KR101583167B1 - 레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법 - Google Patents

레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 EUV 노광 장치의 진공 챔버 내를 대기에 노출하는 일 없이, 상기 챔버 내의 레티클 척의 클리닝을 간이하게 행할 수 있고, EUV 노광 장치의 가동률 향상에 기여할 수 있는 레티클 척 클리너로서, EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 레티클 척 클리너(A)이며, 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층(1)과, 점착제층(1)에 적층된 지지층(2)과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판(3)을 구비하고, 지지층(2)과 기판(3)이 부분 점착층(4)의 접착 영역(41)에 있어서 부분적으로 접착되어 있는 레티클 척 클리너(A)를 제공한다.

Description

레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법{RETICLE CHUCK CLEANER AND RETICLE CHUCK CLEANING METHOD}
본 발명은 레티클 척 클리너 및 레티클 척 클리닝 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 레티클 척 클리너 등에 관한 것이다.
최근, 반도체의 미세화에 수반하여 EUV 리소그래피가 사용되게 되었다. EUV 광은 파장이 13.5㎚로 짧고, 대기 중에서는 바로 감쇠해버리기 때문에, EUV 광을 사용한 웨이퍼 노광 장치(EUV 스캐너)는 진공 중에 노광 광학계를 구성할 필요가 있다. 이 경우, 레티클 스테이지 자체가 진공 중에 놓이기 때문에, EUV 마스크의 척 기구에는 진공 척은 사용할 수 없고, 정전 척 방식이 채용되고 있다. 정전 척 방식에서는, 진공 척 방식과 비교하여, 동일한 보유 지지력을 얻는 데에 보다 큰 면적의 척 영역이 필요하게 된다. 이로 인해, EUV 마스크에서는, 이면의 대부분을 척 영역으로 할 필요가 있다.
이렇게 EUV 리소그래피에 있어서는, EUV 마스크의 이면의 대부분을 척 영역으로 하기 때문에, 척 기구의 표면에 이물이 존재하기 쉽다. 그리고, EUV 마스크와의 사이에 이물이 끼이면, EUV 마스크가 변형되고, 패턴면에도 왜곡이 발생함으로써, 웨이퍼 상에 전사된 패턴이 왜곡되어버리는 문제가 발생한다. 또한, 척 기구가 진공 챔버 내에 있기 때문에, 이물을 제거하기 위해서는 진공 챔버 내를 대기압으로 복귀시켜서 클리닝 작업을 할 필요가 있다. 이 경우, EUV 스캐너의 정지 시간이 길어져, EUV 스캐너의 가동률 저하의 큰 요인이 된다.
일본 특허 공개 제2009-146959호 공보
본 발명은 EUV 노광 장치의 진공 챔버 내를 대기에 노출하는 일 없이, 상기 챔버 내의 레티클 척의 클리닝을 간이하게 행할 수 있고, EUV 노광 장치의 가동률 향상에 기여할 수 있는 레티클 척 클리너를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
상기 과제 해결을 위하여, 본 발명은 EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 레티클 척 클리너로서, 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층과, 상기 점착제층에 적층된 지지층과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판을 구비하고, 상기 지지층과 상기 기판이 부분적으로 접착되어 있는 레티클 척 클리너를 제공한다. 상기 지지층과 상기 기판과의 부분적인 접착은, 상기 지지층과 상기 기판과의 사이에 형성된 점착성이 있는 영역과 점착성이 없는 영역을 갖는 부분 점착층에 의해 행할 수 있다.
이 레티클 척 클리너에 있어서, 상기 지지층과 상기 기판의 접착부는, 상기 접착부에 있어서 상기 지지층이 인장됨으로써, 레티클 척에 부착된 상기 점착제층의 박리 개시부가 생성되도록 형성되어 있다. 이에 의해, 이 레티클 척 클리너에서는, 상기 기판이 그 자중에 의해 상기 접착부를 통하여 상기 지지층을 인장함으로써 상기 박리 개시부가 생성되도록 할 수 있다. 그리고, 생성된 박리 개시부가, 상기 점착제층의 상기 레티클 척으로부터의 박리 개시 위치로서 작용한다.
이 레티클 척 클리너에 있어서, 상기 부분 점착층은 광경화형 점착제층이어도 좋고, 상기 광경화형 점착제층 중, 광경화된 영역이 상기 지지층과 상기 기판과의 비접착부를 구성하고, 잔여 영역이 상기 접착부를 구성하도록 할 수 있다.
이 레티클 척 클리너에 있어서, 상기 지지층과 상기 기판과의 비접착부에는, 접촉되는 상기 지지층과 상기 기판과의 해리성, 또는 접촉되는 상기 부분 점착층과 상기 기판과의 해리성을 높이기 위한 처리가 이루어져 있는 것이 바람직하다. 상기 처리로는 상기 기판 표면의 요철 형성 또는 조면화를 채용할 수 있다.
또한, 본 발명은 EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 방법으로서,
(1) 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층과, 상기 점착제층에 적층된 지지층과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판을 구비하고, 상기 지지층과 상기 기판이 부분적으로 접착되어 있는 레티클 척 클리너를, EUV 노광 장치의 진공 배기된 챔버 내에 수용된 레티클 척에 대하여 가압하여, 상기 점착제층을 레티클 척에 밀착시키는 부착 단계와,
(2) 레티클 척에 대한 상기 레티클 척 클리너의 가압을 해제하고, 상기 기판의 자중에 의해 상기 접착부를 통하여 상기 지지층을 인장함으로써 레티클 척에 부착된 상기 점착제층을 박리하고, 레티클 척 클리너를 레티클 척으로부터 제거하는 박리 단계를 포함하는 레티클 척 클리닝 방법을 제공한다.
이 레티클 척 클리닝 방법에서는, 상기 (1)의 단계에 있어서, 레티클 반송 수단에 적재한 상기 레티클 척 클리너를 레티클 척에 대하여 하방으로부터 가압하여 부착한다. 그 후, 상기 (2)의 단계에 있어서, 레티클 반송 수단을 하방으로 이동시켜서 레티클 척에 대한 상기 레티클 척 클리너의 가압을 해제함으로써, 상기 기판의 자중에 의해 레티클 척으로부터 박리되는 상기 레티클 척 클리너를, 하방으로 이동한 레티클 반송 수단 위에 받는 것이 가능하다.
이 레티클 척 클리닝 방법에서는, 상기 (2)의 단계에 있어서 레티클 반송 수단 위에 받은 레티클 척 클리너를 사용하여, 재차 상기 (1)의 단계를 행해도 좋고, 상기 (1) 및 상기 (2)의 단계로 이루어지는 조작을 반복해도 좋다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너(A)의 구성을 설명하는 도면이다.
도 2는 레티클 척 클리너(A)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법의 부착 단계를 설명하는 도면이다.
도 3은 레티클 척 클리너(A)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법의 박리 단계를 설명하는 도면이다.
도 4는 기판(3)과 부분 점착층(4)과의 해리성을 높이기 위한 홈(32)을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5는 기판(3)과 부분 점착층(4)과의 해리성을 높이기 위한 홈(32)을 설명하기 위한 상면 모식도이다.
도 6은 제1 실시 형태의 변형예에 관한 레티클 척 클리너의 점착 영역(41)의 구성을 설명하는 상면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너(B)의 구성을 설명하는 도면이다.
도 8은 레티클 척 클리너(B)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법의 부착 단계를 설명하는 도면이다.
도 9는 레티클 척 클리너(B)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법의 박리 단계를 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 적합한 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 실시 형태는, 본 발명의 대표적인 실시 형태의 일례를 나타낸 것이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 좁게 해석되는 일은 없다. 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너 및 이것을 사용한 레티클 척 클리닝 방법
(1) 레티클 척 클리너
(2) 레티클 척 클리닝 방법
2. 제2 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너 및 이것을 사용한 레티클 척 클리닝 방법
(1) 레티클 척 클리너
(2) 레티클 척 클리닝 방법
1. 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너 및 이것을 사용한 레티클 척 클리닝 방법
(1) 레티클 척 클리너
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너의 구성을 설명하는 모식도이고, 도 1의 (A)는 단면도, 도 1의 (B)는 상면도를 도시한다. 부호 A로 나타내는 레티클 척 클리너는, EUV 노광 장치의 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층(1)과, 점착제층(1)에 적층된 지지층(2)과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판(3)을 구비하여 이루어진다.
부호 4는 지지층(2)과 기판(3)을, 점착성을 갖는 영역(41)(이하, 「점착 영역(41)」이라고도 함)에 있어서 접착 또는 점착하는 부분 점착층을 나타낸다. 점착 영역(41)은 부분 점착층(4)의 주연부에 형성되어 있고, 부분 점착층(4)의 중앙부(점착 영역(41) 이외의 부분)는 점착성을 갖지 않은 영역(42)(이하, 「비점착 영역(42)」이라고도 함)으로 되어 있다.
[점착제층]
점착제층(1)은, (메트)아크릴산 에스테르계 중합체를 주성분으로 하는 점착제, 또는 우레탄계, 폴리에스테르계, 에폭시계, 폴리염화 비닐계, 멜라닌계, 폴리이미드계 및 실리콘계 등의 점착제에 의해 형성할 수 있다. 상세하게는 후술하지만, 점착제는 레티클 척에 부착된 이물을 점착시킬 수 있을 정도의 점착성을 갖고, 레티클 척 클리너(A)가 자중에 의해 레티클 척으로부터 박리될 수 있을 정도의 점착성을 갖는 한, 종래 공지된 점착제를 사용할 수 있다.
점착제 중에는 필요에 따라 점착 부여제, 경화제, 가소제, 중합 금지제 및 노화 방지제 등의 각종 첨가제를 첨가해도 좋다.
지지층(2)에 대한 점착제층(1)의 적층은, 예를 들어 아크릴산 에스테르 공중합체를 주성분으로 하고, 이소시아네이트 화합물을 가교제로 하는 점착제의 톨루엔/아세트산 에틸 용액을, 지지층(2)에 스핀코팅함으로써 행할 수 있다. 이밖에, 지지층(2)에 대한 점착제층(1)의 형성은, 그라비아 코터, 콤마 코터, 바 코터, 나이프 코터, 롤 코터, 철판(凸版) 인쇄, 요판(凹版) 인쇄, 평판 인쇄, 플렉소 인쇄, 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄, 스프레이 등에 의한 종래 공지된 방법에 의해 행할 수 있다. 또한, 점착제를 지지층(2) 상에 직접 도포 시공하는 방법에 한정되지 않고, 미리 박리 필름 상에 원하는 두께로 도포 시공한 점착제를 지지층(2)에 전사하는 방법도 채용할 수 있다.
점착제층(1)의 건조 후의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 0.5 내지 5.0㎛, 바람직하게는 1 내지 2㎛로 된다. 점착제층(1)은 EUV 노광 장치의 레티클 척의 척 영역과 동등하거나 그것보다 크게 형성한다.
[지지층]
지지층(2)은 폴리염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 에틸렌비닐알코올, 폴리우레탄, 아이오노머, 폴리아미드, 폴리이미드 및 PET 등의 종래 공지된 수지에 의해 형성할 수 있다. 이들 수지는, 복수의 수지의 용융 혼합물 또는 공중합체로서 사용해도 좋다. 이들 수지 중, PET는 경도가 높기 때문에 특히 바람직하다. 또한, 지지층(2)은 복수의 수지층을 포함하는 다층 구조여도 좋다.
[부분 점착층]
부분 점착층(4)은, 예를 들어 점착 영역(41)을 점착제층(1)과 마찬가지의 점착제를 사용해서 형성하고, 비점착 영역(42)을 지지층(2)과 마찬가지의 수지를 사용해서 형성한 것으로 할 수 있다. 또한, 부분 점착층(4)으로서, 점착 영역(41)을 범용의 양면 테이프에 의해 구성하고, 비점착 영역(42)을 PET 필름 등에 의해 구성한 것을 채용해도 좋다.
레티클 척 클리너(A)에 있어서, 부분 점착층(4)은 지지층(2)과 기판(3)을 부분적으로 접착 또는 점착할 수 있으면 충분하기 때문에, 비점착 영역(42)은 필수적인 구성으로는 되지 않는다. 즉, 부분 점착층(4)을, 점착제에 의해 형성된 점착 영역(41)만으로 하거나, 또는 양면 테이프에 의해 구성된 점착 영역(41)만으로 이루어지는 것으로 하고, 비점착 영역(42)을 형성하지 않도록 해도 좋다. 이 경우, 지지층(2)의 기판(3)측 면 중 기판(3)에 접착되어 있지 않은 부분은, 기판(3)에 직접 접촉되어 있어도 좋다.
또한, 부분 점착층(4)은, 방사선이나 자외선 등의 활성 광선에 의해 경화하는 광경화형 점착제를 사용해서 형성해도 좋다. 광경화형 점착제를 지지층(2) 또는 기판(3)에 도포 시공하고, 마스크를 사용해서 도포 시공한 광경화형 점착제층 중 비점착 영역(42)이 되는 부분에만 광을 조사하여, 경화시킨다. 이에 의해, 광이 조사되지 않고 점접착성을 유지한 접착 영역(41)과, 광조사에 의해 경화해서 점 접착성을 상실한 비접착 영역(42)을 갖는 부분 점착층(4)을 형성할 수 있다.
[기판]
기판(3)은 EUV 노광 장치의 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 것이면, 그 재질은 특별히 한정되지 않고, 유리, 석영, 합성 석영 등의 포토 마스크 블랭크 재료를 사용해서 형성할 수 있다.
기판(3)의 중량은, 예를 들어 합성 석영의 6인치 기판(두께 0.25인치)으로 할 경우, 325g 정도이다. 기판(3)이 이 정도의 중량이면, 후술하는 바와 같이, 레티클 척 클리너(A)를 기판(3)의 자중에 의해 레티클 척으로부터 박리시키기 위해 충분하다. 또한, 기판(3)의 중량은, 본 발명의 효과가 구현되는 한, 임의로 설정할 수 있는 것으로 한다.
레티클 척 클리너(A)는 점착제층(1), 지지층(2), 부분 점착층(4) 및 기재(3)에 더하여, 기재(3)의 점착제층(1)과 반대측 면에 형성된 얼라인먼트 마크를 가져도 좋다. 얼라인먼트 마크는 EUV 노광 장치에 있어서 레티클 척 클리너(A)를 반송 또는 척할 때 사용된다. 얼라인먼트 마크는 통상의 EUV 마스크의 제작과 마찬가지로, 기재(3) 상에 형성된 탄탈륨을 주성분으로 하는 흡수체막에 레지스트를 도포하고, 레지스트 패턴을 에칭마스크로 해서 흡수체막을 에칭하고, 레지스트를 세정·제거함으로써 형성할 수 있다.
(2) 레티클 척 클리닝 방법
이어서, 도 2 및 도 3을 참조하여, 레티클 척 클리너(A)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법에 대해서 설명한다. 도 2는 레티클 척 클리닝 방법의 부착 단계를 설명하는 단면 모식도이고, 도 3은 박리 단계를 설명하는 단면 모식도이다.
[부착 단계]
부착 단계에 있어서는, 우선, 레티클 척 클리너(A)를 EUV 노광 장치의 레티클 포트(P)에 적재하여, 통상의 레티클 반송과 마찬가지로 하여 EUV 노광 장치의 진공 배기된 챔버 내에 반송한다 (도 2의 (A) 참조).
다음으로, 통상의 레티클 척과 마찬가지로 하여 레티클 포트(P)를 레티클 척(C)에 가까이 하여, 레티클 척 클리너(A)를 레티클 척(C)에 대하여 하방으로부터 가압해서, 점착제층(1)을 레티클 척(C)에 밀착시켜서 부착한다. 이때, 레티클 척(C)에 부착된 이물(D)이 점착제층(1)에 부착되고, 점착제층(1) 내에 박히도록 해서 도입된다(도 2의 (B) 참조). 여기서, 점착제층(1)은 레티클 척(C)에 전압을 인가하고, 레티클 척 클리너(A)를 레티클 척(C)에 일시적으로 정전 척함으로써, 레티클 척(C)에 밀착시켜도 좋다.
[박리 단계]
박리 단계에 있어서는, 우선, 레티클 포트(P)를 레티클 척(C)으로부터 이격시켜서, 레티클 척(C)에 대한 레티클 척 클리너(A)의 가압을 해제한다. 이에 의해, 레티클 포트(P)에 의한 지지를 상실한 레티클 척 클리너(A)의 기판(3)이, 그 자중에 의해 기판(3)과 지지층(2)의 접착부인 접착 영역(41)을 통해 지지층(2)을 하방으로 인장한다. 그리고, 그 결과, 지지층(2)에 적층된 점착제층(1)의 레티클 척(C)으로부터의 박리 개시부(도 3의 (A) 화살표 Q 참조)가 생성된다.
점착제층(1)은 레티클 척(C)의 척 영역과 동등하거나 그것보다 크게 형성되어 있고, 점착 영역(41)은 부분 점착층(4)의 주연부에 형성되어 있기 때문에, 접착 영역(41)을 통하는 기판(3)의 자중은, 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 최외측 부분(화살표 Q 참조)에 집중해서 하중된다. 이로 인해, 점착제층(1)과 레티클 척(C)의 접촉면의 최외측 부분에는, 레티클 척(C)으로부터 점착제층(1)을 박리하기 위한 큰 힘이 작용하여, 상술한 박리 개시부가 발생한다.
박리 개시부의 생성에 의해, 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 최외측 부분으로부터 내측을 향하여, 레티클 척(C)으로부터의 점착제층(1)의 박리가 진행된다(도 3의 (B) 참조). 그리고, 레티클 척(C)으로부터 점착제층(1)이 완전히 박리되면, 레티클 척 클리너(A)가 하방으로 이동된 레티클 포트(P) 위에 낙하하여, 수취된다. 이때, 도 3의 (C)에 도시한 바와 같이, 점착제층(1) 내에 박힌 이물(D)이 레티클 척(C)으로부터 제거된다.
레티클 척(C)으로부터 박리된 레티클 척 클리너(A)가, 하방의 레티클 포트(P) 위에 똑바로 낙하하도록 하기 위해서, 기판(3)의 표면(31)에는, 접촉하는 부분 점착층(4)의 비점착 영역(42)과의 해리성을 높이기 위한 홈(32)을 형성하는 것이 바람직하다(도 4 및 도 5 참조).
레티클 척(C)에 대한 레티클 척 클리너(A)의 가압 해제 후, 기판(3)의 표면(31)에 부분 점착층(4)의 비점착 영역(42)이 붙은 채이거나, 균일하게 해리되지 않은 경우에는, 도 4의 (B)에 도시한 바와 같이, 레티클 척(C)으로부터의 레티클 척 클리너(A)의 박리가, 레티클 척 클리너(A)가 기운 상태에서 진행되는 경우가 있다. 이 경우, 레티클 척(C)으로부터 완전히 박리된 레티클 척 클리너(A)가 똑바로 하방으로 낙하하지 않아, 레티클 포트(P) 위에 적절히 수취되지 않을 가능성이 있다.
기판(3)의 표면(31)에, 동심원 형상의 복수의 홈(32)(도 5의 (A) 참조) 또는 격자 형상의 복수의 홈(32)(도 5의 (B) 참조)을 형성해 둠으로써, 레티클 척(C)에 대한 레티클 척 클리너(A)의 가압 해제 후, 기판(3)과 부분 점착층(4)이 균일하게 해리할 수 있게 된다. 그 결과, 레티클 척 클리너(A)는, 수평을 유지한 채 레티클 척(C)으로부터 박리되어, 레티클 포트(P)에 똑바로 하방으로 낙하하게 된다.
기판(3)의 표면(31)에 대한 홈(32)의 형성은, 레벤슨 마스크의 제작과 마찬가지의 방법에 의해 행할 수 있다. 즉, 기판(3) 상에 형성된 크롬 막 상에 레지스트를 도포한 후, 전자 빔 묘화 장치에 의해 홈(32)의 패턴을 묘화하고 현상 처리함으로써, 레지스트 패턴을 형성한다. 계속해서, 레지스트 패턴을 에칭마스크로 해서 크롬 막을 드라이 에칭법에 의해 선택 에칭한다. 마지막으로, 크롬 패턴을 에칭마스크로 해서 석영 기판을 드라이 에칭법에 의해 선택 에칭하고, 레지스트를 세정 제거하여, 홈(32)을 형성한다. 또한, 홈(32)은 도면에 도시한 동심원 형상 또는 격자 형상에 한정되지 않고, 중심 대칭이면 임의의 패턴으로 형성할 수 있다.
기판(3)의 표면(31)과 부분 점착층(4)의 비점착 영역(42)과의 해리성을 높이기 위한 처리는, 상기의 홈(32)과 같은 요철을 형성하는 방법에 한정되지 않고, 표면(31)을 조면화하거나, 기판(3) 또는 부분 점착층(4)의 한쪽 또는 양쪽의 표면에 박리제를 도포하는 방법을 채용해도 좋다.
기판(3)의 표면(31)의 요철 처리는, 예를 들어 인쇄법 등의 방법에 의해 행할 수 있다. 또한, 박리제로는, 예를 들어 불소 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, 부분 점착층(4)을, 점착제에 의해 형성된 점착 영역(41)만으로 하거나, 또는 양면 테이프에 의해 구성된 점착 영역(41)만으로 이루어지는 것으로서 비점착 영역(42)을 형성하지 않은 경우에는, 기판(3)의 표면(31)에는 지지층(2)이 직접 접촉하게 된다. 이 경우에 있어서도, 지지층(2)과 기판(3)과의 해리성을 높이기 위해서, 상기와 마찬가지의 처리가 이루어질 수 있는 것이다.
이와 같이, 레티클 척 클리너(A)를 사용하면, 점착제층(1)을 레티클 척(C)에 밀착시킨 후에 박리한다는 조작을 행하는 것만으로, EUV 노광 장치의 진공 챔버의 진공을 깨는 일 없이, 레티클 척(C)의 클리닝이 가능하다. 이로 인해, 진공 챔버를 일단 대기압으로 복귀시키고, 레티클 척을 진공 챔버 내로부터 꺼낸 후에 청소하는 종래 방법과 달리, 장치를 장시간 정지시킬 필요가 없어져, 장치의 가동률을 크게 개선하고, 반도체 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 레티클 척 클리너(A)는 기판(3)의 자중에 의해 레티클 척(C)으로부터 박리되도록 되어 있기 때문에, 레티클 척에 부착된 레티클 척 클리너를 벗길 수 없게 되어 제거가 불가능하게 되는 일이 없다.
레티클 척의 클리닝은, 박리 단계에 있어서 레티클 포트(P) 위에 받은 레티클 척 클리너(A)를 사용해서 다시 박리 단계를 행함으로써, 반복해서 행해도 좋다. 부착 단계 및 박리 단계를 포함하는 조작은, 레티클 척(C)에 부착된 이물(D)이 충분히 제거될 때까지 반복해서 행하는 것이 바람직하다. 클리닝 종료 후, 레티클 척 클리너(A)는, 레티클 포트(P)에 의해 챔버 외부로 반송된다.
이상으로 설명한 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너에 있어서는, 점착 영역(41)을 부분 점착층(4)의 주연부에 형성한 예를 설명하였다. 그러나, 점착 영역(41)은, 지지층(2)과 기판(3)을 부분적으로 접착 또는 점착하고, 기판(3)의 자중을 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 일부에 집중적으로 하중시킴으로써 레티클 척(C)으로부터의 점착제층(1)의 박리 개시부를 생성할 수 있는 한에 있어서, 부분 점착층(4)의 임의의 부위에 형성할 수 있다. 예를 들어, 점착 영역(41)은 도 6에 도시한 바와 같이, 부분 점착층(4)의 네 코너에 형성해도 좋다.
2. 제2 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너 및 이것을 사용한 레티클 척 클리닝 방법
(1) 레티클 척 클리너
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너의 구성을 설명하는 모식도이고, 도 7의 (A)는 단면도, 도 7의 (B)는 상면도를 도시한다. 부호 B로 나타내는 레티클 척 클리너는, EUV 노광 장치의 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층(1)과, 점착제층(1)에 적층된 지지층(2)과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판(3)을 구비하여 이루어진다.
레티클 척 클리너(B)는, 상술한 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너(A)에 비하여, 지지층(2)과 기판(3)을 부분적으로 점착 또는 접착하는 부분 점착층(4)(도 1 참조)을 형성하지 않고, 양면 테이프(43)에 의해 지지층(2)와 기판(3)을 접착하고 있는 점에서 상이하다. 양면 테이프(43)는 지지층(2) 및 기판(3)과의 사이에, 상면에서 볼 때 양자의 중심을 통과하는 십자가 되도록 삽입되어 있다.
레티클 척 클리너(B)에 있어서, 점착제층(1), 지지층(2) 및 기판(3)의 구성은, 레티클 척 클리너(A)와 동일한 구성이기 때문에 설명을 생략하고, 이하에서는 레티클 척 클리너(B)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법에 대해서 설명한다.
(2) 레티클 척 클리닝 방법
도 8은 레티클 척 클리닝 방법의 부착 단계를 설명하는 단면 모식도이고, 도 9는 박리 단계를 설명하는 단면 모식도이다.
[부착 단계]
부착 단계는, 상술한 제1 실시 형태에 따른 레티클 척 클리너(A)를 사용한 레티클 척 클리닝 방법과 마찬가지이고, 우선, 레티클 척 클리너(B)를 EUV 노광 장치의 레티클 포트(P)에 적재한다. 그리고, 통상의 레티클 반송과 마찬가지로 하여EUV 노광 장치의 진공 배기된 챔버 내로 반송한다(도 8의 (A) 참조).
다음으로, 통상의 레티클 척과 마찬가지로 하여 레티클 포트(P)를 레티클 척(C)에 가까이 하여, 레티클 척 클리너(B)를 레티클 척(C)에 대하여 하방으로부터 가압해서, 점착제층(1)을 레티클 척(C)에 밀착시켜서 부착한다. 이때, 레티클 척(C)에 부착된 이물(D)이 점착제층(1)에 부착되고, 점착제층(1) 내에 박히도록 해서 도입된다(도 8의 (B) 참조).
[박리 단계]
박리 단계에 있어서는, 우선, 레티클 포트(P)를 레티클 척(C)으로부터 이격시켜서, 레티클 척(C)에 대한 레티클 척 클리너(B)의 가압을 해제한다. 이에 의해, 레티클 포트(P)에 의한 지지를 상실한 레티클 척 클리너(B)의 기판(3)이, 그 자중에 의해 기판(3)과 지지층(2)의 접착부인 양면 테이프(43)를 통해 지지층(2)을 하방으로 인장한다. 그리고, 그 결과, 지지층(2)에 적층된 점착제층(1)의 레티클 척(C)으로부터의 박리 개시부(도 9의 (A) 화살표 Q 참조)가 생성된다.
양면 테이프(43)는 지지층(2) 및 기판(3)을 중앙에서만 접착하고 있기 때문에, 양면 테이프(43)를 통한 기판(3)의 자중은, 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 중앙 부분(화살표 Q 참조)에 집중해서 하중된다. 이로 인해, 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 중앙 부분에는, 레티클 척(C)으로부터 점착제층(1)을 박리하기 위한 큰 힘이 작용하여, 상술한 박리 개시부가 생성된다.
박리 개시부의 생성에 의해, 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 중앙 부분으로부터 외측을 향하여, 레티클 척(C)으로부터의 점착제층(1)의 박리가 진행된다(도 9의 (B) 참조). 그리고, 레티클 척(C)으로부터 점착제층(1)이 완전히 박리되면, 레티클 척 클리너(B)가 하방으로 이동된 레티클 포트(P) 위에 낙하하고, 수취된다. 이때, 도 9의 (C)에 도시한 바와 같이, 점착제층(1) 내에 박힌 이물(D)이 레티클 척(C)으로부터 제거된다.
레티클 척 클리너(B)에 있어서도, 레티클 척(C)으로부터 박리된 레티클 척 클리너(B)가, 하방의 레티클 포트(P) 위에 똑바로 낙하하도록 하기 위해서, 기판(3)의 표면(31)에, 접촉되는 지지층(2)과의 해리성을 높이기 위한 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이 처리는, 레티클 척 클리너(A)와 마찬가지의 방법에 의해 행할 수 있다.
이와 같이 레티클 척 클리너(B)를 사용하면, 점착제층(1)을 레티클 척(C)에 밀착시킨 후에 박리한다는 조작을 행하는 것만으로, EUV 노광 장치의 진공 챔버의 진공을 깨는 일 없이, 레티클 척(C)의 클리닝이 가능하다. 이로 인해, 진공 챔버를 일단 대기압으로 복귀시키고, 레티클 척을 진공 챔버 내로부터 꺼낸 후에 청소하는 종래 방법과 달리, 장치를 장시간 정지시킬 필요가 없어져, 장치의 가동률이 크게 개선되고, 반도체 디바이스의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 레티클 척 클리너(B)는 기판(3)의 자중에 의해 레티클 척(C)으로부터 박리되도록 되어 있기 때문에, 레티클 척에 부착한 레티클 척 클리너를 벗길 수 없게 되어서 제거가 불가능해지는 경우가 없다.
레티클 척의 클리닝은, 박리 단계에 있어서 레티클 포트(P) 위에 받은 레티클 척 클리너(B)를 사용해서 재차 박리 단계를 행함으로써 반복해서 행해도 좋은 점은, 레티클 척 클리너(A)에 있어서 설명한 바와 같다.
또한, 양면 테이프(43)는 지지층(2)과 기판(3)을 부분적으로 접착 또는 점착하고, 기판(3)의 자중을 점착제층(1)과 레티클 척(C)과의 접촉면의 일부에 집중적으로 하중시킴으로써 레티클 척(C)으로부터의 점착제층(1)의 박리 개시부를 생성할 수 있는 한, 임의의 부위에 형성할 수 있는 점도 상술한 바와 같다.
A, B: 레티클 척 클리너
C: 레티클 척
D: 이물
1: 점착제층
2: 지지층
3: 기판
31: 기판 표면
32: 홈
4: 부분 점착층
41: 점착 영역
42: 비점착 영역
43: 양면 테이프

Claims (15)

  1. EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 레티클 척 클리너로서,
    레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판과, 상기 기판 상에 형성되고 레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층과, 상기 점착제층에 적층된 지지층을 구비하고,
    상기 지지층과 상기 기판의 사이에, 점착성이 있는 점착 영역과 점착성이 없는 비점착 영역을 갖는 부분 점착층이 형성되는, 레티클 척 클리너.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지층과 상기 기판과의 접착부는, 상기 접착부에 있어서 상기 지지층이 인장됨으로써, 레티클 척에 부착된 상기 점착제층의 박리 개시부가 생성되도록 형성되어 있는, 레티클 척 클리너.
  3. 제2항에 있어서, 상기 박리 개시부는, 상기 기판이 그 자중에 의해 상기 접착부를 통해 상기 지지층을 인장함으로써 생성되는, 레티클 척 클리너.
  4. 제3항에 있어서, 상기 박리 개시부는, 상기 점착제층의 상기 레티클 척으로부터의 박리 개시 위치로서 작용하는, 레티클 척 클리너.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 부분 점착층이 광경화형 점착제층으로 되고,
    상기 광경화형 점착제층 중, 광경화된 영역이 상기 지지층과 상기 기판과의 비접착부를 구성하며, 잔여 영역이 상기 지지층과 상기 기판과의 접착부를 구성하고 있는, 레티클 척 클리너.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 지지층과 상기 기판의 비접착부에 있어서, 접촉되는 상기 지지층과 상기 기판의 해리성, 또는 접촉되는 상기 부분 점착층과 상기 기판의 해리성을 높이기 위한 처리가 이루어져 있는, 레티클 척 클리너.
  8. 제7항에 있어서, 상기 처리가 상기 기판 표면의 요철 형성 또는 조면화인, 레티클 척 클리너.
  9. 제1항에 있어서, 상기 점착제층이 (메트)아크릴산 에스테르계 중합체를 포함하는 점착제를 포함하는, 레티클 척 클리너.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판이 포토 마스크 블랭크인, 레티클 척 클리너.
  11. 제10항에 있어서, 상기 포토 마스크 블랭크가 유리, 석영 또는 합성 석영을 포함하는, 레티클 척 클리너.
  12. EUV 노광 장치의 레티클 척을 클리닝하기 위한 방법으로서,
    레티클 척의 척 영역에 부착되는 점착제층과, 상기 점착제층에 적층된 지지층과, 레티클 척까지 반송 가능한 형상을 갖는 기판을 구비하고, 상기 지지층과 상기 기판이 부분적으로 접착되어 있는 레티클 척 클리너를, EUV 노광 장치의 진공 배기된 챔버 내에 수용된 레티클 척에 대하여 가압하여, 상기 점착제층을 레티클 척에 밀착시키는 부착 단계와,
    레티클 척에 대한 상기 레티클 척 클리너의 가압을 해제하고, 상기 기판의 자중에 의해 상기 기판과 상기 지지층과의 접착부를 통해 상기 지지층을 인장함으로써 레티클 척에 부착된 상기 점착제층을 박리하고, 레티클 척 클리너를 레티클 척으로부터 제거하는 박리 단계를 포함하는, 레티클 척 클리닝 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 부착 단계에 있어서, 레티클 반송 수단에 적재한 상기 레티클 척 클리너를 레티클 척에 대하여 하방으로부터 가압하여 부착하고, 또한,
    상기 박리 단계에 있어서, 레티클 반송 수단을 하방으로 이동시켜서 레티클 척에 대한 상기 레티클 척 클리너의 가압을 해제함으로써 상기 기판의 자중에 의해 레티클 척으로부터 박리하는 상기 레티클 척 클리너를, 하방으로 이동한 레티클 반송 수단 위에 수용하는, 레티클 척 클리닝 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 부착 단계 및 상기 박리 단계를 포함하는 조작을 반복해서 행하는, 레티클 척 클리닝 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 점착 영역은 상기 부분 점착층의 주연부에 형성되는, 레티클 척 클리너.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014102651B4 (de) * 2013-03-15 2020-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithographiesystem mit eingebettetem Reinigungsmodul und Lithographie-Belichtungsverfahren
US10459353B2 (en) 2013-03-15 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system with an embedded cleaning module
JP6196123B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 東芝メモリ株式会社 チャッククリーナ及びクリーニング方法
JP2015176934A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 静電チャッククリーナ、クリーニング方法、および露光装置
JP6419635B2 (ja) * 2014-04-23 2018-11-07 株式会社アルバック 保持装置、真空処理装置
CN105988308A (zh) * 2015-03-03 2016-10-05 上海凸版光掩模有限公司 一种掩模版上残胶的去除方法
EP3334560B1 (en) * 2015-08-14 2023-09-13 M Cubed Technologies Inc. Method for removing contamination from a chuck surface
CN109513691B (zh) * 2017-09-20 2021-06-01 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统
JP6956604B2 (ja) * 2017-11-13 2021-11-02 キヤノン株式会社 基板処理装置および物品製造方法
CN110899246A (zh) * 2018-09-14 2020-03-24 长鑫存储技术有限公司 光罩缺陷的清洁装置及清洁方法
CN109023241B (zh) * 2018-09-18 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜版和掩膜版的清洗方法
WO2020094517A1 (en) 2018-11-09 2020-05-14 Asml Holding N.V. Lithography support cleaning with cleaning substrate having controlled geometry and composition
JP7308677B2 (ja) * 2019-07-10 2023-07-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
US11199562B2 (en) 2019-08-08 2021-12-14 Western Digital Technologies, Inc. Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same
TW202331426A (zh) * 2020-06-01 2023-08-01 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法
CN112934859B (zh) * 2021-01-29 2022-06-07 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209034A (ja) * 2002-10-09 2003-07-25 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JP2006229122A (ja) 2005-02-21 2006-08-31 Nikon Corp チャック表面の異物除去方法、容器、及びテーブル

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL128894C (ko) * 1961-04-25 1900-01-01
JPH08148461A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Nitto Denko Corp 半導体ウエハに付着した異物の除去方法
JP3425267B2 (ja) * 1995-03-29 2003-07-14 日東電工株式会社 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ
JP2003142370A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Nitto Denko Corp レチクルが接する装置のクリーニング方法
JP2003218063A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Canon Inc ウエハ貼着用粘着シート及び該シートを利用する加工方法
EP1359466A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
JP2007165699A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Nikon Corp 静電チャックのパーティクル除去方法、静電チャックのパーティクル除去装置および露光装置
JP2008226973A (ja) 2007-03-09 2008-09-25 Nikon Corp 露光装置
JP2009146959A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Canon Inc 露光装置及び洗浄装置
NL1036769A1 (nl) * 2008-04-23 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, cleaning system and method for cleaning a patterning device.
JP5167195B2 (ja) * 2009-04-30 2013-03-21 日東電工株式会社 クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材、基板処理装置のクリーニング方法、および基板処理装置
JP2011044490A (ja) 2009-08-19 2011-03-03 Nikon Corp 観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5329387B2 (ja) * 2009-12-25 2013-10-30 株式会社東芝 洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法
US20120009394A1 (en) * 2010-07-07 2012-01-12 MOS Art Pack Corporation Bonding method and bonding substrate
JP5743450B2 (ja) * 2010-07-28 2015-07-01 株式会社東芝 レチクルチャッククリーナー

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209034A (ja) * 2002-10-09 2003-07-25 Toshiba Corp 半導体基板処理装置のクリーニング方法
JP2006229122A (ja) 2005-02-21 2006-08-31 Nikon Corp チャック表面の異物除去方法、容器、及びテーブル

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Publication number Publication date
TWI574114B (zh) 2017-03-11
US20140326278A1 (en) 2014-11-06
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TW201312284A (zh) 2013-03-16
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KR20140047150A (ko) 2014-04-21
WO2013035415A1 (ja) 2013-03-14
US9808841B2 (en) 2017-11-07

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