JPH01316935A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH01316935A JPH01316935A JP14810188A JP14810188A JPH01316935A JP H01316935 A JPH01316935 A JP H01316935A JP 14810188 A JP14810188 A JP 14810188A JP 14810188 A JP14810188 A JP 14810188A JP H01316935 A JPH01316935 A JP H01316935A
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、洗浄技術、特に、超音波を使用した洗浄技術
に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、ウェ
ハを洗浄するのに利用して有効な技術に関する。
に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、ウェ
ハを洗浄するのに利用して有効な技術に関する。
半導体装置の製造工程において、ウェハを洗浄する洗浄
装置として、ステンレスを用いて形成された洗浄槽に被
洗浄物゛としてのウェハを浸漬し、洗浄槽の底部に装備
された超音波発生装置によって超音波を、このウェハに
ステンレスまたはタンタル等のような金属を用いて形成
された振動板を介して照射することにより、洗浄するよ
うに構成されているもの、が提案されている。
装置として、ステンレスを用いて形成された洗浄槽に被
洗浄物゛としてのウェハを浸漬し、洗浄槽の底部に装備
された超音波発生装置によって超音波を、このウェハに
ステンレスまたはタンタル等のような金属を用いて形成
された振動板を介して照射することにより、洗浄するよ
うに構成されているもの、が提案されている。
なお、超音波を利用してウェハを洗浄する技術を述べで
ある例としては、特開昭62−45126号公報、があ
る。
ある例としては、特開昭62−45126号公報、があ
る。
〔発明が解決しようとする課題]
しかし、このような洗浄装置においては、振動板がステ
ンレスまたはタンタル等のような金属を用いて形成され
ているため、振動板がエロージョンによって金属微粒子
が発生したり、金属イオンが溶出したりすることにより
、ウェハが金属汚染され、ウェハが金属汚染されたまま
拡散工程へ送られることにより、耐圧劣化や酸化膜が異
常成長するという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。
ンレスまたはタンタル等のような金属を用いて形成され
ているため、振動板がエロージョンによって金属微粒子
が発生したり、金属イオンが溶出したりすることにより
、ウェハが金属汚染され、ウェハが金属汚染されたまま
拡散工程へ送られることにより、耐圧劣化や酸化膜が異
常成長するという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。
また、洗浄液が酸性の薬液であった場合、腐食の問題が
生しる。
生しる。
本発明の目的は、被洗浄物の金属汚染を防止することが
できるとともに、耐食性に冨む洗浄装置を提供すること
にある。
できるとともに、耐食性に冨む洗浄装置を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔課題を解決するための手段]
零顎において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、被洗浄物を液中に浸漬して洗浄するように構
成されている洗浄槽と、被洗浄物に超音波を振動板を介
して照射するように構成されている超音波発生装置とを
備えている洗浄装置において、前記振動板を石英または
シリコンにより形成したものである。
成されている洗浄槽と、被洗浄物に超音波を振動板を介
して照射するように構成されている超音波発生装置とを
備えている洗浄装置において、前記振動板を石英または
シリコンにより形成したものである。
前記した手段によれば、振動板は超音波振動により洗浄
液との境にエロージョンを起こして微粒子およびイオン
を発生することになるが、振動板は石英またはシリコン
を用いて形成されているため、被洗浄物の金属汚染源と
はならず、洗浄に伴う2次汚染は防止されることになる
。また、洗浄液が酸性であっても腐食することなく、洗
浄装置の機能を損なうことがない。
液との境にエロージョンを起こして微粒子およびイオン
を発生することになるが、振動板は石英またはシリコン
を用いて形成されているため、被洗浄物の金属汚染源と
はならず、洗浄に伴う2次汚染は防止されることになる
。また、洗浄液が酸性であっても腐食することなく、洗
浄装置の機能を損なうことがない。
第1図は本発明の一実施例であるウェハ洗浄装置を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
本実施例において、このウェハ洗浄装置3は洗浄槽4を
備えており、この洗浄槽4は石英ガラスを用いて、被処
理物としてのウェハlを複数枚保持した治具2を収容し
得るように構成されている。
備えており、この洗浄槽4は石英ガラスを用いて、被処
理物としてのウェハlを複数枚保持した治具2を収容し
得るように構成されている。
洗浄槽4には洗浄液としての純水5が貯留されており、
純水5は図示しない適当な給排水装置により流通されて
鮮度を維持し得るようになっている。
純水5は図示しない適当な給排水装置により流通されて
鮮度を維持し得るようになっている。
洗浄槽4の底壁外部には超音波発生装置6が装備されて
おり、超音波発生装置6は圧電素子等を用いて、高振動
数(200KHz以上)の超音波8を一方向に発振する
ように構成されている。洗浄槽4の底壁には振動板7が
シール状態を保って洗浄槽4の純水5に接するように取
り付けられており、振動板7は超音波発生装置6により
発生された超音波8を純水に伝播させるように構成され
ている。
おり、超音波発生装置6は圧電素子等を用いて、高振動
数(200KHz以上)の超音波8を一方向に発振する
ように構成されている。洗浄槽4の底壁には振動板7が
シール状態を保って洗浄槽4の純水5に接するように取
り付けられており、振動板7は超音波発生装置6により
発生された超音波8を純水に伝播させるように構成され
ている。
本実施例において、振vI板7は石英(Sin、)を用
いて一体成形されており、かつ、この振動板7はアニー
ル処理を施され、超音波が効率的に伝わり易くなるよう
にその結晶方向を揃えられている。
いて一体成形されており、かつ、この振動板7はアニー
ル処理を施され、超音波が効率的に伝わり易くなるよう
にその結晶方向を揃えられている。
次に作用を説明す、る。
被洗浄物としてのウェハ1は複数枚(25〜100枚)
が、石英を用いて形成されている治具2に収納された状
態で、洗浄槽4の純水5中へ浸漬される。
が、石英を用いて形成されている治具2に収納された状
態で、洗浄槽4の純水5中へ浸漬される。
一方、超音波発生装置6は高周波電力が通電されること
により超音波8を発生し これを振動板7を介して純水
5中に発射することにより、純水中に浸漬されたウェハ
1および治具2に照射する。
により超音波8を発生し これを振動板7を介して純水
5中に発射することにより、純水中に浸漬されたウェハ
1および治具2に照射する。
ここで、照射される超音波8は200 KHz〜100
0KHz、望ましくは800Kt(zを帯域付近に設定
される。
0KHz、望ましくは800Kt(zを帯域付近に設定
される。
超音波8がウェハ1および治具2に照射されると、これ
らに付着している汚染異物9が強制的に剥離されるため
、ウェハlおよび治具2が洗浄されることになる。すな
わち、800Kl(zの超音波8が当たると1.ウェハ
1に付着している異物9は約10万Gの加速度をもって
振動されることにより、物理的外力を付勢されるため、
ウェハ1から強制的に剥離される。
らに付着している汚染異物9が強制的に剥離されるため
、ウェハlおよび治具2が洗浄されることになる。すな
わち、800Kl(zの超音波8が当たると1.ウェハ
1に付着している異物9は約10万Gの加速度をもって
振動されることにより、物理的外力を付勢されるため、
ウェハ1から強制的に剥離される。
ここで、振動板7により超音波発生装置6からの超音波
8が純水5へ伝えられるとき、振動(反7において純水
5との接触界面が高振動により侵蝕されるため、SiO
□の微粒子が発生する。また、純水5にはこれに接触し
ている物質のイオンが溶出し易いため、振動板7のSi
O□イオンが溶出する。
8が純水5へ伝えられるとき、振動(反7において純水
5との接触界面が高振動により侵蝕されるため、SiO
□の微粒子が発生する。また、純水5にはこれに接触し
ている物質のイオンが溶出し易いため、振動板7のSi
O□イオンが溶出する。
ところで、振動板がステンレスやタンタル等のような金
属材料を用いて形成されている場合、これらの金属微粒
子や金属イオンが純水中に溶出することになる。ウェハ
に対してこのような金属汚染物が付着したまま、拡散工
程に送られると、ウェハにおけるSi層またはSiO□
層に金属汚染物が拡散されることになるため、耐圧劣化
や酸化膜が異常成長が起こることになる。
属材料を用いて形成されている場合、これらの金属微粒
子や金属イオンが純水中に溶出することになる。ウェハ
に対してこのような金属汚染物が付着したまま、拡散工
程に送られると、ウェハにおけるSi層またはSiO□
層に金属汚染物が拡散されることになるため、耐圧劣化
や酸化膜が異常成長が起こることになる。
しかし、本実施例においては、振動板7が石英を用いて
形成されていることにより、純水4中に溶出するのはS
ingであるため、ウェハ1に対しては汚染源とならず
、その結果、ウェハに対する洗浄には支障が生じない。
形成されていることにより、純水4中に溶出するのはS
ingであるため、ウェハ1に対しては汚染源とならず
、その結果、ウェハに対する洗浄には支障が生じない。
すなわち、例えば、。
溶出したSiO210がウニハエ自体の表面におけるS
i層、または、ウェハ1に被着されたSiO□層に付着
したまま、万一、拡散工程に送られたとしても、5iO
zがSi層または5iOz層に拡散するだけで済むため
、金属汚染物がSi層またはSiO□層に拡散する前述
した場合に比べて障害は殆ど発生しない。
i層、または、ウェハ1に被着されたSiO□層に付着
したまま、万一、拡散工程に送られたとしても、5iO
zがSi層または5iOz層に拡散するだけで済むため
、金属汚染物がSi層またはSiO□層に拡散する前述
した場合に比べて障害は殆ど発生しない。
ちなみに、振動板7の材質がステンレスまたはタンタル
の金属から石英に変更されることにより、超音波の伝播
効率の低下が懸念されるが、本実施例においては1.ア
ニール処理された石英板が使用されているため、超音波
の伝播効率の低下は回避される。
の金属から石英に変更されることにより、超音波の伝播
効率の低下が懸念されるが、本実施例においては1.ア
ニール処理された石英板が使用されているため、超音波
の伝播効率の低下は回避される。
すなわち、超音波の伝播効率が依存する振動板中の音速
が、ステンレス(SUS−316)が使用されている振
動板中における音速は、5000m/秒、タンタルが使
用されている振動板における音速は、3350m/秒、
であるのに対し、アニール処理された石英が使用されて
いる振動板における音速は、4000m/秒であり、金
属のそれに比べても同程度であることが実験により明ら
かにされた。
が、ステンレス(SUS−316)が使用されている振
動板中における音速は、5000m/秒、タンタルが使
用されている振動板における音速は、3350m/秒、
であるのに対し、アニール処理された石英が使用されて
いる振動板における音速は、4000m/秒であり、金
属のそれに比べても同程度であることが実験により明ら
かにされた。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(1)超音波をその発生装置から洗浄液中に伝播させる
ための振動板を石英を用いて形成することにより、振動
板の構成物質の溶出が発生したとしても、被洗浄物とし
てのウェハに対して汚染物になるのを回避することがで
きるため、ウェハの金属汚染を防止することができ、耐
圧劣化や酸化膜の異常成長を抑制することができる。
ための振動板を石英を用いて形成することにより、振動
板の構成物質の溶出が発生したとしても、被洗浄物とし
てのウェハに対して汚染物になるのを回避することがで
きるため、ウェハの金属汚染を防止することができ、耐
圧劣化や酸化膜の異常成長を抑制することができる。
(2) ウェハを超音波によって洗浄することにより
、ウェハに擦り力等の機械的外力を作用させずに洗浄す
ることができるため、洗浄効率を高めることができる。
、ウェハに擦り力等の機械的外力を作用させずに洗浄す
ることができるため、洗浄効率を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、振動板はアニール処理が施された石英を用いて
作製することが望ましいが、石英またはシリコンを用い
て作製してもよい。そして、振動板にシリコンを使用す
る場合、単結晶シリコンを使用することが望ましい。
作製することが望ましいが、石英またはシリコンを用い
て作製してもよい。そして、振動板にシリコンを使用す
る場合、単結晶シリコンを使用することが望ましい。
洗浄する超音波としては、800KHz帯域付近を使用
することが望ましいが、200KHz以上でも好ましく
、さらに、200KHz未満を使用してもよい。
することが望ましいが、200KHz以上でも好ましく
、さらに、200KHz未満を使用してもよい。
洗浄液としては、純水を使用するに限らず、過酸化水素
とアンモニアと水との混合液や酸性の洗浄液を使用して
もよい。
とアンモニアと水との混合液や酸性の洗浄液を使用して
もよい。
また、洗浄液を加熱セずとも充分な洗浄効果を得ること
ができるが、これは洗浄液の加熱を妨げるものではない
。
ができるが、これは洗浄液の加熱を妨げるものではない
。
洗i′?I液の給排装置および超音波発生装置等の具体
的構成について、特に限定はない。
的構成について、特に限定はない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの洗浄技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、配′kfA基板、電子部品や電子機器、そ
の他の精密加工製品の洗浄装薗全最に適用することがで
きる。
をその背景となった利用分野であるウェハの洗浄技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではなく、配′kfA基板、電子部品や電子機器、そ
の他の精密加工製品の洗浄装薗全最に適用することがで
きる。
木廓において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
超音波をその発生装置から洗浄液中に伝播させるだめの
振動板を石英またはシリコンを用いて形成することによ
り、振動板の構成物質の溶出が発生したとしても、被洗
浄物に対して汚染異物になるのを回避することができる
ため、被洗浄物の金属汚染を防止することができる。洗
浄液が酸性であっても問題なく、被洗浄物に対して不変
的な洗浄効果が期待できる。
振動板を石英またはシリコンを用いて形成することによ
り、振動板の構成物質の溶出が発生したとしても、被洗
浄物に対して汚染異物になるのを回避することができる
ため、被洗浄物の金属汚染を防止することができる。洗
浄液が酸性であっても問題なく、被洗浄物に対して不変
的な洗浄効果が期待できる。
第1図は本発明の一実施例であるウェハ洗浄装置を示す
縦断面図である。 ■・・・ウェハ(被洗浄物)、2・・・治具、3・・・
ウェハ洗浄装置、4・・・洗浄槽、5・・・純水(洗浄
液)、6・・・超音波発生装置、7・・・振動板、8・
・・超音波、9・・・付着異物、10・・・溶出5iO
z。 第1図 1・・・クエへ〇L九3?均) 3・・・ラエハ遼万を業1 本゛3Lヨ?糟 S・・・純米(?L1表) 6・・・H音ゑ剃−KL γ・・・&動板 9・・・付着′!、■ 10・・・藩ムSご02
縦断面図である。 ■・・・ウェハ(被洗浄物)、2・・・治具、3・・・
ウェハ洗浄装置、4・・・洗浄槽、5・・・純水(洗浄
液)、6・・・超音波発生装置、7・・・振動板、8・
・・超音波、9・・・付着異物、10・・・溶出5iO
z。 第1図 1・・・クエへ〇L九3?均) 3・・・ラエハ遼万を業1 本゛3Lヨ?糟 S・・・純米(?L1表) 6・・・H音ゑ剃−KL γ・・・&動板 9・・・付着′!、■ 10・・・藩ムSご02
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被洗浄物を液中に浸漬して洗浄するように構成され
ている洗浄槽と、被洗浄物に超音波を振動板を介して照
射するように構成されている超音波発生装置とを備えて
いる洗浄装置であって、前記振動板が石英またはシリコ
ンにより形成されていることを特徴とする洗浄装置。 2、石英からなる振動板がアニール処理されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の洗浄装置。 3、振動板を形成するシリコンが、単結晶シリコンであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の洗浄装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14810188A JPH01316935A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14810188A JPH01316935A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01316935A true JPH01316935A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15445267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14810188A Pending JPH01316935A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01316935A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5286657A (en) * | 1990-10-16 | 1994-02-15 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
US5534076A (en) * | 1994-10-03 | 1996-07-09 | Verteg, Inc. | Megasonic cleaning system |
US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
US6041799A (en) * | 1996-11-08 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Microwave-excitation cleaning and rinsing apparatus |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP14810188A patent/JPH01316935A/ja active Pending
Cited By (5)
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