CN102130031A - 检测晶圆的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种检测晶圆的方法，包括如下步骤：第1步，当x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。本发明可以在任意情况下，将缺陷准确定位于每个晶粒之中，从而为后续分析如晶圆中的晶粒良品率分析提供便利。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路领域的检测方法。
背景技术
请参阅图1，一个圆形的晶圆(wafer)10上包含多个矩形的晶粒(芯片)11，其中每个晶粒11的横向边长为x_act，纵向边长为y_act。
半导体集成电路生产过程中，由晶圆测试机台对晶圆10进行检测。晶圆测试机台的横向检测精度为x_ins，纵向检测精度为y_ins。
当x_ins≤x_act且y_ins≤y_act时，晶圆测试机台可以对每个晶粒11进行检测，并给出每个缺陷在哪个晶粒11中，以及缺陷在该晶粒11中的坐标。
当x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，现有的检测晶圆方法是：将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act。晶圆检测机台可以对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标。但是此时晶圆检测机台并没有给出每个缺陷在哪个晶粒11中的信息，因此无法分析一个晶圆上的晶粒良品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种检测晶圆的方法，在任何情况下都可以给出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
为解决上述技术问题，本发明检测晶圆的方法包括如下步骤：
第1步，x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；
所述x_ins为晶圆检测机台的横向检测精度；
所述y_ins为晶圆检测机台的纵向检测精度；
所述x_act为每个晶粒的横向尺寸；
所述y_act为每个晶粒的纵向尺寸；
第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
本发明可以在任意情况下，将缺陷准确定位于每个晶粒之中，从而为后续分析如晶圆中的晶粒良品率分析提供便利，有利于对生产工艺进行改进而提高产品的良品率。
附图说明
图1是晶圆与晶粒的示意图；
图2是缺陷B在所在检测单元中的坐标示意图；
图3是缺陷B在所在晶粒中的坐标示意图。
图中附图标记说明：
10为晶圆；11为晶粒；12为检测单元。
具体实施方式
本发明检测晶圆的方法，根据晶粒的尺寸大小不同具有两种不同情况。
第一种情况，当x_ins≤x_act且y_ins≤y_act时，晶圆测试机台将每个晶粒作为检测单元，对每个晶粒进行检测。检测完毕后给出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
例如晶圆测试机台的检测结果是：缺陷A在第k个晶粒中，并且缺陷A在该第k个晶粒中的坐标为(x0，y0)。每个晶粒的序号与位置的对应关系对于晶圆测试机台是已知的。晶粒中的坐标是以该矩形晶粒的某个角(如左下角)为原点建立的直角坐标系。
第二种情况，当x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圆检测机台对每个检测单元进行检测。检测完毕后给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标。
例如晶圆测试机台的检测结果是：缺陷B在第j个检测单元中，并且缺陷B在该第j个检测单元中的坐标为(p0，q0)。每个检测单元的序号与位置的对应关系对于晶圆检测机台是已知的。检测单元中的坐标是以该矩形检测单元的某个角(如左下角)为原点建立的直角坐标系。
本发明所增加的工作是，已知每个检测单元由m×n个晶粒组成，其中横向为m个晶粒，纵向为n个晶粒。已知缺陷B在第j个检测单元中，并且缺陷B在该第j个检测单元中的坐标为(p0，q0)。如何得到缺陷B在哪一个晶粒中，以及缺陷B在该晶粒中的坐标(x0，y0)。
下面仅给出一个实施例，具体介绍如何将缺陷从所在检测单元的坐标(p0，q0)转换为所在晶粒的坐标(x0，y0)。
请参阅图2，这是一个检测单元的示意图。该检测单元12由m×n个晶粒11所组成，横向为m个晶粒，纵向为n个晶粒。该检测单元12中示意性地表示了一个缺陷B，缺陷B在该检测单元12中的坐标为(p0，q0)。(p，q)坐标系是以该检测单元12的左下角为原点建立的直角坐标系。
首先将x1整除x_act，得到m0，余数为x0。再将y1整除y_act，得到n0，余数为y0。其中m0、n0为正整数或零。
请参阅图3，缺陷B所在的晶粒11为该检测单元12的原点所在晶粒11沿横向数第m0个、再沿纵向数第n0个晶粒11。缺陷B在所在晶粒11中的坐标为(x0，y0)。(x，y)坐标系是以该晶粒11的左下角为原点建立的直角坐标系。
上述实施例仅为示意，在相同原理下，本领域的一般技术人员可做出各种等同替换，则仍应属于本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种检测晶圆的方法，其特征是，包括如下步骤：
第1步，当x_ins＞x_act或y_ins＞y_act时，将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元，每个检测单元的横向尺寸为m×x_act，纵向尺寸为n×y_act，x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act，晶圆检测机台对每个检测单元进行检测，并给出每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；
所述x_ins为晶圆检测机台的横向检测精度；
所述y_ins为晶圆检测机台的纵向检测精度；
所述x_act为每个晶粒的横向尺寸；
所述y_act为每个晶粒的纵向尺寸；
第2步，将每个缺陷在哪个检测单元中，以及缺陷在该检测单元中的坐标；转换为每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
2.根据权利要求1所述的检测晶圆的方法，其特征是，所述方法第1步中，当x_ins≤x_act且y_ins≤y_act时，晶圆测试机台将每个晶粒作为检测单元，对每个晶粒进行检测；检测完毕后给出每个缺陷在哪个晶粒中，以及缺陷在该晶粒中的坐标。
3.根据权利要求1所述的检测晶圆的方法，其特征是，所述检测单元中的坐标是以该检测单元的左下角为原点的直角坐标系中的坐标；
所述晶粒中的坐标是以该晶粒的左下角为原点的直角坐标系的坐标。
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