CN115656190A - 缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质，该缺陷扫描检测方法应用于待测晶圆，缺陷扫描检测方法包括：提供扫描机台，在所述扫描机台导入待检测晶圆的版图文件，根据第一预定义尺寸，将所述待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个所述晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元，所述第二预定义尺寸小于所述第一预定义尺寸，上述缺陷扫描检测方法从整体上降低了整个缺陷扫描检测过程的积累误差，进而降低了整个缺陷扫描检测过程所导致的扫描偏移程度。

Description

缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质。

背景技术

在半导体技术的发展中，缺陷是影响晶圆良品率的主要原因，所以缺陷扫描检测在半导体制造中占据主要地位。

目前的检测原理都是通过stage（平台）载着wafer（晶圆）左右或者上下移动，用一个固定光源去收集不同die（晶粒单元）在相同位置处的光信号，通过信号对比来发现缺陷。

其中，要实现不同die之间的对比，就需要定义各个die的尺寸，由于定义值与实际值误差不可避免，且die的数量众多，进而导致产品的积累误差越来越大，最后容易导致扫描偏移。

发明内容

鉴于此，本申请提供一种缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质，应用于待测晶圆，能够降低晶粒单元在扫描时的偏移误差，降低扫面检测过程所产生的偏移程度，该缺陷扫描检测方法包括：

提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；

根据第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元；

根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元，第二预定义尺寸小于第一预定义尺寸。

在一个实施例中，上述缺陷扫描检测方法还包括：

利用扫描机台对每个晶粒单元进行缺陷扫描，以得到对应的缺陷扫描分布图像；

根据缺陷扫描分布图像输出对应的缺陷扫描结果。

在一个实施例中，预设数量为偶数个。

在一个实施例中，预设数量小于或等于6个。

在一个实施例中，版图文件为GDS文件。

在一个实施例中，晶粒单元的尺寸大于2微米。

在一个实施例中，扫描机台为光学扫描机台。

此外，还提供一种缺陷扫描检测装置，应用于待测晶圆，上述缺陷扫描检测装置包括：

文件导入单元，用于提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；

区域划分单元，用于根据第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元；

拆分单元，用于根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元。

此外，还提供一种扫描设备，扫描设备包括处理器和存储器，存储器用于存储计算机程序，处理器运行计算机程序以使扫描设备执行上述缺陷扫描检测方法。

此外，还提供一种可读存储介质，可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序在被处理器执行时实施上述缺陷扫描检测方法。

其中，上述缺陷扫描检测方法包括：提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件，根据第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元，第二预定义尺寸小于第一预定义尺寸在根据设置第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域时，由于是将多个die整合在一起进行划分，降低了划分次数，相当于提高了die的尺寸，相当于在划分时降低了积累误差；进一步地，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的die时，利用扫描机台的尺寸设置功能将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的die，此过程中的拆分误差仅仅相当于现有过程中误差的N分之一（以N表示预设数量），相当于将定义误差降低了（N-1）/N，此时对于整个待检测晶圆而言，相当于从整体上降低了整个缺陷扫描检测过程的积累误差，进而降低了整个缺陷扫描检测过程所导致的扫描偏移程度。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种定义die的尺寸的界面示意图；

图2是本申请实施例提供的一种缺陷扫描检测方法的流程示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种缺陷扫描检测方法的流程示意图；

图4是本申请实施例提供的晶粒整合区域的界面示意图；

图5是本申请实施例提供的将晶粒整合区域拆分成晶粒单元的界面示意图；

图6是本申请实施例提供的一种缺陷扫描检测装置的结构框图。

具体实施方式

下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。

目前在定义各个die的尺寸时，如图1所示（a、b、c、d四个die），通常采取相邻的die之间的角点之间的距离来定义（图1中标号为b的die的左下侧角点以及标号为c的die的右上侧角点之间的距离），由于定义值与实际值误差不可避免，且die数量众多，进而导致产品的积累误差越来越大。

如图2所示，提供一种缺陷扫描检测方法，该缺陷扫描检测方法包括：

步骤S110，提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件。

步骤S120，根据第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元。

其中，待检测晶圆包含数量众多的晶粒单元，这里为了减小每个晶粒单元检测时的积累误差，通过设置第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括多个晶粒单元（die），即将多个die作为一整体去定义对应的第一预定义尺寸进行划分。

其中，设置第一预定义尺寸主要目的在于衡量晶粒单元的数量大小。

步骤S130，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元，第二预定义尺寸小于第一预定义尺寸。

其中，在根据第一预定义尺寸将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域之后，通过扫描机台“Field Size（尺寸设置）”的设置功能将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元。

其中，在根据设置第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域时，由于是将多个die整合在一起进行划分，降低了划分次数，相当于提高了die的尺寸，相当于在划分时降低了积累误差；进一步地，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的die时，利用扫描机台的“Field Size”的设置功能将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的die，此过程中的拆分误差仅仅相当于现有过程中误差的N分之一（以N表示预设数量），相当于将定义误差降低了（N-1）/N，此时对于整个待检测晶圆而言，相当于从整体上降低了整个缺陷扫描检测过程的积累误差，进而降低了整个缺陷扫描检测过程所导致的扫描偏移程度。

在一个实施例中，如图2所示，上述缺陷扫描检测方法还包括：

步骤S140，利用扫描机台对每个晶粒单元进行缺陷扫描，以得到对应的缺陷扫描分布图像。

步骤S150，根据缺陷扫描分布图像输出对应的缺陷扫描结果。

在一个实施例中，预设数量为偶数个。

其中，将预设数量设置为偶数个，有助于保持整个缺陷扫描过程的工整度以及对称性，从总体上进一步降低整个缺陷扫描检测过程的积累误差，进而降低了整个缺陷扫描检测过程所导致的扫描偏移程度。

在一个实施例中，预设数量小于或等于6个。

其中，每个晶粒整合区域包含过多预设数量的die时，对于积累误差的降低效果微乎其微，通常设置预设数量小于或等于6个。

在一个实施例中，预设数量为4个，如图4所示，每个晶粒整合区域包括4个die（以图4中的虚线框所包括的die所示），即以4个die作为一整体去定义die size，图4中以die4、die5、die7和die8作为一整体去定义各个die size，以die3的左下侧角点以及die5的右上侧角点之间的距离定义第二预定义尺寸，以die5的右上侧角点以及die7的左下侧角点之间的距离定义第一预定义尺寸，即按照上述缺陷扫描检测方法将晶粒整合区域拆分成预设数量的die，显然，第二预定义尺寸小于第一预定义尺寸。

图4中拆分得到的预设数量的die的界面示意图如图5所示，其中图5中的箭头所在区域为对应的切割线。

本实施例中，由于是将4个die整合在一起进行划分，降低了划分次数，相当于提高了die的尺寸，相当于在划分时降低了积累误差；进一步地，根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成4个die时，即利用扫描机台的“Field Size”的设置功能将每个晶粒整合区域拆分成4个die，此过程中的拆分误差仅仅相当于原有误差四分之一，相当于将定义误差降低了3/4，此时对于整个待检测晶圆而言，相当于从整体上降低了整个缺陷扫描检测过程的积累误差，进而降低了整个缺陷扫描检测过程所导致的扫描偏移程度。

在一个实施例中，版图文件为GDS文件。

在一个实施例中，晶粒单元的尺寸大于2微米。

在一个实施例中，扫描机台为光学扫描机台。

此外，如图6所示，还提供一种缺陷扫描检测装置100，应用于待测晶圆，上述缺陷扫描检测装置100包括：

文件导入单元210，用于提供扫描机台，在扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；

区域划分单元220，用于根据第一预定义尺寸，将待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元；

拆分单元230，用于根据第二预定义尺寸的切割线，将每个晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元。

此外，还提供一种扫描设备，扫描设备包括处理器和存储器，存储器用于存储计算机程序，处理器运行计算机程序以使扫描设备执行上述缺陷扫描检测方法。

此外，还提供一种可读存储介质，可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序在被处理器执行时实施上述缺陷扫描检测方法。

上述缺陷扫描装置100中各个单元的划分仅用于举例说明，在其他实施例中，可将上述缺陷扫描装置100按照需要划分为不同的单元，以完成上述缺陷扫描装置100的全部或部分功能。关于的上述缺陷扫描装置100具体限定可以参见上文中对于缺陷扫描方法的限定，在此不再赘述。

即，以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

另外，对于特性相同或相似的结构元件，本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，“例如”一词是用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“例如”的任何一个实施例不一定被解释为比其它实施例更加优选或更加具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，本申请给出了以上描述。在以上描述中，为了解释的目的而列出了各个细节。

应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实施例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

Claims (10)

1.一种缺陷扫描检测方法，其特征在于，应用于待测晶圆，所述缺陷扫描检测方法包括：

提供扫描机台，在所述扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；

根据第一预定义尺寸，将所述待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元；

根据第二预定义尺寸的切割线，将每个所述晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元，所述第二预定义尺寸小于所述第一预定义尺寸。

2.根据权利要求1所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，还包括：

利用所述扫描机台对每个所述晶粒单元进行缺陷扫描，以得到对应的缺陷扫描分布图像；

根据所述缺陷扫描分布图像输出对应的缺陷扫描结果。

3.根据权利要求1所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，所述预设数量为偶数个。

4.根据权利要求3所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，所述预设数量小于或等于6个。

5.根据权利要求1所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，所述版图文件为GDS文件。

6.根据权利要求1所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，所述晶粒单元的尺寸大于2微米。

7.根据权利要求1所述的缺陷扫描检测方法，其特征在于，所述扫描机台为光学扫描机台。

8.一种缺陷扫描检测装置，其特征在于，应用于待测晶圆，所述缺陷扫描检测装置包括：

文件导入单元，用于提供扫描机台，在所述扫描机台导入待检测晶圆的版图文件；

区域划分单元，用于根据第一预定义尺寸，将所述待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒整合区域均包括数量相同的多个晶粒单元；

拆分单元，用于根据第二预定义尺寸的切割线，将每个所述晶粒整合区域拆分成预设数量的晶粒单元。

9.一种扫描设备，其特征在于，所述扫描设备包括处理器和存储器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序以使所述扫描设备执行权利要求1至7中任一项所述的缺陷扫描检测方法。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时实施权利要求1至7中任一项所述的缺陷扫描检测方法。

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