CN107677232B - 一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，本发明提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。

Description

一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法。
背景技术
多晶硅(p-Si)薄膜晶体管相较于非晶硅(a-Si)薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，其被广泛应用于显示面板的阵列基板中。目前，多晶硅薄膜晶体管中的有源层一般为非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成的多晶硅薄膜，制备的多晶硅薄膜的优劣对多晶硅薄膜晶体管的电学性能将产生重要影响，通常多晶硅薄膜的优劣通过测量该多晶硅薄膜的晶粒尺寸来评估，测量到的晶粒尺寸越能反映晶粒形状特点，越能更好地评估出多晶硅薄膜的优劣，从而可以指导工艺生产，制备出电学性能优异的多晶硅薄膜晶体管。
而目前测量多晶硅薄膜的晶粒尺寸的方法一般通过统计晶粒界面图中晶粒的平均面积来实现，但是晶粒的平均面积并不能很好地反映晶粒形状特点，例如：采用上述方法分别测量无规则形状多晶硅薄膜的晶粒尺寸(如图1所示)和四方晶结构的多晶硅薄膜的晶粒尺寸(如图2所示)，统计的晶粒平均面积分别为0.106μm2和0.102μm2，虽然两者统计的晶粒平均面积相近，但实际上表示的是两种不同的多晶硅晶粒类型，因此该方法不能有效地指导工艺生产，从而不能制备出电学性能优异的多晶硅薄膜晶体管。
基于此，如何使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导。
本发明实施例提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括：
获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
通过该晶粒尺寸测量方法，可以确定结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，然后通过结晶体的晶粒横向尺寸与纵向尺寸，可以很好地反映晶粒形状特点，从而可以对工艺生产产生有效的指导。
较佳地，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的横向尺寸，具体包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。
较佳地，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的纵向尺寸，具体包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。
较佳地，所述获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，具体包括：
采用扫描电镜(扫描电子显微镜的简称)对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
较佳地，在对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，该方法还包括：
根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒；
所述对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
在该晶粒尺寸测量方法中，仅对有效晶粒进行测量，这样可以提高测量的准确度。
较佳地，所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
较佳地，在确定所述晶粒界面图中的至少一个晶粒的横向尺寸和纵向尺寸之后，该方法还包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的横向尺寸，以及取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸；
确定所述结晶体的另外至少一个结晶区域中晶粒的横向尺寸和纵向尺寸的步骤；
所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取各个所述结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取各个所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
在该晶粒尺寸测量方法中，由于取各个结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒横向尺寸，以及取各个结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒纵向尺寸，这样确定的结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸更具代表性，从而可以更好地反映晶粒形状特点。
本发明实施例还提供了一种晶粒尺寸测量装置，包括：
成像单元，用于获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
测量单元，用于对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
晶粒尺寸确定单元，用于根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
通过该晶粒尺寸测量装置，可以确定结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，然后通过结晶体的晶粒横向尺寸与纵向尺寸，可以很好地反映晶粒形状特点，从而可以对工艺生产产生有效的指导。
较佳地，所述成像单元具体用于：
采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
较佳地，该装置还包括：有效晶粒筛选单元；所述有效晶粒筛选单元用于在测量单元对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒；
所述测量单元具体用于：对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
由于晶粒尺寸测量装置还包括有效晶粒筛选单元，可以用于筛选有效晶粒，而测量单元仅对有效晶粒进行测量，这样可以提高测量的准确度。
本发明实施例还提供了一种多晶硅薄膜的生产方法，包括：
采用如本发明任意实施例提供的晶粒尺寸测量方法确定采用当前的准分子激光退火工艺的工艺参数形成的多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；
根据所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述多晶硅薄膜的工艺评估值；
根据所述工艺评估值，以及预先设定的工艺评估值与工艺参数调整值的对应关系，确定准分子激光退火工艺的工艺参数调整值；
根据所述工艺参数调整值，对所述当前的准分子激光退火工艺的工艺参数进行调整，并采用所述调整后的工艺参数，使非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成多晶硅薄膜。
由于本发明实施例提供的多晶硅薄膜的生产方法采用上述的晶粒尺寸测量方法确定采用当前的准分子激光退火工艺的工艺参数形成的多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，这样，通过多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸与纵向尺寸，就可以很好地反映晶粒形状特点，因此，根据该多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定的多晶硅薄膜的工艺评估值就比较准确，然后根据预先设定的工艺评估值与工艺参数调整值的对应关系，确定的准分子激光退火工艺的工艺参数调整值也将比较准确，采用比较准确的工艺参数调整值调整准分子激光退火工艺的工艺参数，使得采用该工艺参数生产的多晶硅薄膜较优，即可以对工艺生产产生有效的指导。
较佳地，所述工艺评估值为所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的差异值、所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的平均值与工艺标准值的差值其中之一或组合。
附图说明
图1为现有技术中测量无规则形状多晶硅薄膜的晶粒尺寸的示意图；
图2为现有技术中测量四方晶结构的多晶硅薄膜的晶粒尺寸的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种晶粒尺寸测量方法的流程示意图；
图4为本发明实施例中四方晶的晶胞结构示意图；
图5为本发明实施例提供的晶粒尺寸测量方法中确定晶粒的横向尺寸的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的晶粒尺寸测量方法中确定晶粒的纵向尺寸的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的一种晶粒尺寸测量装置的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种晶粒尺寸测量装置的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种多晶硅薄膜的生产方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种晶粒尺寸测量方法及装置、多晶硅薄膜的生产方法，用以使测量到的晶粒尺寸很好地反映晶粒形状特点，以对工艺生产产生有效的指导。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明附图中各层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
参见图3，本发明实施例提供的一种晶粒尺寸测量方法，包括如下步骤：
S101、获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
其中，根据晶粒形貌图绘制晶粒界面图例如可以利用晶粒形貌图中灰阶差异来绘制晶粒界面图，但本发明实施例并不限于此。
S102、对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
S103、根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
在一较佳实施方式中，步骤S101中获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，具体可以包括：
采用扫描电镜(SEM)对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
需要指出的是，本发明并不限于采用扫描电镜获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，例如还可以采用原子力显微镜、激光共聚焦显微镜等获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，本发明实施例对此并不进行限定。
在一较佳实施方式中，步骤S102中对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的横向尺寸，具体可以包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。
其中，可以选取一个横向测量的点位来确定晶粒的横向尺寸，但为了减小误差，提高测量的准确度，可以选取多个横向测量的点位来确定晶粒的横向尺寸，本发明实施例对此并不进行限定。
例如：进行了2n次等分，获取的各个横向测量的点位的横向尺寸分别为lx1，lx2，lx3，……，lx(2 n -1)，则该晶粒的横向尺寸可由下式(1)获得：
Figure BDA0001414775980000071
其中，n的取值可根据实际情况进行灵活选取。
在一较佳实施方式中，步骤S102中对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的纵向尺寸，具体可以包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。
其中，可以选取一个纵向测量的点位来确定晶粒的纵向尺寸，但为了减小误差，提高测量的准确度，可以选取多个纵向测量的点位来确定晶粒的纵向尺寸，本发明实施例对此并不进行限定。
例如：进行了2n次等分，获取的各个纵向测量的点位的纵向尺寸分别为ly1，ly2，ly3，……，ly(2 n -1)，则该晶粒的纵向尺寸可由下式(2)获得：
Figure BDA0001414775980000081
其中，n的取值可根据实际情况进行灵活选取。
在另一较佳实施方式中，晶粒的横向尺寸和纵向尺寸均通过采用等分法选取多个测量的点位来确定。
例如：结晶体为多晶硅薄膜，多晶硅薄膜具有四方晶结构，通常四方晶的晶胞结构如图4所示，其晶胞参数如下：a＝b≠c，α＝β＝γ＝90°；参见图5，采用等分法选取多个测量的点位来确定晶粒的横向尺寸包括如下步骤：
(1)取晶粒纵向二等分点位，测量横向尺寸lx1；
(2)取晶粒纵向四等分点位，测量横向尺寸lx2，lx3；
(3)取晶粒纵向八等分点位，测量横向尺寸lx4，lx5，lx6，lx7；
(4)计算晶粒的横向尺寸为：
Figure BDA0001414775980000082
同理，参见图6，可计算晶粒的纵向尺寸为：
Figure BDA0001414775980000083
需要指出的是，本发明实施例提供的晶粒尺寸测量方法不仅适用于四方晶系的结晶体，还适用于立方晶系、正交晶系等晶系的结晶体。
在一较佳实施方式中，在对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，该方法还可以包括：
根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒。
其中，预设的规则例如可以包括：筛选掉晶粒界面图中晶粒边界不完整的晶粒、筛选掉晶粒界面图中晶粒尺寸不正常的晶粒其中之一或组合。
于是，上述步骤S102对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸，具体可以包括：
对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
在上述测量方法中，仅对有效晶粒进行测量，这样可以提高测量的准确度。
需要指出的是，本发明实施例中确定晶粒的横向尺寸和纵向尺寸也可以是对晶粒界面图中的任意晶粒，并不仅是针对有效晶粒，本发明实施例对此并不进行限定。
下面对步骤S103根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸的具体实施方式进行介绍：
实施方式一：
所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
其中，一种极端情况，当仅对所述晶粒界面图中一个晶粒进行测量时，可以将该晶粒的横向尺寸作为结晶体的晶粒横向尺寸，以及将该晶粒的纵向尺寸作为结晶体的晶粒纵向尺寸。
在该晶粒尺寸测量方法中，由于取晶粒界面图中各个晶粒的横向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒横向尺寸，以及取晶粒界面图中各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒纵向尺寸，这样确定的结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸比较具代表性，从而可以较好地反映晶粒形状特点。
实施方式二：
本发明实施例实施方式二中，在确定所述晶粒界面图中的至少一个晶粒的横向尺寸和纵向尺寸之后，该方法还包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的横向尺寸，以及取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸；
确定所述结晶体的另外至少一个结晶区域中晶粒的横向尺寸和纵向尺寸的步骤；
所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取各个所述结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取各个所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
在该晶粒尺寸测量方法中，由于取各个结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒横向尺寸，以及取各个结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为结晶体的晶粒纵向尺寸，这样确定的结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸更具代表性，从而可以更好地反映晶粒形状特点。
基于同一发明构思，参见图7，本发明实施例还提供了一种晶粒尺寸测量装置，包括：
成像单元11，用于获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
测量单元12，用于对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
晶粒尺寸确定单元13，用于根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸。
在一较佳实施方式中，成像单元11具体用于：
采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
在一较佳实施方式中，参见图8，该装置还可以包括：有效晶粒筛选单元14；有效晶粒筛选单元14用于在测量单元12对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒。
于是，上述测量单元12具体可以用于：对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
在一较佳实施方式中，测量单元12具体可以用于：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。
在一较佳实施方式中，测量单元12具体可以用于：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。
在一较佳实施方式中，晶粒尺寸确定单元13具体用于：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
在一较佳实施方式中，成像单元11还用于：获取所述结晶体的另外至少一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据各所述晶粒形貌图绘制各自的晶粒界面图；
测量单元12还用于：确定所述其余各个晶粒界面图中至少一个晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
晶粒尺寸确定单元13具体用于：取与每一所述结晶区域对应的晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为该结晶区域中晶粒的横向尺寸，以及取与每一所述结晶区域对应的晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为该结晶区域中晶粒的纵向尺寸；
取各个所述结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；取各个所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
基于同一发明构思，参见图9，本发明实施例还提供了一种多晶硅薄膜的生产方法，包括：
S201、采用如本发明任意实施例提供的晶粒尺寸测量方法确定采用当前的准分子激光退火工艺的工艺参数形成的多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；
其中，准分子激光退火工艺的工艺参数例如为：结晶时间、激光能量等。
S202、根据所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述多晶硅薄膜的工艺评估值；
其中，工艺评估值可以为所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的差异值、所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的平均值与工艺标准值(spec值)的差值其中之一或组合。工艺评估值可用于评估工艺，例如：晶粒横向尺寸和纵向尺寸的差异值，可用于评估晶粒的规整程度，晶粒横向尺寸与晶粒纵向尺寸相等时，晶粒的规整程度最高。
S203、根据所述工艺评估值，以及预先设定的工艺评估值与工艺参数调整值的对应关系，确定准分子激光退火工艺的工艺参数调整值；
其中，预先设定的工艺评估值与工艺参数调整值的对应关系例如可以通过多次实验测量而建立。
S204、根据所述工艺参数调整值，对所述当前的准分子激光退火工艺的工艺参数进行调整，并采用所述调整后的工艺参数，使非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成多晶硅薄膜。
另外，在确定一个结晶区域中任意有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸后，可以将横向尺寸与纵向尺寸之积作为该有效晶粒的面积，然后统计该结晶区域各个有效晶粒的面积之和，并计算该面积之和与该结晶区域的成像面积的比值，将该比值作为该结晶区域的有效晶粒占比，根据该有效晶粒占比，可以判断多晶硅薄膜的结晶比例，进而指导工艺参数的调整。
当然，也可以计算多个结晶区域的有效晶粒占比，然后求各个结晶区域的有效晶粒占比的平均值，而后根据该有效晶粒占比的平均值判断多晶硅薄膜的结晶比例，进而指导工艺参数的调整。
综上所述，本发明实施例提供的技术方案中，先获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；再对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；然后根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，通过上述方式可以确定结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，然后通过结晶体的晶粒横向尺寸与纵向尺寸，可以很好地反映晶粒形状特点，从而可以对工艺生产产生有效的指导。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种晶粒尺寸测量方法，其特征在于，包括：
获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；
其中，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的横向尺寸，具体包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述晶粒界面图中的一个晶粒进行测量，确定该晶粒的纵向尺寸，具体包括：
采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的横向界面上选取至少一个纵向测量的点位，并在各个所述纵向测量的点位进行纵向测量，获取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸，取各个所述纵向测量的点位的纵向尺寸的平均值作为该晶粒的纵向尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，具体包括：
采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，该方法还包括：
根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒；
所述对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，在确定所述晶粒界面图中的至少一个晶粒的横向尺寸和纵向尺寸之后，该方法还包括：
取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的横向尺寸，以及取所述晶粒界面图中测量的各个晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸；
确定所述结晶体的另外至少一个结晶区域中晶粒的横向尺寸和纵向尺寸的步骤；
所述根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，具体包括：
取各个所述结晶区域中晶粒的横向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒横向尺寸；
取各个所述结晶区域中晶粒的纵向尺寸的平均值作为所述结晶体的晶粒纵向尺寸。
7.一种晶粒尺寸测量装置，其特征在于，包括：
成像单元，用于获取结晶体的一个结晶区域的晶粒形貌图，并根据所述晶粒形貌图绘制晶粒界面图；
测量单元，用于对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量，分别确定各个测量晶粒的横向尺寸和纵向尺寸；
晶粒尺寸确定单元，用于根据测量的晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述结晶体的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；
其中，所述测量单元，还用于采取等分法在所述晶粒界面图中的一个晶粒的纵向界面上选取至少一个横向测量的点位，并在各个所述横向测量的点位进行横向测量，获取各个所述横向测量的点位的横向尺寸，取各个所述横向测量的点位的横向尺寸的平均值作为该晶粒的横向尺寸。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述成像单元具体用于：
采用扫描电镜对结晶体的一个结晶区域进行成像，获取该结晶区域的晶粒形貌图。
9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，该装置还包括：有效晶粒筛选单元；所述有效晶粒筛选单元用于在测量单元对所述晶粒界面图中的至少一个晶粒进行测量之前，根据预设的规则对所述晶粒界面图中的晶粒进行筛选，确定有效晶粒；
所述测量单元具体用于：对所述晶粒界面图中的至少一个有效晶粒进行测量，分别确定各个测量有效晶粒的横向尺寸和纵向尺寸。
10.一种多晶硅薄膜的生产方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-6任一项所述的晶粒尺寸测量方法确定采用当前的准分子激光退火工艺的工艺参数形成的多晶硅薄膜的晶粒横向尺寸和纵向尺寸；
根据所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸，确定所述多晶硅薄膜的工艺评估值；
根据所述工艺评估值，以及预先设定的工艺评估值与工艺参数调整值的对应关系，确定准分子激光退火工艺的工艺参数调整值；
根据所述工艺参数调整值，对所述当前的准分子激光退火工艺的工艺参数进行调整，并采用所述调整后的工艺参数，使非晶硅薄膜经过准分子激光退火工艺后形成多晶硅薄膜。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述工艺评估值为所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的差异值、所述晶粒横向尺寸和纵向尺寸的平均值与工艺标准值的差值其中之一或组合。
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