出された信号に基
づいて、異物または欠陥を検出する手順と、検出された
信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥の大き
さを測定する手順と、検査の結果を処理するデータ処理
手順と、検査の結果情報を表示する手順とをこの順にお
こなって、前記被検査対象物は領域毎に管理されてい
て、前記検査の結果情報を表示するときに、その領域毎
に前記寸法を測定する手順によって得られた異物または
欠陥の大きさの頻度分布表示を、領域毎におこなうよう
にしたものである。

【００２１】より詳しくは、上記異物または欠陥検査方
法において、前記照明する手順において、異物または欠
陥を検出するための光源と、異物または欠陥の大きさを
測定するために光源とが同一の光源であるようにしたも
のである。

【００２２】また詳しくは、上記異物または欠陥検査方
法において、前記照明する手順の照明光源にレーザ光を
用い、照明された被検査対象物からの散乱光を集光する
集光手順をおこなって、被検査対象物からの光検出は、
その集光手段により集光された散乱光を検出するもので
あって、前記寸法測定手段により異物または欠陥の大き
さを測定するのに、光検出時に検出された信号値の積分
値を用いるようにしたものである。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る各実施形態
を、図１ないし図１４を用いて説明する。 〔本発明に係る異物または欠陥検査装置の構成と動作〕
先ず、図１および図２を用いて本発明に係る異物または
欠陥検査装置の構成と動作について説明する。図１は、
本発明に係る異物または欠陥検査装置の構成を示す図で
ある。図２は、本発明に係る異物または欠陥検査装置を
システムとして動作させるときのブロック図である。

【００２４】以下、実施の形態では、半導体ウェハ上の
異物を検査する場合を例に採り説明するが、本発明は、
異物以外のパターン欠陥を検査する装置でも適用が可能
である。また、半導体ウェハに限らず、薄膜基板やフォ
トマスク、ＴＦＴ、ＰＤＰ等にも適用可能である。

【００２５】本発明に係る異物または欠陥検査装置は、
照明光学系１０１、検出光学系１０３、光検出部１０
４、信号処理回路１０５、データ表示部１０６、ステー
ジ部１０７、オートフォーカス照明部１０８、オートフ
ォーカス受光部１０９から構成されている。

【００２６】検査をおこなうときには、被検査物１０２
をステージ部１０７に載せ、照明光学系１０１で被検査
物１０２を照射し、被検査物１０２からの散乱光を検出
光学系１０３で集光する。そして、光検出部１０４で被
検査物１０２からの散乱光を検出する。光検出部１０４
で検出された散乱光は光電変換等を施され、信号処理回
路１０５で信号処理することにより、異物が検出され、
その大きさが測定される。

【００２７】また、ステージ部１０７により、被検査物
１０２を水平方向に移動させ、さらに、オートフォーカ
ス照明部１０８、オートフォーカス受光部１０９で被検
査物１０２が検出光学系１０３の焦点位置にくるように
垂直方向に移動させることによって、被検査物１０２の
全領域における異物の検出とその大きさの測定が可能と
なる。そして、その検出結果は、データ表示部１０６に
表示される。

【００２８】ここで、照明光学系１０１は、例えば、Ａ
ｒレーザや半導体レーザ等のレーザ光源をビームエキス
パンダやコリメータレンズ、シリンドリカルレンズ等を
用いて被検査物１０２上に光を照射するように構成され
たものであり、検出光学系１０３の焦点位置に光が照射
されるように調整されている。また、検出光学系１０３
は、照明光学系１０１によって照射された光のうち、被
検査物１０２からの散乱光を光検出部１０４に集光させ
るように光学レンズが構成されている。また、この検出
光学系１０３は、その散乱光に対する光学処理、例え
ば、偏光板や空間フィルタによる光学特性の変更・調整
等もおこなえるようになっている。

【００２９】光検出部１０４は、検出光学系１０３によ
って集光された散乱光を受光し、光電変換するために用
いるものであり、例えば、ＴＶカメラやＣＣＤリニアセ
ンサやＴＤＩセンサやアンチブルーミングＴＤＩセンサ
やフォトマルである。さらに、信号処理回路１０５は、
異物を検出する部分と異物の大きさを測定する部分から
構成されている。この信号処理回路１０５によって、異
物を検出するときには、例えば、入力信号を２値化し、
２値化しきい値以上の信号を異物と判定して出力する。
また、この信号処理回路１０５では、異物の大きさも測
定するがその処理については後に詳述するものとする。
さらに、ステージ部１０７は、例えば、被検査物１０２
を水平・垂直方向に移動させたり、被検査物１０２を回
転させたりする機構を備えたものである。また、オート
フォーカス照明部１０８は、例えば、Ｈｇランプ等の白
色光源やＨｅ−Ｎｅ等のレーザ光源から照射された光を
被検査物１０２上に集光させる。オートフォーカス受光
部１０９は、オートフォーカス照明部１０８から照射さ
れた光のうち、被検査物１０２から反射された光を受光
する部分であり、例えば、ポジションセンサのような光
の位置を検出できるものを用いる。さらに、オートフォ
ーカス受光部１０９で得られた情報は、ステージ部１０
７に送られステージの制御に用いられる。なお、この図
で示している例では、照明光学系１０１は、被検査物１
０２に対し、１方向から照明する場合の例を示している
が、２つ以上の方向から照明する構成でも良い。さら
に、この図の例では、検出光学系１０３および検出部１
０４がそれぞれ１つであり、被検査物１０２に対して１
方向で検出しているが、これらを２以上持ち、２つ以上
の方向で検出する構成でも良い。

【００３０】次に、本発明に係る異物または欠陥検査装
置を用いてシステムを構成すると図２に示されるように
なる。すなわち、このシステムは、本発明の異物検査装
置１３０１、データサーバ１３０２、レビュー装置１３
０３、電気テスト装置１３０４、分析装置１３０５、各
装置を接続するネットワーク１３０６から構成されてい
る。ここで、レビュー装置１３０３は、例えば、測長Ｓ
ＥＭであり、また、電気テスト装置１３０４は、テスタ
ーであり、分析装置１３０５は、ＥＤＸのような異物の
成分を分析する装置である。また、データサーバ１３０
２は、異物検査装置１３０１の検査データやレビュー装
置１３０３のレビュー結果、また、電気テスト装置１３
０４のテスト結果、分析装置１３０５の分析結果を収
集、蓄積可能なコンピュータであり、ネットワーク１３
０６は、例えば、イーサネット（登録商標）による通信
ネットワークである。

【００３１】次に、異物または欠陥検査装置を用いたシ
ステムの動作について説明する。異物検査装置１３０１
で検査がおこなわれた後に、上記で説明したような方法
で対策が必要な異物を選択する。異物検査装置１３０１
の検査結果、例えば、検出異物の検出時の通し番号や異
物の位置情報や異物の大きさ情報に対し、選択された異
物の情報を付加してデータサーバ１３０２にネットワー
ク１３０６を介して送信する。ここで、選択された異物
の情報の付加方法としては、例えば、前記検査結果に対
策の要否のフラグを付加してやれば良い。そして、異物
検査装置１３０１で検出された異物をさらに詳しく調べ
るために、被検査物をレビュー装置１３０３に移動させ
る。この移動は、手搬送でも良いし、機械搬送でもかま
わない。被検査物をレビュー装置１３０３に移動させた
後、レビュー装置１３０３からデータサーバ１３０２に
アクセスし、ネットワーク１３０６を介してデータサー
バ１３０２から検査結果を受信する。そして、この検査
結果を用いてレビューを開始する。この時、異物検査装
置１３０１により付加された情報を用いて、対策が必要
な異物を優先的にレビューすることにより、不良原因と
なる異物の解析を迅速におこなうことが可能となる。ま
た、同様に、分析装置１３０５においても異物検査装置
１３０１により付加された情報により、対策が必要な異
物を優先的に分析ができ、不良原因の解析を迅速に進め
ることができる。

【００３２】これらのレビューデータや解析結果は、デ
ータサーバ１３０２に蓄積しておき、電気テスト装置１
３０４でのテスト結果と突き合わせることにより、最終
的に不良になるか否かを確認することができる。もし、
最終的に不良とならない場合には、データサーバ１３０
２から異物検査装置１３０１に対して対策が必要な異物
を選択する基準を変更するデータを送信し、異物検査装
置１３０１の対策要否の基準を変更することによって、
対策が必要な異物を、より高精度に選択することが可能
となり、半導体製造における不良対策をより迅速におこ
なうことが可能となる。

【００３３】なお、以上の説明はネットワークを介して
データの送受信をおこなうことを例にとって説明した
が、必ずしもネットワークを介しておこなう必要は無
く、取り外し可能な記憶媒体やプリントアウトされた紙
によるデータの受け渡しをおこなっても良い。

【００３４】〔異物の大きさの測定〕次に、図３および
図４を用いて本発明の異物または欠陥検査装置により異
物の大きさを測定する処理について説明する。図３は、
異物があるときの画像データを示す図と、異物データを
測定したときの信号強度の分布を示す図である。図４
は、二種類の信号強度の分布を対比した図と、信号強度
を最大値を求めるための説明図である。

【００３５】図３（ａ）は、異物がある場合の信号処理
回路１０５で処理される画像の一例を示したものであ
り、画像の中央部に異物データ２０１が存在している。
異物データ２０１は、光検出部１０４から出力され、信
号処理回路１０５によって濃淡値を持ったデータとして
捉えられる。図３（ｂ）は、図３（ａ）を３次元的に表
現したもので、ｘ，ｙ軸は画像内での位置を定めるため
の座標軸あり、ｚ軸はその位置での信号強度をプロット
し、線で結んだものである。この図３（ｂ）で、波形２
０２が異物データ２０１の波形データを示している。こ
の波形２０２は、照明光学系１０１、検出光学系１０３
の性質からガウス分布に近似可能な波形となり、被検査
物１０２上の異物の大きさによって、このガウス分布の
幅や高さが変化する。さらに、該分布の幅や高さは照明
光学系１０１で用いたレーザ照明の照度によっても変化
する。したがって、分布の形状や特徴量を本発明の装置
構成で各種の標準粒子に対して事前に測定しておき、そ
の測定結果と検出した波形２０２とを比較すれば、検出
異物の大きさ情報を得ることができる。

【００３６】ここで、標準粒子の波形と異物の波形２０
２を比較する方法としては、異物データ２０１部分の信
号強度の総和（積分値）、すなわち、波形２０２の容積
データを測定しておき、標準粒子での容積データと異物
データ２０１の容積データを比較すればよい。ただし、
これらのデータの測定時に照明光学系１０１の照度の違
いがある場合は、それぞれの容積データをそれぞれ用い
た照明光学系１０１の照度で除算することによって正規
化するか、照度の比を異物データ２０１または標準粒子
の容積データに掛け合わせることによって容積データの
補正をおこなう。

【００３７】また、波形を比較する別の方法として、波
形２０２の信号強度の最大値、または波形２０２の幅を
比較しても良い。

【００３８】以下では、この内で信号強度の最大値を求
める方法について図４を用いて説明する。図４は、波形
２０２と同様に、異物データの波形データの例を示して
おり、図４（ａ）は、光検出部１０４によって得られた
異物データの信号波形が、ピークを持つ山形の波形にな
っている例であり、これは、信号が光検出部１０４の飽
和領域に達していないことを示している。また、図４
（ｂ）は、異物データの信号波形が、頂上で台地のよう
な波形になっている例であり、これは信号が光検出部１
０４の飽和領域に達しており、飽和領域以上のデータが
存在しないことを示している。

【００３９】信号強度の最大値は、図４（ａ）のような
信号波形を描く場合には、波形の各画素の信号強度を比
較し最大となった値、すなわち、ピーク点信号強度３０
１を信号強度の最大値とする。また、図４（ｂ）のよう
な信号波形を描く場合には、以下にに示すような計算を
おこなって、信号強度の最大値を求める。

【００４０】先ず、飽和領域３０２において、ｘ，ｙ方
向に対し、飽和している領域の最大長を求める。図４
（ｃ）に示されているのは、その最大長部分による図４
（ｂ）の断面である。この図４（ｃ）において、横軸は
最大長部分の画素位置を示す座標軸であり、縦軸は信号
強度を示す座標軸である。また、信号強度３０３は、光
検出部１０４の飽和レベルを示している。この断面に対
し、飽和していない信号３０４を３点以上選択する。こ
こでは、３点選択するものとして説明しよう。選択する
点として、この断面部の飽和していない信号を信号強度
の大きいものから３点選択する。選んだ３点のデータに
対し、それぞれの座標をｘ１，ｘ２，ｘ３、また、それ
ぞれの信号強度をｚ１，ｚ２，ｚ３とすると、未知数
ｋ，σ，ｕを用いて

【００４１】

【数1】ｚ１＝ｋ／σ×ｅｘｐ（−（ｘ１−ｕ）²／（２
×σ²）） ｚ２＝ｋ／σ×ｅｘｐ（−（ｘ２−ｕ）²／（２×
σ²）） ｚ３＝ｋ／σ×ｅｘｐ（−（ｘ３−ｕ）²／（２×
σ²）） のガウス分布の式が得られる。未知数ｋ，σ，ｕは、前
記３式を連立させることにより求めることができる。そ
して、求めたｋ，σの値を用いると、図３（ｂ）の信号
強度の最大値は、 ｋ／σ として計算できる。

【００４２】以上の計算によって得られる信号強度の最
大値を標準粒子の値と、検出した異物の値とで比較する
ことにより、異物の大きさを測定することができる。

【００４３】なお、本実施形態では、上の構成の説明の
ところで、照明光学系１０１はレーザ光を用いる例を挙
げたが、白色光を用いた測定でも良い。また、繰り返し
性を有する回路パターン上の異物については、その繰り
返しパターン上に異物の存在しない画像と異物の存在す
る画像との差分をとった後に上記の大きさ測定処理をし
ても良い。また、繰り返し性の有無にかかわらず、回路
パターン上や膜上例えば酸化膜や金属膜上の異物におい
て、事前に回路パターンや膜から散乱光データが得られ
る場合には、そのデータを用いて異物の大きさデータを
補正しても良い。さらに、異物の大きさを測定するため
に、ここでは標準粒子の大きさとの比較するものとして
説明したが、これを大きさが既知の異物と比較しても良
い。

【００４４】以上の説明では、散乱光により異物検査を
おこなってきた。この方法のメリットとしては、異物の
発見が能率的におこなえることがある。また、上で述べ
た方法によって、異物の大きさを求めることにすれば、
大きさを測定するための特別な光源を必要とせず、異物
を発見することと、その大きさを測定することが、同一
の散乱光による光源でおこなえると言うメリットがあ
る。

【００４５】〔不良原因の解析と結果表示〕次に、図５
ないし図１０を用いて本発明の異物または欠陥検査装置
により、異物の大きさを測定したときに、不良原因を解
析する手順と結果をユーザに表示する手順について説明
する。図５は、不良原因によって、異物の大きさと発生
個数の関係が変わることを示した図である。図６は、異
物の検出個数と異物の大きさを折れ線グラフで示した図
である。図７は、異物の検出個数と異物の大きさをヒス
トグラムで示した図である。図８は、ウェハ上の特定の
大きさの異物を明示的に示した模式図である。図９は、
時系列で、特定の異物の大きさ毎の検出個数の推移を示
したグラフである。図１０は、ユーザに異物の発生した
不良原因を表示する画面の図である。

【００４６】本発明の重要なアイデアの一つとして、異
物の大きさ情報を不良原因の解析のために用いることが
ある。以下、異物の大きさ情報を不良原因の解析のため
に用いることの有効性を説明しよう。

【００４７】ここで、半導体製造装置、例えば、エッチ
ング装置にかけたウェハから異物が検出され、異物の大
きさと発生個数の関係が、図５に示されるようになった
とする。図５（ａ）における領域４０１は、エッチング
装置のプロセス中に定常的に発生する異物の分布を示し
ている。この場合には、異物の大きさはａ〜ｂの部分に
集中していて、異物の大きさに従って、なだらかな山が
一つできている。

【００４８】これに対して、図５（ｂ）は、装置異常時
の異物発生分布の一例を示したものであり、この場合に
は、領域４０１に示す定常状態での異物に加えて、領域
４０２に示すような大きい異物（大きさｃ以上の部分）
が多発している。この原因として、エッチング処理中に
エッチング装置の内側壁面に堆積した堆積物が壁面から
剥がれ落ちたことが考えられる。また、図５（ｃ）も異
常時の発生異物分布の一例を示している。この場合、定
常状態での異物に加えて、異物の大きさがｄ〜ｅの部分
に集中していることを示している。この原因としては、
エッチング処置中に特定パターンが剥がれ飛んだことが
考えられる。

【００４９】このように、半導体等の製造装置において
は、発生する異物の大きさと異物の発生原因に関連があ
り、特定の大きさの異物発生状況を管理することによ
り、製造装置での異物の発生原因を迅速に知ることがで
きる。すなわち、異物の大きさとその発生個数の関係を
調べることにより、不良原因を究明することができる。

【００５０】なお、当然のことながら、前記ａ〜ｅ等の
値は製造装置・製造プロセス等により変化する値であ
り、また、他の原因で発生した異物では、異なった大き
さの分布を示す場合があるので、発生原因毎の異物の大
きさ分布に合わせたデータを用いる方が良い。また、本
例では二つの範囲で異物の発生の原因を特定しようとし
たが、二つ以上の領域に分割しても良い。

【００５１】次に、具体的に不良原因を解析する機能に
ついて説明する。

【００５２】先ず、データ表示部１０６で異物の大きさ
と検出個数の表示について説明する。データ表示部１０
６では、前述したような異物の大きさ分布のグラフ、つ
まり、異物の大きさとその異物の検出個数の関係が分か
るようなグラフを表示する。図５は横軸に異物の大きさ
を、縦軸に検出した異物の個数を配したグラフである。
点５０１は、大きさ別の検出個数を示しており、このグ
ラフの例では、０．１μｍ単位のデータを示している。
また、グラフ５０２は、点５０１を直線で結んだ線であ
る。本例のようなグラフを表示することにより、被検査
物１０２から検出された異物の分布がどのようになって
いるかを迅速に見て取ることができる。ここで、横軸の
最小値は、例えば、異物検査装置の最小検出寸法か、半
導体製造ラインで管理したい異物の大きさにすれば良
い。また、目盛りはこのグラフの様に対数表示しても良
いし、線形にしても良く、目盛りの単位を可変にしても
良い。さらに、各軸の表示範囲は固定していても良い
し、可変にしても良く、例えば、特定の大きさだけ表示
させることによって、特定の発生原因の異物だけを表示
させても良い。また、縦軸と横軸に配する内容を入れ替
えても良く、検出異物数の代わりに異物の密度で表現し
ても良い。さらに、本例ではグラフを表示したが、グラ
フの他にグラフの平均値やグラフの標準偏差値または分
散値も表示しても良い。

【００５３】また、グラフの表示は、図７に示したよう
なヒストグラムでおこなっても良い。この図７のグラフ
は、図６と同様に横軸に異物の大きさを、縦軸に検出し
た異物の個数を配したグラフである。このグラフでは、
横軸を異物の大きさをある区間毎に区分けして表示して
おり、はデータ区間を０．２μｍ単位にした場合を示し
ている。さらに、棒グラフを選択すると選択された部分
の検出異物の位置情報を表示する機能を付加しても良
い。

【００５４】この検出した異物の位置情報について、表
示する機能について説明する。図８（ａ）は、異物検査
によって検出された全検出異物の位置情報を表示してい
る。この図では、例えば、８インチの半導体ウェハの外
形７０１上に、検出された異物７０２が存在することを
示している。このとき、図７における棒グラフ６０１を
クリック、あるいは、ダブルクリックすると、棒グラフ
６０１の区間、すなわち、２．８μｍ〜３．０μｍの異
物７０３の表示を図８（ｂ）のように変える機能を設け
る。これにより、特定の大きさの異物の被検査物１０２
上での位置が迅速に把握可能となる。

【００５５】次に、図９により特定の異物の大きさを時
系列で統計を取ったときの管理手法について説明する。

【００５６】ここで、図９（ａ）は、同一製造装置で処
理された同一プロセスのウェハについて、異物検出装置
で検出された大きさを問わないあらゆる異物の総和の時
系列毎の推移を表示したもの、図９（ｃ）は、図７の例
に示した異物の大きさの２．８〜３．０［μｍ］の大き
さの異物の総和の時系列毎の推移を表示したものであ
り、また、図９（ｂ）は、それ以外の大きさの異物の総
和の時系列毎の推移を表示したものであるとする。

【００５７】また、しきい値１００１、１００２、１０
０３はそれぞれの異物数の管理基準値を示しており、こ
れらのしきい値よりも多くの異物を検出した場合は、そ
のウェハが異常であると診断することを示している。す
なわち、図９（ａ）は、検査時点Ａのあたりのピーク値
１００４が異常を示していると判断される。

【００５８】ところが、図９（ａ）での統計だけでは、
なんらかの異常が出ていることは推測されるが、その原
因究明まではおこないがたい。

【００５９】一方、本発明の検査手法により、大きさ別
に異物の大きさを管理すると、図９（ｃ）のＡ時点で著
しいピーク１００５が見られ、この時点で検査されたロ
ットに２．８〜３．０［μｍ］の大きさの異物が特に集
中していることがわかる。したがって、図１０（ｂ）で
はしきい値を超えた部分がなく、図１０（ｃ）ではピー
ク値１００５が検知されていて、図５に示した理由によ
って、ユーザは、エッチング処置中にウェハ上のこの大
きさのパターンが剥がれ飛んだことが異物が特に多くな
った要因だと推測でき、エッチング装置を点検するなど
の有効な不良対策を迅速におこなうことが可能になる。

【００６０】次に、図１１により不良原因をユーザに表
示する例を説明する。

【００６１】本発明に係る異物または欠陥検査装置は、
異物の大きさと異物の検出個数を解析して、不良原因を
ユーザに表示する機能を有する。

【００６２】例えば、図５（ｃ）に挙げた不良原因をモ
デルに採って、図７の示されるグラフのような結果が検
査の結果が得られたとする。そして、図５のｄ〜ｅの区
間が図７の２．８μｍ〜３．０μｍに対応しているもの
とする。したがって、図７に示された検査結果が得られ
た場合には、図９に示される画面を表示して、ユーザに
不良原因の解析結果を明示する。

【００６３】〔領域別の異物の検査と不良原因の解析〕
次に、図１１ないし図１４を用いて本発明の異物または
欠陥検査装置で、ウェハ上の領域別に異物データを管理
し、不良対策をおこなう例について説明する。図１１
は、半導体ウェハの領域を模式的に示した図である。図
１２は、領域別に異物データを管理している場合に、ウ
ェハ上の特定の大きさの異物を明示的に示した模式図で
ある。図１３と図１４は、領域別の異物の大きさ別の検
出個数を表示したグラフを示す図である。

【００６４】一般に、半導体ウェハにチップのパターン
を形成する場合に、必ずしも一様にパターンが形成され
るわけではなく、パターンの形成密度が高いところもあ
り、低いところもある。例えば、図１１に示されるチッ
プがマイクロプロセッサのものであるとすると、例え
ば、領域１１０１はメモリセル回路部分、領域１１０２
はデータの入出力回路部分、領域１１０３は回路パター
ンの存在しない部分と分れている。通常、これらの領域
１１０１、１１０２、１１０３では回路パターンの集積
度が異なる。したがって、その帰結として、それぞれの
領域において不良原因となる異物の大きさも異なること
になる。すなわち、チップ内の領域により、管理・解析
すべき異物の大きさが異なる訳である。具体的に言う
と、例えば、領域１１０１では、大きさα以上の異物が
あると不良となり、領域１１０２では、大きさβ以上の
異物、また、領域１１０３では大きさγ以上の異物があ
ると不良となる場合に、これらの領域情報と不良となる
異物の大きさ情報を、管理データとして予め検査装置に
持たせておく。領域情報や不良となる異物の大きさ情報
の入力方法は、検査装置に座標値や異物の大きさを入力
する画面を設けて直接入力しても良いし、ウェハの光学
像をＴＶカメラ等で入力した画像から領域を選択するよ
うにしても良い。また、上位システムからデータをダウ
ンロードしても良いし、取り外し可能な記憶媒体、例え
ば、フロッピー（登録商標）ディスクから検査装置にデ
ータを読み込ませても良い。

【００６５】上記のように検査装置に領域と不良となる
判定される異物の大きさ情報を持たせて、被検査物の検
査をおこなう。そして、検査装置での検出異物の位置情
報により領域を判定し、検出異物の大きさ情報と該不良
となる異物の大きさ情報とを比較して不良原因となるか
否かを判定する。

【００６６】その結果、不良原因となると判定した異物
と不良原因とならないと判定した異物の出力表示形態を
変えることにより、不良原因となる異物をユーザに明示
してやることにより、ユーザが不良原因となる異物をす
ぐに見て取ることができる。

【００６７】この手法を図１２を用いて具体的に示すと
以下のようになる。

【００６８】図１２に示すウェハ１２０１には、検出異
物１２０２の位置が示され出力されている。従来は、図
１２（ａ）に示すような検出結果であったため、不良原
因の解析には、適当に異物を選択して、その異物の分析
をおこなっていた。したがって、真に分析すべき異物を
選択できる確率が低く、不良原因の解析に時間を要して
いた。しかしながら、前の判定を用いて図１２（ｂ）に
示す様に、不良原因となると判定した異物、すなわち、
分析すべき異物１２０３の表示を変えることによって、
検出した異物の中から分析すべき異物１２０３を選択す
ることが容易となり、分析すべき異物を選択できる確率
が上がり、不良原因の解析を迅速におこなうことが可能
となる。なお、図１１では表示を変える方法として、表
示パターンを変えて示しているが、他にも、表示パター
ンの色や大きさを変えても良い。また、不良原因となる
異物のみの表示でも良い。さらに、本実施例では領域分
けとしてチップ内での領域分けをおこなったが、これを
ウェハ面内での領域分け、例えば、ウェハ中心からウェ
ハエッジまでの距離に応じて領域分けをおこなって、管
理する異物の大きさを変えても良い。また、ウェハの形
状１２０１に半導体チップのレイアウトも表示しても良
い。

【００６９】次に、図１３および図１４により領域別に
異物の検出個数を把握して、不良対策をおこなう手法に
ついて説明する。

【００７０】この例では、一つのウェハ内を三つの領域
にカテゴリー分けするものとする。仮に、その領域を領
域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃとし、その領域別に異物の個数を
検出する。そして、その結果を領域別にグラフとしてユ
ーザに表示する。

【００７１】例えば、図１３に示されるように横軸に異
物の大きさを取り、縦軸に異物の検出個数を取って、領
域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃ毎に色分けをして、異物の大きさ
のカテゴリー毎に横に並べるようにしてグラフに表示す
る。

【００７２】また、図１４に示されるように、異物の大
きさのカテゴリー毎に縦に並べるようにしてグラフに表
示しても良い。

【００７３】三つの領域とは、具体的には、例えば、半
導体ウェハの場合には、メモリセル回路部とメモリセル
回路以外の回路部分と回路パターンの無い部分の３つの
領域である。これらの図１３や図１４のように表示する
ことにより、領域別の異物の管理が容易となる。ここ
で、領域情報の入力方法は、検査装置に座標値や異物の
大きさを入力する画面を設けて直接入力しても良いし、
ウェハの光学像をＴＶカメラ等で入力した画像から領域
を選択するようにしても良い。また、上位システムから
データをダウンロードしても良いし、取り外し可能な記
憶媒体、例えばフロッピーディスクから検査装置にデー
タを読み込ませても良い。

【００７４】さて、領域別に、異物の大きさ毎の検出個
数をカウントして、不良品を見つけ出す手法について説
明する。

【００７５】前述のように、領域毎にその異物があると
不良と判定される異物の大きさは異なっている。ある領
域では、あまり微細な回路ではないので比較的大きな異
物がついても、不良とはみなされないであろうし、ある
領域では、微細な回路であり、比較的微小な異物でも支
障が出る場合もある。このように領域別の警告を出すし
きい値を、領域Ａ、領域Ｂ、領域Ｃ毎に、α，β，γと
し、例えば、図１３、図１４に示される例で、

【００７６】

【数２】α = １．０［μｍ］ β = １．６［μｍ］ γ = ２．０［μｍ］ であるとする。

【００７７】これによると、領域毎のしきい値を越える
大きさの異物で検出された個数の総和は、以下のように
なる。

【００７８】領域Ａ…２４個 領域Ｂ…３個 領域Ｃ…１個 したがって、見かけ上は、領域Ｃで検出された異物は、
非常に多くなっているもののそれらは、あまり製品の品
質には影響しないものであり、一方の領域Ａは、領域Ｃ
程には、異物の個数は大きくないものの、製品の品質に
影響する可能性が大きいため、領域Ａに付着した異物の
ために不良品と判定される蓋然性が高いと言える。この
ように領域別に異物の不良とみなされるしきい値を設け
て、それらを超える異物の検出個数の総和を求めて、被
検査対象物の良、不良を判定し、ユーザにそのことを表
示することにより、領域の特性に応じた合理的な検査を
おこなうことができる。

【００７９】〔異物または欠陥検査装置の光学系につい
て〕以上、本発明の記述では、異物または欠陥検査装置
の光学系については、散乱光を用いて、異物を検出し、
その大きさを測定するものについて説明してきたが、本
発明の手法は、光学系が反射光で、異物を検出し、その
大きさを測定するものであっても適用可能である。一般
に、散乱光を用いるものは検査の能率は良いが、測定精
度に難があり、反射光を用いるものは、その逆で、検査
の能率は悪いが、測定精度は優れている。本発明の手法
は、どちらについても適用可能ということである。

【００８０】

【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハや薄膜基
板の製造過程の検査や不良解析をおこなうにあたり、異
物やパターンの特性、また、被検査物の領域の特性に応
じた検査と不良解析をおこなうことにより迅速な不良対
策をおこなうことのできる異物または欠陥検査装置、な
らびに、異物または欠陥検査方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る異物または欠陥検査装置の構成を
示す図である。

【図２】本発明に係る異物または欠陥検査装置をシステ
ムとして動作させるときのブロック図である。

【図３】異物があるときの画像データを示す図と、異物
データを測定したときの信号強度の分布を示す図であ
る。

【図４】二種類の信号強度の分布を対比した図と、信号
強度を最大値を求めるための説明図である。

【図５】不良原因によって、異物の大きさと発生個数の
関係が変わることを示した図である。

【図６】異物の検出個数と異物の大きさを折れ線グラフ
で示した図である。

【図７】異物の検出個数と異物の大きさをヒストグラム
で示した図である。

【図８】ウェハ上の特定の大きさの異物を明示的に示し
た模式図である。

【図９】時系列で、特定の異物の大きさ毎の検出個数の
推移を示したグラフである。

【図１０】ユーザに異物の発生した不良原因を表示する
画面の図である。

【図１１】半導体ウェハの領域を模式的に示した図であ
る。

【図１２】領域別に異物データを管理している場合に、
ウェハ上の特定の大きさの異物を明示的に示した模式図
である。

【図１３】領域別の異物の大きさ別の検出個数を表示し
たグラフを示す図である（その一）。

【図１４】領域別の異物の大きさ別の検出個数を表示し
たグラフを示す図である（その二）。

【符号の説明】

１０１…照明光学系、１０２…被検査物、１０３…検出
光学系、１０４…光検出部、１０５…信号処理回路、１
０６…データ表示部、１０７…ステージ部、１０８…オ
ートフォーカス照明部、１０９…オートフォーカス受光
部。２０１…異物データ、２０２…異物データ２０１の
波形。３０１…異物データの信号強度の最大値、３０２
…異物データの信号強度の飽和領域、３０３…信号強度
の飽和レベル、３０４…異物データの信号強度の未飽和
データ。４０１・４０２・４０３…異物の分布領域。５
０１…検出異物の大きさ別検出数、５０２…検出数５０
１を結んだグラフ。６０１…異物の検出数を示したグラ
フ。７０１…半導体ウェハの外形、７０２…検出された
異物、７０３…特定の大きさの異物。１００１・１００
２・１００３…管理しきい値、１００４・１００５…管
理しきい値を越えた異常。１１０１・１１０２・１１０
３…チップ内の領域。１２０１…半導体ウェハ、１２０
２…検出された異物、１２０１…検出結果上の分析すべ
き異物。１３０１…異物検査装置、１３０２…データサ
ーバ、１３０３…レビュー装置、１３０４…電気テスト
装置、１３０５…分析装置、１３０６…各装置を接続す
るネットワーク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｂ 11/24 Ｋ (72)発明者 野口 稔 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 大島 良正 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 佐伯 圭一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 渡邉 哲也 東京都渋谷区東三丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 中村 寿人 東京都渋谷区東三丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 神宮 孝広 東京都渋谷区東三丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 井上 裕子 東京都渋谷区東三丁目16番３号 日立電子 エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA06 AA19 BB01 CC19 DD06 EE00 FF09 FF42 FF61 GG03 GG05 GG06 GG22 GG24 HH12 HH16 JJ01 JJ03 JJ08 JJ09 JJ16 JJ17 JJ26 LL04 LL08 LL09 LL21 LL33 NN20 PP12 QQ00 QQ02 QQ05 QQ14 QQ21 QQ23 QQ25 QQ26 QQ27 QQ28 QQ42 QQ43 RR05 RR06 SS01 SS13 TT08 2G051 AA51 AB01 BA10 CA02 CA03 CA04 CB05 CC07 DA07 DA08 EA12 EA14 EA16 EB09 EC02 FA02 4M106 AA01 CA27 CA42 CA43 CB19 DA15 DB02 DB08 DB19 DB21 DJ20 DJ27 DJ38

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   光検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異
   物または欠陥を検出する検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信
   号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測
   定手段と、 検査の結果を処理するデータ処理手段と、 検査の結果情報を表示する手段とを備え、 異物または欠陥の大きさと不良原因を関連させて、前記
   データ処理手段で、検査の結果の統計処理から不良原因
   を指摘し、前記検査の結果情報を表示する手段に表示す
   ることを特徴とする異物または欠陥検査装置。
2. 【請求項２】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   光検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異
   物または欠陥を検出する検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信
   号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測
   定手段と、 検査の結果を処理するデータ処理手段と、 検査の結果情報を表示する手段とを備え、 前記検査の結果情報を表示する手段に、前記寸法測定手
   段によって得られた異物または欠陥の大きさの頻度分布
   表示をおこなうことを特徴とする異物または欠陥検査装
   置。
3. 【請求項３】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   光検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異
   物または欠陥を検出する検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信
   号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測
   定手段と、 検査の結果を処理するデータ処理手段と、 検査の結果情報を表示する手段とを備え、 前記検査の結果情報を表示する手段に、特定の大きさの
   異物または欠陥を他の異物または欠陥と弁別して表示す
   ることを特徴とする異物または欠陥検査装置。
4. 【請求項４】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   光検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異
   物または欠陥を検出する検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信
   号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測
   定手段と、 検査の結果を処理するデータ処理手段と、 検査の結果情報を表示する手段とを備え、 被検査対象物の領域毎に管理情報を設け、その管理情報
   とその領域から検出された異物または欠陥の大きさを比
   較して、被検査対象物の領域毎の品質の良・不良を評価
   することによって、領域毎に不良解析をおこなえること
   を特徴とする異物または欠陥検査装置。
5. 【請求項５】 前記評価の結果に基づいて、前記領域毎
   に特定の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠陥
   と弁別して表示することを特徴とする請求項４記載の異
   物または欠陥検査装置。
6. 【請求項６】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   光検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異
   物または欠陥を検出する検出手段と、 その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信
   号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測
   定手段と、 検査の結果を処理するデータ処理手段と、 検査の結果情報を表示する手段とを備え、 前記被検査対象物は領域毎に管理されていて、前記検査
   の結果情報を表示する手段として、前記寸法測定手段に
   よって得られた異物または欠陥の大きさの頻度分布表示
   を、領域毎におこなうことを特徴とする異物または欠陥
   検査装置。
7. 【請求項７】 前記照明手段において、異物または欠陥
   を検出するための光源と、異物または欠陥の大きさを測
   定するために光源とが同一の光源であることを特徴とす
   る請求項１ないし請求項６記載のいずれかの異物または
   欠陥検査装置。
8. 【請求項８】 前記照明手段からの照明光源にレーザ光
   を用い、 さらに、この異物または欠陥検査装置は、 照明された被検査対象物からの散乱光を集光する集光手
   段を有し、 前記光検出手段は、その集光手段により集光された散乱
   光を検出するものであって、 前記寸法測定手段により異物または欠陥の大きさを測定
   するのに、前記光検出手段により検出された信号値の積
   分値を用いることを特徴とする請求項１ないし請求項６
   記載のいずれかの異物または欠陥検査装置。
9. 【請求項９】 被検査対象物を光学的手法によって測定
   し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査方法にお
   いて、 前記被検査対象物に光を照射する手順と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
   手順と、 検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する
   手順と、 検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または
   欠陥の大きさを測定する手順と、 検査の結果を処理するデータ処理手順と、 検査の結果情報を表示する手順とをこの順におこなっ
   て、 異物または欠陥の大きさと不良原因を関連させて、前記
   データ処理手順で、検査の結果の統計処理から不良原因
   を指摘し、前記検査の結果情報を表示することを特徴と
   する異物または欠陥検査方法。
10. 【請求項１０】 被検査対象物を光学的手法によって測
    定し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査方法に
    おいて、 前記被検査対象物に光を照射する手順と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または
    欠陥の大きさを測定する手順と、 検査の結果を処理するデータ処理手順と、 検査の結果情報を表示する手順とをこの順におこなっ
    て、 前記検査の結果情報を表示するときに、前記寸法を測定
    する手順によって得られた異物または欠陥の大きさの頻
    度分布表示をおこなうことを特徴とする異物または欠陥
    検査方法。
11. 【請求項１１】 被検査対象物を光学的手法によって測
    定し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査方法に
    おいて、 前記被検査対象物に光を照射する手順と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または
    欠陥の大きさを測定する手順と、 検査の結果を処理するデータ処理手順と、 検査の結果情報を表示する手順とをこの順におこなっ
    て、 前記検査の結果情報を表示するときに、特定の大きさの
    異物または欠陥を他の異物または欠陥と弁別して表示す
    ることを特徴とする異物または欠陥検査方法。
12. 【請求項１２】 被検査対象物を光学的手法によって測
    定し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査方法に
    おいて、 前記被検査対象物に光を照射する手順と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または
    欠陥の大きさを測定する手順と、 検査の結果を処理するデータ処理手順と、 検査の結果情報を表示する手順とをこの順におこなっ
    て、 被検査対象物の領域毎に管理情報を設け、その管理情報
    とその領域から検出された異物または欠陥の大きさを比
    較して、被検査対象物の領域毎の品質の良・不良を評価
    することによって、領域毎に不良解析をおこなえること
    を特徴とする異物または欠陥検査方法。
13. 【請求項１３】 前記評価の結果に基づいて、前記領域
    毎に特定の大きさの異物または欠陥を他の異物または欠
    陥と弁別して表示することを特徴とする請求項１２記載
    の異物または欠陥検査方法。
14. 【請求項１４】 被検査対象物を光学的手法によって測
    定し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査方法に
    おいて、 前記被検査対象物に光を照射する手順と、 前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する
    手順と、 検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または
    欠陥の大きさを測定する手順と、 検査の結果を処理するデータ処理手順と、 検査の結果情報を表示する手順とをこの順におこなっ
    て、 前記被検査対象物は領域毎に管理されていて、前記検査
    の結果情報を表示するときに、その領域毎に前記寸法を
    測定する手順によって得られた異物または欠陥の大きさ
    の頻度分布表示を、領域毎におこなうことを特徴とする
    異物または欠陥検査方法。
15. 【請求項１５】 前記照明する手順において、異物また
    は欠陥を検出するための光源と、異物または欠陥の大き
    さを測定するために光源とが同一の光源であることを特
    徴とする請求項９ないし請求項１４記載のいずれかの異
    物または欠陥検査方法。
16. 【請求項１６】 前記照明する手順の照明光源にレーザ
    光を用い、 照明された被検査対象物からの散乱光を集光する集光手
    順をおこなって、 被検査対象物からの光検出は、その集光手段により集光
    された散乱光を検出するものであって、 前記寸法測定手段により異物または欠陥の大きさを測定
    するのに、光検出時に検出された信号値の積分値を用い
    ることを特徴とする請求項９ないし請求項１４記載のい
    ずれかの異物または欠陥検査方法。